JPH04181788A - 半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH04181788A JPH04181788A JP31060490A JP31060490A JPH04181788A JP H04181788 A JPH04181788 A JP H04181788A JP 31060490 A JP31060490 A JP 31060490A JP 31060490 A JP31060490 A JP 31060490A JP H04181788 A JPH04181788 A JP H04181788A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- layer
- quantum well
- mqw
- thinner
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体レーザ及びその製造方法に関し、特に
、端面部の出力光の吸収が生じない窓構造付量子井戸レ
ーザ装置の構造及び製造方法に関するものである。
、端面部の出力光の吸収が生じない窓構造付量子井戸レ
ーザ装置の構造及び製造方法に関するものである。
第２図は従来の窓構造付量子井戸レーザ装置を示す断面
図である。図において、ｌはｎ−ＧａＡＳ基板、２はｎ
−ＡｌＧａＡｓ上クラッド層、３はＭＱＷ （多重量子
井戸）活性層、４はｐ−ＡｌＧａＡｓ上クラッド層、５
はｐ−ＧａＡｓコンタクト層、６はＺｎ拡散領域、７は
ＭＱＷディスオーダ領域である。
図である。図において、ｌはｎ−ＧａＡＳ基板、２はｎ
−ＡｌＧａＡｓ上クラッド層、３はＭＱＷ （多重量子
井戸）活性層、４はｐ−ＡｌＧａＡｓ上クラッド層、５
はｐ−ＧａＡｓコンタクト層、６はＺｎ拡散領域、７は
ＭＱＷディスオーダ領域である。
次に動作について説明する。ＭＱＷ活性層３で発生した
出力光は端面部より出射されるが、出力の大きい半導体
レーザでは端面部での出力光の吸収により端面部が劣化
するため、端面部の吸収率を低めた窓構造とする必要が
ある。
出力光は端面部より出射されるが、出力の大きい半導体
レーザでは端面部での出力光の吸収により端面部が劣化
するため、端面部の吸収率を低めた窓構造とする必要が
ある。
第２図の例では、端面部のＭＱＷ層にＺｎを拡散６する
ことにより、ＭＱＷのディスオーダ（無秩序化）領域７
を形成し、これをＭＱＷ活性層３よりもバンドギャップ
の広い非吸収領域として、窓構造型レーザを構成してい
た。
ことにより、ＭＱＷのディスオーダ（無秩序化）領域７
を形成し、これをＭＱＷ活性層３よりもバンドギャップ
の広い非吸収領域として、窓構造型レーザを構成してい
た。
従来の窓構造付量子井戸レーザ装置は以上のように構成
されていたので、窓構造を形成するために拡散工程を行
う必要があった。このため、工程が複雑になり、また熱
処理により基板かダメージを受けるおそれかあった。
されていたので、窓構造を形成するために拡散工程を行
う必要があった。このため、工程が複雑になり、また熱
処理により基板かダメージを受けるおそれかあった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、第１の発明は、窓構造を備えた半導体レーザ
の新しい構造を得ることを目的としたものである。
たもので、第１の発明は、窓構造を備えた半導体レーザ
の新しい構造を得ることを目的としたものである。
さらに第２の発明は、該窓構造を結晶成長技術のみで作
製できる半導体レーザの製造方法を得ることを目的とし
たものである。
製できる半導体レーザの製造方法を得ることを目的とし
たものである。
本発明に係る半導体レーザは、ＭＱＷで構成した活性層
の両端面部となる部分の量子井戸の厚さを中央部よりも
薄くしたものである。
の両端面部となる部分の量子井戸の厚さを中央部よりも
薄くしたものである。
さらに本発明に係る半導体レーザの製造方法は、ＭＱＷ
層を形成する際にレーザＭＯＣＶＤ （有機金属気相成
長）法を用い、前記の端面部に相当する部分に照射する
レーザ光の強度を他の部分に照射するレーザ光の強度よ
りも周期的に弱くしてＭＱＷ活性層を成長する工程を含
むものである。
層を形成する際にレーザＭＯＣＶＤ （有機金属気相成
長）法を用い、前記の端面部に相当する部分に照射する
レーザ光の強度を他の部分に照射するレーザ光の強度よ
りも周期的に弱くしてＭＱＷ活性層を成長する工程を含
むものである。
この発明における半導体レーザは、端面部のＭＱＷ活性
層の量子井戸厚を薄くしたことにより、端面部では他の
部分のＭＱＷ層よりもバンドギャップが広がるため、出
力光を吸収しない窓構造か形成される。
層の量子井戸厚を薄くしたことにより、端面部では他の
部分のＭＱＷ層よりもバンドギャップが広がるため、出
力光を吸収しない窓構造か形成される。
また、本発明の製造方法においては、端面部に相当する
部分に照射するレーザ光の強度を周囲よりも周期的に弱
くしてＭＱＷ活性層を成長したため、端面部のＭＱＷ層
の層厚は周囲の部分より薄くなる。
部分に照射するレーザ光の強度を周囲よりも周期的に弱
くしてＭＱＷ活性層を成長したため、端面部のＭＱＷ層
の層厚は周囲の部分より薄くなる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例による半導体
レーザの構造ならびに製造工程を示す断面図である。図
において、１１は−様な強さのレーザ光。
レーザの構造ならびに製造工程を示す断面図である。図
において、１１は−様な強さのレーザ光。
１２はレーザ光１１よりも強度の弱いレーザ光。
１３はＭＱＷ活性層３よりも層厚の薄いＭＱＷ活性層で
ある。
ある。
なお、従来例と同一の符号は同一または相当部分を示す
。
。
次に、製造工程及び動作について説明する。
第１図（ａ）において、基板ｌに−様な強度のレーザ光
１１を照射しながら材料ガスを流すことにより、ｎ−Ａ
ｌＧａＡｓ下クラッド層２を成長する。
１１を照射しながら材料ガスを流すことにより、ｎ−Ａ
ｌＧａＡｓ下クラッド層２を成長する。
次いで第１図（ｂ）において、レーザ光１１とレーザ光
１１よりも弱い強度のレーザ光１２を周期的に照射し、
