JPH0223640A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH0223640A JPH0223640A JP63172663A JP17266388A JPH0223640A JP H0223640 A JPH0223640 A JP H0223640A JP 63172663 A JP63172663 A JP 63172663A JP 17266388 A JP17266388 A JP 17266388A JP H0223640 A JPH0223640 A JP H0223640A
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- JP
- Japan
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- semiconductor chip
- sealing resin
- resin
- chip
- stress
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置に係り、特に信頼性の向
上した樹脂封止型半導体装置に関する。
上した樹脂封止型半導体装置に関する。
半導体チップを樹脂で封止した半導体装置においては、
半導体チップとこれを埋設している封止用樹脂体とが、
応力により剥離して両者の間に隙間を生ずる場合が多い
。この応力は半導体チップと封止用樹脂との熱膨張係数
の差異、封止用樹脂の硬化収縮等に起因している。上記
隙間は、外部からの水の浸透を促し、半導体チップ内の
金属材料部分を腐食させ、装置の早期劣化の原因となる
。
半導体チップとこれを埋設している封止用樹脂体とが、
応力により剥離して両者の間に隙間を生ずる場合が多い
。この応力は半導体チップと封止用樹脂との熱膨張係数
の差異、封止用樹脂の硬化収縮等に起因している。上記
隙間は、外部からの水の浸透を促し、半導体チップ内の
金属材料部分を腐食させ、装置の早期劣化の原因となる
。
そこで、半導体チップと封止用樹脂との間の応力を緩和
し、両者の間の剥離を防止することを目的として、従来
、特公昭６０−８６２７に記載のような装置が提案され
ている。第５図はこの従来装置を示すものであり、１０
は半導体チップでありボンディングワイヤ２０を介して
リードフレーム３０に電気的に接続され、封止用樹脂４
０内に埋設されている。
し、両者の間の剥離を防止することを目的として、従来
、特公昭６０−８６２７に記載のような装置が提案され
ている。第５図はこの従来装置を示すものであり、１０
は半導体チップでありボンディングワイヤ２０を介して
リードフレーム３０に電気的に接続され、封止用樹脂４
０内に埋設されている。
ここで封止用樹脂の上面もしくは下面には、平面方向か
ら見て半導体チップ１０を取囲むように、応力吸収のた
めの溝５５．６５が形成されていた。
ら見て半導体チップ１０を取囲むように、応力吸収のた
めの溝５５．６５が形成されていた。
すなわちこの従来技術の主な目的は第５図（ａ）の半導
体チップ１０の外側の封止用樹脂領域が収縮し、半導体
チップ１０の及ぼそうとする応力を、半導体チップ１０
の外側に設けた溝５５．６５によって吸収し、これによ
って信頼性を向上させようとするものである。
体チップ１０の外側の封止用樹脂領域が収縮し、半導体
チップ１０の及ぼそうとする応力を、半導体チップ１０
の外側に設けた溝５５．６５によって吸収し、これによ
って信頼性を向上させようとするものである。
上記従来技術は、半導体装置の集積化が進み、半導体チ
ップの大型化や素子、配線の微細化が進んだ場合につい
て配慮がされておらず、半導体チップ構成材料の破損、
例えば配線の変形、断線、短絡、絶縁膜の割れや変形等
、に対する対策が十分でないという問題があった。また
従来技術は半導体チップより外周部に溝又は凹所を設け
ているため、封止樹脂のリードフレーム支持能力が低下
するという問題があった。
ップの大型化や素子、配線の微細化が進んだ場合につい
て配慮がされておらず、半導体チップ構成材料の破損、
例えば配線の変形、断線、短絡、絶縁膜の割れや変形等
、に対する対策が十分でないという問題があった。また
従来技術は半導体チップより外周部に溝又は凹所を設け
ているため、封止樹脂のリードフレーム支持能力が低下
するという問題があった。
本発明の目的は、リードフレーム支持能力が高く、かつ
半導体チップ構成材料の破損を低減させた信頼性の高い
半導体装置を提供することにある。
半導体チップ構成材料の破損を低減させた信頼性の高い
半導体装置を提供することにある。
上記目的は、半導体チップを埋設する封止樹脂体の少な
くとも上面に、上記半導体チップ上の内側部の少なくと
も一部に凹部を設けたことを特徴とする樹脂封止型半導
体装置によって達成される。
