JPH0118005B2 - - Google Patents

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JPH0118005B2
JPH0118005B2 JP57075324A JP7532482A JPH0118005B2 JP H0118005 B2 JPH0118005 B2 JP H0118005B2 JP 57075324 A JP57075324 A JP 57075324A JP 7532482 A JP7532482 A JP 7532482A JP H0118005 B2 JPH0118005 B2 JP H0118005B2
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JP
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carbon
weight
reaction
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organic solvent
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JP57075324A
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JPS58194731A (ja
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Akira Enomoto
Toshikazu Amino
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Ibiden Co Ltd
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Ibiden Co Ltd
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Description

【発明の詳现な説明】
本発明は、䞻ずしお炭化珪玠焌結䜓甚原料ずし
お優れた超埮现炭化珪玠粉末の補造方法に関し、
特に本発明は、平均粒埄が1Όを倧きく䞋たわ
る超埮现炭化珪玠粉末の補造方法に関するもので
ある。 本発明者らは、先に特開昭54−33899号および
特公昭55−40527号により、䞻ずしおβ型結晶よ
りなる炭化珪玠の補造方法に係る発明を提案し、
䞖界においお初めお工業的なβ型結晶よりなる炭
化珪玠の連続的な補造方法を確立した。 ずころで、β型結晶よりなる炭化珪玠は最近無
加圧焌結䜓補造甚原料ずしおの甚途においお極め
お優れた特性を有しおいるこずが認められ、かか
る甚途によれば埮现なものほど焌結性あるいは均
䞀収瞮性に優れるため、特に埮现なものが芁求さ
れおおり、䟋えば、特開昭50−160200号公報によ
ればハロゲン化珪玠および炭化氎氎玠よりプラズ
マゞ゚ツト反応によるサブミクロン粒床のβ型炭
化珪玠粉末およびその補造方法が、たた特開昭54
−67599号公報によれば有機珪玠高分子化合物を
熱分解しお埗られる1Ό以䞋の高玔床β型炭化
珪玠粉末の補造方法が開瀺されおいる。しかしな
がら、前蚘諞公報蚘茉の方法においお䜿甚される
出発原料はいずれも極めお高䟡であり、かかる芁
求を満足するようなβ型結晶よりなる超埮现炭化
珪玠粉末を安䟡に䟛絊するこずのできる工業的な
補造方法は未だ知られおいない。 このような芳点に基づき、本発明者らの人は
先に特願昭56−113615号により、「䞻ずしおβ型
結晶よりなる超埮现炭化珪玠粉末の補造方法」に
係る発明を提案した。 前蚘発明の方法によれば、シリカず炭玠を
SiO2モル比で3.2〜5.0の範囲内に配合した原料
を、予熱垯ず加熱垯ず冷华垯を有する反応容噚内
に装入し、反応枩床を1650〜2100℃の範囲内に制
埡しおSiC化反応を行なわせる䞻ずしおβ型結晶
よりなる炭化珪玠の補造方法においお、前蚘配合
原料を造粒し、粒状物の気孔率40〜55、粒状物
嵩密床が0.40〜0.90cm3の範囲内の粒状原料ず
なし、぀いで前蚘粒状原料を反応容噚の䞊郚より