ＭＱＷ活性層を成長する。このとき、成長速度は照射さ
れるレーザ光の強度に比例するため、レーザ光１２を照
射している部分のＭＱＷ層１３の層厚はその他の部分の
ＭＱＷ層３の層厚より薄くなる。その後、第１図（Ｃ）
において、再び−様な強度のレーザ光１１を照射して、
ｐ−ＡＩ！ＧａＡｓ上クラッド層４りｐ−ＧａＡｓコン
タクト層５を成長する。第１図（ｄ）において、層厚の
薄いＭＱＷ層１３部分で襞間して出力光の出射端面部を
形成し７、半導体レーザ装置を完成する。
１１よりも弱い強度のレーザ光１２を周期的に照射し、
ＭＱＷ活性層を成長する。このとき、成長速度は照射さ
れるレーザ光の強度に比例するため、レーザ光１２を照
射している部分のＭＱＷ層１３の層厚はその他の部分の
ＭＱＷ層３の層厚より薄くなる。その後、第１図（Ｃ）
において、再び−様な強度のレーザ光１１を照射して、
ｐ−ＡＩ！ＧａＡｓ上クラッド層４りｐ−ＧａＡｓコン
タクト層５を成長する。第１図（ｄ）において、層厚の
薄いＭＱＷ層１３部分で襞間して出力光の出射端面部を
形成し７、半導体レーザ装置を完成する。
一般に、量子井戸のバンドギャップは量子準位が存在す
るため、量子井戸厚が薄いはとバンドギャップが大きく
なる傾向かある。よって、上述の製造工程で形成された
レーザの端面部分のＭＱＷ層１３は、バンドギャップか
他の部分のＭＱＷ層３よりも広いため、ＭＱＷ活性層３
て発生した出力光に対し透明であり、窓構造となる。
るため、量子井戸厚が薄いはとバンドギャップが大きく
なる傾向かある。よって、上述の製造工程で形成された
レーザの端面部分のＭＱＷ層１３は、バンドギャップか
他の部分のＭＱＷ層３よりも広いため、ＭＱＷ活性層３
て発生した出力光に対し透明であり、窓構造となる。
このように本実施例では、端面部のＭＱＷ活性層が大き
なバンドギャップを有するように薄くすることで、出力
光吸収のない窓構造を得るようにした。また、本実施例
では、結晶成長の際のレーザ光の強さを周期的に弱くす
ることで、部分的に層厚の薄いＭＱＷ層を形成し、その
層厚の薄い部分で襞間して窓構造となる端面部を形成し
たので、従来のように拡散による無秩序化等の複雑な工
程を行う必要かない。
なバンドギャップを有するように薄くすることで、出力
光吸収のない窓構造を得るようにした。また、本実施例
では、結晶成長の際のレーザ光の強さを周期的に弱くす
ることで、部分的に層厚の薄いＭＱＷ層を形成し、その
層厚の薄い部分で襞間して窓構造となる端面部を形成し
たので、従来のように拡散による無秩序化等の複雑な工
程を行う必要かない。
なお、上記実施例ではＡｌＧａＡｓ系の材料を用いてい
るか、本発明は他の材料、例えばＡｌＧａ ＩｎＰ系の
材料を用いた場合にも適用できる。
るか、本発明は他の材料、例えばＡｌＧａ ＩｎＰ系の
材料を用いた場合にも適用できる。
また、上記実施例では、ＭＱＷの活性層を用いたか、５
ＱＷ（単量子゛井戸）活性層を用いてもよい。
ＱＷ（単量子゛井戸）活性層を用いてもよい。
さらに、上記実施例では、レーザ光を照射しなからＭＱ
Ｗ層を形成しているか、レーザ光のみならず一般光を照
射してＭＱＷ層を形成するようにしてもよい。
Ｗ層を形成しているか、レーザ光のみならず一般光を照
射してＭＱＷ層を形成するようにしてもよい。
［発明の効果〕
以上のように本発明にかかる半導体装置によれば、端面
部分のＭＱＷ活性層の量子井戸厚を他の部分より薄い層
で構成したので、端面部分での出力光の吸収のない窓構
造半導体レーザが得られる効果がある。
部分のＭＱＷ活性層の量子井戸厚を他の部分より薄い層
で構成したので、端面部分での出力光の吸収のない窓構
造半導体レーザが得られる効果がある。
さらに、本発明にかかる半導体装置の製造方法によれば
、レーザ光を照射しながら結晶成長を行なうレーザＭＯ
ＣＶＤ法を用い、各素子の端面付近に相当する部分のレ
ーサ光強度を他の部分より弱くするようにしたので、端
面部分のＭＱＷ層を薄く形成することが可能になり、窓
構造となる非吸収層をより簡単な工程によって形成でき
る効果かある。
、レーザ光を照射しながら結晶成長を行なうレーザＭＯ
ＣＶＤ法を用い、各素子の端面付近に相当する部分のレ
ーサ光強度を他の部分より弱くするようにしたので、端
面部分のＭＱＷ層を薄く形成することが可能になり、窓
構造となる非吸収層をより簡単な工程によって形成でき
る効果かある。
第１図ｆａ）〜（ｄ）はこの発明の一実施例による半導
体レーザの構造及びその製造工程を示す断面図、第２図
は従来の半導体レーザの構造を示す断面図である。 図において、１はｎ−ＧａＡｓ基板、２はｎ−ＡｌＧａ
Ａｓ１２９７１層、３はＭＱＷ活性層。 ４はｐ−ＡｌＧａＡｓ上クラッド層、５はり−ＧａＡｓ
コンタクト層、６はＺｎ拡散領域、７はＭＱＷのディス
オーダ領域、１１は−様な強さのレーザ光、１２は１１
よりも強い強度のレーザ光。 １３は３よりも薄いＭＱＷ層である。 なお図中同一符号は同一または相当部分を示す。
体レーザの構造及びその製造工程を示す断面図、第２図
は従来の半導体レーザの構造を示す断面図である。 図において、１はｎ−ＧａＡｓ基板、２はｎ−ＡｌＧａ
Ａｓ１２９７１層、３はＭＱＷ活性層。 ４はｐ−ＡｌＧａＡｓ上クラッド層、５はり−ＧａＡｓ
コンタクト層、６はＺｎ拡散領域、７はＭＱＷのディス
オーダ領域、１１は−様な強さのレーザ光、１２は１１
よりも強い強度のレーザ光。 １３は３よりも薄いＭＱＷ層である。 なお図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）一層以上の量子井戸からなる活性領域を備えた半
導体レーザにおいて、 前記活性領域の出力光の出射端面部付近の量子井戸の厚
さが他の部分の量子井戸厚よりも薄いことを特徴とする
半導体レーザ。 - （２）光を照射しながら有機金属気相成長法によって量
子井戸層を形成する工程を含む半導体レーザの製造方法
において、 半導体レーザの棒状材料の長手方向に周期的に前記光の
強度を弱くすることによって、周期的に量子井戸の厚み
が他の部分より薄い領域を形成する工程と、 前記量子井戸厚が薄い部分で劈開することにより出力光
の出射端面を形成する工程とを含む半導体レーザの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2310604A JP2606963B2 (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2310604A JP2606963B2 (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04181788A true JPH04181788A (ja) | 1992-06-29 |
| JP2606963B2 JP2606963B2 (ja) | 1997-05-07 |
Family
ID=18007259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2310604A Expired - Fee Related JP2606963B2 (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2606963B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5524017A (en) * | 1994-02-10 | 1996-06-04 | Nec Corporation | Quantum well semiconductor laser |
| JP2001244561A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Sony Corp | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS622686A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
-
1990
- 1990-11-15 JP JP2310604A patent/JP2606963B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS622686A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5524017A (en) * | 1994-02-10 | 1996-06-04 | Nec Corporation | Quantum well semiconductor laser |
| JP2001244561A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Sony Corp | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2606963B2 (ja) | 1997-05-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0406005A2 (en) | Semiconductor laser and manufacture method therefor | |
| JPH09186396A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPS60192379A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH04181788A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPH05218593A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP2564813B2 (ja) | Ａ▲ｌ▼ＧａＩｎＰ半導体発光素子 | |
| JP2751699B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH11126945A (ja) | 歪み半導体結晶の製造方法、これを用いた半導体レーザの製造方法 | |
| JPH10233553A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPS60126880A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH0125238B2 (ja) | ||
| JP2000261098A (ja) | 自励発振型半導体レーザ | |
| JP3095582B2 (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPH0388382A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2679358B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS6373691A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH0567835A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JPH07162077A (ja) | 半導体レーザ装置とその製造方法 | |
| JPH01183185A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JPH0645688A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH08204277A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH09139522A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH04229678A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2000133875A (ja) | 半導体レーザ素子および半導体レーザの製造方法 | |
| KR960039506A (ko) | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |