JPH01181512A - 単結晶シリコンの気相成長法 - Google Patents
単結晶シリコンの気相成長法Info
- Publication number
- JPH01181512A JPH01181512A JP341288A JP341288A JPH01181512A JP H01181512 A JPH01181512 A JP H01181512A JP 341288 A JP341288 A JP 341288A JP 341288 A JP341288 A JP 341288A JP H01181512 A JPH01181512 A JP H01181512A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- crystal silicon
- silicon layer
- layer
- surface treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明は単結晶シリコンの気相成長法、特に単結晶絶縁
物上にシリコン原子をヘテロエピタキシャル成長する単
結晶シリコン層の形成方法に関し、該単結晶絶縁物の加
熱温度を下げて、単結晶シリコン内に熱拡散する不純物
を卯制し、結晶性の良い該単結晶シリコン層を形成する
ことを目的とし、 半導体基板上に単結晶絶縁層を形成する工程と、前記単
結晶絶縁層の全面に第１の表面処理剤を塗布する工程と
、 前記表面処理剤を塗布した単結晶絶縁層の全面に第１の
単結晶シリコン層をヘテロエピタキシャル形成する工程
と、 前記単結晶シリコン層をエツチング法により除去し、前
記単結晶絶縁層を露出する工程と、前記単結晶絶縁層の
全面に第２の表面処理剤を塗布する工程と、 前記表面処理剤を塗布した単結晶絶縁層の全面に第２の
単結晶シリコン層をヘテロエピタキシャル形成する工程
と、 前記単結晶シリコン層の全面に第３の単結晶シリコン層
を形成する工程とを有することを含み構成する。
物上にシリコン原子をヘテロエピタキシャル成長する単
結晶シリコン層の形成方法に関し、該単結晶絶縁物の加
熱温度を下げて、単結晶シリコン内に熱拡散する不純物
を卯制し、結晶性の良い該単結晶シリコン層を形成する
ことを目的とし、 半導体基板上に単結晶絶縁層を形成する工程と、前記単
結晶絶縁層の全面に第１の表面処理剤を塗布する工程と
、 前記表面処理剤を塗布した単結晶絶縁層の全面に第１の
単結晶シリコン層をヘテロエピタキシャル形成する工程
と、 前記単結晶シリコン層をエツチング法により除去し、前
記単結晶絶縁層を露出する工程と、前記単結晶絶縁層の
全面に第２の表面処理剤を塗布する工程と、 前記表面処理剤を塗布した単結晶絶縁層の全面に第２の
単結晶シリコン層をヘテロエピタキシャル形成する工程
と、 前記単結晶シリコン層の全面に第３の単結晶シリコン層
を形成する工程とを有することを含み構成する。
本発明は、単結晶シリコンの気相成長法に関するもので
あり、更に詳しく言えば、単結晶絶縁物上にシリコン原
子をヘテロエピタキシャル成長する単結晶シリコン層の
形成方法に関するものである。
あり、更に詳しく言えば、単結晶絶縁物上にシリコン原
子をヘテロエピタキシャル成長する単結晶シリコン層の
形成方法に関するものである。
〔従来の技術〕
第２図は従来例に係る単結晶シリコン気相成長法を説明
する図であり、同図（ａ）〜（ｅ）は単結晶シリコン層
の気相成長工程図を示している。
する図であり、同図（ａ）〜（ｅ）は単結晶シリコン層
の気相成長工程図を示している。
図において、まずｐ型又はｎ型のＳｉ基板ｌ上に単結晶
絶縁ｊｌ！１２を形成する。なお、単結晶絶縁層２はサ
ファイヤ（八１ｚＯｉ ） 、マグネシアスピネル（Ｍ
ｇＯ・＾ｔＷＯ□）又はイツトリウム安定化ジルコニア