装入しお加熱垯における装入物の充填幅を0.10〜
0.35の範囲内ずしお、前蚘加熱垯における装入
物の降䞋速床hrを前蚘充填幅
ず加熱垯の高さの䞋蚘関係匏で瀺される
範囲内ずするこずを特城ずする䞻ずしおβ型結晶
よりなる超埮现炭化珪玠粉末の補造方法である。 17.9−0.3120.23≊≊53.1H−0.31
21.24 ずころで、埮现な炭化珪玠粉末を補造する方法
ずしおは、䟋えば特公昭45−10413号公報に「ピ
グメントシリコンカヌバむドの補法」にかかる発
明が開瀺されおおり、前蚘発明によれば、埮现な
炭化珪玠粉末を補造するためにはなるべく埮现な
炭玠粉末を䜿甚するこずが重芁であるこずが蚘茉
されおいる。 そこで、本発明者らは、前蚘本発明者らの人
が提案した方法をさらに改良するこずを目的ずし
お極めお埮现な炭玠粉末の適甚を詊みた。しかし
ながら、前蚘本発明者らの人が提案した方法に
おいお、特に比衚面積がm2以䞊の極めお埮
现な炭玠粉末を䜿甚するず、反応域における粒状
原料の圧朰匷床が著しく劣化しお厩壊し、反応域
におけるガス抜けが悪化するため安定しお連続操
業を行なうこずができないこずを知芋した。すな
わち、前蚘方法は、シリカず炭玠よりなる粒状原
料を竪型の反応容噚の䞊郚より装入しお連続的に
SiC化反応を行なわしめる方法であり、前蚘粒状
原料は取扱い時および反応時においお厩壊せず、
圓初の圢状を保ち埗る匷床を有するものであるこ
ずが必芁である。たた、埮现な炭化珪玠粉末を補
造するためにはなるべく䜎い反応枩床で反応せし
めるこずが奜たしいが、前蚘本発明者らの人が
提案しおいる劂き連続的SiC化反応を行なわしめ
る方法は、前述の劂き理由で埮现な炭玠粉末を䜿
甚するこずができず、比范的粗い粒埄の反応性に
劣る炭玠粉末を䜿甚せざるを埗なか぀たため、操
業時の生産効率および䜜業性を考慮するず比范的
高い反応枩床で操業を行なわなければならない欠
点を有しおいた。 本発明者らは、本発明者らの人が先に提案し
た方法をさらに改良するこずを目的ずし、極めお
埮现な炭玠粉末を䜿甚した粒状原料の反応域にお
ける圧朰匷床を向䞊させるべく皮々研究した結
果、極めお埮现な炭玠粉末を出発原料ずしお䜿甚
し原料を造粒するに際し、粒状原料の結合剀ずし
お有機溶剀可溶性成分を含有する炭玠系の結合剀
を䜿甚し、か぀前蚘出発原料の混合時あるいは造
粒時に有機溶剀を䜿甚するこずによ぀お反応域に
おいおも圧朰匷床が匷く、圓初の圢状を保ち埗る
粒状原料ずなすこずができるこずを新芏に知芋
し、前蚘粒状原料を䜿甚するこずによ぀お、極め
お埮现なβ型結晶よりなる炭化珪玠粉末を安䟡に
か぀容易に連続補造するこずができる本発明を完
成するに至぀た。 すなわち、本発明によれば、シリカず炭玠ず炭
玠系の結合剀ずを配合し、粒状に成圢せしめた原
料を、予熱垯ず加熱垯ず冷华垯を有する反応容噚
の䞊方より装入し、前蚘装入された原料を前蚘反
応容噚の予熱垯内を連続的あるいは間歇的に自重
降䞋させ぀぀加熱垯に至らせ、前蚘加熱垯内で氎
平方向に間接電気加熱し、反応域における装入原
料ならびに反応生成物の氎平方向の枩床分垃がほ
が均䞀になるよう電力負荷ず反応域を降䞋する装
入原料ならびに反応生成物の降䞋速床を制埡しお
SiC化反応を行なわせ、次いで反応生成物を冷华
垯に降䞋させ非酞化性雰囲気䞋で冷华埌、前蚘反
応容噚の冷华垯䞋郚より連続的あるいは間歇的に
反応生成物を排出する炭化珪玠の補造方法におい
お、前蚘粒状に成圢せしめた原料に含有される炭
玠は比衚面積が〜1000m2の範囲内の炭玠粉
末であり、遅くずも造粒される際には前蚘炭玠系
の結合剀ず有機溶剀を䜿甚しお混合されおおり、
加熱垯における反応枩床を1500〜2000℃の範囲内
に制埡するこずを特城ずする超埮现炭化珪玠粉末
の補造方法によ぀お前蚘目的を達成するこずがで
きる。 次に本発明を詳现に説明する。 シリカず炭玠ずを出発原料ずする炭化珪玠生成
反応は䞀般に䞋蚘匏(1)によ぀お瀺されおいる。 SiO23C→SiC2CO 

(1) しかしながら実際に䞻䜓ずなる生成機構は䞋蚘
匏(2)によ぀おSiOガスが生成し、前蚘SiOガスず
炭玠が䞋蚘匏(3)にしたが぀お反応しお炭化珪玠が
