JPH01181450A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH01181450A JPH01181450A JP63002598A JP259888A JPH01181450A JP H01181450 A JPH01181450 A JP H01181450A JP 63002598 A JP63002598 A JP 63002598A JP 259888 A JP259888 A JP 259888A JP H01181450 A JPH01181450 A JP H01181450A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tab
- resin
- shape
- curved
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、樹脂封止盛半導体装置において、装置の構造
に係り。
に係り。
籍に、はんだリフロー時に発生する樹脂クラックの防止
に好適な、同装置の構造技術に関する。
に好適な、同装置の構造技術に関する。
〔従来の技術」
ＩＣパッケージを、高温・高湿環境中で保存すると、Ｎ
止した樹脂が水分を収収し、はんだ付は加熱（リフロー
）時にタブと樹脂の界面にはく離が生じ、この空間で水
分が蒸気となり、それによる圧力で第７図、第８図に示
すようにタブＦコーナ部にクラック８が生じる。このは
く離を防止するために、タブの反素子搭載面に凸凹７や
溝、穴等を設け、同界面の接層強さを向上させる。なお
。
止した樹脂が水分を収収し、はんだ付は加熱（リフロー
）時にタブと樹脂の界面にはく離が生じ、この空間で水
分が蒸気となり、それによる圧力で第７図、第８図に示
すようにタブＦコーナ部にクラック８が生じる。このは
く離を防止するために、タブの反素子搭載面に凸凹７や
溝、穴等を設け、同界面の接層強さを向上させる。なお
。
この種の装置として関連するものには例えば特開昭５８
−１９９５４８．同６０−１８６０４４号各公報等が挙
げられる。
−１９９５４８．同６０−１８６０４４号各公報等が挙
げられる。
〔発明が解決しようとする課題Ｊ
上記従来技術は、タブと樹脂との接着面内の変位を拘束
する効果はめるものの１両者を引き離す方向の変位につ
いて配慮がなさｎておらず、凹部に入り込んだ樹脂が抜
けるか、るるいはその部分からちぎれるという問題があ
った。
する効果はめるものの１両者を引き離す方向の変位につ
いて配慮がなさｎておらず、凹部に入り込んだ樹脂が抜
けるか、るるいはその部分からちぎれるという問題があ
った。
本発明の目的は、同従来技術の入点を克服し。
蒸気圧によシ生じるクラックを防止することにある。
上記目的は、タブ下方の樹脂を、中央部において周辺部
よりも素子に近い工うな湾曲形状とすることにより、達
成される。
よりも素子に近い工うな湾曲形状とすることにより、達
成される。
本願第１着目の発明は、半導体素子と、これを搭載する
ためのタブとリードフレームの集合体を備え、これらを
樹脂で封止することにより成形した樹脂封止盛半導体装
置において、装置において、タブ下面と装置下面の形状
を、タブ中央部において素子に近く。
ためのタブとリードフレームの集合体を備え、これらを
樹脂で封止することにより成形した樹脂封止盛半導体装
置において、装置において、タブ下面と装置下面の形状
を、タブ中央部において素子に近く。
同周辺部において素子から遠い曲面、もしくは平面の合
成形、もしくは曲面と平面の合成形にしたことを特徴と
する。この際タグ下面と装置下面の形状を１球面にする
ことが好ｌしい。またタブ下面と装置下面の形状を１円
筒形にすることが好ましい。
成形、もしくは曲面と平面の合成形にしたことを特徴と
する。この際タグ下面と装置下面の形状を１球面にする
ことが好ｌしい。またタブ下面と装置下面の形状を１円
筒形にすることが好ましい。
本願第２番目の発明は、半導体系子と、これを搭載する
ためのタブとリードフレームの集合体を備え、これらを
樹脂で封止することにより成形した樹脂封止盛半導体装
置において、装置において、タブ下面の樹脂中に、下面
の形状が中央部において素子に近く。
ためのタブとリードフレームの集合体を備え、これらを
樹脂で封止することにより成形した樹脂封止盛半導体装
置において、装置において、タブ下面の樹脂中に、下面
の形状が中央部において素子に近く。
周辺部において素子から遠い曲面、もしくは平面の合成
