JPS6097356A - ホトマスク - Google Patents
ホトマスクInfo
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- JPS6097356A JPS6097356A JP58204803A JP20480383A JPS6097356A JP S6097356 A JPS6097356 A JP S6097356A JP 58204803 A JP58204803 A JP 58204803A JP 20480383 A JP20480383 A JP 20480383A JP S6097356 A JPS6097356 A JP S6097356A
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- JP
- Japan
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- photomask
- space
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- frames
- frame
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
- G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は露光技術に関するもので、特に半導体用ホトマ
スクや縮小アライナ用レチクル等に適用するホトマスク
に関するもので、ホトマスクのパターン転写時における
異物の転写を防止して露光でき５る技術に関するもので
ある。
スクや縮小アライナ用レチクル等に適用するホトマスク
に関するもので、ホトマスクのパターン転写時における
異物の転写を防止して露光でき５る技術に関するもので
ある。
半導体装置の製造に多用されるホトリソグラフィ工程で
は、ウェーハ等に形成する素子パターンの原板としての
ホトマスクやレチクル（本明細書ではこれらをホトマス
クと総称する）が必須のものとされている。ところで、
この種のホトマスクをホトリソグラフィ技術でパターン
転写を行なう場合、ホトマスクの表面や裏面に塵埃等の
異物が付着しているとパターンと同時にこの異物も転写
されてしまいパターン欠陥を生じることＫなる。
は、ウェーハ等に形成する素子パターンの原板としての
ホトマスクやレチクル（本明細書ではこれらをホトマス
クと総称する）が必須のものとされている。ところで、
この種のホトマスクをホトリソグラフィ技術でパターン
転写を行なう場合、ホトマスクの表面や裏面に塵埃等の
異物が付着しているとパターンと同時にこの異物も転写
されてしまいパターン欠陥を生じることＫなる。
このため、第１図に示すよ５にホトマスク１の表、裏面
の周囲にスペーサとしての固定フレーム２．３を固着す
ると共に、これら各固定フレーム２．３０周縁に透明な
Ｍ４，５を張設することが考えられる。この構成によれ
ば、異物は膜４，５には付着してもホトマスク１の表９
Ｍ面に直接付着することは防止されるため、この膜４，
５とホトマスク１表、裏面の間隙、換言すれば固定フレ
ーム２，３の高さをアライナの焦点深度以上の寸法に設
定しておけば、異物が転写されることはない。
の周囲にスペーサとしての固定フレーム２．３を固着す
ると共に、これら各固定フレーム２．３０周縁に透明な
Ｍ４，５を張設することが考えられる。この構成によれ
ば、異物は膜４，５には付着してもホトマスク１の表９
Ｍ面に直接付着することは防止されるため、この膜４，
５とホトマスク１表、裏面の間隙、換言すれば固定フレ
ーム２，３の高さをアライナの焦点深度以上の寸法に設
定しておけば、異物が転写されることはない。
しかしながら、この構成では一旦膜４．５を構成してし
まうと、ホトマスク１を自動外観検査機にかけた場合に
膜４，５によって検査光学系に焦点ずれが生じ、自動外
観検査ができなくなるという問題が生じる。このため、
被転写物における外観検査を行なう等間接的な検査方法
をとらざるを得す、検査時間が長くなると共に評価精度
も低くなるという問題があることを本発明者は見い出し
た。
まうと、ホトマスク１を自動外観検査機にかけた場合に
膜４，５によって検査光学系に焦点ずれが生じ、自動外
観検査ができなくなるという問題が生じる。このため、
被転写物における外観検査を行なう等間接的な検査方法
をとらざるを得す、検査時間が長くなると共に評価精度
も低くなるという問題があることを本発明者は見い出し
た。
本発明の目的はホトマスク表、裏面への異物の付着を防
止して異物の転写を防止し得るのはもとより、ホトマス
クを自動外観検査機にかけても何等の不具合が生じるこ
となく良好な検査を行なうことができ、これにより半導
体製品の歩留りの向上および作業効率の向上を達成する
ことができるホトマスクを提供することにある。
止して異物の転写を防止し得るのはもとより、ホトマス
クを自動外観検査機にかけても何等の不具合が生じるこ
となく良好な検査を行なうことができ、これにより半導
体製品の歩留りの向上および作業効率の向上を達成する
ことができるホトマスクを提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、ホトマスクにその高さ力呵変なフレームを取
着し、このフレームに透明な遮蔽膜を取着してホトマス
クをカバーすることにより、ホトマスクの露光時と外観
検査時とでホトマスクと遮蔽膜との間隙を変化させ、こ
れにより異物の転写を防止する一方で自動外観検査を可
能にし、半導体製品の歩留りの同上および作業効率の向
上を達成するものである。
着し、このフレームに透明な遮蔽膜を取着してホトマス
クをカバーすることにより、ホトマスクの露光時と外観
検査時とでホトマスクと遮蔽膜との間隙を変化させ、こ
れにより異物の転写を防止する一方で自動外観検査を可
能にし、半導体製品の歩留りの同上および作業効率の向
上を達成するものである。
第２図は本発明の一実施例の一部破断斜視図であり、ホ
トマスク１ｏは透明ガラス基板１１０表面に１１ａＫＣ
ｒ等の金属層成いはその他の光不透過膜１２を所要のパ
ターン形状に形成している。
トマスク１ｏは透明ガラス基板１１０表面に１１ａＫＣ
ｒ等の金属層成いはその他の光不透過膜１２を所要のパ
ターン形状に形成している。
このパターン形状の形成は常法としてのホ）ＩＪソグラ
フィ技術が適用されているが詳細は省略する。
フィ技術が適用されているが詳細は省略する。
前記ホトマスク１００表、裏面１１ａ、１１ｂＫは正方
形枠状のフレーム１３．１４を周辺部に取着している。
形枠状のフレーム１３．１４を周辺部に取着している。
これらフレーム１３．１４は、本例では軟質樹脂材など
から全体を蛇腹状に形成しており、その一端縁をホトマ
スク１０面に接着することにより他端縁ｔホトマスク１
０の厚さ方向に位置変化できる。換言すれば、ホトマス
ク１０を水平に設置した場合、各フレーム１３．１４は
その高さ寸法を変化できるようにしている。そして。
から全体を蛇腹状に形成しており、その一端縁をホトマ
スク１０面に接着することにより他端縁ｔホトマスク１
０の厚さ方向に位置変化できる。換言すれば、ホトマス
ク１０を水平に設置した場合、各フレーム１３．１４は
その高さ寸法を変化できるようにしている。そして。
これらフレーム１３．１４の他端縁には夫々薄い透明樹
脂材からなる遮蔽膜１５．１６を張設し、夫々ホトマス
ク１０の表、裏面１１ａ、ｌｌｂを気密状態にカバーし
ている。遮蔽膜１５．１６のフレーム１３．１４との接
続部には補助フレーム１７．１８を取着しており、フレ
ームｉ３，１４ないし遮蔽膜１５．１６に節度を与えて
いる。
脂材からなる遮蔽膜１５．１６を張設し、夫々ホトマス
ク１０の表、裏面１１ａ、ｌｌｂを気密状態にカバーし
ている。遮蔽膜１５．１６のフレーム１３．１４との接
続部には補助フレーム１７．１８を取着しており、フレ
ームｉ３，１４ないし遮蔽膜１５．１６に節度を与えて
いる。
更に、前記フレーム１３．１４の周囲一部には細径のチ
ューブ１９．２０の一端を接続し、ホトマスク１０の表
、裏面１１ａ、ｌｌｂと、フレーム１３．１４および遮
蔽膜１５．１６とで夫々画成される気密空間２１．２２
に連通させている。これらチューブ１９．２０には開閉
バルブ２３．２４ケ介装し、また他端は清浄空気を供給
し或いは空気吸引の可能な空気コントローラ２５に接続
している。
ューブ１９．２０の一端を接続し、ホトマスク１０の表
、裏面１１ａ、ｌｌｂと、フレーム１３．１４および遮
蔽膜１５．１６とで夫々画成される気密空間２１．２２
に連通させている。これらチューブ１９．２０には開閉
バルブ２３．２４ケ介装し、また他端は清浄空気を供給
し或いは空気吸引の可能な空気コントローラ２５に接続
している。
以上の構成によれば、空気コントローラ２５の清浄空気
をチューブ１９．２（１−通して気密空間２１．２２に
供給すれば、空間２１．２２内は外気よりも陽圧になり
遮蔽膜１５，１６はフレーム１３．１４’＆伸長させな
がらホトマスク１００表。
をチューブ１９．２（１−通して気密空間２１．２２に
供給すれば、空間２１．２２内は外気よりも陽圧になり
遮蔽膜１５，１６はフレーム１３．１４’＆伸長させな
がらホトマスク１００表。
裏面１１ａ、ｌｌｂから離れ、第３図（Ａ）のようにホ
トマスク１００表、裏面１１ａ、Ｊｌｂと遮蔽膜１５．
１６との間隙寸法ｔ５〜１５關程度に大きくする。この
状態で開閉バルブ２３．２４’＆閉成すれば遮蔽膜１５
．１６はその状態に保たれる。
トマスク１００表、裏面１１ａ、Ｊｌｂと遮蔽膜１５．
１６との間隙寸法ｔ５〜１５關程度に大きくする。この
状態で開閉バルブ２３．２４’＆閉成すれば遮蔽膜１５
．１６はその状態に保たれる。
したがって、このホトマスクをアライナに設置して所定
の露光を行なえば、異物は遮蔽膜１５．１６には付着し
てもホトマスク１ｏの表、裏面１１ ａ。
の露光を行なえば、異物は遮蔽膜１５．１６には付着し
てもホトマスク１ｏの表、裏面１１ ａ。
１１ｂに直接付着することはなく、しかも遮蔽膜１５．
１６はホトマスクの為裏面１１ａ、ｌｌｂからアライナ
の焦点深度以上に離されているために、この異物が転写
されることは全くない。これにより、異物が転写される
ことにより生じるパターン欠陥を確実に防止できる。
１６はホトマスクの為裏面１１ａ、ｌｌｂからアライナ
の焦点深度以上に離されているために、この異物が転写
されることは全くない。これにより、異物が転写される
ことにより生じるパターン欠陥を確実に防止できる。
一方、ホトマスク１ｏの外観検査時には、開閉／（／ｌ
／７’２３． ２４を開いた上で空気コントローラ２５
により気密空間２１．２２内の空気をチ−ブ１９．２０
を通して吸引する。これにより、気密空間２１．２２内
は外気よりも除圧とされ、第３図ＣＢ）のようにフレー
ム１３．１４は短縮されかつ遮蔽膜１５．１６は夫々若
干撓まされながらホトマスク１００表、裏面１１ａ、ｌ
ｌｂに密着された状態とされる。したがって、この状態
でホトマスク１０を自動外観検査機にがければ、遮蔽膜
１５．１６が検査機の光学系の焦点ずれを生じることは
なく、通常のホトマスクの場合と全く同じに自動外観検
査機行なうことができる。
／７’２３． ２４を開いた上で空気コントローラ２５
により気密空間２１．２２内の空気をチ−ブ１９．２０
を通して吸引する。これにより、気密空間２１．２２内
は外気よりも除圧とされ、第３図ＣＢ）のようにフレー
ム１３．１４は短縮されかつ遮蔽膜１５．１６は夫々若
干撓まされながらホトマスク１００表、裏面１１ａ、ｌ
ｌｂに密着された状態とされる。したがって、この状態
でホトマスク１０を自動外観検査機にがければ、遮蔽膜
１５．１６が検査機の光学系の焦点ずれを生じることは
なく、通常のホトマスクの場合と全く同じに自動外観検
査機行なうことができる。
以上のことから、このホトマスク構造によれば欠陥転写
の防止を図って半導体製品の歩留の向上を達成するー・
方、自動外観倹ｉ欠ｆｉＪ能にｌ−又作業効率の向上を
図りかつ肝価精度ケ旨いものにできる。
の防止を図って半導体製品の歩留の向上を達成するー・
方、自動外観倹ｉ欠ｆｉＪ能にｌ−又作業効率の向上を
図りかつ肝価精度ケ旨いものにできる。
（１）ホトマスクに市さの可変なフレームを取着し、こ
のフレームに透明な遮蔽膜を張設してフレームの作用に
よって遮蔽膜とホトマスク表、裏面との間隙を変化でき
るように構成しているので、露光時には間隙を大洗して
遮蔽膜上の異物を焦点深度外におき異物の転写を防止し
て欠陥の発生を防止し、半導体歩留の向上を達成できる
。
のフレームに透明な遮蔽膜を張設してフレームの作用に
よって遮蔽膜とホトマスク表、裏面との間隙を変化でき
るように構成しているので、露光時には間隙を大洗して
遮蔽膜上の異物を焦点深度外におき異物の転写を防止し
て欠陥の発生を防止し、半導体歩留の向上を達成できる
。
（２１逆に、遮蔽膜とホトマスクとの間隙を小ないし零
にすることにより、外観検査機の光学系における焦点ず
れを防止でき、これにより自動外観検査機による検査を
可能にして検査にかかわる作業効率を向上しかつ一方で
は評価精度を高めることができる。
にすることにより、外観検査機の光学系における焦点ず
れを防止でき、これにより自動外観検査機による検査を
可能にして検査にかかわる作業効率を向上しかつ一方で
は評価精度を高めることができる。
（３１フレームを蛇腹状にしかつ遮蔽膜によりホトマス
クの表、裏面との間に気密空間を画成した上でこの気密
空間内の空気圧力ケコントロールすることによりホトマ
スクと遮蔽膜との間隙寸法を変化できるようにしている
ので、単に空気の供給。
クの表、裏面との間に気密空間を画成した上でこの気密
空間内の空気圧力ケコントロールすることによりホトマ
スクと遮蔽膜との間隙寸法を変化できるようにしている
ので、単に空気の供給。
吸引を行な５だけで露光、外観検査に夫々好適な状態を
作り出づことができる。
作り出づことができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明し１こが、本発明は上記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。たとえば、フレーム
は伸縮可能であれば他の構成であってもよく、またこの
フレームを伸縮させる手段は空気圧以外の物理的な手段
（たとえば熱）を利用してもよい。更Ｋ、ホトマスクの
ガラス基板の厚さが充分に厚いとぎには、パターンの形
成されているホトマスクの表面側にのみ遮蔽膜を形成す
るようにしてもよい。
具体的に説明し１こが、本発明は上記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。たとえば、フレーム
は伸縮可能であれば他の構成であってもよく、またこの
フレームを伸縮させる手段は空気圧以外の物理的な手段
（たとえば熱）を利用してもよい。更Ｋ、ホトマスクの
ガラス基板の厚さが充分に厚いとぎには、パターンの形
成されているホトマスクの表面側にのみ遮蔽膜を形成す
るようにしてもよい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となっ１こ利用分野である半導体装置の製造
用のホトマスクに適用した場合について説明したが、そ
れに限定されるものではなく、レチクルはもちろんのこ
と新開写真技術に使用する原板の全てに利用できる。
をその背景となっ１こ利用分野である半導体装置の製造
用のホトマスクに適用した場合について説明したが、そ
れに限定されるものではなく、レチクルはもちろんのこ
と新開写真技術に使用する原板の全てに利用できる。
第１図は考えられるホトマスク構造の断面図、第２図は
本発明の一実施例であるホトマスクの破断斜視図、 ｌＥ３［１Ｊ（Ａ）、（Ｂ）は作用を説明するためのボ
トマスクの断面図である。 １０・・・ボトマスク、ｌｌａ、ｌｌｂ・・・表、裏面
、１２・・・パターン、１３．１４・・フレーム、１５
゜１６・・・遮蔽膜、１７．１８・・・補助フレーム、
１９゜２０・・・チューブ、２１．２２・・・気密空間
、２３゜２４・・・開閉バルブ、２５・・・空気コント
ローラ。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫
本発明の一実施例であるホトマスクの破断斜視図、 ｌＥ３［１Ｊ（Ａ）、（Ｂ）は作用を説明するためのボ
トマスクの断面図である。 １０・・・ボトマスク、ｌｌａ、ｌｌｂ・・・表、裏面
、１２・・・パターン、１３．１４・・フレーム、１５
゜１６・・・遮蔽膜、１７．１８・・・補助フレーム、
１９゜２０・・・チューブ、２１．２２・・・気密空間
、２３゜２４・・・開閉バルブ、２５・・・空気コント
ローラ。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ホトマスクにその高さが可変なフレームを取着する
と共に、このフレームには前記パターンをカバーする透
明な遮蔽膜を張設し、前記ホトマスクの表面と遮蔽膜と
の間隙を変化できるように構成したことを特徴とするホ
トマスク。 ２、ホトマスク表面、フレームおよび遮蔽膜との間に気
密空間を画成し、この気密空間の空気圧をコントロール
し【前記間隙を変化させてなる特許請求の範囲第１項記
載のホトマスク。 ３、フレームを蛇腹状に形成すると共に、空気コントロ
ーラに接続したチューブをフレームに開口連通させてな
る特許請求の範囲第２項記載のホトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58204803A JPS6097356A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | ホトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58204803A JPS6097356A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | ホトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6097356A true JPS6097356A (ja) | 1985-05-31 |
| JPH0544662B2 JPH0544662B2 (ja) | 1993-07-07 |
Family
ID=16496619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58204803A Granted JPS6097356A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | ホトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6097356A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005029183A2 (en) | 2003-09-23 | 2005-03-31 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and apparatus for protecting a reticle used in chip production from contamination |
| WO2005029182A3 (en) * | 2003-09-23 | 2006-02-23 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method and apparatus for protecting a reticle used in chip production from contamination |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5428716A (en) * | 1977-08-09 | 1979-03-03 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Process for producing electroconductive highly heat-resisting aluminum alloy |
-
1983
- 1983-11-02 JP JP58204803A patent/JPS6097356A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5428716A (en) * | 1977-08-09 | 1979-03-03 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Process for producing electroconductive highly heat-resisting aluminum alloy |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005029183A2 (en) | 2003-09-23 | 2005-03-31 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and apparatus for protecting a reticle used in chip production from contamination |
| WO2005029182A3 (en) * | 2003-09-23 | 2006-02-23 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method and apparatus for protecting a reticle used in chip production from contamination |
| WO2005029183A3 (en) * | 2003-09-23 | 2006-03-02 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method and apparatus for protecting a reticle used in chip production from contamination |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0544662B2 (ja) | 1993-07-07 |
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