JPS61201669A - 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 - Google Patents
窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法Info
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- JPS61201669A JPS61201669A JP60040755A JP4075585A JPS61201669A JP S61201669 A JPS61201669 A JP S61201669A JP 60040755 A JP60040755 A JP 60040755A JP 4075585 A JP4075585 A JP 4075585A JP S61201669 A JPS61201669 A JP S61201669A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法に
係り、更に詳しくは、緻密質で熱伝導性、絶縁性、誘電
率などの実用上の緒特性に優れている窒化アルミニウム
焼結体及びその製造方法に関する。
係り、更に詳しくは、緻密質で熱伝導性、絶縁性、誘電
率などの実用上の緒特性に優れている窒化アルミニウム
焼結体及びその製造方法に関する。
従来の技術
窒化アルミニウム(AI N )焼結体は、高熱伝導性
、高絶縁性を有するなど、半導体工業において、絶縁材
料、あるいはパッケージ材料として注目を集めつつある
。
、高絶縁性を有するなど、半導体工業において、絶縁材
料、あるいはパッケージ材料として注目を集めつつある
。
ところで、へIN単独で焼結体を製造する場合、AIN
自体の焼結性が良くない為、AIN粉末を成形後、焼結
して得られるAIN焼結体の相対密度(AINの理論密
度3.26g/catを基準とする)は、焼結条件にも
依るが、高々70〜80%しか示さない。また、その為
、ホットプレスを用いる加圧焼結も試みられたが、良好
な結果は得られていない。
自体の焼結性が良くない為、AIN粉末を成形後、焼結
して得られるAIN焼結体の相対密度(AINの理論密
度3.26g/catを基準とする)は、焼結条件にも
依るが、高々70〜80%しか示さない。また、その為
、ホットプレスを用いる加圧焼結も試みられたが、良好
な結果は得られていない。
一般にフォノン伝導を主体とする窒化アルミニウム焼結
体の如き絶縁性セラミックスでは、気孔、不純物等の欠
陥によりフォノン散乱が生じ、熱伝導率が低減する。
体の如き絶縁性セラミックスでは、気孔、不純物等の欠
陥によりフォノン散乱が生じ、熱伝導率が低減する。
一方、最近のLSIの進歩はめざましく、集積度の向上
が著しい。これには、ICチップサイズの向上も寄与し
ており、ICチップサイズの向上に伴ってパッケージ当
りの発熱量が増大している。
が著しい。これには、ICチップサイズの向上も寄与し
ており、ICチップサイズの向上に伴ってパッケージ当
りの発熱量が増大している。
このため基板材料の放熱性が重要視されるようになって
きた。また、従来IC基板として用いられていたアルミ
ナ焼結体の熱伝導率では放熱性が不十分であり、ICチ
ップの発熱量の増大に対応できなくなりつつある。この
ためアルミナ基板に代わるものとして、高熱伝導性のべ
IJ IJア基板が使用されているが、べIJ IJア
は毒性が強く取扱いが難しいという欠点がある。
きた。また、従来IC基板として用いられていたアルミ
ナ焼結体の熱伝導率では放熱性が不十分であり、ICチ
ップの発熱量の増大に対応できなくなりつつある。この
ためアルミナ基板に代わるものとして、高熱伝導性のべ
IJ IJア基板が使用されているが、べIJ IJア
は毒性が強く取扱いが難しいという欠点がある。
以上の様な技術的背景から、高絶縁性を有する窒化アル
ミニウム焼結体の高熱伝導化、すなわち高密度化が望ま
れるものである。
ミニウム焼結体の高熱伝導化、すなわち高密度化が望ま
れるものである。
発明の解決すべき問題
一本発明の目的は、緻密質で高熱伝導率の窒化アルミニ
ウム焼結体およびその製造方法を提供することにある。
ウム焼結体およびその製造方法を提供することにある。
さらに詳細には本発明の目的は、半導体の絶縁材料あ
るいはパッケージ材料として好適に使用できる窒化アル
ミニウム焼結体およびその製造方法を提供することにあ
る。
るいはパッケージ材料として好適に使用できる窒化アル
ミニウム焼結体およびその製造方法を提供することにあ
る。
問題点を解決する手段
本発明者らは、上記の従来技術の問題点に鑑みて、窒化
アルミニウム焼結体に対し種々検討を行い、その結果、
Y、 Sc、 La、 Ce、 Smなどの周期律表I
[[a族系列元素の窒化物が窒化アルミニウムの焼結性
を向上させ、緻密質の焼結体の実現に有効であること、
また、焼結体の熱伝導率の向上に有効であることを見い
出したものである。
アルミニウム焼結体に対し種々検討を行い、その結果、
Y、 Sc、 La、 Ce、 Smなどの周期律表I
[[a族系列元素の窒化物が窒化アルミニウムの焼結性
を向上させ、緻密質の焼結体の実現に有効であること、
また、焼結体の熱伝導率の向上に有効であることを見い
出したものである。
すなわち、本発明に従うと、周期律表ma族系列元素の
窒化物から選ばれた少なくとも1種類の粉末を0.1〜
5Qwt%含む窒化アルミニウムの混合粉末から焼結さ
れたことを特徴とする、緻密質で熱伝導性の優れた窒化
アルミニウム焼結体が提供される。
窒化物から選ばれた少なくとも1種類の粉末を0.1〜
5Qwt%含む窒化アルミニウムの混合粉末から焼結さ
れたことを特徴とする、緻密質で熱伝導性の優れた窒化
アルミニウム焼結体が提供される。
さらに本発明に従うと、周期律表ma族系列元素、すな
わちY、 Sc、 La、 Ce:、 Smなどの元素
の窒化物から選ばれた少なくとも1種類の粉末を0.1
〜5Qwj%含む窒化アルミニウムの混合粉末を成形し
、次いで1500〜2200℃の温度で、非酸化性雰囲
気中で焼結することを特徴とする窒化アルミニウム焼結
体の製造方法が提供される。
わちY、 Sc、 La、 Ce:、 Smなどの元素
の窒化物から選ばれた少なくとも1種類の粉末を0.1
〜5Qwj%含む窒化アルミニウムの混合粉末を成形し
、次いで1500〜2200℃の温度で、非酸化性雰囲
気中で焼結することを特徴とする窒化アルミニウム焼結
体の製造方法が提供される。
上記非酸化性雰囲気は、真空、窒素ガス、水素ガス、一
酸化炭素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガスより成る群
から選ばれた1種または2種以上の雰囲気である。
酸化炭素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガスより成る群
から選ばれた1種または2種以上の雰囲気である。
さらに本発明の好ましい態様に従うと、上記の成形した
混合粉末を、非酸化性雰囲気中20Kg/ cnf以上
のプレス圧でホットプレスを用いて加圧焼結する。
混合粉末を、非酸化性雰囲気中20Kg/ cnf以上
のプレス圧でホットプレスを用いて加圧焼結する。
本発明により製造された窒化アルミニウム焼結体は90
%以上の相対密度を示し、室温における熱伝導率は、8
0W/m−に以上である。
%以上の相対密度を示し、室温における熱伝導率は、8
0W/m−に以上である。
更に、本発明に従う窒化アルミニウム焼結体は周期率表
IIIa族系列元素の窒化物の少なくとも1種類の粉末
を0.1〜5Qwt%含むほか、I[Ia族系列元素の
酸化物、フッ化物、さらにIla族系副系列元素化物、
酸化物、フッ化物を含有してもよい。
IIIa族系列元素の窒化物の少なくとも1種類の粉末
を0.1〜5Qwt%含むほか、I[Ia族系列元素の
酸化物、フッ化物、さらにIla族系副系列元素化物、
酸化物、フッ化物を含有してもよい。
発明の作用
次に本発明の窒化アルミニウム焼結体の成分範囲の限定
理由およびその製造方法の条件限定理由を説明する。
理由およびその製造方法の条件限定理由を説明する。
周期律表IIIa族系列元素の窒化物の混合の割合を、
0.1〜50wt%としたのは、0.1wt%未満では
、添加効果がなく、十分に緻密な焼結体が得られず、ま
た、50wt%を超えると、得られる焼結体の熱伝導率
が低下する傾向を示すためである。
0.1〜50wt%としたのは、0.1wt%未満では
、添加効果がなく、十分に緻密な焼結体が得られず、ま
た、50wt%を超えると、得られる焼結体の熱伝導率
が低下する傾向を示すためである。
焼結温度を1500〜2200℃としてのは、1500
℃未満では、十分に焼結が行なわれないためである。
℃未満では、十分に焼結が行なわれないためである。
窒化アルミニウムの焼結に関しては、焼結温度は高い方
が望ましいが、2200℃以上では、窒化アルミニウム