（ＺｒＯｔ−ＹｔＯｓ）等である。また、Ｓｉ基板１は
加熱源３によって基板温度を１０５０℃程度に保たれて
いる（同図（ａ））。
絶縁ｊｌ！１２を形成する。なお、単結晶絶縁層２はサ
ファイヤ（八１ｚＯｉ ） 、マグネシアスピネル（Ｍ
ｇＯ・＾ｔＷＯ□）又はイツトリウム安定化ジルコニア
（ＺｒＯｔ−ＹｔＯｓ）等である。また、Ｓｉ基板１は
加熱源３によって基板温度を１０５０℃程度に保たれて
いる（同図（ａ））。
次に水素（Ｈ）雰囲気中でｐ型又はｎ型のＳｉ原子を常
圧ＣＶＤ法等によりヘテロエピタキシャル成長して、目
ｇＯ・Ａｌｔｏｓ ＪＩ２等の上に単結晶Ｓｉ層４を形
成する。なお単結晶５ｉｊｉ４の結晶性は、Ｓｉ基板ｌ
の加熱温度に依、存し、加熱温度が高い程その結晶性は
良好となる。しかし、加熱温度が高くなると、例えばＭ
ｇＯ・Ａｌｔｏｚ Ｎ ２の場合にはＭｇやＡＩが、又
Ａ１１０２層の場合には、ＡＩがヘテロエピタキシャル
成長した単結晶５ｉＪｉ４に熱拡散して良好な単結晶Ｓ
ＬＪｇが形成できない（同図（ｂ））。
圧ＣＶＤ法等によりヘテロエピタキシャル成長して、目
ｇＯ・Ａｌｔｏｓ ＪＩ２等の上に単結晶Ｓｉ層４を形
成する。なお単結晶５ｉｊｉ４の結晶性は、Ｓｉ基板ｌ
の加熱温度に依、存し、加熱温度が高い程その結晶性は
良好となる。しかし、加熱温度が高くなると、例えばＭ
ｇＯ・Ａｌｔｏｚ Ｎ ２の場合にはＭｇやＡＩが、又
Ａ１１０２層の場合には、ＡＩがヘテロエピタキシャル
成長した単結晶５ｉＪｉ４に熱拡散して良好な単結晶Ｓ
ＬＪｇが形成できない（同図（ｂ））。
そこで単結晶５ｉＪｉ４を一旦ＲＩＥ法等の異方性エツ
チングにより全面除去する。なおエツチングガスはＣＦ
ａｌｏｘを用いる。これによりＭｇＯ・ＡＩ、Ｏ。
チングにより全面除去する。なおエツチングガスはＣＦ
ａｌｏｘを用いる。これによりＭｇＯ・ＡＩ、Ｏ。
Ｎ２等の界面附近から単結晶Ｓｉ層４に熱拡散したＭｇ
やＡＩを除去することができる（同図（Ｃ））。
やＡＩを除去することができる（同図（Ｃ））。
次いでＭｇＯ・ＡＩｔｏｓ ＪＦＩ２上にモリブデン化
合物を含む表面処理剤５を塗布して表面処理をする。
合物を含む表面処理剤５を塗布して表面処理をする。
なお、モリブデンを含む表面処理剤５は、酸化モリブデ
ン（Ｍｏ０１ ）と過酸化水素（ｌｌｔｏ＊）とを混合
した溶液を数十倍に希釈した水溶液である。以前本発明
者らが特許出＃（特願昭５８−２３３１１８号、特開昭
６０−１２４８１７号）した単結晶シリコンの気相成長
法によれば、該表面処理剤５をＭｇＯ・Ａ１１０ｓ１２
等の単結晶絶縁層に塗布することによって、Ｓｉ基板１
の加熱温度（単結晶ＳＩＮの成長温度）を低下させる効
果について報告されている（同図（ｄ））。
ン（Ｍｏ０１ ）と過酸化水素（ｌｌｔｏ＊）とを混合
した溶液を数十倍に希釈した水溶液である。以前本発明
者らが特許出＃（特願昭５８−２３３１１８号、特開昭
６０−１２４８１７号）した単結晶シリコンの気相成長
法によれば、該表面処理剤５をＭｇＯ・Ａ１１０ｓ１２
等の単結晶絶縁層に塗布することによって、Ｓｉ基板１
の加熱温度（単結晶ＳＩＮの成長温度）を低下させる効
果について報告されている（同図（ｄ））。
次いで、表面処理したＳｉｉ板１の全面に常圧ＣＶＤ法
等より、ヘテロエピタキシャル成長して、ＭｇＯ・＾Ｉ
ｚＯｓ Ｊｉ２上に再度単結晶５ｉＪｌ！ｊ６を形成す
る。なお、単結晶ＳｉＪ！Ｊ６は種付は用シリコン層と
なる。また、Ｓｉ基板１の加熱ａ３の温度は９６５℃程
度で良い、また、同図（ｅ）内の破線円を引出した拡大
図において、７は単結晶５ｉＮＳ内の非結晶部分であり
、８はＭｇＯ・Ａ１２０１層２から単結晶５ｉＪｉ’Ｊ
６に熱拡散したＭｇやＡ１等の不純物である（同図（ｅ
））。
等より、ヘテロエピタキシャル成長して、ＭｇＯ・＾Ｉ
ｚＯｓ Ｊｉ２上に再度単結晶５ｉＪｌ！ｊ６を形成す