くとも上面に、上記半導体チップ上の内側部の少なくと
も一部に凹部を設けたことを特徴とする樹脂封止型半導
体装置によって達成される。
本発明において、凹部とは、溝、凹所、空孔等のような
形状でもよい。また例えば溝の断面の形状も角型であっ
てもＵ字型でもＶ字型でもどのような形状でもよい。ま
た凹部は封止樹脂体の少なくとも上面、すなわち半導体
チップ搭載側にあればよいが、上面と下面の両方に設け
てもよい。
形状でもよい。また例えば溝の断面の形状も角型であっ
てもＵ字型でもＶ字型でもどのような形状でもよい。ま
た凹部は封止樹脂体の少なくとも上面、すなわち半導体
チップ搭載側にあればよいが、上面と下面の両方に設け
てもよい。
大型化した半導体チップを樹脂封止したとき、半導体チ
ップに働く応力は、従来技術において配慮されていた半
導体チップ外側の封止用樹脂によって生ずる収縮応力よ
り半導体チップ上面部に位置する封止用樹脂が収縮しよ
うとしてチップに及ぼす応力の寄与がむしろ大である。
ップに働く応力は、従来技術において配慮されていた半
導体チップ外側の封止用樹脂によって生ずる収縮応力よ
り半導体チップ上面部に位置する封止用樹脂が収縮しよ
うとしてチップに及ぼす応力の寄与がむしろ大である。
従って平面方向から見て半導体チップの内側部の封止用
樹脂の一部分に凹部を設けることにより、上記半導体チ
ップ上面部に位置する封止用樹脂の応力が緩和され、半
導体チップに働く収縮応力が低減され、半導体チップの
破損を防止し、かつリードフレームの支持能力は低下し
ない。
樹脂の一部分に凹部を設けることにより、上記半導体チ
ップ上面部に位置する封止用樹脂の応力が緩和され、半
導体チップに働く収縮応力が低減され、半導体チップの
破損を防止し、かつリードフレームの支持能力は低下し
ない。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。第１
図（ａ）は、樹脂封止半導体装置の平面透視図、第１図
（ｂ）は同図（ａ）に示したＸ−Ｘ′部の断面図を表す
。１０は８Ｍ１角の半導体チツブを示し、ボンディング
ワイヤ２０を介してリードフレーム３０に電気的に接続
され、封止樹脂４０内側領域に位置する部分に凹所５３
を機械加工により形成した。この凹所は縦および横が ７ 、５ｍｍ、深さ１ｍｍであり半導体チップ１０上の
封止樹脂４０の体積をおよそ半分にした。本実施例によ
れば、半導体チップ上面にある封止樹脂４０の収縮応力
が緩和され、従来半導体チップ１０角の配線が中心に向
い３．８μｍ変形移動していたものが、１．３μｍとな
り、移動量を１／３に減少することができた。この応力
を減少させたことにより、半導体チップの破壊発生が防
止される。なお、本実施例では封止樹脂の上下両面に凹
所５３．６３を設けたが、少なくともチップ側すなわち
上面のみに凹所を設ければ本発明の効果が得られること
は言うまでもない。
図（ａ）は、樹脂封止半導体装置の平面透視図、第１図
（ｂ）は同図（ａ）に示したＸ−Ｘ′部の断面図を表す
。１０は８Ｍ１角の半導体チツブを示し、ボンディング
ワイヤ２０を介してリードフレーム３０に電気的に接続
され、封止樹脂４０内側領域に位置する部分に凹所５３
を機械加工により形成した。この凹所は縦および横が ７ 、５ｍｍ、深さ１ｍｍであり半導体チップ１０上の
封止樹脂４０の体積をおよそ半分にした。本実施例によ
れば、半導体チップ上面にある封止樹脂４０の収縮応力
が緩和され、従来半導体チップ１０角の配線が中心に向
い３．８μｍ変形移動していたものが、１．３μｍとな
り、移動量を１／３に減少することができた。この応力
を減少させたことにより、半導体チップの破壊発生が防
止される。なお、本実施例では封止樹脂の上下両面に凹
所５３．６３を設けたが、少なくともチップ側すなわち
上面のみに凹所を設ければ本発明の効果が得られること
は言うまでもない。
第２図、第３図及び第４図は、それぞれ本発明の他の実
施例を示す。
施例を示す。
第２図は、半導体チップのコーナ一部の上部に応力緩和
用の溝５２を設けた樹脂封止半導体装置の平面図である
。半導体チップに働く応力は、チップ中心から遠ざかる
程大きくなり、チップ周辺部、特にコーナ一部で最大と
なる。従って本実施例のように少なくともチップコーナ
一部上に溝を設けることにより、応力に起因するチップ
の破壊故障率を低減することができた。
用の溝５２を設けた樹脂封止半導体装置の平面図である
。半導体チップに働く応力は、チップ中心から遠ざかる
程大きくなり、チップ周辺部、特にコーナ一部で最大と
なる。従って本実施例のように少なくともチップコーナ
一部上に溝を設けることにより、応力に起因するチップ
の破壊故障率を低減することができた。
第３図は、半導体チップの平面方向から見てその内側領
域に溝５１．６１を形成した樹脂封止半導体装置を示す
。第３図（、）はその平面図であり、第３図（ｂ）及び
（Ｑ）はそれぞれ同図（、）のｙ−ｙ’ 、ｘ−ｘ’部
の断面図である。本実施例によれば半導体チップ上面に
ある封止用樹脂の収縮応力が緩和される。
域に溝５１．６１を形成した樹脂封止半導体装置を示す
。第３図（、）はその平面図であり、第３図（ｂ）及び
（Ｑ）はそれぞれ同図（、）のｙ−ｙ’ 、ｘ−ｘ’部
の断面図である。本実施例によれば半導体チップ上面に
ある封止用樹脂の収縮応力が緩和される。
第４図は、第１図で示した半導体装置に封止樹脂板４４
を接着した装置を示す。封止樹脂４０内に空孔４５を設
けた構造である。本実施例によれば半導体チップに働く
応力低減効果の他に、封止樹脂の機械的強度の増強、耐
湿性の向上等の効果がある。
を接着した装置を示す。封止樹脂４０内に空孔４５を設
けた構造である。本実施例によれば半導体チップに働く
応力低減効果の他に、封止樹脂の機械的強度の増強、耐
湿性の向上等の効果がある。
なお、本発明の封止用樹脂内に設けた溝形状は以上の実
施例で示したものに必ずしもとられれる必要は無く、Ｕ
型やＶ型等いかなる形状のものでもその効果は失われる
ものではない。溝のほかにも凹所、空孔についても同様
である。
施例で示したものに必ずしもとられれる必要は無く、Ｕ
型やＶ型等いかなる形状のものでもその効果は失われる
ものではない。溝のほかにも凹所、空孔についても同様
である。
以上のように本発明によれば、半導体チップ上に位置す
る封止用樹脂に設けた溝、凹所、空孔等により半導体チ
ップに働く応力が低減でき、この応力によって引き起こ
される半導体チップの破壊を大幅に低減し、そのため樹
脂封止型半導体装置の信頼性向上の効果がある。
る封止用樹脂に設けた溝、凹所、空孔等により半導体チ
ップに働く応力が低減でき、この応力によって引き起こ
される半導体チップの破壊を大幅に低減し、そのため樹
脂封止型半導体装置の信頼性向上の効果がある。
また、本発明では、溝、凹所、空孔等を封止樹脂体の中
心部付近に設けているため、封止樹脂のリードフレーム
支持能力の劣化の問題が少なくなる。
心部付近に設けているため、封止樹脂のリードフレーム
支持能力の劣化の問題が少なくなる。
第１図（ａ）は本発明の一実施例の樹脂封止半導体装置
の平面図、第１図（ｂ）はその断面図。 第２図、第３図及び第４図はそれぞれ本発明の他の実施
例の樹脂封止半導体装置の平面図及び断面図、第５図（
ａ）は従来の樹脂封止半導体装置の平面図、第５図（ｂ
）及び第５図（ｃ）はその断面図である。 １０・・・半導体チップ ２０・・・ボンディングワイヤ
の平面図、第１図（ｂ）はその断面図。 第２図、第３図及び第４図はそれぞれ本発明の他の実施
例の樹脂封止半導体装置の平面図及び断面図、第５図（
ａ）は従来の樹脂封止半導体装置の平面図、第５図（ｂ
）及び第５図（ｃ）はその断面図である。 １０・・・半導体チップ ２０・・・ボンディングワイヤ
Claims (1)
- １、半導体チップを埋設する封止樹脂体の少なくとも上
面に、上記半導体チップ上の内側部の少なくとも一部に
凹部を設けたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63172663A JPH0223640A (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63172663A JPH0223640A (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0223640A true JPH0223640A (ja) | 1990-01-25 |
Family
ID=15946067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63172663A Pending JPH0223640A (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0223640A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0739583A1 (en) | 1995-04-27 | 1996-10-30 | Nihon Tensaiseito Kabushiki Kaisha | Continuously assembled pots for raising and transplanting seedlings |
| EP0690499A3 (en) * | 1994-06-30 | 1997-05-28 | Digital Equipment Corp | Strapless plastic encapsulated semiconductor chip packaging |
| US5653055A (en) * | 1995-01-31 | 1997-08-05 | Nihon Tensaiseito Kabushiki Kaisha | Continuously assembled pots for raising and transplanting seedlings |
| US5776800A (en) * | 1994-06-30 | 1998-07-07 | Hamburgen; William Riis | Paddleless molded plastic semiconductor chip package |
| JP2019204819A (ja) * | 2018-05-21 | 2019-11-28 | 株式会社デンソー | 電子装置 |
| WO2021045205A1 (ja) | 2019-09-06 | 2021-03-11 | 日本甜菜製糖株式会社 | 耐腐紙 |
| CN113257751A (zh) * | 2020-02-12 | 2021-08-13 | 艾普凌科有限公司 | 半导体装置及其制造方法 |
| JP2021132170A (ja) * | 2020-02-21 | 2021-09-09 | エイブリック株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| WO2022044387A1 (ja) | 2020-08-25 | 2022-03-03 | 日本甜菜製糖株式会社 | 耐腐紙の分解制御方法 |
| DE102022131655B4 (de) * | 2021-12-27 | 2025-11-27 | Texas Instruments Incorporated | Spannungsarmes lasermodifiziertes moldkappen-package und verfahren zu dessen herstellung |
-
1988
- 1988-07-13 JP JP63172663A patent/JPH0223640A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0690499A3 (en) * | 1994-06-30 | 1997-05-28 | Digital Equipment Corp | Strapless plastic encapsulated semiconductor chip packaging |
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| KR20220055480A (ko) | 2019-09-06 | 2022-05-03 | 니혼 텐사이 세이토 가부시키가이샤 | 내부지 (耐腐紙) |
| WO2021045205A1 (ja) | 2019-09-06 | 2021-03-11 | 日本甜菜製糖株式会社 | 耐腐紙 |
| CN113257751A (zh) * | 2020-02-12 | 2021-08-13 | 艾普凌科有限公司 | 半导体装置及其制造方法 |
| JP2021128966A (ja) * | 2020-02-12 | 2021-09-02 | エイブリック株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2021132170A (ja) * | 2020-02-21 | 2021-09-09 | エイブリック株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| WO2022044387A1 (ja) | 2020-08-25 | 2022-03-03 | 日本甜菜製糖株式会社 | 耐腐紙の分解制御方法 |
| KR20230054822A (ko) | 2020-08-25 | 2023-04-25 | 니혼 텐사이 세이토 가부시키가이샤 | 내부지의 분해 제어 방법 |
| US12546063B2 (en) | 2020-08-25 | 2026-02-10 | Nippon Beet Sugar Manufacturing Co., Ltd. | Method for controlling decomposition of corrosion-resistant paper |
| DE102022131655B4 (de) * | 2021-12-27 | 2025-11-27 | Texas Instruments Incorporated | Spannungsarmes lasermodifiziertes moldkappen-package und verfahren zu dessen herstellung |
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