JPH01176312A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高密度磁気記録再生に適する強磁性金属薄膜を
磁気記録層とする磁気記録媒体に関する。

従来の技術 従来、磁気記録層として広く実用に供されているものは
、γ−Ｆｅ２０．　、　Ｇｏ　　をドープしたγ−Ｆｅ
２０．　、　ＣｒＯ□或いは鉄等の強磁性金属又は合金
微小粉末磁性材料を塩化ビニル、酢酸ビニル共重合体、
エポキシ樹脂等の有機バインダ中に分散させて、高分子
フィルム等の基板上に塗布乾燥させた塗布型磁性層であ
る。しかしかかる塗布型磁性層の飽和磁束密度は上限に
近すいてきており、厚みも均一に薄くできないことから
、短波長記録再生でのＣ／Ｎに限界がみえてきたため、
この限界突破のため、強磁性金属薄膜全磁気記録層とす
る磁気記録媒体の実用化に期待が強まってきている［ア
イイーイーイー　トランザクションズ　オンマグネティ
クス（ＩＫＥＥ　　ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ　　ＯＮ
ＭＡＧＮＥＴＩＣＳ）、Ｖｏ、５．ＭＡＧ−２１，ＮＯ
，３，Ｐ、Ｐ。

１２１７〜１２２０（１９８５）参照］。とりわけ、膜
面に垂直な方向に磁化する、いわゆる垂直磁化膜は原理
的にも短波長域での損失が小さいことがらＣｏ−０ｒ膜
全中心に活発に改良が進められている。一方、短波長域
での損失はスペーシング損失が支配的であジ、耐久性を
改良するために、５ｉｎ２．　Ｔｉｅ　、　ＳｉＣ、ｋ
１２０．　、　Ａｕ　、　Ｒｈ　、　Ｐｄ　　等の保護
層を配するし特開昭５０−１０４６０２号公報。

特開昭５８−１３０４３７号公報、特開昭５３−４０５
０５号公報、特開昭６７−１７６５３Ｔ号公報等参照］
ことで出力低下がおこることから、Ｇｏ−ＣｒにＧｅ　
、　Ｔｉ等を添加する等材料面からの改良と、製法面か
らの改良［例えば、特開昭６２−２０８４１３号公報、
同６２−２１４５２１号公報等参照］でのＣ／Ｎ改善が
続けられている。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら、耐熱性高分子フィルムを用い十分脱ガス
処理し、Ｇｏ−Ｃｒ　、　Ｇｏ−Ｃｒ　−Ｎｂ　、　Ｇ
ｏ　−Ｃｒ−Ｔｉ　、　Ｇｏ−Ｃｒ−Ｇｅ等の垂直磁化
膜をスパッタリング法、電子ビーム蒸着法等で形成して
も、保護膜を２００００人配すると、ビット長が０．３
μｍをきると、Ｃ／Ｎが一不足してくるといった問題が
あり改善が望まれていた。

本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、短波長域
でＣ／Ｈの優れた磁気記録媒体を提供するものである。

問題点を解決するための手段 上記した問題点を解決するため、本発明の磁気記録媒体
は、平滑な高分子フィルム上に面積比率で３〜１５％の
孔を有するＴｉ　、　Ｇｏ　、　Ｃｒのいずれかの下地
膜を配し、垂直磁化膜を形成してなるものである。

作用 本発明の磁気記録媒体は上記した構成により、垂直磁化
膜の結晶配向性が改善された上で、孔部近くに成長した
柱状微粒子により、接触面積が減少し走行耐久性を改善
できるので、スペーシング損失となる保護層の膜厚を薄
くでき、孔部にて付着強度が確保されていることで全体
としての耐久性も確保でき、Ｃ／Ｎと耐久性をバランス
よく改善できるのである。

実施例 以下、図面を参照しながら、本発明の一実施例の磁気記
録媒体について詳しく説明する。

図は本発明の一実施例の磁気記録媒体の拡大断面図であ
る。

図中、１は、平均粗さが１０人〜３ｏ人、最大粗さも１
００Å以下の極めて平滑な高分子フィルムで、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポ
リイミド等から成るものである。２ば、Ｔｉ　、　Ｇｅ
　、　Ｃｒのいずれかの下地膜で、３％から１５％の面
積率の孔を有するもので、スパッタリング法、電子ビー
ム蒸着法等で３００八から５００人の範囲の膜を形成後
イオンビームエツチング等で、直径０．４μｍから４μ
ｍ程度の孔をあけることで得られるものである。面積比
率で３％以下では保護膜の付着強度が弱まり、１５％以
上ではＣ／Ｎ低下がはじまるので、３〜１６％の範囲が
好ましい。

３はＧｏ−Ｃｒ　、　Ｇｏ　−Ｔｉ　、　Ｇｏ　−Ｗ　
、　Ｃｏ　−Ｍｏ　、　Ｇｏ　−０、Ｃｏ　−０ｒ−Ｎ
ｂ　、　Ｇｏ　−Ｎｉ　−０、Ｇｏ　−Ｆｅ−０等の垂
直磁化膜で、スパッタリング法、イオンブレーティング
法、電子ビーム蒸着法等で形成する。

４は保護潤滑剤層で、プラズマ重合膜、　５ｉｎ２膜、
硬質炭素薄膜、ＢＮ膜等と脂肪酸、脂肪酸アミド、パー
フルオロアルキルスルホン酸等トの組み合わせでスペー
シング損失を考慮し、極力薄く構成しなければならない
。本発明は磁気テープ。

磁気ディスクいずれの形態にて用いてもよいものである
。

以下、更に具体的に本発明の一実施例について、比較例
との対比で詳しく説明する。

厚み１０μｍで、平均粗さ２０人、最大粗さ７０人のポ
リエチレンテレフタレートフィルムを３０ＫｅＶ　、　
１２０μ人／ａｄの電子ビームで２秒間処理してからＴ
ｉ　ｆ高周波スパッタリング法で３６０人形成した。そ
の後、直径３μｍの円形の孔を６０に＋５’／、１００
μ人／ｃｕｔのＡｒイオンビームでエツチングすること
で形成し、孔の面積が全体の５％となるよう構成した。

その上で、高周波スパッタＩＪ　７グ法によりＧｏ　−
Ｃｒ　（Ｃｏ　：　７９．５　ｗｔ％）垂直磁化膜を０
．１３μｍ形成した。その上に、メタンガスをグロー放
電分解し、直流加速することで、ダイアモンド状硬質炭
素薄膜を８ｏ人配し、パーフルオロポリエーテルとして
市販されてるモンテフルオス社製”フオンプリンＺ−２
６”　を溶液塗布法で６０人配し、８ミリ幅の磁気テー
プとした。

一方、比較例は、Ｔｉ膜に孔をあけずにｃｏ　−ｃｒ垂
直磁化膜を形成し、その上にダイアモンド状硬質炭素薄
膜１２００人配し、同じくフオンプリンＺ−２５を８ｏ
人配し、８ミリ幅の磁気テープとして準備した。

両者を改造した８ミリビデオによシ比較評価した。ギャ
ップ長ｏ、１６μｍのメタルインギャップ型のアモルフ
ァスヘッドにより、ピット長０．２μｍの矩形波信号を
記録し、帯域１ｏ　（ＭＨｚ）のＣ／Ｎとブロックエラ
ーレイトを比較した。初期値は、比較例をＯ（ｄＢ）と
すると、実施例は３．９　（ｄＢ）Ｃ／Ｎが良好で、エ
ラーレイトは見から鴇と良好であった。スチル状態での
出力変化は、実施例は−０，７ｄＢ／ｈ　、比較例は−
０，６ｄＢ／ｈと大差ないが、走行性は比較例が、４０
　’０８０％ＲＨでのＬＰ走行で３２９ａＪｓ目でジッ
ターが発生したのに対し、実施例は１５６パスでも全く
ジッターの発生がなかった。

発明の効果 以上のように、本発明によれば、耐久性とＣ／Ｎが共に
改善された垂直磁気記録用の磁気記録媒体が得られるす
ぐれた効果がある。

【図面の簡単な説明】

図は本発明の一実施例の磁気記録媒体の拡大断面図であ
る。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・下地膜
、３・・山・垂直磁化膜。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　平滑な高分子フィルム上にＴｉ、Ｇｅ、Ｃｒのいずれ
   かの下地膜を配し、その上に垂直磁化膜を配し、上記下
   地膜を面積比率で３〜１５％の孔を有するものとしたこ
   とを特徴とする磁気記録媒体。