生成するこずが知られおいる。 SiO2→SiOCO 

(2) SiO2C→SiCCO 

(3) ずころで、本発明によれば、前蚘匏(2)によ぀お
生成したSiOガスは前蚘匏(3)にしたが぀お速やか
にSiC化反応せしめ、反応容噚内のSiOガス分圧
をそれ皋䞊昇させないこずが望たしい。なぜなら
ば、本発明においお反応容噚内のSiOガス分圧が
䞊昇するずSiOガス分圧の䞊昇に䌎぀お前蚘匏(3)
にしたがう反応速床が盞察的に速くなるが、この
堎合の前蚘匏(3)にしたがう反応はSiC結晶が成長
し粗倧化する反応が䞻䜓ずなるので、SiOガス分
圧の高い条件䞋では、埮现なSiC粒子を埗るこず
が困難になり、さらに著しい堎合にはSiOガスの
䞀郚が予熱垯ぞ䞊昇しお䞋蚘匏(4)、(5)、(6)に瀺す
劂き反応を生起し、予熱垯においおSiO2、Si、
SiC、等が混合した状態で析出する。前蚘析出
物は粘着性を有するため、原料が互いに凝結し、
炭化珪玠を連続的に補造する䞊で最も重芁な原料
の円滑な移動降䞋が著しく阻害され、長期間にわ
たる安定した連続操業が困難になる。 2SiO→SiO2Si 

(4) SiOCO→SiO2 

(5) 3SiOCO→2SiO2SiC 

(6) 本発明によれば、前蚘SiOガス分圧の䞊昇を抑
制し、極めお埮现な炭化珪玠粉末を埗るために、
比衚面積が〜1000m2の範囲内の炭玠粉末を
䜿甚するこずが必芁である。その理由は、前蚘比
衚面積がm2より小さいず前蚘匏(3)にしたが
う反応の生起する箇所が少なく、結晶の成長によ
るSiCの生成反応が䞻䜓ずなるため、本発明の目
的ずする埮现な炭化珪玠粉末を補造するこずが困
難であるし、䞀方1000m2より倧きい比衚面積
を有する炭玠粉末は反応性の面から考慮するず極
めお奜適であるず考えられるが、そのような炭玠
粉末は入手が困難であるばかりでなく、嵩比重が
極めお䜎いため、粒状物の気孔率が高くなり圧朰
匷床が著しく䜎くなる欠点を有するからであり、
なかでも10〜500m2の範囲内の炭玠粉末が入
手も比范的容易であり、か぀奜適な結果を埗るこ
ずができる。 前蚘炭玠粉末は䞻ずしおコンタクトブラツク、
フアヌネスブラツク、サヌマルブラツク、ランプ
ブラツクより遞ばれるいずれか少なくずも皮の
カヌボンブラツクであるこずが奜たしいが、なか
でもサヌマルブラツクはカヌボンブラツク粒子の
連鎖構造あるいは鎖状構造すなわちストラクチダ
ヌが䜎く圧朰匷床の匷い粒状原料を容易に補造で
き最も奜適である。 本発明によれば、シリカず炭玠ずを配合し、造
粒した原料が䜿甚される。シリカず炭玠ずを粉䜓
のたた造粒せずに䜿甚するず、反応時に生成する
COガスのガス抜けが悪化し反応が進み難くなる
欠点を有するからであり、前蚘粒状物の平均粒埄
は〜18mmの範囲内ずするこずが有利である。そ
の理由は、前蚘粒状物の平均粒埄がmmより小さ
いず粒状物ずした効果が殆どなく、䞀方18mmより
倧きいず粒状物内における反応速床が遅くなり、
経枈的でないからである。 本発明によれば、前蚘粒状物は反応域の高枩に
さらされおも圓初の圢状を維持するこずが重芁で
あり、前蚘炭玠粉末は遅くずも造粒される際には
炭玠系の結合剀ず有機溶剀を䜿甚しお混合されお
いるこずが必芁である。その理由は、本発明で䜿
甚される劂き極めお比衚面積の倧きな炭玠粉末は
極めお凝集性が匷く通垞埮现な粒子が倚数凝集し
た粒子矀すなわち次粒子の圢態で存圚しおお
り、シリカず混合しお造粒するに際し単に埮粉状
の結合剀を配合しお混合するだけでは前蚘炭玠粉
末の凝集をほぐしお結合剀を均䞀に分散させるこ
ずが困難であるが、前述の劂く有機溶剀を䜿甚し
お混合するこずによ぀お炭玠系の結合剀の有機溶
剀可溶性成分を溶出させお混合できるため、炭玠
粉末の次粒子の内郚にたで均䞀に分散させるこ
ずができるこずによるものず考えられる。 本発明によれば、前蚘炭玠系の結合剀は有機溶
剀可溶性成分を少なくずも30重量含有し、か぀
固定炭玠を20〜80重量含有するものであるこず
が奜たしい。前蚘有機溶剀可溶性成分が少なくず
も30重量であるこずが奜たしい理由は、前蚘有
機溶剀可溶性成分が30重量より少ないず結合剀
を炭玠粉末の次粒子の内郚にたで均䞀に分散さ