の分解反応が著しく促進され、焼結体の重量減少が大き
くなる。
が望ましいが、2200℃以上では、窒化アルミニウム
の分解反応が著しく促進され、焼結体の重量減少が大き
くなる。
例えばY、 La、 S5 Sm、 Ceなどの周期律
表IIIa族系列元素の窒化物の添加により、窒化アル
ミニウムの焼結性が向上する機構は明らかではないが、
周期律表ma族系列元素の窒化物は窒化アルミニウムの
固相焼結を促進するためと考えられる。
表IIIa族系列元素の窒化物の添加により、窒化アル
ミニウムの焼結性が向上する機構は明らかではないが、
周期律表ma族系列元素の窒化物は窒化アルミニウムの
固相焼結を促進するためと考えられる。
また、後記の実施例で示されるように、熱伝導率は、無
添加の窒化アルミニウムの焼結体に比べ最高4倍強の増
加を示している。これは、窒化アルミニウム焼結体の緻
密化が促進されるためと考えられるが、熱伝導率が向上
する機構の詳細は、明らかではない。
添加の窒化アルミニウムの焼結体に比べ最高4倍強の増
加を示している。これは、窒化アルミニウム焼結体の緻
密化が促進されるためと考えられるが、熱伝導率が向上
する機構の詳細は、明らかではない。
以下、本発明を実施例により説明するが、これらの実施
例は本発明の範囲を何等制限するものではないことは勿
論である。
例は本発明の範囲を何等制限するものではないことは勿
論である。
実施例1
窒化アルミニウム粉末(1〜3μmの粒子径)に、窒化
イツトリウム粉末(0,5m以下の粒子径)を0.1〜
50wt%の範囲で混合割合を変化させて添加した混合
粉末を2tOn/Cdのプレス圧で予備成形し、150
0〜2200℃範囲の各種温度で3時間焼結を行った。
イツトリウム粉末(0,5m以下の粒子径)を0.1〜
50wt%の範囲で混合割合を変化させて添加した混合
粉末を2tOn/Cdのプレス圧で予備成形し、150
0〜2200℃範囲の各種温度で3時間焼結を行った。
得られた焼結体の密度(3,26g / cnfを基準
とした相対密度)を第1図に示す。
とした相対密度)を第1図に示す。
焼結はN2ガス(1,気圧)雰囲気中で行った。また、
窒化イツトリウム粉末の混合は、ボールミル(AIN製
)を用いて、12時間行った。
窒化イツトリウム粉末の混合は、ボールミル(AIN製
)を用いて、12時間行った。
第1図において、・印は2200℃の焼結温度、■印は
2000℃の焼結温度、右側半分を黒く塗り潰した丸印
は1800℃の焼結温度、ム印は1600℃の焼結温度
、■印は本発明の範囲外の1400℃の焼結温度で、各
々焼結した窒化アルミニウム焼結体の相対密度を示す。
2000℃の焼結温度、右側半分を黒く塗り潰した丸印
は1800℃の焼結温度、ム印は1600℃の焼結温度
、■印は本発明の範囲外の1400℃の焼結温度で、各
々焼結した窒化アルミニウム焼結体の相対密度を示す。
第1図に示す如く、本発明の範囲内の添加量、すなわち
0.1〜50−t%の窒化イツ) IJウムを含有し、
1500℃以上の温で焼結した窒化アルミニウム焼結体
は密度が高いことが確認される。
0.1〜50−t%の窒化イツ) IJウムを含有し、
1500℃以上の温で焼結した窒化アルミニウム焼結体
は密度が高いことが確認される。
実施例2
実施例1で示した組成の窒化アルミニウムー窒化イツト
リウム混合粉末を、ホットプレス(プレス圧200Kg
/ cJ )を用いて、2時間加圧焼結した場合の焼
結体の密度を第2図に示した。
リウム混合粉末を、ホットプレス(プレス圧200Kg
/ cJ )を用いて、2時間加圧焼結した場合の焼
結体の密度を第2図に示した。
第2図において、・印は2200℃の焼結温度、O印は
2000℃の焼結温度、右側半分を黒く塗り潰した丸印
は1800℃の焼結温度、ム印は1600℃の焼結温度
、■印は本発明の範囲外の1400℃の焼結温度で、各
々焼結した窒化アルミニウム焼結体の相対密度を示す。
2000℃の焼結温度、右側半分を黒く塗り潰した丸印
は1800℃の焼結温度、ム印は1600℃の焼結温度
、■印は本発明の範囲外の1400℃の焼結温度で、各
々焼結した窒化アルミニウム焼結体の相対密度を示す。
第2図に示す結果より、0.1〜50wt%の窒化イツ
トリウムを含有し、1500℃以上の温で焼結した窒化
アルミニウム焼結体は密度が高いことが確認されると同
時に、ホットプレスにより加圧焼結することにより密度
が高く、安定した特性の焼結体かえられることが理解で
きる。
トリウムを含有し、1500℃以上の温で焼結した窒化
アルミニウム焼結体は密度が高いことが確認されると同
時に、ホットプレスにより加圧焼結することにより密度
が高く、安定した特性の焼結体かえられることが理解で
きる。
実施例3
実施例2で示した焼結条件のうち、窒化イツトリウム含
有115wt%の場合について、また、ホットプレスの
プレス圧を20Kg/c111とした場合について、加
圧焼結を行った焼結体の密度を表−1に示この実施例の
結果より、ホットプレスにより加圧焼結した場合でも本
発明の範囲の1500℃以上の焼結温度で90%以上の
密度の窒化アルミニウム焼結体かえられることがわかる
。
有115wt%の場合について、また、ホットプレスの
プレス圧を20Kg/c111とした場合について、加
圧焼結を行った焼結体の密度を表−1に示この実施例の
結果より、ホットプレスにより加圧焼結した場合でも本
発明の範囲の1500℃以上の焼結温度で90%以上の
密度の窒化アルミニウム焼結体かえられることがわかる
。
実施例4
窒化アルミニウム粉末(粒子径1〜3μm)に窒化ラン
タン粉末を加えた混合粉末をボールミル(AIN製)を
用いて、12時間混合して作製した。
タン粉末を加えた混合粉末をボールミル(AIN製)を
用いて、12時間混合して作製した。
これを焼結したときの焼結体の密度および熱伝導率を表
−2に示した。
−2に示した。
実施例5
窒化イツトリウム、窒化セリウム、窒化スカンジウムに
ついて、焼結温度を2000℃としたときの、添加量に
よる熱伝導率の変化を第3図に示した。
ついて、焼結温度を2000℃としたときの、添加量に
よる熱伝導率の変化を第3図に示した。
窒化イツ) IJウムを添加した混合粉末のホットプレ
ス(プレス圧200Kg / ctd )を用いた加圧
焼結の焼結時間は2時間であり、他の焼結時間は3時間
である。また、混合粉末の調整方法、焼結方法は、実施
例1、実施例2に従った。
ス(プレス圧200Kg / ctd )を用いた加圧
焼結の焼結時間は2時間であり、他の焼結時間は3時間
である。また、混合粉末の調整方法、焼結方法は、実施
例1、実施例2に従った。
第3図において、○印は窒化イッl−IJウムを含有し
、2000℃の焼結温度、・印は窒化イツトリウムを含
有し、ホットプレスでの2000℃での加圧焼結、ム印
は窒化スカンジウムを含有し、2000℃の焼結温度、
■印は窒化セリウムを含有し、2000℃の焼結温度で
各々焼結した窒化アルミニウム焼結体の熱伝導率を示す
。なお、比較のためAIN単独の粉体を焼結した熱伝導
率を比較例として示す。
、2000℃の焼結温度、・印は窒化イツトリウムを含
有し、ホットプレスでの2000℃での加圧焼結、ム印
は窒化スカンジウムを含有し、2000℃の焼結温度、
■印は窒化セリウムを含有し、2000℃の焼結温度で
各々焼結した窒化アルミニウム焼結体の熱伝導率を示す
。なお、比較のためAIN単独の粉体を焼結した熱伝導
率を比較例として示す。
第3図に示す結果から明らかな如く、窒化イツトリウム
、窒化スカンジウムおよび窒化セリウムの添加により窒
化アルミニウムの焼結が促進され、緻密性が高く、熱伝
導性の優れた焼結体が得られることがわかる。また、各
種添加物の含有量が30%以下のとき、特に優れた熱伝
導性を有する焼結体が得られることがわかる。
、窒化スカンジウムおよび窒化セリウムの添加により窒
化アルミニウムの焼結が促進され、緻密性が高く、熱伝
導性の優れた焼結体が得られることがわかる。また、各
種添加物の含有量が30%以下のとき、特に優れた熱伝
導性を有する焼結体が得られることがわかる。
実施例6
窒化アルミニウム粉末(粒径1〜3μ)に窒化イツトリ
ウム粉末及び酸化イツトリウム、フッ化イツトリウム、
酸化カルシウム、窒化カルシウム、フッ化カルシウムの
中から選ばれた少なくとも1種類以上の粉末を加えた混
合粉末を2ton/Cll1のプレス圧で予備成形し、
1800℃、3時間、常圧焼結を行った。得られた焼結
の密度(3,26g / c♂を基準とした相対密度)
を表−3に示す。
ウム粉末及び酸化イツトリウム、フッ化イツトリウム、
酸化カルシウム、窒化カルシウム、フッ化カルシウムの
中から選ばれた少なくとも1種類以上の粉末を加えた混
合粉末を2ton/Cll1のプレス圧で予備成形し、
1800℃、3時間、常圧焼結を行った。得られた焼結
の密度(3,26g / c♂を基準とした相対密度)
を表−3に示す。
焼結はN2ガス(1,0気圧)雰囲気中で行った。
表−3
発明の効果
以上に説明の如く本発明は、周期律表ma族系列元素の
窒化物から選ばれた少なくとも1種類の粉末を0.1〜
50wt%含む窒化アルミニウムの混合粉末を成形し、
次いで1500〜2200℃の温度で、−非酸化性雰囲
気中で焼結することを特徴とし、本発明により得られた
窒化アルミニウム焼結体は、緻密質であり、そのため熱
伝導性、絶縁性、誘電特性などに優れ、半導体の絶縁材
料、あるいはパブケージ材料として有用である。
窒化物から選ばれた少なくとも1種類の粉末を0.1〜
50wt%含む窒化アルミニウムの混合粉末を成形し、
次いで1500〜2200℃の温度で、−非酸化性雰囲
気中で焼結することを特徴とし、本発明により得られた
窒化アルミニウム焼結体は、緻密質であり、そのため熱
伝導性、絶縁性、誘電特性などに優れ、半導体の絶縁材
料、あるいはパブケージ材料として有用である。
本発明の窒化アルミニウム焼結体は、サーディツプ用基
板、サーバツク用基板、ハイブリッドIC用基板等のI
C基板のみならず、パワートランジスタ、パワーダイオ
ードおよびレーザダイオード用のヒートシンクとして、
更に、レーザディスク、或いはマイカ代替としての絶縁
性薄板として好適に利用できる。
板、サーバツク用基板、ハイブリッドIC用基板等のI
C基板のみならず、パワートランジスタ、パワーダイオ
ードおよびレーザダイオード用のヒートシンクとして、
更に、レーザディスク、或いはマイカ代替としての絶縁
性薄板として好適に利用できる。
第1図は、本願の実施例1で製造した窒化アルミニラム
焼結体の窒化イツ) IJウム粉末の混合割合と得られ
た焼結体の密度との関係を示すグラフであり、 第2図は、本願の実施例2で製造した窒化アルミニウム
焼結体の窒化イツトリウム粉末の混合割合と得られた焼
結体の密度との関係を示すグラフであり、 第3図は、本願の実施例5で製造した窒化アルミニウム
焼結体の窒化イツトリウム、窒化セリウム、窒化スカン
ジウムの混合割合と得られた焼結体の熱伝導率との関係
を示すグラフである。
焼結体の窒化イツ) IJウム粉末の混合割合と得られ
た焼結体の密度との関係を示すグラフであり、 第2図は、本願の実施例2で製造した窒化アルミニウム
焼結体の窒化イツトリウム粉末の混合割合と得られた焼
結体の密度との関係を示すグラフであり、 第3図は、本願の実施例5で製造した窒化アルミニウム
焼結体の窒化イツトリウム、窒化セリウム、窒化スカン
ジウムの混合割合と得られた焼結体の熱伝導率との関係
を示すグラフである。
Claims (4)
- (1)周期律表IIIa族系列元素の窒化物から選ばれた
少なくとも1種類の粉末を0.1〜50wt%含む窒化
アルミニウムの混合粉末から焼結されたことを特徴とす
る緻密質で熱伝導性の優れた窒化アルミニウム焼結体。 - (2)周期律表IIIa族系列元素の窒化物から選ばれた
少なくとも1種類の粉末を0.1〜50wt%含む窒化
アルミニウムの混合粉末を成形し、次いで1500〜2
200℃の温度で、非酸化性雰囲気中で焼結することを
特徴とする窒化アルミニウム焼結体の製造方法。 - (3)上記非酸化性雰囲気が、真空、窒素ガス、水素ガ
ス、一酸化炭素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガスより
成る群から選ばれた1種または2種以上の雰囲気である
ことを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の窒化アル
ミニウム焼結体の製造方法。 - (4)上記の成形した混合粉末を、非酸化性雰囲気中2
0Kg/cm^2以上のプレス圧でホットプレスを用い
て加圧焼結することを特徴とする特許請求の範囲第2項
または第3項に記載の窒化アルミニウム焼結体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60040755A JPS61201669A (ja) | 1985-03-01 | 1985-03-01 | 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60040755A JPS61201669A (ja) | 1985-03-01 | 1985-03-01 | 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61201669A true JPS61201669A (ja) | 1986-09-06 |
| JPH057349B2 JPH057349B2 (ja) | 1993-01-28 |
Family
ID=12589439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60040755A Granted JPS61201669A (ja) | 1985-03-01 | 1985-03-01 | 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61201669A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61205670A (ja) * | 1985-03-07 | 1986-09-11 | 住友電気工業株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
| JPS61209959A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-18 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
| JPS63134569A (ja) * | 1985-10-31 | 1988-06-07 | 京セラ株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60180965A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-09-14 | ゼネラル・エレクトリツク・カンパニイ | 高熱伝導率の窒化アルミニウムセラミツク体とその製法 |
| JPS61146764A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-07-04 | ティーディーケイ株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
| JPS61183174A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-15 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム焼結体 |
-
1985
- 1985-03-01 JP JP60040755A patent/JPS61201669A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60180965A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-09-14 | ゼネラル・エレクトリツク・カンパニイ | 高熱伝導率の窒化アルミニウムセラミツク体とその製法 |
| JPS61146764A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-07-04 | ティーディーケイ株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
| JPS61183174A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-15 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム焼結体 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61205670A (ja) * | 1985-03-07 | 1986-09-11 | 住友電気工業株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
| JPS61209959A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-18 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
| JPS63134569A (ja) * | 1985-10-31 | 1988-06-07 | 京セラ株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH057349B2 (ja) | 1993-01-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |