JPS6043664A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS6043664A JPS6043664A JP15120083A JP15120083A JPS6043664A JP S6043664 A JPS6043664 A JP S6043664A JP 15120083 A JP15120083 A JP 15120083A JP 15120083 A JP15120083 A JP 15120083A JP S6043664 A JPS6043664 A JP S6043664A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- thickness
- pure
- electric charge
- base body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体レーザあるいはＬＥＤ等の光源を用い
たノンインパクト電子写真方式プリンタ、あるいはイン
テリジェントコピアに使用される高感度電子写真用感光
体に関するものである。
たノンインパクト電子写真方式プリンタ、あるいはイン
テリジェントコピアに使用される高感度電子写真用感光
体に関するものである。
〔従来技術とその問題点〕 ゝ
この種の感光体は、光源として用いられる固体素子の出
力波長が６００ ｎｍ以上の長波長領域にあるために、
その領域において十分な光導電性を有することが必要で
ある。従って感光体としては銅フタロシアニン等の有機
半導体を電荷発生層とし、ピラゾリン等を電荷輸送層と
した感光体が提案されているが、電荷輸送層として有機
物を使用することはその機械的強度の問題から十分な耐
刷性能を付与することは不可能である。又、近年この分
野への応用がなされているアモルファスＳｉ系の感光体
においても、半導体レーザの出力波長領であるｓｏｏ
ｎｍ近傍には光導電性を有しておらず、Ｇｅ等のドーピ
ングが必要となる。しかしながらこうしたドーピングは
エネ．ルギーギャップを狭めることとなり、感光体とし
ての安定性に欠けるという欠点がある。
力波長が６００ ｎｍ以上の長波長領域にあるために、
その領域において十分な光導電性を有することが必要で
ある。従って感光体としては銅フタロシアニン等の有機
半導体を電荷発生層とし、ピラゾリン等を電荷輸送層と
した感光体が提案されているが、電荷輸送層として有機
物を使用することはその機械的強度の問題から十分な耐
刷性能を付与することは不可能である。又、近年この分
野への応用がなされているアモルファスＳｉ系の感光体
においても、半導体レーザの出力波長領であるｓｏｏ
ｎｍ近傍には光導電性を有しておらず、Ｇｅ等のドーピ
ングが必要となる。しかしながらこうしたドーピングは
エネ．ルギーギャップを狭めることとなり、感光体とし
ての安定性に欠けるという欠点がある。
電子写真用感光体として最も多く用いられているセレン
系の感光体においても、例えば耐刷性良好なＡｓ２Ｓｅ
２系のものはアモルファスシリコンと同様ｓｏｏ ｎｍ
近傍の波長の光に対しては使用不能であり、そのような
光に感度を持たせるために４０重量％のＴｅ添加したＳ
ｅからなる例えば厚さ１μｍの電荷発生層を純Ｓｅまた
は低濃度Ｔｅ − Ｓｅ合金からなる例えば６０μｍの
厚さの電荷輸送層の上に設けたものは、さらに最上層に
保護あるいは電荷保持機能を有する層を必要とし、製造
工程上極めて複雑となり、安定した特性を得ることが離
しい。
系の感光体においても、例えば耐刷性良好なＡｓ２Ｓｅ
２系のものはアモルファスシリコンと同様ｓｏｏ ｎｍ
近傍の波長の光に対しては使用不能であり、そのような
光に感度を持たせるために４０重量％のＴｅ添加したＳ
ｅからなる例えば厚さ１μｍの電荷発生層を純Ｓｅまた
は低濃度Ｔｅ − Ｓｅ合金からなる例えば６０μｍの
厚さの電荷輸送層の上に設けたものは、さらに最上層に
保護あるいは電荷保持機能を有する層を必要とし、製造
工程上極めて複雑となり、安定した特性を得ることが離
しい。
本発明は簡単な層構成で長波長領域の光に対して感度を
有し、かつ十分な耐刷性能を有する電子写真用感光体を
提供することを目的とする。
有し、かつ十分な耐刷性能を有する電子写真用感光体を
提供することを目的とする。
本発明は導電性基体上にＴｅの含有量１５重量％のＳｅ
−Ｔｅ合金からなり０．５〜２ Ｐｍの厚さを有する
電荷発生層と純Ｓｅからなり１０〜５０μｍの厚さを有
する電荷輸送層を順次積層して、上記の目的を達成する
ものである。この際Ｔｅ含有量は用いられる光源の種類
によって変えることが可能であるが、６００ｎｍ以上の
長波長領域において使用可能な光導電性を有せしめるた
めには少なくとも１５ ｗｔ％は含有せしめる必要があ
る。ｇ厚としては所望の光導電性を有するためのＴｅを
含有する層として０５μｍ以上あれば十分である。しか
し、２μｍ以上になると層全体としての電荷保持能力が
低下、するため好ましくない。次に電荷発生層で生成さ
れたキャリヤが感光体表面にコロナ帯電等の手段を用い
て形成された電荷を打消すとさにより電、気的な潜像と
形成する際に、当該キャリヤが容易に移動することが可
能であり、かつそれ以外の領域では十分に表面の電荷を
保持する能力を有する電荷輸送層を形成する必要がある
。この場合、キャリヤは電子であることから電子移動度
が十分大きなものであることが必要である。さらに、耐
刷性能、電荷保持性能からこの種の材料としては純Ｓｅ
が最も適しているが、純Ｓｅの電子移動度は正孔のそれ
と比較して小さいこと、又真空蒸着によって当該輸送層
を形成する場合においては基板の温度に大きく依存する
ことから、膜厚は１０μｍ以上が十分な表面電位を有す
るために必要となり、関μｍを超えるとプロセス速度に
対する追従性に問題を生ずる。
−Ｔｅ合金からなり０．５〜２ Ｐｍの厚さを有する
電荷発生層と純Ｓｅからなり１０〜５０μｍの厚さを有
する電荷輸送層を順次積層して、上記の目的を達成する
ものである。この際Ｔｅ含有量は用いられる光源の種類
によって変えることが可能であるが、６００ｎｍ以上の
長波長領域において使用可能な光導電性を有せしめるた
めには少なくとも１５ ｗｔ％は含有せしめる必要があ
る。ｇ厚としては所望の光導電性を有するためのＴｅを
含有する層として０５μｍ以上あれば十分である。しか
し、２μｍ以上になると層全体としての電荷保持能力が
低下、するため好ましくない。次に電荷発生層で生成さ
れたキャリヤが感光体表面にコロナ帯電等の手段を用い
て形成された電荷を打消すとさにより電、気的な潜像と
形成する際に、当該キャリヤが容易に移動することが可
能であり、かつそれ以外の領域では十分に表面の電荷を
保持する能力を有する電荷輸送層を形成する必要がある
。この場合、キャリヤは電子であることから電子移動度
が十分大きなものであることが必要である。さらに、耐
刷性能、電荷保持性能からこの種の材料としては純Ｓｅ
が最も適しているが、純Ｓｅの電子移動度は正孔のそれ
と比較して小さいこと、又真空蒸着によって当該輸送層
を形成する場合においては基板の温度に大きく依存する
ことから、膜厚は１０μｍ以上が十分な表面電位を有す
るために必要となり、関μｍを超えるとプロセス速度に
対する追従性に問題を生ずる。
第１図は本発明に基づく感光体の層構成を示したもので
あり、アルミニウム、銅、黄銅あるいは導電処理を施し
たプラスチック、紙等の導電性基体上にＴｅの含有量が
１５重量％以上のＳｅ −Ｔｅ合金を、真空蒸着等の手
法を用いてその膜厚が０５〜２μｍの範囲にあるような
電荷発生層２を形成する。
あり、アルミニウム、銅、黄銅あるいは導電処理を施し
たプラスチック、紙等の導電性基体上にＴｅの含有量が
１５重量％以上のＳｅ −Ｔｅ合金を、真空蒸着等の手
法を用いてその膜厚が０５〜２μｍの範囲にあるような
電荷発生層２を形成する。
その上に同様な手法で純Ｓｅからなる電荷輸送層３を１
０〜５０μｍの厚さの範囲で形成する。
０〜５０μｍの厚さの範囲で形成する。
実験例１：
直径９０ ｍｇ、長さ３２０ｍｍのアルミニウム管１の
表面を平滑に加工した後、ＢＮ’）ｚ溶液中に浸漬し表
面に酸化膜を形成したものを真空槽中に回転軸に装着す
る。基体の温度を６５°Ｃに保持したのち、Ｔｅ含有量
２５ Ｔｔｊ量％のＳｅ −Ｔｅ合金からなる層２を真
空蒸着によって形成した。この際原料のＳｅ −Ｔｅ合
金の充填量を変えて電荷発生層２の膜厚がそれぞれ０．
５ 、２ 、５μｍとなる様にして試料Ａ、Ｂ、Ｃを作
成した。次にこれらの試料を同一回転１１１１１に装着
した後、基体の温度を３５ ’Ｏに保持し、純Ｓｅから
なる電荷輸送層３を３５μｍの厚さに形成した。これら
の試料の電気的特性を第１表に示す。
表面を平滑に加工した後、ＢＮ’）ｚ溶液中に浸漬し表
面に酸化膜を形成したものを真空槽中に回転軸に装着す
る。基体の温度を６５°Ｃに保持したのち、Ｔｅ含有量
２５ Ｔｔｊ量％のＳｅ −Ｔｅ合金からなる層２を真
空蒸着によって形成した。この際原料のＳｅ −Ｔｅ合
金の充填量を変えて電荷発生層２の膜厚がそれぞれ０．
５ 、２ 、５μｍとなる様にして試料Ａ、Ｂ、Ｃを作
成した。次にこれらの試料を同一回転１１１１１に装着
した後、基体の温度を３５ ’Ｏに保持し、純Ｓｅから
なる電荷輸送層３を３５μｍの厚さに形成した。これら
の試料の電気的特性を第１表に示す。
ここで暗減衰率は１秒後の値を示し、半減衰露光祉は７
８０ｎｍの波長の光を照射して６００ Ｖの初期電位が
３００■に減衰するのに要する値である。
８０ｎｍの波長の光を照射して６００ Ｖの初期電位が
３００■に減衰するのに要する値である。
第１表
実験例２：
実験例１と同様な方法により、１．０μｍの電荷発生層
２を形成した後、基体の温度を加’０４０’０６０゛０
に保持して純Ｓｅ％ｉ３を形成した試料Ｅ、Ｆ、Ｇにつ
いて、実験例１と同様の測定を行った結果を第２表に示
す。
２を形成した後、基体の温度を加’０４０’０６０゛０
に保持して純Ｓｅ％ｉ３を形成した試料Ｅ、Ｆ、Ｇにつ
いて、実験例１と同様の測定を行った結果を第２表に示
す。
ｉ２表
第２表より基体の温度が４０°Ｃを超えると実用可能な
電子移動度を実施することが不可能なことが分かる。
電子移動度を実施することが不可能なことが分かる。
上記の試料ＡおよびＥを市販のレーザプリンタに装着し
て５万枚のプリントを実施した結果５万枚目の画像はＡ
およびＥともに何ら変化が見られなかった。一方、例え
ば有機半導体ＰＶＫを感光層とした市販の複写機におい
てコピーを行った場合には３万枚目の画像からすでに実
用に供し得ないレベルになった。
て５万枚のプリントを実施した結果５万枚目の画像はＡ
およびＥともに何ら変化が見られなかった。一方、例え
ば有機半導体ＰＶＫを感光層とした市販の複写機におい
てコピーを行った場合には３万枚目の画像からすでに実
用に供し得ないレベルになった。
本発明は基体側に０５〜２μｎ１の厚さのＳｅ−′ｒｅ
合金からなる電荷発生層を配置龜しその上に純Ｓｅから
なる電荷輸送層をね八ｊしたもので、基体を含め、３層
という極めて簡単な構造から成る感光体にもかかわらず
、５ＱＱ ｎｍ以上の長波長領域においても十分な光汚
電性を有し、かつ十分なる耐１１性能を有する感光体を
安価に提供することが可能となる。
合金からなる電荷発生層を配置龜しその上に純Ｓｅから
なる電荷輸送層をね八ｊしたもので、基体を含め、３層
という極めて簡単な構造から成る感光体にもかかわらず
、５ＱＱ ｎｍ以上の長波長領域においても十分な光汚
電性を有し、かつ十分なる耐１１性能を有する感光体を
安価に提供することが可能となる。
第１図は本発明による′ｉβ子写真用感光体の構造を示
す断面図である。 １・・・導電性基体、２・・電荷発生層、３・・・′電
荷輸送層。 第１図
す断面図である。 １・・・導電性基体、２・・電荷発生層、３・・・′電
荷輸送層。 第１図
Claims (1)
- １）導電性基体上にテルル含有量１５重量％の５ｅ−１
０合金からなり０５〜２μｍの厚さを有する電荷発生層
と純Ｓｅからなり１０〜５０μｍの厚さを有する電荷輸
送層を順次積層してなることを特徴とする電子写真用感
光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15120083A JPS6043664A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15120083A JPS6043664A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6043664A true JPS6043664A (ja) | 1985-03-08 |
Family
ID=15513428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15120083A Pending JPS6043664A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6043664A (ja) |
-
1983
- 1983-08-19 JP JP15120083A patent/JPS6043664A/ja active Pending
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