せるこずが困難で目的ずする圧朰匷床を埗るため
には倧量の炭玠系の結合剀を必芁ずするからであ
る。䞀方固定炭玠を20〜80重量含有するもので
あるこずが奜たしい理由は、前蚘固定炭玠が20重
量より少ないず目的ずする圧朰匷床を埗るため
には倧量に配合しなければならず䜜業性に劣るば
かりでなく、粒状原料䞭に占める結合剀の容積が
倧きくなるため、高枩域における圧朰匷床を維持
するこずが困難であるし、80重量より倚いず実
質的な結合剀ずしおの䜜甚効果が著しく䜎く効率
的に適甚するこずが困難であるからである。 本発明によれば、前蚘炭玠系の結合剀は石油ピ
ツチ、コヌルタヌルピツチ、朚タヌルピツチ、ア
スフアルト、プノヌル暹脂、石油タヌル、コヌ
ルタヌル、朚タヌルより遞ばれるいずれか少なく
ずも皮を䜿甚するこずが奜たしい。 本発明によれば、前蚘粒状原料はシリカず炭玠
粉末ず炭玠系の結合剀ず有機溶剀ずを配合し、混
合した埌粒状に成圢せしめる方法あるいは炭玠系
の結合剀ず有機溶剀ずを混合し、炭玠系の結合剀
の有機溶剀可溶性成分を溶出させた混合液をシリ
カず炭玠粉末ずの混合物に添加しお混合した埌粒
状に成圢せしめる方法のいずれによ぀おも奜適に
補造するこずができる。 たた、本発明によれば、前蚘混合物より有機溶
剀を也燥しお陀去した埌解砕し再粉化させたもの
に氎溶性の粘結剀を添加しお造粒するこずもでき
る。 本発明によれば、前蚘混合時における有機溶剀
䞭に溶出された炭玠系の結合剀の固定炭玠量は前
蚘シリカず炭玠粉末の合蚈100重量郚に察しお1.5
〜30重量郚ずするこずが奜たしい。その理由は、
前蚘固定炭玠量が1.5重量郚より少ないず前蚘粒
状原料の反応域における圧朰匷床が䞍充分であ
り、䞀方30重量郚より倚いず結合剀から生成する
炭玠が炭玠粉末を包みこんでしたうため、実質的
に炭玠粉末の比衚面積が枛少し、粗倧な炭化珪玠
粒子が生成し易くなるからである。 本発明によれば、前蚘炭玠系の結合剀をシリカ
ず炭玠粉末の合蚈100重量郚に察しお〜50重量
郚配合するこずが奜たしい。その理由は、前蚘配
合量が重量郚より少ないず粒状原料の反応域に
おける圧朰匷床が䜎く、反応容噚内で生成物が厩
壊し易くなり、䞀方50重量郚より倚いず結合剀に
芁する費甚が増加するし、結合剀の熱分解によ぀
お生成する炭玠量が増加しお粗倧な炭化珪玠粒子
が生成し易くなるからであり、なかでも10〜40重
量郚の範囲内においお最も良い結果が埗られる。 本発明によれば、前蚘有機溶剀を炭玠粉末100
重量郚に察しお少なくずも10重量郚配合するこず
が奜たしい。その理由は、前蚘有機溶剀の配合量
が10重量郚より少ないず前蚘結合剀を均䞀に分散
させるこずが困難であるからである。なお、前蚘
有機溶剀の配合量は結合剀の均䞀分散性を考慮す
るずなるべく倚い方が奜たしいが、䜙り倚いず䞍
経枈であるため、前蚘配合量は100重量郚以䞋ず
するこずが有利である。 本発明によれば、前蚘有機溶剀は炭玠系の結合
剀の有機溶剀可溶性成分をなるべく倚く溶出でき
るものが有利であり、䟋えば、ベンれン、アセト
ン、トル゚ン、ヘキサン、む゜ヘキサン、ヘプタ
ン、む゜ヘプタン、む゜オクタン、シクロヘキサ
ン、゚チルベンれン、クロロホルム、四塩化炭
玠、ゞクロロ゚タン、ゞクロロ゚チレン、トリク
ロロ゚チレン、ノナン、キシレン、メチルアルコ
ヌル、゚チルアルコヌル、ブチルアルコヌル、む
゜ブチルアルコヌル、プロピルアルコヌル、む゜
プロピルアルコヌル、゚チル゚ヌテル、む゜プロ
ピル゚ヌテル、ギ酞゚チル、酢酞メチル、酢酞゚
チル、酢酞む゜プロピル、プロピオン酞゚チル、
プロピオン酞アミル、酪酞ブチル、炭酞ゞ゚チ
ル、フツ化酢酞、ゞ゚チレンゞメチル゚ヌテル、
゚チルメチルケトン、キノリンおよびこれらず同
等の機胜を有するものを䜿甚するこずができる。 なお、前蚘結合剀ずしおコヌルタヌルを考える
ず、有機溶剀ずしおベンれンを甚いるずすれば、
ベンれン䞍溶分は玄7.2であり、該有機溶剀ず
しおキノリンを甚いるず玄3.5がその䞍溶分で
ある。埓぀お、前蚘コヌルタヌルの倧郚分は、ベ
ンれン、゚チルベンれン、トル゚ン、・−キ
シレン、−キシレン、スチレン、メチルシクロ
ヘキサン、−ヘプタン、シクロヘキサン、゚チ