る。なお、単結晶ＳｉＪ！Ｊ６は種付は用シリコン層と
なる。また、Ｓｉ基板１の加熱ａ３の温度は９６５℃程
度で良い、また、同図（ｅ）内の破線円を引出した拡大
図において、７は単結晶５ｉＮＳ内の非結晶部分であり
、８はＭｇＯ・Ａ１２０１層２から単結晶５ｉＪｉ’Ｊ
６に熱拡散したＭｇやＡ１等の不純物である（同図（ｅ
））。
なお、同図（Ｃ）の形成工程後、Ｍｇ０−Ａｌｔｏｓ層
２の表面処理をすることなく、直接、ヘテロエピタキシ
ャル成長して単結晶Ｓｉｉを形成する方法もあるが、ｓ
ｔｇ板１の加熱温度を１０５０℃に保つ必要がある。
２の表面処理をすることなく、直接、ヘテロエピタキシ
ャル成長して単結晶Ｓｉｉを形成する方法もあるが、ｓ
ｔｇ板１の加熱温度を１０５０℃に保つ必要がある。
ところで従来例によれば、加熱温度１０５０℃において
、ＭｇＯ・４１．０１層２上にヘテロエピタキシャル成
長した第１回目の単結晶５ＬＮ４を、該ＭｇＯ・Ａ１．
Ｏ，Ｎ ２と単結晶５ｉｌＷ４との境界面の洗滌化に使
用し、その後加熱温度を９６５℃、かつ該Ｍ ｇ Ｏ・
Ａｌｔｏｚ ７１２の表面を表面処理剤５を介して処理
し、第２回目の単結晶５ｉＪｉ６を形成している。
、ＭｇＯ・４１．０１層２上にヘテロエピタキシャル成
長した第１回目の単結晶５ＬＮ４を、該ＭｇＯ・Ａ１．
Ｏ，Ｎ ２と単結晶５ｉｌＷ４との境界面の洗滌化に使
用し、その後加熱温度を９６５℃、かつ該Ｍ ｇ Ｏ・
Ａｌｔｏｚ ７１２の表面を表面処理剤５を介して処理
し、第２回目の単結晶５ｉＪｉ６を形成している。
このため、第１回目の加熱温度１０５０°Ｃから第２回
目の加熱温度９６５℃に低下させたにも拘らず、第２図
（ｅ）に示すような非結晶部分８や、Ｍｇ０−Ａｌｔｏ
ｓ層２から単結晶５ｉＪｉＪ６に熱拡散したＡ！やＭｇ
等の不純物７が該単結晶Ｓｉ層６内に生ずる。
目の加熱温度９６５℃に低下させたにも拘らず、第２図
（ｅ）に示すような非結晶部分８や、Ｍｇ０−Ａｌｔｏ
ｓ層２から単結晶５ｉＪｉＪ６に熱拡散したＡ！やＭｇ
等の不純物７が該単結晶Ｓｉ層６内に生ずる。
これにより、結晶性の良い単結晶シリコン層が得られな
いという問題がある。
いという問題がある。
本発明はかかる従来例の問題に鑑み創作されたものであ
り、単結晶絶縁物の加熱温度を下げて、単結晶シリコン
層内に熱拡散する不純物を抑制し、結晶性の良い単結晶
シリコン層を形成することを可能とする単結晶シリコン
の気相成長法。
り、単結晶絶縁物の加熱温度を下げて、単結晶シリコン
層内に熱拡散する不純物を抑制し、結晶性の良い単結晶
シリコン層を形成することを可能とする単結晶シリコン
の気相成長法。
〔問題点を解決するための手段］
本発明の単結晶シリコンの気相成長法は、その一実施例
を第１図に示すように、半導体基板１１上に単結晶絶縁
層Ｉ２を形成する工程と、前記単結晶絶ＫＩＭ１２の全
面に第１の表面処理剤１４を塗布する工程と、 前記表面処理剤１４を塗布した単結晶絶縁層１２の全面
に第１の単結晶シリコン層１５をヘテロエピタキシャル
形成する工程と、 前記単結晶シリコン層１５をエツチング法により除去し
、前記単結晶絶縁層１２を露出する工程と、 前記単結晶絶縁Ｊｉ１２の全面に第２の表面処理剤１６
を塗布する工程と、 前記表面処理剤１Ｇを塗布した単結晶絶縁層】２の全面
に第２の単結晶シリコン層１７をヘテロエピタキシャル
形成する工程と、 前記単結晶シリコン層Ｉ７の全面に第３の単結晶シリコ
ン層１８杏形成する工程とを有することを特徴とし、上
記口約を達成する。
を第１図に示すように、半導体基板１１上に単結晶絶縁
層Ｉ２を形成する工程と、前記単結晶絶ＫＩＭ１２の全
面に第１の表面処理剤１４を塗布する工程と、 前記表面処理剤１４を塗布した単結晶絶縁層１２の全面
に第１の単結晶シリコン層１５をヘテロエピタキシャル
形成する工程と、 前記単結晶シリコン層１５をエツチング法により除去し
、前記単結晶絶縁層１２を露出する工程と、 前記単結晶絶縁Ｊｉ１２の全面に第２の表面処理剤１６
を塗布する工程と、 前記表面処理剤１Ｇを塗布した単結晶絶縁層】２の全面
に第２の単結晶シリコン層１７をヘテロエピタキシャル
形成する工程と、 前記単結晶シリコン層Ｉ７の全面に第３の単結晶シリコ
ン層１８杏形成する工程とを有することを特徴とし、上
記口約を達成する。
本発明によれば、単結晶絶縁層に第１の単結晶シリコン
層をヘテロエピタキシャル形成する前に、第１の表面処
理剤により該単結晶絶縁層の構成物質を活性化している
。このため第１の単結晶シリコン層をヘテロエピタキシ
ャル形成する場合、従来に比べて低い加熱温度により活
性化した単結晶絶縁層表面に存在する構成物質と該第１
の単結晶シリコン層のシリコン原子とを置換して核形成
をしたり、余剰構成物質を第１の単結晶シリコン層内に
熱拡散したりすることが可能となる。
層をヘテロエピタキシャル形成する前に、第１の表面処
理剤により該単結晶絶縁層の構成物質を活性化している
。このため第１の単結晶シリコン層をヘテロエピタキシ
ャル形成する場合、従来に比べて低い加熱温度により活
性化した単結晶絶縁層表面に存在する構成物質と該第１
の単結晶シリコン層のシリコン原子とを置換して核形成
をしたり、余剰構成物質を第１の単結晶シリコン層内に
熱拡散したりすることが可能となる。
また本発明によれば、第１の単結晶シリコン層をエツチ
ングにより除去した後、種結晶となる第２の単結晶シリ
コン層をヘテロエピタキシャル形成する前に第２の表面
処理剤により単結晶絶縁層表面を再度、活性化している
ので、第１の単結晶シリコン層をヘテロエピタキシャル
形成する加熱温度に比べて第２の単結晶シリコン層をヘ
テロエピタキシャル形成する加熱温度をさらに低減させ
ることが可能となる。
ングにより除去した後、種結晶となる第２の単結晶シリ
コン層をヘテロエピタキシャル形成する前に第２の表面
処理剤により単結晶絶縁層表面を再度、活性化している
ので、第１の単結晶シリコン層をヘテロエピタキシャル
形成する加熱温度に比べて第２の単結晶シリコン層をヘ
テロエピタキシャル形成する加熱温度をさらに低減させ
ることが可能となる。
これにより結晶性の良い単結晶シリコン層を形成するこ
とが可能となる。
とが可能となる。
次に図を参照しながら本発明の実施例について説明する
。
。
第１図は本発明の実施例に係る単結晶シリコン層の気相
成長を説明する図であり、同図は本発明の一実施例であ
るＳＯＩ構造に係る弔結晶シリコン層の気相成長工程図
を示している。
成長を説明する図であり、同図は本発明の一実施例であ
るＳＯＩ構造に係る弔結晶シリコン層の気相成長工程図
を示している。
図において、まずｎ型又はｎ型のＳｉ基板ｌｌ上に単結
晶絶縁層１２を形成する。なお、単結晶絶縁［１２はサ
ファイヤ（八１□０３）、マグネシアスピネル（ＭｇＯ
・八１ｇ（ｈ ）又はインドリウム安定化ジルコニア（
ＺｒＯ□・Ｙｚ（ｈ ）等であり、本実施例ではＭｇＯ
・Ａ１□ｏ、 ｉ １２を用いている。また、Ｓｉ基板
１１は加熱源１３によって、その基板温度を９６５℃程
度に保たれている（同図（ａ））。
晶絶縁層１２を形成する。なお、単結晶絶縁［１２はサ
ファイヤ（八１□０３）、マグネシアスピネル（ＭｇＯ
・八１ｇ（ｈ ）又はインドリウム安定化ジルコニア（
ＺｒＯ□・Ｙｚ（ｈ ）等であり、本実施例ではＭｇＯ
・Ａ１□ｏ、 ｉ １２を用いている。また、Ｓｉ基板
１１は加熱源１３によって、その基板温度を９６５℃程
度に保たれている（同図（ａ））。
次にＭｇ０−Ａｌｚ（ｈ層２に第１の表面処理剤１４を
塗布する。なお、第１の表面処理剤１４はモリブデン化
合物の水溶液である。またモリブデン化合物は、酸化モ
リブデン（ＭｏＯ□）と過酸化水素（１１□０□）との
混合液を水に溶かした溶液である。なお、表面処理剤１
４は単結晶絶縁層１２内の構成物質とシリコン原子との
置換促進作用や、該絶縁基板１２表面の余剰構成物質の
除去等を活発化する作用がある（同図（ｂ））。
塗布する。なお、第１の表面処理剤１４はモリブデン化
合物の水溶液である。またモリブデン化合物は、酸化モ
リブデン（ＭｏＯ□）と過酸化水素（１１□０□）との
混合液を水に溶かした溶液である。なお、表面処理剤１
４は単結晶絶縁層１２内の構成物質とシリコン原子との
置換促進作用や、該絶縁基板１２表面の余剰構成物質の
除去等を活発化する作用がある（同図（ｂ））。
次いで、水素（Ｈ）雰囲気中で、ｐ型又はｎ型のＳｉ層
を常圧ＣＶＤ法等によりヘテロエピタキシャル成長して
ＭｇＯ・＾１ｉｏｉ ［１２上に第１回目の単結晶５ｉ
ｊｉ１５を形成する。なお第１回目の単結晶Ｓｉ層１５
はＭｇＯ・４１２０１層１２の表面の洗滌化に用いる。
を常圧ＣＶＤ法等によりヘテロエピタキシャル成長して
ＭｇＯ・＾１ｉｏｉ ［１２上に第１回目の単結晶５ｉ
ｊｉ１５を形成する。なお第１回目の単結晶Ｓｉ層１５
はＭｇＯ・４１２０１層１２の表面の洗滌化に用いる。
またＳｉ基板１１の加熱源１３の温度は、従来の基板温
度１０５０℃に比べて本発明の実施例では基板温度９６
５°Ｃとすることができる。
度１０５０℃に比べて本発明の実施例では基板温度９６
５°Ｃとすることができる。
これによりＭｇＯ・Ａｈ（ｈ Ｎ１２の構成物質、例え
ばＡＩやＭｇとＳｉ原子が置換されて核が形成されたり
、又余剰構成物質が単結晶５ｉｊｌ１５に熱拡散する（
同図（Ｃ））。
ばＡＩやＭｇとＳｉ原子が置換されて核が形成されたり
、又余剰構成物質が単結晶５ｉｊｌ１５に熱拡散する（
同図（Ｃ））。
次に、ＲＩＥ法等の異方性エツチング法により単結晶Ｓ
ｉ層１５を除去してＭｇＯ・＾ｌ□Ｏｘ Ｎ １２を露
出する（同図（ｄ））。
ｉ層１５を除去してＭｇＯ・＾ｌ□Ｏｘ Ｎ １２を露
出する（同図（ｄ））。
次いで、第２の表面処理剤１６をＭｇＯ・Ａｌｔｏｓ７
１５１２の全面に塗布する。なお該表面処理剤１６は第
１の表面処理剤１４と同様のモリブデン化合物等の溶液
である（同図（ｅ））。
１５１２の全面に塗布する。なお該表面処理剤１６は第
１の表面処理剤１４と同様のモリブデン化合物等の溶液
である（同図（ｅ））。
次いで、第１の単結晶Ｓｉ層１５と同様に水素（１１）
雰囲気中で、ｐ型又はｎ型のＳｉ層を常圧ＣＶＤ法によ
りヘテロエピタキシャル成長して、ｈｇＯ・ＡｈＯｚ
Ｎ１２上に種結晶となる第２回目の単結晶Ｓｉ層１７を
形成する。なおＳｉ基板１１の加熱源１３の温度は、第
１の単結晶５ｔｌｆｉ １５の形成時に比べてさらに３
０’Ｃ低減する９３５°Ｃとすることができる（同図（
ｆ））。
雰囲気中で、ｐ型又はｎ型のＳｉ層を常圧ＣＶＤ法によ
りヘテロエピタキシャル成長して、ｈｇＯ・ＡｈＯｚ
Ｎ１２上に種結晶となる第２回目の単結晶Ｓｉ層１７を
形成する。なおＳｉ基板１１の加熱源１３の温度は、第
１の単結晶５ｔｌｆｉ １５の形成時に比べてさらに３
０’Ｃ低減する９３５°Ｃとすることができる（同図（
ｆ））。
次ニ第１．２の単結晶５ｉｌｌ１５．１７と同様に常圧
ＣＶＤ法によりＳｉ原子をヘテロエピタキシャル成長し
、単結晶Ｓｉ層１７上に第３の単結晶Ｓｉ［１８を形成
する。なお、このときのＳｉ基板１１の加熱源の温度は
９２０°Ｃである。また、単結晶Ｓｉ層１８はバイポー
ラトランジスタやＭＯＳ）ランジスタ等の素子形成用と
なる（同図（ｇ））。
ＣＶＤ法によりＳｉ原子をヘテロエピタキシャル成長し
、単結晶Ｓｉ層１７上に第３の単結晶Ｓｉ［１８を形成
する。なお、このときのＳｉ基板１１の加熱源の温度は
９２０°Ｃである。また、単結晶Ｓｉ層１８はバイポー
ラトランジスタやＭＯＳ）ランジスタ等の素子形成用と
なる（同図（ｇ））。
このようにしてＭｇＯ・八１゜（１？Ｊ１２に第１の単
結晶ｓｉｌ？Ｗ １５をヘテロエピタキシャル形成する
前、に第１の表面処理剤１４により該ＭｇＯ・＾１２０
１層１２の構成物質を活性化している。このため第１の
単結晶８１層をヘテロエピタキシャル形成する場合、従
来に比べて低い加熱温度（９６５℃）により活性化した
ＭｇＯ・ＡＩｔｏｚ ＩＩ １２表面に存在する構成物
質と、該第１の単結晶Ｓｉ層１５のＳ１原子とを置換し
て該形成をしたり、余剰構成物質を第１の単結晶ＳＩＮ
内に熱拡散したりすることが可能となる。
結晶ｓｉｌ？Ｗ １５をヘテロエピタキシャル形成する
前、に第１の表面処理剤１４により該ＭｇＯ・＾１２０
１層１２の構成物質を活性化している。このため第１の
単結晶８１層をヘテロエピタキシャル形成する場合、従
来に比べて低い加熱温度（９６５℃）により活性化した
ＭｇＯ・ＡＩｔｏｚ ＩＩ １２表面に存在する構成物
質と、該第１の単結晶Ｓｉ層１５のＳ１原子とを置換し
て該形成をしたり、余剰構成物質を第１の単結晶ＳＩＮ
内に熱拡散したりすることが可能となる。
また第１の単結晶Ｓｉ層１５をＲＩＥ法等の異方性エツ
チングにより除去した後、種結晶となる第２の単結晶５
ｉｌｌ １７をヘテロエピタキシャル形成する前に第２
の表面処理剤１６によりＭｇ０−Ａｌｔｏｓ層１２表面
を再度、活性化している。このため第１の単結晶シリコ
ンをヘテロエピタキシャル形成する加熱温度（成長温度
）に比べて、第２の単結晶Ｓｉ基層をヘテロエピタキシ
ャル形成する成長温度をさらに低減（９３５℃）させる
ことが可能となる。
チングにより除去した後、種結晶となる第２の単結晶５
ｉｌｌ １７をヘテロエピタキシャル形成する前に第２
の表面処理剤１６によりＭｇ０−Ａｌｔｏｓ層１２表面
を再度、活性化している。このため第１の単結晶シリコ
ンをヘテロエピタキシャル形成する加熱温度（成長温度
）に比べて、第２の単結晶Ｓｉ基層をヘテロエピタキシ
ャル形成する成長温度をさらに低減（９３５℃）させる
ことが可能となる。
これにより基板温度９２０℃において結晶性の良い単結
晶Ｓｉ層１８を形成することが可能となる。
晶Ｓｉ層１８を形成することが可能となる。
以上説明したように本発明によれば、第１．２の表面処
理剤と第１の単結晶シリコン層とにより単結晶絶縁物表
面の洗滌化と核形成化とをするこ。
理剤と第１の単結晶シリコン層とにより単結晶絶縁物表
面の洗滌化と核形成化とをするこ。
とができる、このため低成長温度において、結晶性の良
好な単結晶シリコン層を気相成長することが可能となる
。
好な単結晶シリコン層を気相成長することが可能となる
。
これにより高密度、高集積度及び高信顛度の半導体装置
を製造することが可能となる。
を製造することが可能となる。
第１図は本発明の実施例に係る単結晶シリコン層の気相
成長工程図、 第２図は従来例に係る単結晶シリコン層の気相成長工程
図である。 ６ （符号の説明） １．１１・・・Ｓｉ基板（半導体基板）、２Ｊ１２・・
・ＭｇＯ・Ａ１２０３層（単結晶絶縁層）、３．１３・
・・加熱源、 ４．６，１５，１７．１８・・・単結晶Ｓｉ層（単結晶
シリコン層）、 ５．１４．１６・・・表面処理剤、 ７・・・非結晶部分、 ８・・・不純物。 ０Ｖ−１３力ひシ５１、 依１３ （ｂｌ 第１図（乏の２） （ｅ） ＄ｅ日財啼負方Ｑイヅリ１てイ駈どＳリー料Ｊ１シノコ
櫂ヴ斜受ぐ千目鎮工ｆｌ−≦８第１ 図（ぐφ３）
成長工程図、 第２図は従来例に係る単結晶シリコン層の気相成長工程
図である。 ６ （符号の説明） １．１１・・・Ｓｉ基板（半導体基板）、２Ｊ１２・・
・ＭｇＯ・Ａ１２０３層（単結晶絶縁層）、３．１３・
・・加熱源、 ４．６，１５，１７．１８・・・単結晶Ｓｉ層（単結晶
シリコン層）、 ５．１４．１６・・・表面処理剤、 ７・・・非結晶部分、 ８・・・不純物。 ０Ｖ−１３力ひシ５１、 依１３ （ｂｌ 第１図（乏の２） （ｅ） ＄ｅ日財啼負方Ｑイヅリ１てイ駈どＳリー料Ｊ１シノコ
櫂ヴ斜受ぐ千目鎮工ｆｌ−≦８第１ 図（ぐφ３）
Claims (2)
- （１）半導体基板（１１）上に単結晶絶縁層（１２）を
形成する工程と、 前記単結晶絶縁層（１２）の全面に第１の表面処理剤（
１４）を塗布する工程と、 前記表面処理剤（１４）を塗布した単結晶絶縁層（１２
）の全面に第１の単結晶シリコン層（１５）をヘテロエ
ピタキシャル形成する工程と、前記単結晶シリコン層（
１５）をエッチング法により除去し、前記単結晶絶縁層
（１２）を露出する工程と、 前記単結晶絶縁層（１２）の全面に第２の表面処理剤（
１６）を塗布する工程と、 前記表面処理剤（１６）を塗布した単結晶絶縁層（１２
）の全面に第２の単結晶シリコン層（１７）をヘテロエ
ピタキシャル形成する工程と、前記単結晶シリコン層（
１７）の全面に第３の単結晶シリコン層（１８）を形成
する工程とを有することを特徴とする単結晶シリコンの
気相成長法。 - （２）前記第１、２の表面処理剤（１４、１６）がモリ
ブデン化合物を含む水溶液であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項に記載する単結晶シリコンの気相成長
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP341288A JPH01181512A (ja) | 1988-01-11 | 1988-01-11 | 単結晶シリコンの気相成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP341288A JPH01181512A (ja) | 1988-01-11 | 1988-01-11 | 単結晶シリコンの気相成長法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01181512A true JPH01181512A (ja) | 1989-07-19 |
Family
ID=11556666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP341288A Pending JPH01181512A (ja) | 1988-01-11 | 1988-01-11 | 単結晶シリコンの気相成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01181512A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7910929B2 (en) | 2007-12-18 | 2011-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
-
1988
- 1988-01-11 JP JP341288A patent/JPH01181512A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7910929B2 (en) | 2007-12-18 | 2011-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8951849B2 (en) | 2007-12-18 | 2015-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device including layer containing yttria-stabilized zirconia |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5601595B2 (ja) | シリコン−オン−インシュレーター構造及びバルク基板に対するＳｉＧｅの堆積 | |
| EP0430280B1 (en) | Selective and non-selective deposition of Si1-x Gex on a Si substrate that is partially masked with Si O2 | |
| US4615762A (en) | Method for thinning silicon | |
| US4845044A (en) | Producing a compound semiconductor device on an oxygen implanted silicon substrate | |
| US7666799B2 (en) | Epitaxial growth of relaxed silicon germanium layers | |
| WO2001059821A8 (en) | A process for forming a semiconductor structure | |
| WO2003012841A3 (en) | Semiconductor structures and devices not lattice matched to the substrate | |
| JPH0794429A (ja) | ヘテロエピタキシャル成長法 | |
| US6514886B1 (en) | Method for elimination of contaminants prior to epitaxy | |
| JP3024584B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2023089079A (ja) | Ｓｏｉウェーハ | |
| JP4700324B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| WO2003007334A3 (en) | Semiconductor structures and devices for detecting chemical reactant | |
| JP3508356B2 (ja) | 半導体結晶成長方法及び半導体薄膜 | |
| WO2002045140A3 (en) | Semiconductor structures having a compliant substrate | |
| JPH01181512A (ja) | 単結晶シリコンの気相成長法 | |
| JPH06151864A (ja) | 半導体基板及びその製造方法 | |
| US6800538B2 (en) | Semiconductor device fabrication method and semiconductor fabrication control method | |
| JPH0475649B2 (ja) | ||
| WO2003007393A3 (en) | Semiconductor structures comprising a piezoelectric material and corresponding processes and systems | |
| JP2647927B2 (ja) | 選択的エピタキシャル成長方法 | |
| JPH0618174B2 (ja) | 半導体基板 | |
| JPH03292723A (ja) | シリコン単結晶薄膜の作製方法 | |
| JPS60145625A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09306844A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |