JPH01187940A - 半導体ウェハのカセット - Google Patents
半導体ウェハのカセットInfo
- Publication number
- JPH01187940A JPH01187940A JP63013013A JP1301388A JPH01187940A JP H01187940 A JPH01187940 A JP H01187940A JP 63013013 A JP63013013 A JP 63013013A JP 1301388 A JP1301388 A JP 1301388A JP H01187940 A JPH01187940 A JP H01187940A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- light
- cassette
- cassette body
- stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 62
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェハのカセットに係り、特に半導体ウ
ェハの有無の検出部に関する。
ェハの有無の検出部に関する。
従来、この種の半導体ウェハ検出部は、半導体ウェハの
カセット本体の前後に設けた一組の遮光センサの投・受
光部のみから構成される。例えば第１１図の側面図の様
に、半導体ウェハのカセット本体の所定の段に半導体ウ
ェハがなければ、投光部８から出た光は、そのまま受光
部９へ達する。
カセット本体の前後に設けた一組の遮光センサの投・受
光部のみから構成される。例えば第１１図の側面図の様
に、半導体ウェハのカセット本体の所定の段に半導体ウ
ェハがなければ、投光部８から出た光は、そのまま受光
部９へ達する。
一方第１２図の様に、ウェハのカセット本体の所定の段
に半導体ウェハ２があれば、投光部８から出た光は、こ
の半導体ウェハ２にさえぎられ、受光部９へは達しない
。従って、受光部９の信号を観察すれば、カセット本体
内の半導体ウェハ２の有無を知ることができる。
に半導体ウェハ２があれば、投光部８から出た光は、こ
の半導体ウェハ２にさえぎられ、受光部９へは達しない
。従って、受光部９の信号を観察すれば、カセット本体
内の半導体ウェハ２の有無を知ることができる。
半導体ウェハのカセット本体は、材質、製作方法による
精度のばらつきや、半導体製造工程での熱処理及び薬品
による変形等によって、歪みが発生するのは否めない。
精度のばらつきや、半導体製造工程での熱処理及び薬品
による変形等によって、歪みが発生するのは否めない。
従って、半導体製造装置に半導体ウェハ表面が上を向く
ように、半導体ウェハのカセット本体をセットすると、
内部で半導体ウェハが傾いてしまうことがある。
ように、半導体ウェハのカセット本体をセットすると、
内部で半導体ウェハが傾いてしまうことがある。
この為、前述した従来のウェハ検出機構では、半導体ウ
ェハの有無のみを検知しその傾きまで検知できない為、
変形の大きい半導体ウェハカセット本体に入った半導体
ウェハを搬出する際、半導体ウェハの搬出ミスが生じや
すいという欠点がある。
ェハの有無のみを検知しその傾きまで検知できない為、
変形の大きい半導体ウェハカセット本体に入った半導体
ウェハを搬出する際、半導体ウェハの搬出ミスが生じや
すいという欠点がある。
本発明の目的は、前記欠点が解決され、例えば半導体ウ
ェハが傾いている場合には、その傾いた状態も検知でき
るようにした半導体ウェハのカセットに提供することに
ある。
ェハが傾いている場合には、その傾いた状態も検知でき
るようにした半導体ウェハのカセットに提供することに
ある。
本発明の構成は、半導体ウェハを各段に収納するカセッ
ト本体と、前記カセット本体の各段のうち所定の段の半
導体つｚ”の有無を検出する手段とを備えた半導体ウェ
ハのカセットにおいて、前記手段として、投光素子と受
光素子とからなるセンサ金複数備えていること全特徴と
する。
ト本体と、前記カセット本体の各段のうち所定の段の半
導体つｚ”の有無を検出する手段とを備えた半導体ウェ
ハのカセットにおいて、前記手段として、投光素子と受
光素子とからなるセンサ金複数備えていること全特徴と
する。
次に本発明について図面全参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の半導体ウェハのカセッ
トの側面図、第２図は第１図の右側の側面図である。こ
れら図において、本実施例の半導体ウェハのカセットは
、半導体ウェハのカセット本体１の前面両端部分に設け
た一対の投光部３ａ。
トの側面図、第２図は第１図の右側の側面図である。こ
れら図において、本実施例の半導体ウェハのカセットは
、半導体ウェハのカセット本体１の前面両端部分に設け
た一対の投光部３ａ。
３ｂと、カセット本体１の後面両端部分に設けた一対の
受光部４ａ、４ｂとを含み、構成される。
受光部４ａ、４ｂとを含み、構成される。
さて、投光部３ａから斜め上方へ出た光は、受光部４ａ
へ達する。同様に投光部３ｂから斜め上方へ出た光は、
受光部４ｂへ達する。ここで、第３図の側面図の様に、
半導体ウェハがない状態であれば、受光部４ａ、４ｂは
共に遮光されない。
へ達する。同様に投光部３ｂから斜め上方へ出た光は、
受光部４ｂへ達する。ここで、第３図の側面図の様に、
半導体ウェハがない状態であれば、受光部４ａ、４ｂは
共に遮光されない。
一方第４図の側面図の様に、半導体ウェハの傾きが大き
ければ、受光部４ａのみが遮光される。第５図に示す様
に、発光部３ａと３ｂの距離をｌ。
ければ、受光部４ａのみが遮光される。第５図に示す様
に、発光部３ａと３ｂの距離をｌ。
投光部３ａと受光部４ａとの高さの差−ｉｄとすれば、
この２組の投光部と受光部とで許容される半導体ウェハ
の傾き角θは、 １θｌ＜ｊａｎ−’ （ｃｔ／ｌ） となる。第６図の側面図の様に、半導体ウェハの傾きが
前述の許容値以内であれば、受光部４ａ。
この２組の投光部と受光部とで許容される半導体ウェハ
の傾き角θは、 １θｌ＜ｊａｎ−’ （ｃｔ／ｌ） となる。第６図の側面図の様に、半導体ウェハの傾きが
前述の許容値以内であれば、受光部４ａ。
４ｂは共に遮光される。
従って、受光部４ａ、４ｂの信号に着目し、この両方が
遮光された時にのみ、半導体ウェハをカセット本体から
搬出することで、半導体ウェハの搬出ミスをなくすこと
ができる。
遮光された時にのみ、半導体ウェハをカセット本体から
搬出することで、半導体ウェハの搬出ミスをなくすこと
ができる。
本実施例によれば、カセット本体の前後に、複数組の遮
光センサの投・受光部をそれぞれ配置し、各組の受光部
の信号によって、カセット本体内の任意の段の半導体ウ
ヱハの有無と同時に、カセット本体内での半導体ウヱハ
の傾きケも検出することができる。
光センサの投・受光部をそれぞれ配置し、各組の受光部
の信号によって、カセット本体内の任意の段の半導体ウ
ヱハの有無と同時に、カセット本体内での半導体ウヱハ
の傾きケも検出することができる。
第７図は本発明の第２の実施例の半導体ウェハのカセッ
トのｆｐ＋視図、第８図は第７図のカセットの側面図、
第９図は第８図のカセットの右側の側面図である。これ
ら図において、本実施例のカセットは、一対のＣＣＤラ
インセンサ６ａ、６ｂｉ含み、構成される。一対の投光
部５ａ、５ｂは、一対のＣＣＤラインセンサ６ａ、５ｂ
に光が当たるように配し、暗箱７は、カセット本体ｌｅ
包み、外乱光全遮断している。今、第１０図の様に半導
体ウヱハ２が傾いていれば、ＣＣＤラインセンサ６ａ、
５ｂの出力に差が生じる為、半導体ウェハ２の傾きの角
度を計算できる。本実施例では、半導体ウェハ２の傾き
の許容角度全ン７ト的に設定できる為、どのような半導
体クエハのカセットもハードの変更なしに、対応できる
という利点がある。
トのｆｐ＋視図、第８図は第７図のカセットの側面図、
第９図は第８図のカセットの右側の側面図である。これ
ら図において、本実施例のカセットは、一対のＣＣＤラ
インセンサ６ａ、６ｂｉ含み、構成される。一対の投光
部５ａ、５ｂは、一対のＣＣＤラインセンサ６ａ、５ｂ
に光が当たるように配し、暗箱７は、カセット本体ｌｅ
包み、外乱光全遮断している。今、第１０図の様に半導
体ウヱハ２が傾いていれば、ＣＣＤラインセンサ６ａ、
５ｂの出力に差が生じる為、半導体ウェハ２の傾きの角
度を計算できる。本実施例では、半導体ウェハ２の傾き
の許容角度全ン７ト的に設定できる為、どのような半導
体クエハのカセットもハードの変更なしに、対応できる
という利点がある。
以上説明したように、本発明は、カセット本体内の半導
体ウェハを検出する際、半導体ウェハの有無を検知する
と同時に、半導体ウェハの傾きを検出することにより１
力セツト本体の歪みによる傾きの大きな半導体ウェハを
検出できる為、カセット本体から半導体ウヱハを搬出す
る前にエラー表示等によって、半導体ウェハの搬出ミス
を防止できるという効果がある。
体ウェハを検出する際、半導体ウェハの有無を検知する
と同時に、半導体ウェハの傾きを検出することにより１
力セツト本体の歪みによる傾きの大きな半導体ウェハを
検出できる為、カセット本体から半導体ウヱハを搬出す
る前にエラー表示等によって、半導体ウェハの搬出ミス
を防止できるという効果がある。
また、本発明は、カセット本体内の全ての段に半導体ウ
ェハを収納し、全段の半導体ウェハの傾Ｉｋチエツクす
ることで、歪みの大きいカセット本体を選別できるとい
う効果がある。
ェハを収納し、全段の半導体ウェハの傾Ｉｋチエツクす
ることで、歪みの大きいカセット本体を選別できるとい
う効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の半導体ウェハのカセッ
トの側面図、第２図は第１図のカセットの右側の側面図
、第３図、第４図、第５図、及び第６図は第１図のカセ
ットの動作状態を示す側面図、第７図は本発明の第２の
実施例の半導体ウェハのカセットの斜視図、第８図は第
７図のカセッ導体ウェハ、３ａ 、３ｂ 、５ａ 、５
ｂ 、８−−投光部、４ａ、４ｂ、９・・・・・・受光
部、５ａ 、５ｂ・・・・・・ＣＣＤラインセンサ、７
・・・・・・暗箱。 代理人 弁理士 内 原 音 第４図 卒、！５剥 ヤ１０図 茅／／７￥］ 第１２圀
トの側面図、第２図は第１図のカセットの右側の側面図
、第３図、第４図、第５図、及び第６図は第１図のカセ
ットの動作状態を示す側面図、第７図は本発明の第２の
実施例の半導体ウェハのカセットの斜視図、第８図は第
７図のカセッ導体ウェハ、３ａ 、３ｂ 、５ａ 、５
ｂ 、８−−投光部、４ａ、４ｂ、９・・・・・・受光
部、５ａ 、５ｂ・・・・・・ＣＣＤラインセンサ、７
・・・・・・暗箱。 代理人 弁理士 内 原 音 第４図 卒、！５剥 ヤ１０図 茅／／７￥］ 第１２圀
Claims (1)
- 半導体ウェハを各段に収納するカセット本体と、前記
カセット本体の各段のうち所定の段の半導体ウェハの有
無を検出する手段とを備えた半導体ウェハのカセットに
おいて、前記検出手段として、投光素子と受光素子とか
らなるセンサを複数備えていることを特徴とする半導体
ウェハのカセット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63013013A JPH01187940A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 半導体ウェハのカセット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63013013A JPH01187940A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 半導体ウェハのカセット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01187940A true JPH01187940A (ja) | 1989-07-27 |
Family
ID=11821277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63013013A Pending JPH01187940A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 半導体ウェハのカセット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01187940A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002270674A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-09-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | 搬出装置 |
| KR100410991B1 (ko) * | 2001-02-22 | 2003-12-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조장치의 로드포트 |
-
1988
- 1988-01-22 JP JP63013013A patent/JPH01187940A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100410991B1 (ko) * | 2001-02-22 | 2003-12-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조장치의 로드포트 |
| JP2002270674A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-09-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | 搬出装置 |
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