形、もしくは曲面と平面の合成形の板を設け、さらに装
置下面の形状を、前述の板の中央部において素子に近く
、同周辺部において素子から遠い曲面、もしくは平面の
合成形、もしくは曲面好ましい。
形、もしくは曲面と平面の合成形の板を設け、さらに装
置下面の形状を、前述の板の中央部において素子に近く
、同周辺部において素子から遠い曲面、もしくは平面の
合成形、もしくは曲面好ましい。
本願第３番目の発明は、半導体素子とこれを搭載するた
めのタブとリードフレームの集合体を備え、これらを樹
脂で封止することにょシ成形した樹脂封止盛半導体装置
において、装置において、装置ド面とタブρ為らリード
にかけその形状を、タブ中央部において素子に近く、同
周辺部において素子から遠い連続的な曲面、もしくは平
面の合成形、もしくは曲面や平面の合成形にすることを
特徴とする。この際、装置下面とタブからリードにかけ
ての形状を、球面にすることが好１しく、また、装置下
面とタブからリードにかけての形状を１円筒形にするこ
とが好ましい。
めのタブとリードフレームの集合体を備え、これらを樹
脂で封止することにょシ成形した樹脂封止盛半導体装置
において、装置において、装置ド面とタブρ為らリード
にかけその形状を、タブ中央部において素子に近く、同
周辺部において素子から遠い連続的な曲面、もしくは平
面の合成形、もしくは曲面や平面の合成形にすることを
特徴とする。この際、装置下面とタブからリードにかけ
ての形状を、球面にすることが好１しく、また、装置下
面とタブからリードにかけての形状を１円筒形にするこ
とが好ましい。
〔作用」
タブ下コーナ部の樹脂クラックは、タグ下面と樹脂との
界面のはく離、及びこの部分に発生する蒸気圧による膨
張により、タブ下コーナ部に過大な引張１６カが生じる
ために起こる現象である。
界面のはく離、及びこの部分に発生する蒸気圧による膨
張により、タブ下コーナ部に過大な引張１６カが生じる
ために起こる現象である。
本発明でタブ下面の樹脂を湾曲させたことにより、ダム
のアーチと同様の原理で、上部からの圧力に対し、樹脂
に生じる引ｖｉ応カが小さくなるので、従来の平面形よ
りも耐圧強度が向上し、ざらに界面の膨張を抑制できる
。よって、同界面における樹脂クラックを防止すること
ができる。
のアーチと同様の原理で、上部からの圧力に対し、樹脂
に生じる引ｖｉ応カが小さくなるので、従来の平面形よ
りも耐圧強度が向上し、ざらに界面の膨張を抑制できる
。よって、同界面における樹脂クラックを防止すること
ができる。
以下１本発明の実施例を、図を用いて説明する。
ａｇ１図は１本発明の第１実施例の断面図である。
湾曲したタブ３ａの上面に接着剤２を介し、素子ｌを搭
載しである。これらを、下部に湾曲部５ａを設けた樹脂
５によって封止したものである。
載しである。これらを、下部に湾曲部５ａを設けた樹脂
５によって封止したものである。
第２図は、本発明の第２実施例の断面図である。
接着剤２を介して上部に素子ｌを搭載したタブ３の下面
に、湾曲した板６ａを設け、両者を接層剤２ａにて接着
しである。これらを、下部に湾曲部５ａを設けた樹脂５
によって封止したものである。
に、湾曲した板６ａを設け、両者を接層剤２ａにて接着
しである。これらを、下部に湾曲部５ａを設けた樹脂５
によって封止したものである。
なお、この際に接着剤２ａは省略し、樹脂５を充てんし
てもよい。
てもよい。
上記２実施例によれば、タブ下方の樹脂が湾曲している
ので、タブと樹脂との界面で発生する蒸気圧に対する樹
脂の強度を向上させる効果がある。
ので、タブと樹脂との界面で発生する蒸気圧に対する樹
脂の強度を向上させる効果がある。
第３図は１本発明の第３実施例の断面図である。
タブ３ａからリード４の湾曲部４ａにかけての形状を、
連続的な曲面で構成し、タブ３ａの上面に接着剤２を介
して素子１を搭載しである。これらを、下部に湾曲部５
ａｔ−設けた樹脂５で封止したものである。なお、リー
ド４における湾曲部４ａの及ぶ範囲は限定しない。
連続的な曲面で構成し、タブ３ａの上面に接着剤２を介
して素子１を搭載しである。これらを、下部に湾曲部５
ａｔ−設けた樹脂５で封止したものである。なお、リー
ド４における湾曲部４ａの及ぶ範囲は限定しない。
本実施例によれば、タブからリードにかけての形状を連
続的な曲面で構成しであるため、前述した２実施例よシ
も樹脂の曲面の及ぶ範囲が広くなり、樹脂の強度を向上
させることができる。
続的な曲面で構成しであるため、前述した２実施例よシ
も樹脂の曲面の及ぶ範囲が広くなり、樹脂の強度を向上
させることができる。
以下、第４図、第５図、第６図に１本発明の第４、第５
．第６実施例の素子、接着剤、及びタブの断面図を示す
。
．第６実施例の素子、接着剤、及びタブの断面図を示す
。
第４図は、タブの周辺部に％湾曲形状の頂上部と同じ高
さの折り曲げ部３ｂｔ−設けたものである。
さの折り曲げ部３ｂｔ−設けたものである。
第５図は、タブの周辺部に、ｆＩｊ曲形状の頂上部と同
じ高さの突起３Ｃを設は友ものでるる。
じ高さの突起３Ｃを設は友ものでるる。
第６図は、タブの中央部に平面部を設け１周辺部につい
てのみ曲面形状としたものである。なお、この際に周辺
部についても必ずしも曲面形状とする必要はなく、装置
下方に向けて傾斜した平面で構成してもよい。
てのみ曲面形状としたものである。なお、この際に周辺
部についても必ずしも曲面形状とする必要はなく、装置
下方に向けて傾斜した平面で構成してもよい。
以上３実施例は、素子を搭載する際の精度やその後の安
定性の向上、及び接層剤の流出防止等を考慮した例で、
前述した第１．第２．第３の各実施例のいずれにも共通
する。
定性の向上、及び接層剤の流出防止等を考慮した例で、
前述した第１．第２．第３の各実施例のいずれにも共通
する。
上記のタブ、あるいはタブ下面に設けられた板とリード
、及び樹脂下面の湾曲形状には、大別して第８図、第９
図に示す２種類に分けられる。
、及び樹脂下面の湾曲形状には、大別して第８図、第９
図に示す２種類に分けられる。
第８図は円筒形をしておシ、細長い形状をした半導体装
置（ＳＯＰ、ＳＯＪ等）において、装置短辺方向につい
て湾曲させることによシ、その曲率を小さくすることが
可能となる之め、著しい効果がある。
置（ＳＯＰ、ＳＯＪ等）において、装置短辺方向につい
て湾曲させることによシ、その曲率を小さくすることが
可能となる之め、著しい効果がある。
本実施例によれば、比較的正方形に近い形状をした半導
体装置ＣＭＳＰ、ＰＰＰ等）に適用することにより、各
辺について均等の効果ｔ−Ｓけることができる。
体装置ＣＭＳＰ、ＰＰＰ等）に適用することにより、各
辺について均等の効果ｔ−Ｓけることができる。
本発明によれば、タブ下面と樹脂との界面から下向きに
作用する蒸気圧による樹脂の引張応力の低減と、同界面
の膨張を抑制できるので、それらに伴う樹脂クラックの
発生を防止する効果がある。
作用する蒸気圧による樹脂の引張応力の低減と、同界面
の膨張を抑制できるので、それらに伴う樹脂クラックの
発生を防止する効果がある。
第１図は本発明の第１実施例の装置短辺方向断面図、第
２図は同第２実施例の同断面図、第３図は同第３実施例
の同断面図、第４図は同第４実施例の素子、接層剤、及
びタブの装置短辺方向断面図、第５図は同第５実施例の
同断面図、第６図は同第６実施例の同断面図で、第７図
、第８図は従来の半導体装置の樹脂クランク発生の状況
を示す断面図、第９図、第１０図は本発明に適用される
タブのその他の形状例を示す斜視図である。 １・・・半導体素子＋ ２ 、２ ａ・・・接着剤、３
・・・タブ。 ３ａ・・・本発明による湾曲タブ、３ｂ・・・同タブ折
り曲げ部、３Ｃ・・・同タブ突起部、３ｄ・・・タブ平
面部。 ４・・・リード％４ａ・・・本発明によるリード湾曲部
、５・・・樹脂、５ａ・・・本発明による樹脂湾曲部、
６ａ・・・同湾曲板、７・・・タブ下面凸凹、８・・・
樹脂クラック。
２図は同第２実施例の同断面図、第３図は同第３実施例
の同断面図、第４図は同第４実施例の素子、接層剤、及
びタブの装置短辺方向断面図、第５図は同第５実施例の
同断面図、第６図は同第６実施例の同断面図で、第７図
、第８図は従来の半導体装置の樹脂クランク発生の状況
を示す断面図、第９図、第１０図は本発明に適用される
タブのその他の形状例を示す斜視図である。 １・・・半導体素子＋ ２ 、２ ａ・・・接着剤、３
・・・タブ。 ３ａ・・・本発明による湾曲タブ、３ｂ・・・同タブ折
り曲げ部、３Ｃ・・・同タブ突起部、３ｄ・・・タブ平
面部。 ４・・・リード％４ａ・・・本発明によるリード湾曲部
、５・・・樹脂、５ａ・・・本発明による樹脂湾曲部、
６ａ・・・同湾曲板、７・・・タブ下面凸凹、８・・・
樹脂クラック。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体素子と、これを搭載するためのタブとリード
フレームの集合体を備え、これらを樹脂で封止すること
により成形した樹脂封止型半導体装置において、タブ下
面と装置下面の形状を、タブ中央部において素子に近く
、同周辺部において素子から遠い曲面、もしくは平面の
合成形、もしくは曲面と平面の合成形にしたことを特徴
とする樹脂封止型半導体装置。 ２、半導体素子と、これを搭載するためのタブとリード
フレームの集合体を備え、これらを樹脂で封止すること
により成形した樹脂封止型半導体装置において、タブ下
面の樹脂中に、下面の形状が中央部において素子に近く
、周辺部において素子から遠い曲面、もしくは平面の合
成形もしくは曲面と平面の合成形の板を設け、さらに装
置下面の形状を、前述の板の中央部において素子に近く
、同周辺部において素子から遠い曲面、もしくは平面の
合成形、もしくは曲面と平面の合成形にしたことを特徴
とする樹脂封止型半導体装置。 ３、半導体素子と、これを搭載するためのタブとリード
フレームの集合体を備え、これらを樹脂で封止すること
により成形した樹脂封止盛半導体装置において、装置下
面とタブからリードにかけての形状を、タブ中央部にお
いて素子に近く、同周辺部において素子から遠い連続的
な曲面、もしくは平面の合成形、もしくは曲面や平面の
合成形にしたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63002598A JPH01181450A (ja) | 1988-01-11 | 1988-01-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63002598A JPH01181450A (ja) | 1988-01-11 | 1988-01-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01181450A true JPH01181450A (ja) | 1989-07-19 |
Family
ID=11533823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63002598A Pending JPH01181450A (ja) | 1988-01-11 | 1988-01-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01181450A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6101101A (en) * | 1998-05-28 | 2000-08-08 | Sampo Semiconductor Corporation | Universal leadframe for semiconductor devices |
| JP2011003680A (ja) * | 2009-06-18 | 2011-01-06 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 電子回路封入装置 |
| WO2022195757A1 (ja) * | 2021-03-17 | 2022-09-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-01-11 JP JP63002598A patent/JPH01181450A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6101101A (en) * | 1998-05-28 | 2000-08-08 | Sampo Semiconductor Corporation | Universal leadframe for semiconductor devices |
| JP2011003680A (ja) * | 2009-06-18 | 2011-01-06 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 電子回路封入装置 |
| WO2022195757A1 (ja) * | 2021-03-17 | 2022-09-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JPWO2022195757A1 (ja) * | 2021-03-17 | 2022-09-22 |
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