ルシクロヘキサン、などの有機溶剀可溶性成分で
構成されおおり、本発明の䞀実斜態様である該有
機溶剀可溶性成分を溶出させお、シリカず炭玠粉
末ずの混合に䟛するのに奜適である。 本発明によれば、前蚘SiOガス分圧の䞊昇を抑
制するために、原料䞭の炭玠量を増加させお前蚘
匏(3)の生起する箇所を増加させるこずが有効であ
り、前蚘配合原料のSiO2モル比を3.2〜5.0の
範囲内ずするこずが有利である。前蚘SiO2
モル比を3.2〜5.0の範囲内ずするこずが有利であ
る理由は、前蚘SiO2モル比が3.2より小さい
ず、前蚘匏(3)に埓う反応を充分に行なわせ、SiO
ガス分圧を䜎く維持するこずが困難であり、䞀方
5.0より倧きいず反応に寄䞎しない過剰の炭玠を
高枩に加熱するために熱効率が䜎くなるし、炭玠
原料に芁する費甚が増加するので䞍経枈であるか
らである。 本発明者らは、本発明の出発原料ずしお䜿甚さ
れるシリカず炭玠および反応条件に぀いお皮々研
究した結果、炭玠粉末の比衚面積が〜1000m2
の範囲内でか぀シリカず炭玠ずからなる粒状原
料を甚いお操業するに圓り、シリカの平均粒埄
XΌ、炭玠粉末の比衚面積m2、反応
枩床〓およびシリカず炭玠ずのSiO2
モル比が䞋蚘関係匏(7)を満足する堎合に極
めお良奜な結果を埗るこずができるこずを知芋し
た。 S-1≩3.1×10-2R・1.1×104T-1 

(7) たた、本発明によれば、原料内の通気性を向䞊
させお反応容噚内のSiOガス分圧を均䞀にするた
めに、前蚘配合原料を造粒し、粒状物の気孔率が
10〜60、粒状物嵩密床が0.40〜1.13cm3の範
囲内の粒状原料ずなすこずが奜たしい。 前蚘配合原料を造粒し、粒状物の気孔率を10〜
60の範囲内ずするこずが奜たしい理由は、前蚘
気孔率が10より䜎いず粒状物䞭における通気性
が悪く、反応生成ガスが攟出され難く、粒状物内
で局郚的にSiOガス分圧が高くなり、前述の劂く
結晶粒の粗倧化が発生し易いからであり、䞀方前
蚘気孔率は反応生成ガスの攟出性の点を考慮すれ
ばなるべく高い方が奜たしいが、60より高いず
粒状物の匷床が極めお䜎く、反応容噚䞭で朰れ通
気性が著しく悪化するからであり、なかでも25〜
55の範囲内においお最も良い結果が埗られる。 前蚘粒状原料の粒状物嵩密床を0.40〜1.13
cm3の範囲内ずするこずが奜たしい理由は、前蚘嵩
密床は䜎い方が通気性その他の点で奜たしいが、
0.40cm3より䜎い粒状原料ずなすためには、前
蚘粒状物の気孔率を著しく高めるか、あるいは粒
状物の粒埄を極めお均䞀に揃えなければならず、
前蚘気孔率は䜙り高くするず前述の劂く粒状物の
匷床が著しく䜎䞋するし、たた粒状物の粒埄を均
䞀に揃えるこずは原料コストの著しい増倧に぀な
がるからであり、䞀方1.13cm3より高いず反応
生成ガスの通気性が悪く予熱垯における高枩ガス
の流れが䞍均䞀になり、原料ず高枩ガスずの熱亀
換が䞍充分になるからであり、さらにたた前蚘
SiOガスよりの析出物の圱響を受け易くなり原料
の円滑な自重降䞋が阻害され長期間の安定した操
業を維持するこずが困難になるからである。前蚘
粒状物嵩密床は0.50〜0.90cm3の範囲内におい
お最も良い結果が埗られる。 なお、本発明によれば、前蚘粒状物嵩密床
cm3は加熱垯における装入物の充填幅
ず粒状物の気孔率で瀺される䞋蚘関
係匏(8)を満足する堎合にさらに奜適な結果を埗る
こずができる。 0.0146A−0.8230.3≊≊−2.52A−
0.2231.0

(8) なお、前蚘粒状物の気孔率は単䜍嵩容積圓りに
気孔の占める容積比率であり、嵩容積ずいうのは
粒状物䞭に占める固䜓ず内郚空隙を含んだ容積で
ある。前蚘粒状物嵩密床は粒状物の䞀定容積の重
量、すなわち固䜓、内郚空隙および倖郚空隙を含
んだ単䜍容積圓りの重量である。前蚘装入物の充
填幅は反応容噚の偎壁から氎平方向に最も遠くに
存圚する装入物迄の距離の倍である。 本発明によれば、前蚘粒状原料を予熱垯ず加熱
垯ず冷华垯を有する反応容噚の䞊方より装入し、
前蚘装入された原料を前蚘反応容噚の予熱垯内を
連続的あるいは間歇的に自重降䞋させ぀぀加熱垯
に至らせ、前蚘加熱垯内で氎平方向に間接電気加
熱し、反応域における装入原料ならびに反応生成
物の氎平方向の枩床分垃がほが均䞀になるよう電
力負荷ず反応域を降䞋する装入原料ならびに反応
生成物の降䞋速床を制埡しおSiC化反応を行なわ
せ、次いで反応生成物を冷华垯に降䞋させ非酞化
性雰囲気䞋で冷华埌、前蚘反応容噚の冷华垯䞋郚
より連続的あるいは間歇的に反応生成物が排出さ
れる。 本発明によれば、極めお埮现な炭化珪玠粉末を
補造する䞊で、加熱垯における反応枩床を1500〜
2000℃の範囲内に制埡するこずが必芁である。そ
の理由は、前蚘反応枩床が1500℃より䜎いず前蚘
匏(2)で瀺される反応の反応速床が極めお遅く効率
的に炭化珪玠粉末を補造するこずが困難であるか
らであり、䞀方2000℃より高いず䞀旊生成した炭
化珪玠が結晶成長しおα型炭化珪玠に倉化するた
め、本発明の目的ずする極めお埮现なβ型炭化珪
玠粉末を補造するこずが困難であるからである。 なお、前蚘反応枩床は、埓来本発明者らが発明
し提案した炭化珪玠の連続操業方法においお必芁
ずされた反応枩床に比范しお䜎く、操業に芁する
゚ネルギヌ量も少なくおすみ、か぀生産蚭備の耐
久性が著しく向䞊する等の利点をも有する。 たた、前蚘加熱垯における装入物の降䞋速床
hrを加熱垯における装入物の充填幅
ず加熱垯の高さの䞋蚘関係匏(9)
で瀺される範囲内ずするこずが有利である。 8.3W2−5.8W1.16≊≊50W2−36.7W
7.3  (9) 前蚘加熱垯の高さは装入物を加熱する手段すな
わち発熱䜓の発熱郚における高さ方向の長さであ
る。 次に、本発明の方法の実斜に盎接䜿甚する補造
装眮の䟋を図面を参照しながら説明する。 本発明の方法の実斜に盎接䜿甚する装眮は、第
図に瀺す劂く原料装入口ず予熱垯ず加熱垯
ず冷华垯ず密閉自圚の生成物排出口ずを有
し、それらが瞊方向にそれぞれ連接させおなる反
応容噚であ぀お、前蚘加熱垯を圢成する筒は
黒鉛補であり、加熱垯の装入物を間接電気加熱す
る手段を具備し、少なくずも前蚘加熱垯の
倖偎に炭玠あるいは黒鉛質埮粉よりなる断熱局
を有するものである。 前蚘反応容噚は装眮の䞭心郚に蚭眮され、間
接加熱手段は黒鉛補発熱䜓ず前蚘発熱䜓
の倖偎に近接しお蚭けられた黒鉛補反射筒から
なる。前蚘加熱垯を圢成する筒ず黒鉛補反射筒に
囲たれた空間内には非酞化性ガス装入口より
䟋えばアルゎン、ヘリりム、窒玠、䞀酞化炭玠、
氎玠、その他の非酞化性ガスが封入され、空気の
䟵入による黒鉛補発熱䜓の酞化消耗が防止され
る。 以䞋、本発明を実斜䟋に぀いお説明する。 実斜䟋  平均粒埄が153Όのシリカ粉末SiO299.7重
量100重量郚ず比衚面積が25m2のサヌマ
ルブラツク粉末F.C.98.5重量63重量郚ず
平均粒埄が40Όの高ピツチ粉ベンれン可溶性
成分65.7重量、F.C.50.4重量35重量郹
ずベンれン140重量郚を配合し、フレツトミルを
䜿甚しお時間混合した埌也燥しお固圢状の混合物
を埗た。぀いで前蚘固圢状の混合物を解砕した解
砕物をパン型造粒機に投入しCMC0.5氎溶液を
スプレヌしながら造粒し、さらに篩ずバヌグリズ
リヌで敎粒した埌、バンド型通気也燥機に入れお
150℃の熱颚で90分間也燥した。埗られた粒状原
料は平均粒埄が10.3mm、粒状物の気孔率が51、
粒状物嵩密床が0.64cm3、SiO2モル比が
4.0であ぀た。 この粒状原料を第図に瀺した劂き瞊型の間接
加熱炉の䞊郚より装入し、前蚘加熱炉内を連続的
に自重降䞋させお、反応枩床が1650℃に制埡され
た加熱垯に至らせ、加熱垯における装入物を0.60
hrの降䞋速床で自重降䞋させ぀぀氎平方向に
間接加熱しおSiC化反応を行なわせた埌、冷华垯
に自重降䞋させ、排出口より反応生成物を連続的
に排出させた。 䜿甚した間接加熱炉の仕様は第衚に瀺した劂
くであり、加熱垯における装入物の充填幅は0.24
である。
【衚】 埗られた反応生成物から遊離炭玠を陀去した
埌、内埄が250mmφのボヌルミルを甚いお回転数
48rpmで5hr湿匏解砕し、さらに10HF氎溶液に
3hr浞挬しお遊離シリカを陀去粟補した。前蚘粟
補しお埗られた炭化珪玠䞭のβ型結晶よりなる炭
化珪玠の含有率は線回析によ぀お枬定したずこ
ろ96.6であり、その粒子圢状は第図の走査型
電子顕鏡写真2700倍に瀺した劂く、極めお䞞
い圢状で、比范的粒埄がそろ぀た埮粉であり、そ
の比衚面積は36.2m2であ぀た。 比范䟋  平均粒埄が153Όのシリカ粉末SiO299.7重
量100重量郚ず平均粒埄が29Όの石油コヌ
クス粉末F.C.98.7重量76重量郚および平
均粒埄が43Όの高ピツチ粉F.C.50.4重量
重量郚を配合し、瞊型スクリナヌ混合機にお10
分間混合した。前蚘配合原料にCMC0.5氎溶液
をスプレヌしながらパン型造粒機を甚いお成圢
し、篩ずバヌグリズリヌで敎粒した埌、バンド型
通気也燥機に入れお150℃の熱颚で90分間也燥し
お平均粒埄が10.5mm、粒状物の気孔率が47、粒
状物嵩密床が0.62cm3、SiO2モル比が4.0
の粒状原料を埗た。 前蚘粒状原料を䜿甚しお実斜䟋ずほが同様で
あるが、反応枩床を1900℃に制埡し、加熱垯にお
ける装入物を0.60hrの降䞋速床で自重降䞋さ
せおSiC化反応を行なわせた。 埗られた反応生成物の物性は実斜䟋ず同様の
方法で枬定した。結果は第衚に瀺した。その粒
子圢状は第図の走査型電子顕埮鏡写真2700
倍に瀺した。 比范䟋  比范䟋ず同様であるが、比范䟋よりも反応
枩床を1650℃ず䜎く制埡し、か぀装入物の降䞋速
床を0.40hrず遅くしお反応生成物を埗た。 埗られた反応生成物の物性は実斜䟋ず同様の
方法で枬定した。結果は第衚に瀺す劂く、比衚
面積が22.7m2ず比范的埮现な炭化珪玠粉末を
埗るこずができたが、生成物䞭遊離シリカ含有率
が21.7重量ず未反応シリカが倚量に残存するば
かりでなく、予熱垯においおSiOガスからの析出
物が倚量に生成し、装入物を円滑に自重降䞋させ
るこずが困難であ぀た。 実斜䟋、比范䟋 実斜䟋ず同様であるが、第衚に瀺した劂く
高ピツチ粉およびベンれンの配合量を倉えお調補
した粒状原料を䜿甚しお反応生成物を埗た。 埗られた反応生成物の物性は実斜䟋ず同様の
方法で枬定し、結果は第衚に瀺した。 前蚘実斜䟋は長期間安定しお連続操業するこ
ずができた。これに察し、比范䟋は反応容噚内
で装入物が厩壊し、連続操業が困難であ぀た。 実斜䟋  実斜䟋ず同様であるが第衚に瀺した劂き物
性の粒状原料を埗た。 前蚘粒状原料を実斜䟋で䜿甚した間接加熱炉
に装入し、第衚に瀺した劂き条件で操業を行な
い反応生成物を埗た。 埗られた反応生成物の物性は実斜䟋ず同様の
方法で枬定し、結果は第衚に瀺した。 実斜䟋  実斜䟋ず同様であるが、第衚に瀺した劂く
平均粒埄が2ΌのシリカSiO299.6重量を
䜿甚しお粒状原料を調敎し、実斜䟋ず同様の条
件で反応生成物を埗た。 埗られた反応生成物の物性は実斜䟋ず同様の
方法で枬定し、結果は第衚に瀺した。 実斜䟋  実斜䟋ず同様であるが、実斜䟋よりも反応
枩床を高く制埡し、か぀装入物の降䞋速床を速く
しお反応生成物を埗た。 埗られた反応生成物の物性は実斜䟋ず同様の
方法で枬定した。結果は第衚に瀺した劂く、炭
化珪玠粉末の比衚面積が29.8m2ず若干小さく
な぀たが、装入物の自重降䞋も順調で長期間安定
しお連続操業するこずができ、単䜍蚭備あたりの
生産胜力を向䞊させるこずができた。 実斜䟋  実斜䟋ず同様であるが、結合剀ずしお高ピツ
チ粉に換えおコヌルタヌルピツチ、朚タヌルピツ
チ、アスフアルト、プノヌル暹脂、石油タヌ
ル、コヌルタヌルおよび朚タヌルを䜿甚しお粒状
原料を調補し、実斜䟋ず同様に反応生成物を埗
た。 前蚘反応生成物を粟補しお埗られた炭化珪玠粉
末はいずれも極めお埮现で本発明の目的を充分に
満足させるものであ぀た。たた操業も長時間安定
しお行うこずができた。 なお、前蚘粒状原料䞭のSiO2モル比はい
ずれも4.0になるよう調補した。 以䞊、本発明によれば、平均粒埄が1Όを倧
きく䞋たわる比衚面積の極めお倧きな超埮现炭化
珪玠粉末を高収率に補造するこずができ、この粉
末を甚いるこずにより、埓来の炭化珪玠粉末を甚
いお造぀た炭化珪玠無加圧焌結䜓に比范しお極め
お高匷床で、か぀耐熱衝撃性に優れ、しかも信頌
性の高い炭化珪玠焌結䜓を補造するこずができる
ものであ぀お産業䞊に寄䞎する効果は極めお倧き
い。
【衚】
【衚】 【図面の簡単な説明】
第図は本発明の実斜䟋および比范䟋においお
䜿甚した竪型連続補造装眮の瞊断面図、第図は
実斜䟋に蚘茉の炭化珪玠粉末の走査型電子顕埮
鏡写真2700倍、第図は比范䟋に蚘茉の炭
化珪玠粉末の走査型電子顕埮鏡写真2700倍で
ある。   原料装入口、  予熱垯、  加熱
垯、  冷华垯、  生成物排出口、  
反応容噚、  加熱垯を圢成する筒、  黒
鉛補発熱䜓、  黒鉛補反射筒、  断熱
局、  非酞化性ガス装入口、  案内
電極、  可ずう導䜓、  ブスバヌ、
  枬枩パむプ、  倖殻、  耐
火煉瓊、  排気ダクト、  原料ホツ
パヌ。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  シリカず炭玠ず炭玠系の結合剀ずを配合し、
    粒状に成圢せしめた原料を、予熱垯ず加熱垯ず冷
    华垯を有する反応容噚の䞊方より装入し、前蚘装
    入された原料を前蚘反応容噚の予熱垯内を連続的
    あるいは間歇的に自重降䞋させ぀぀加熱垯に至ら
    せ、前蚘加熱垯内で氎平方向に間接電気加熱し、
    反応域における装入原料ならびに反応生成物の氎
    平方向の枩床分垃がほが均䞀になるよう電力負荷
    ず反応域を降䞋する装入原料ならびに反応生成物
    の降䞋速床を制埡しおSiC化反応を行わせ、次い
    で反応生成物を冷华垯に降䞋させ非酞化性雰囲気
    䞋で冷华埌、前蚘反応容噚の冷华垯䞋郚より連続
    的あるいは間歇的に1Όを倧きく䞋たわる超埮
    现な反応生成物を排出する炭化珪玠の補造方法に
    おいお、 前蚘粒状に成圢せしめた原料に含有される炭玠
    は比衚面積が〜1000m2の範囲内の炭玠粉末
    であり、遅くずも造粒される際には有機溶剀可溶
    性成分を含む前蚘炭玠系結合剀ず有機溶剀を䜿甚
    しお混合されおおり、加熱垯における反応枩床を
    1500〜2000℃の範囲内に制埡するこずを特城ずす
    る超埮现炭化珪玠粉末の補造方法。  前蚘炭玠粉末は、䞻ずしおコンタクトブラツ
    ク、フアヌネスブラツク、サヌマルブラツク、ラ
    ンプブラツクより遞ばれるいずれか少なくずも
    皮である特蚱請求の範囲第項蚘茉の補造方法。  前蚘炭玠系の結合剀は有機溶剀可溶性成分を
    少なくずも30重量含有し、か぀固定炭玠を20〜
    80重量含有する特蚱請求の範囲第項あるいは
    項に蚘茉の補造方法。  前蚘炭玠系の結合剀は、石油ピツチ、コヌル
    タヌルピツチ、朚タヌルピツチ、アスフアルト、
    プノヌル暹脂、石油タヌル、コヌルタヌル、朚
    タヌルより遞ばれるいずれか少なくずも皮であ
    る特蚱請求の範囲第〜項のいずれかに蚘茉の
    補造方法。  シリカず炭玠粉末ず炭玠系の結合剀ず有機溶
    剀ずを配合し、混合した埌粒状に成圢せしめるこ
    ずを特城ずする特蚱請求の範囲第〜項のいず
    れかに蚘茉の補造方法。  炭玠系の結合剀ず有機溶剀ずを混合し、炭玠
    系の結合剀の有機溶剀可溶性成分を溶出させた混
    合液をシリカず炭玠粉末ずの混合物に添加しお混
    合した埌、粒状に成圢せしめるこずを特城ずする
    特蚱請求の範囲第〜項のいずれかに蚘茉の補
    造方法。  前蚘混合時における有機溶剀䞭に溶出された
    炭玠系の結合剀の固定炭玠量は前蚘シリカず炭玠
    粉末の合蚈100重量郚に察しお1.5〜30重量郚の範
    囲内ずする特蚱請求の範囲第〜項のいずれか
    に蚘茉の補造方法。  前蚘炭玠系の結合剀をシリカず炭玠粉末の合
    蚈100重量郚に察しお〜50重量郚配合する特蚱
    請求の範囲第〜項のいずれかに蚘茉の補造方
    法。  前蚘有機溶剀を炭玠粉末100重量郚に察しお
    少なくずも10重量郚配合する特蚱請求の範囲第
    〜項のいずれかに蚘茉の補造方法。  前蚘粒状に成圢せしめた原料の気孔率を10
    〜60、粒状物嵩密床を0.40〜1.13cm3の範囲
    内ずなす特蚱請求の範囲第〜項のいずれかに
    蚘茉の補造方法。
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