JPH01183185A - 半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置の製造方法Info
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- JPH01183185A JPH01183185A JP730488A JP730488A JPH01183185A JP H01183185 A JPH01183185 A JP H01183185A JP 730488 A JP730488 A JP 730488A JP 730488 A JP730488 A JP 730488A JP H01183185 A JPH01183185 A JP H01183185A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、例えば光デイスクメモリ１ レーザビーム
プリンタ等に用いられる窓構造を持つ半導体レーザ装置
の製造方法に関するものである。
プリンタ等に用いられる窓構造を持つ半導体レーザ装置
の製造方法に関するものである。
第３図（ａ）、（ｂ）は従来から提案されている窓構造
を持つ半導体レーザ装置を示す斜視図および第３図（ａ
）のＡ−Ａ’線における断面図である。
を持つ半導体レーザ装置を示す斜視図および第３図（ａ
）のＡ−Ａ’線における断面図である。
これらの図において、１ａはｐ−ＧａＡｓからなる基板
、２はｎ−Ａｊ２ＧａＡｓからなる第１クラッド層、３
はｐ−ＡｕＧａＡｓからなる活性層、４はｐ−Ａｊ２Ｇ
ａＡｓからなる第２クラッド層、５は高抵抗値のＡＪＺ
ＧａＡｓからなる窓層、６はｔｌ−ＧａＡｓからなる窓
層、７ａはｎ−ＧａＡｓからなるコンタクト層、８はｐ
側電極、９はｎ側電極、１０は電流狭窄溝である。
、２はｎ−Ａｊ２ＧａＡｓからなる第１クラッド層、３
はｐ−ＡｕＧａＡｓからなる活性層、４はｐ−Ａｊ２Ｇ
ａＡｓからなる第２クラッド層、５は高抵抗値のＡＪＺ
ＧａＡｓからなる窓層、６はｔｌ−ＧａＡｓからなる窓
層、７ａはｎ−ＧａＡｓからなるコンタクト層、８はｐ
側電極、９はｎ側電極、１０は電流狭窄溝である。
次に動作について説明する。
例えばＡＪＺＧａＡｓ系の半導体レーザにおいて、その
最大光出力は、端面近傍における光吸収による発熱およ
び発熱により当該部のバンド−ギャップが挟まり、さら
に光吸収が促進されるという正の帰還作用により当該部
の結晶が破壊される、いわゆるＣａｔａｓｔｒｏｐｈｉ
ｃ ０ｐｔｉｃａｌ Ｄａｍａｇｅ（ＣＯＤ ）により
制限されるということが知られている。
最大光出力は、端面近傍における光吸収による発熱およ
び発熱により当該部のバンド−ギャップが挟まり、さら
に光吸収が促進されるという正の帰還作用により当該部
の結晶が破壊される、いわゆるＣａｔａｓｔｒｏｐｈｉ
ｃ ０ｐｔｉｃａｌ Ｄａｍａｇｅ（ＣＯＤ ）により
制限されるということが知られている。
そこで、第３図（ａ）に示すように、端面近傍にレーザ
発振波長に相当するバンドギャップよりも広いバンドギ
ャップを持つ窓層５を牽けて、例えば活性層３のＡｎ組
成比Ｘに対して窓層５のＡｋ組成比ｙをｘ＜ｙとすれば
、ＣＯＤによる最大光出力の制限を緩和して飛躍的に破
壊出力を向上させることが可能になる。
発振波長に相当するバンドギャップよりも広いバンドギ
ャップを持つ窓層５を牽けて、例えば活性層３のＡｎ組
成比Ｘに対して窓層５のＡｋ組成比ｙをｘ＜ｙとすれば
、ＣＯＤによる最大光出力の制限を緩和して飛躍的に破
壊出力を向上させることが可能になる。
なお、第３図（ａ）、（ｂ）に示したものは、ＤＨ構造
を成長させたのち、へぎ開により端面を形成し、その端
面部に窓層５を成長させることにより素子構造を実現し
ている。
を成長させたのち、へぎ開により端面を形成し、その端
面部に窓層５を成長させることにより素子構造を実現し
ている。
上記のような従来の半導体レーザ装置は、共振器端面部
をへき開により形成した後、窓層５を成長させるまでに
窓層５と能動部の界面となるへき開面が汚染され、期待
した窓層５による効果が得られないほか、窓層５を形成
するためにへき関するので、この後ｐ側電極８およびｎ
側電極９を形成するプロセスが困難であるという問題点
かあ、った。この発明は、かかる問題点を解決するため
になされたもので、ウェハ状態にて簡単なプロセスで高
品位の窓層を形成できる半導体レーザ装置の製造方法を
得ることを目的とする。
をへき開により形成した後、窓層５を成長させるまでに
窓層５と能動部の界面となるへき開面が汚染され、期待
した窓層５による効果が得られないほか、窓層５を形成
するためにへき関するので、この後ｐ側電極８およびｎ
側電極９を形成するプロセスが困難であるという問題点
かあ、った。この発明は、かかる問題点を解決するため
になされたもので、ウェハ状態にて簡単なプロセスで高
品位の窓層を形成できる半導体レーザ装置の製造方法を
得ることを目的とする。
（課題を解決するための手段）
この発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は、第１導
電型の基板上に第１電導型の第１クラッド層、活性層、
第２導電型の第２クラッド層および高抵抗値の窓層を選
択的に形成する工程と、第２クラッド層上に共振器方向
に電流狭窄溝を有する第１導電型の窓層を形成する工程
と、電流狭窄溝内の第２クラッド層上および窓層上に第
２導電型のコンタクト層を形成する工程とを含むもので
ある。
電型の基板上に第１電導型の第１クラッド層、活性層、
第２導電型の第２クラッド層および高抵抗値の窓層を選
択的に形成する工程と、第２クラッド層上に共振器方向
に電流狭窄溝を有する第１導電型の窓層を形成する工程
と、電流狭窄溝内の第２クラッド層上および窓層上に第
２導電型のコンタクト層を形成する工程とを含むもので
ある。
この発明においては、少なくとも第１クラッド層、活性
層、第２クラット層および窓層が同一の成長工程で形成
される。
層、第２クラット層および窓層が同一の成長工程で形成
される。
（実施例）
第１図はこの発明の半導体レーザ装置の製造方法の一実
施例を説明するための図である。
施例を説明するための図である。
これらの図において、第３図と同一符号は同一のものを
示し、１はｎ−ＧａＡｓからなる基板、７はｐ−ＧａＡ
ｓからなるコンタクト層、１１は分子線ビーム、１２．
１３はマスク治具で、マスク治具１２は能動部のＤＨ構
造の選択成長を行うために結晶成長装置内に設けられた
ものであり、マスク治具１３は窓層５を選択成長させる
ために設けられたものである。
示し、１はｎ−ＧａＡｓからなる基板、７はｐ−ＧａＡ
ｓからなるコンタクト層、１１は分子線ビーム、１２．
１３はマスク治具で、マスク治具１２は能動部のＤＨ構
造の選択成長を行うために結晶成長装置内に設けられた
ものであり、マスク治具１３は窓層５を選択成長させる
ために設けられたものである。
次に製造工程について説明する。
まず、第１図（ａ）に示すように、マスク治具１２を用
いて分子線ビーム１１を照射し、基板１上に第１クラッ
ド層２．活性層３．第２クラッド層４を選択的に帯状に
成長させる。次に、第１甲（ｂ）に示すように、マスク
治具１３を用いて窓層５を成長させた後、マスク治具１
３を取り除いて窓層６をウェハ全面に成長させる。
いて分子線ビーム１１を照射し、基板１上に第１クラッ
ド層２．活性層３．第２クラッド層４を選択的に帯状に
成長させる。次に、第１甲（ｂ）に示すように、マスク
治具１３を用いて窓層５を成長させた後、マスク治具１
３を取り除いて窓層６をウェハ全面に成長させる。
以上のプロセスを全て結晶成長装置内で行った後、第１
図（ｄ）に示すように、共振器方向に電流狭窄溝１０を
エツチングにより形成する（ただし第１図（ｄ）は、第
１図（ｅ）のＢ−Ｂ ’線における断面を示している）
。そして、この後、ＬＰＥ法等の結晶成長法を用いてコ
ンタクト層７を成長させ、ｐ側電極８およびｎ側電極９
を形成したのち、各チップに分離すれば第２図に示すよ
うな素子構造を実現できる。
図（ｄ）に示すように、共振器方向に電流狭窄溝１０を
エツチングにより形成する（ただし第１図（ｄ）は、第
１図（ｅ）のＢ−Ｂ ’線における断面を示している）
。そして、この後、ＬＰＥ法等の結晶成長法を用いてコ
ンタクト層７を成長させ、ｐ側電極８およびｎ側電極９
を形成したのち、各チップに分離すれば第２図に示すよ
うな素子構造を実現できる。
すなわち、このようにして構成した半導体レーザ装置で
は、窓層５と能動部の界面が製造工程において汚染され
ていないため、従来の製造方法によるものめように、窓
層５の効果が損なわれるということがない。また、窓層
５をチップのへき開を行う以前に形成できるため、ｎ側
電極８およびｐ側電極９を容易に形成できる。
は、窓層５と能動部の界面が製造工程において汚染され
ていないため、従来の製造方法によるものめように、窓
層５の効果が損なわれるということがない。また、窓層
５をチップのへき開を行う以前に形成できるため、ｎ側
電極８およびｐ側電極９を容易に形成できる。
なお、上記実施例では第１クラッド層２．活性層３．第
２クラッド層４の成長を窓層５の成長よりも先に行った
が、この順序は逆であってもよい。
２クラッド層４の成長を窓層５の成長よりも先に行った
が、この順序は逆であってもよい。
また、上記実施例では分子線エピタキシャル成長法を用
いて成長を行ったが、ガスソース分子線エピタキシャル
成長法等を用いてもよく、要は成長層の精密な制御を行
える方法であればよい。
いて成長を行ったが、ガスソース分子線エピタキシャル
成長法等を用いてもよく、要は成長層の精密な制御を行
える方法であればよい。
この発明は以上説明したとおり、第１導電型の基板上に
第１導電型の第１クラッド層、活性層。
第１導電型の第１クラッド層、活性層。
第２導電型の第２クラッド層および高抵抗値の窓窓層を
形成する工程と、電流狭窄溝内の第２クラッド層上およ
び窓層上に第２導電型のコンタクト層を形成する工程と
を含むので、高品質の結晶の窓層なウェハ状態で形成で
き、最大出力を制限している主因であるＣＯＤが発生す
る光出力を飛躍的に向上させることができるうえ、プロ
セスも簡単になるという効果がある。
形成する工程と、電流狭窄溝内の第２クラッド層上およ
び窓層上に第２導電型のコンタクト層を形成する工程と
を含むので、高品質の結晶の窓層なウェハ状態で形成で
き、最大出力を制限している主因であるＣＯＤが発生す
る光出力を飛躍的に向上させることができるうえ、プロ
セスも簡単になるという効果がある。
る。
第１図はこの発明の半導体レーザ装置の製造方法の一実
施例を説明するための図、第２図はこの発明によって得
られる半導体レーザ装置を示す斜視図、第３図は従来の
半導体レーザ装置を示す斜視図である。 図において、１は基板、２は第１クラッド層、３は活性
層、４は第２クラッド層、５は窓層、６は窓層、７はコ
ンタクト層である。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）手続補正書
（自発） ヨ ベ ｌ、事件の表示 特願昭６３−７３０４号２・発明
の名称 半導体レーザ装置の製造方法３、補正をする
者 号 代表者志岐守哉 号 ５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄および発明の詳細な説明の
欄 ６、補正の内容 （１） 明細書の特許請求の範囲を別紙のように補正
する。 （２）明細書第４頁６〜８行の「第２クラッド層および
高抵抗値の窓層を選択的に形成する工程と、第２クラッ
ド層上に」を下記のように補正する。 「第２クラッド層を選択的に形成する工程と、選択成長
において未成長である領域に高抵抗値の窓層を埋め込む
成長を行う工程と、第２クラッド層上に」 （３） 同じく第７頁４行の１選択的に形成する工程
と、」を、［選択的かつ同一装置内で連続して形成する
工程と、」と補正する。 以 上 ２、特許請求の範囲 第１導電型の基板上に第１導電型の第１クラッド層、活
性層、第２導電型の第２クラッド層および高抵抗値の窓
層を選択的かつ同一装置内で連続ｔ、Ｃ形成する工程と
、前記第２クラッド層上に共振響方向に電流狭窄溝を有
する第１導電型の窓層を形成する工程と、前記電流狭窄
溝内の前記第２クラッド層上および前記窓層上に第２導
電型のコンタクト層を形成する工程とを含むことを特徴
とする半導体レーザ装置の製造方法。 造方法。
施例を説明するための図、第２図はこの発明によって得
られる半導体レーザ装置を示す斜視図、第３図は従来の
半導体レーザ装置を示す斜視図である。 図において、１は基板、２は第１クラッド層、３は活性
層、４は第２クラッド層、５は窓層、６は窓層、７はコ
ンタクト層である。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）手続補正書
（自発） ヨ ベ ｌ、事件の表示 特願昭６３−７３０４号２・発明
の名称 半導体レーザ装置の製造方法３、補正をする
者 号 代表者志岐守哉 号 ５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄および発明の詳細な説明の
欄 ６、補正の内容 （１） 明細書の特許請求の範囲を別紙のように補正
する。 （２）明細書第４頁６〜８行の「第２クラッド層および
高抵抗値の窓層を選択的に形成する工程と、第２クラッ
ド層上に」を下記のように補正する。 「第２クラッド層を選択的に形成する工程と、選択成長
において未成長である領域に高抵抗値の窓層を埋め込む
成長を行う工程と、第２クラッド層上に」 （３） 同じく第７頁４行の１選択的に形成する工程
と、」を、［選択的かつ同一装置内で連続して形成する
工程と、」と補正する。 以 上 ２、特許請求の範囲 第１導電型の基板上に第１導電型の第１クラッド層、活
性層、第２導電型の第２クラッド層および高抵抗値の窓
層を選択的かつ同一装置内で連続ｔ、Ｃ形成する工程と
、前記第２クラッド層上に共振響方向に電流狭窄溝を有
する第１導電型の窓層を形成する工程と、前記電流狭窄
溝内の前記第２クラッド層上および前記窓層上に第２導
電型のコンタクト層を形成する工程とを含むことを特徴
とする半導体レーザ装置の製造方法。 造方法。
Claims (1)
- 第１導電型の基板上に第１電導型の第１クラッド層、活
性層、第２導電型の第２クラッド層および高抵抗値の窓
層を選択的に形成する工程と、前記第２クラッド層上に
共振器方向に電流狭窄溝を有する第１導電型の電流ブロ
ック層を形成する工程と、前記電流狭窄溝内の前記第２
クラッド層上および前記電流ブロック層上に第２導電型
のコンタクト層を形成する工程とを含むことを特徴とす
る半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP730488A JPH01183185A (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP730488A JPH01183185A (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01183185A true JPH01183185A (ja) | 1989-07-20 |
Family
ID=11662274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP730488A Pending JPH01183185A (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01183185A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04245491A (ja) * | 1991-01-31 | 1992-09-02 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子 |
-
1988
- 1988-01-14 JP JP730488A patent/JPH01183185A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04245491A (ja) * | 1991-01-31 | 1992-09-02 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子 |
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