JPS6326816A - 磁気テ−プ - Google Patents
磁気テ−プInfo
- Publication number
- JPS6326816A JPS6326816A JP61170081A JP17008186A JPS6326816A JP S6326816 A JPS6326816 A JP S6326816A JP 61170081 A JP61170081 A JP 61170081A JP 17008186 A JP17008186 A JP 17008186A JP S6326816 A JPS6326816 A JP S6326816A
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- JP
- Japan
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- film
- tape
- width
- diamond
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- Pending
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は体積記録密度の大きい磁気テープに関するもの
である。
である。
従来の技術
強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒体は、通
常、金属もしくは合金などを電子ビーム蒸着、スパッタ
リング等によって、基板である高分子フィルムに直接又
は下地薄膜を介して蒸着形成することで製造され、短波
長になった記録状態での再生出力を大きくできることで
、高密度磁気記録の担い手として期待されている。〔外
国論文誌:アイイーイーイー トランザクションズオン
マグネティクス(I KE E TRANSACTI
ONSON MAGNETIC3)Vol、MAG−
21,P−P。
常、金属もしくは合金などを電子ビーム蒸着、スパッタ
リング等によって、基板である高分子フィルムに直接又
は下地薄膜を介して蒸着形成することで製造され、短波
長になった記録状態での再生出力を大きくできることで
、高密度磁気記録の担い手として期待されている。〔外
国論文誌:アイイーイーイー トランザクションズオン
マグネティクス(I KE E TRANSACTI
ONSON MAGNETIC3)Vol、MAG−
21,P−P。
1217〜1220(1985))
一方、磁気記録の高密度化を実現するには、狭ギャップ
長、狭トラツクの磁気ヘッドとの直接高速摺動が不可欠
であり、磁気記録層の摩耗や、損傷が問題となり、改良
のために数多くの提案がなされている。
長、狭トラツクの磁気ヘッドとの直接高速摺動が不可欠
であり、磁気記録層の摩耗や、損傷が問題となり、改良
のために数多くの提案がなされている。
強磁性金属薄膜表面上に潤滑剤を塗布する方法(特公昭
39−26246号公報)、磁気記録層の反対側の面に
、液状又は半固体状の潤滑剤及び有機バインダを主成分
とするバックコート層を設ける方法(特公昭57−29
769号公報)、プラズマ重合層を配する方法(特開昭
68−60427号、特開昭58−88828号、特開
昭61−11930号公報)等が挙げられる。
39−26246号公報)、磁気記録層の反対側の面に
、液状又は半固体状の潤滑剤及び有機バインダを主成分
とするバックコート層を設ける方法(特公昭57−29
769号公報)、プラズマ重合層を配する方法(特開昭
68−60427号、特開昭58−88828号、特開
昭61−11930号公報)等が挙げられる。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記した構成では、体積密度向上のために
、高分子フィルムが薄くなるにつれて、耐久性は十分と
はいえず、プラズマ重合膜より強固な膜として最近とり
あげられているダイアモンド状硬質炭素膜(以下、D、
L、C膜と記す)を配しても十分な耐久性が得られない
といった問題があり、改良が望まれていた。
、高分子フィルムが薄くなるにつれて、耐久性は十分と
はいえず、プラズマ重合膜より強固な膜として最近とり
あげられているダイアモンド状硬質炭素膜(以下、D、
L、C膜と記す)を配しても十分な耐久性が得られない
といった問題があり、改良が望まれていた。
本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、テープ状
媒体として十分な耐久性を有するものを提供するもので
ある。
媒体として十分な耐久性を有するものを提供するもので
ある。
問題点を解決するための手段
上記した問題点を解決するため、本発明の磁気テープは
、高分子フィルム上に強磁性金属薄膜を配し、その上に
テープ幅よシも狭いダイアモンド状硬質炭素膜を配した
ものである。
、高分子フィルム上に強磁性金属薄膜を配し、その上に
テープ幅よシも狭いダイアモンド状硬質炭素膜を配した
ものである。
作用
本発明の磁気テープは上記した構成により、高分子フィ
ルムが薄くなっても、テープの幅方向の両端部から欠落
する磁性粉にダイアモンド状硬質炭素が付いてないため
、磁気記録層表面をともすりで摩耗損傷させることがな
いので、くり返し使用に於いてドロップアウトが増加し
たり、テープ傷が生じたりすることがなく、良好な耐久
性を得ることかできるものである。
ルムが薄くなっても、テープの幅方向の両端部から欠落
する磁性粉にダイアモンド状硬質炭素が付いてないため
、磁気記録層表面をともすりで摩耗損傷させることがな
いので、くり返し使用に於いてドロップアウトが増加し
たり、テープ傷が生じたりすることがなく、良好な耐久
性を得ることかできるものである。
実施例
以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。
する。
図は本発明の磁気テープの拡大断面図である。
図で、1は厚みが571mのポリエチレンテレフタレー
トフィルムからなる高分子フィルム、2は下塗り層で、
平均粒子径3o○人のCaCO3微粒子を8×10個/
CT11.ポリエステル樹脂で分散、固定したものであ
る。3は強磁性金属薄膜で、直径1mの円筒キャンに沿
ってフィルムを巻取υながら、8×10 Torrの酸
素中で、最小入射角46度で、Go−Ni (Ni =
20 wt%)を0.14μm電子ビーム蒸着して得
たものである04はり、L、C膜で、膜厚160人で、
テープ幅を8−±6μmとした時に、幅が7.5±0°
07咽となるようにマスクをしてテープの両端部ではり
、L、C膜がGo−Ni−0膜を保護してない状態に構
成しである。なお、D、L、C膜の形成は、グラフフイ
トヲターゲノトにした水素スパッタリング法により行っ
た。
トフィルムからなる高分子フィルム、2は下塗り層で、
平均粒子径3o○人のCaCO3微粒子を8×10個/
CT11.ポリエステル樹脂で分散、固定したものであ
る。3は強磁性金属薄膜で、直径1mの円筒キャンに沿
ってフィルムを巻取υながら、8×10 Torrの酸
素中で、最小入射角46度で、Go−Ni (Ni =
20 wt%)を0.14μm電子ビーム蒸着して得
たものである04はり、L、C膜で、膜厚160人で、
テープ幅を8−±6μmとした時に、幅が7.5±0°
07咽となるようにマスクをしてテープの両端部ではり
、L、C膜がGo−Ni−0膜を保護してない状態に構
成しである。なお、D、L、C膜の形成は、グラフフイ
トヲターゲノトにした水素スパッタリング法により行っ
た。
比較テープとして、D、L、C膜が、テープ幅と同一幅
でGo −Ni −0膜を被覆しているものを準備した
。
でGo −Ni −0膜を被覆しているものを準備した
。
両者を8ミリビデオテープレコーダを用いて、P、C,
M領域でのエンベロープ確認と、P、C1M録音のエラ
ー率の増加について調べた。測定環境は40’C10%
RHとし、テープ長は50mで、信号対雑音比エラー率
共に最悪の値をとって比較した。
M領域でのエンベロープ確認と、P、C1M録音のエラ
ー率の増加について調べた。測定環境は40’C10%
RHとし、テープ長は50mで、信号対雑音比エラー率
共に最悪の値をとって比較した。
用いたヘッドはフェライトとアモルファス合金を軟磁性
材として採用した複合型リングヘッドでコア幅は90μ
mとした。
材として採用した複合型リングヘッドでコア幅は90μ
mとした。
本実施例の磁気テープは100パス目、20゜パス目で
のP、C0M部のS/Nは−0,3dB、−0,5dB
であったが、比較例は−4,5(iB、 −9,1d
Bとなり、エラー率は、本実施例のものでは初期値の1
.3倍、1.4倍であったのに比して、比較テープは6
3倍、197倍とかなり悪化することが確認でれた。
のP、C0M部のS/Nは−0,3dB、−0,5dB
であったが、比較例は−4,5(iB、 −9,1d
Bとなり、エラー率は、本実施例のものでは初期値の1
.3倍、1.4倍であったのに比して、比較テープは6
3倍、197倍とかなり悪化することが確認でれた。
上記した実施例では、高分子フィルムはポリエチレンテ
レフタレートとしたが、他にポリフエニレンサルフフイ
ド、ポリアミドイミド等としてもよい。下塗り層は、他
の無機微粒子、高分子ラテックス等の有機微粒子のいず
れでもよく、ミミズ状突起との組み合わせ等、適宜選択
すればよい。
レフタレートとしたが、他にポリフエニレンサルフフイ
ド、ポリアミドイミド等としてもよい。下塗り層は、他
の無機微粒子、高分子ラテックス等の有機微粒子のいず
れでもよく、ミミズ状突起との組み合わせ等、適宜選択
すればよい。
強磁性金属薄膜は、磁化容易軸の方向によらないし、下
地層、軟磁性層と組み合わせてもよい。
地層、軟磁性層と組み合わせてもよい。
D、L、C膜は、イオンビームデポジション法。
高周波グローを利用した電界蒸着等の方法で形成しても
よく、テープ幅に対し、100μm、好ましくは300
Iim〜500μm内側に配されるようにすることで安
定せしめることができ、補助的に、潤滑剤を設けてもよ
いのは勿論であり、バックコートについても必要に応じ
て設けうるものである。
よく、テープ幅に対し、100μm、好ましくは300
Iim〜500μm内側に配されるようにすることで安
定せしめることができ、補助的に、潤滑剤を設けてもよ
いのは勿論であり、バックコートについても必要に応じ
て設けうるものである。
発明の効果
以上のように本発明によれば、テープが薄型化しても端
部が受けるダメージが引き金となって磁気記録層が摩耗
、損傷することがないので、くり返し使用でも安定なS
/N 、エラー率を確保できるといったすぐれた効果が
得られる0
部が受けるダメージが引き金となって磁気記録層が摩耗
、損傷することがないので、くり返し使用でも安定なS
/N 、エラー率を確保できるといったすぐれた効果が
得られる0
図は本発明の実施例に係る磁気テープの拡大断面図であ
る。 1・・・・・・高分子フィルム、2・・−・・・下塗り
層、3・・・・・−強磁性金属薄膜、4・・・・・・D
、L、C膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名f−
−−141分;μフイノLム ?−−−五f・ル嘱 3− 暗僅秩17燻溝咳 4−−一υL、C訣
る。 1・・・・・・高分子フィルム、2・・−・・・下塗り
層、3・・・・・−強磁性金属薄膜、4・・・・・・D
、L、C膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名f−
−−141分;μフイノLム ?−−−五f・ル嘱 3− 暗僅秩17燻溝咳 4−−一υL、C訣
Claims (1)
- 高分子フィルム上に強磁性金属薄膜を配し、その上にテ
ープ幅よりも狭いダイアモンド状硬質炭素膜を配したこ
とを特徴とする磁気テープ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61170081A JPS6326816A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 磁気テ−プ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61170081A JPS6326816A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 磁気テ−プ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6326816A true JPS6326816A (ja) | 1988-02-04 |
Family
ID=15898287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61170081A Pending JPS6326816A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 磁気テ−プ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6326816A (ja) |
-
1986
- 1986-07-18 JP JP61170081A patent/JPS6326816A/ja active Pending
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