JPH01192003A - 磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 の１ 本発明は１７２インチＶＴＲや８１ａ１１ＶＴＲ等に使
用される磁気ヘッドに関するものである。

従】じＵ支蓋− 従来、高密度に磁気記録を行うために、高抗磁力磁気記
録媒体に、高飽和磁束密度コアを有する磁気ヘッドで記
録再生を行っている。

すなわち、実開昭８０−１６９７０８号や特開昭６０−
１３３５０７号に述べられているように、高飽和磁束密
度コアは、フェライトコアでは実現が困難で磁気コアを
図２（ａ）で示すようにセンダスト等の合金で形成した
り、図２（ｂ）で示すようなフェライトコアの磁気ギャ
ップ対向面にセンダスト等の合金薄膜を配設したいわゆ
るＭｅｔａｌ−Ｉｎ−Ｇａｐミルヘッド下ＭＩＧヘッド
と略称）が用いられる。

［ｌ　　イ　　゛　　　　　　； しかしながら、応用磁気セミナー３８２年１２月７日、
８日「磁気記録高トラツク密度記録」センダスト等の合
金のみでコアを形成した場合には、センダストの電気抵
抗が低いために、渦電流が流れやすく、高周波数領域で
の透磁率が低下し、記録再生効率が悪い。

さらに第２図（ａ）、（ｂ）に示すようなＭＩＧヘッド
においても、前述のセンダストのみで形成されたコア程
ではないにしてもコアの磁気飽和が生じない程度の実用
的なセンダストの膜厚は３μｍ以上となるため、やはり
高周波数領域での渦電流による透磁率の低下はまぬがれ
ない。

更にまたＭＩＧヘッドにおいては、センダスト等の磁性
薄膜をフェライト等の熱膨張係数の異なるコア上にスパ
ッタリング等で形成するため、センダスト薄膜がコアブ
ロック突き合わせ等の製造工程途中で剥離する等の不具
合を生じ歩留りが悪いという問題もあった。

；・°　　−の 本発明は上記問題点を解決するために、ＭＩＧヘッドの
ギャップ対向面に配設されたセンダスト等の磁性薄膜を
、５１０２等の電気的絶縁性薄膜でギャップ面に直角方
向の仕切りを設けることにより、センダスト薄膜コア部
の電気抵抗を著しく高くする手段を有すると同時に、セ
ンダスト等の磁性薄膜をスパッタリング等で形成したと
きに生じる磁性膜の内部応力を緩和する手段をも兼ねて
いるものである。

１皿 このように、センダスト等の磁性薄膜を５１０２等の電
気的絶縁性薄膜の壁で仕切ることにより、ギャップ面に
平行方向の電気抵抗は数ＭΩ以上となり、この方向の渦
電流の発生が抑制され、高周波数領域での透磁率の低下
が著しく改善され、高周波数領域での記録再生効率が高
くなる。

更に、５１０□等の仕切りが存在することによりスパッ
タリング等で形成されたセンダスト等の磁性薄膜の内部
応力が緩和され、製造工程途中での薄膜剥離等の不具合
も少なくなり、製造歩留りも向上する。

支敷肚 以下図面をもとに本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明の一実施例であり、２つのフェライトコ
ア半体のギャップ対向面に厚さ３〜６μｍのセンダスト
薄膜２を配設しこれを厚さ０．　１〜１μｍ程度の５１
０２の薄膜３がギャップスペーサ４と直角に仕切ってい
る。

５は２つのフェライトコア半体１どうしを接着している
モールドガラスである。

巻線窓６をとおしてコイル７を巻回して磁気ヘッドとな
る。

第３図（ａ）〜（ｅ）に本発明の磁気ヘッドの製造方法
を示す。

第３図（ａ）に示すようにフェライトコア半体となる基
板８上にＳ　ｉＯ２等の電気的絶縁性薄膜９をスパッタ
リング等により３〜１０μｍ程度形成し、同図（ｂ）に
示すようにフォトリソグラフィーとエツチングにより厚
さ０．１〜１μｍ程度の５ｉｎ２の壁３を形成する。こ
の上に、センダスト等の磁性薄膜１０をスパッタリング
等により形成し、センダストの盛り上がった部分１１を
同図（Ｃ）に示すように研磨で平坦化し、同図（ｄ）の
ごとく所定の形状寸法にてトラック溝１２９巻線窓６を
ダイサー等により切削形成する。

このようにしてできたコア半休１３と、別にフェライト
のみで形成した別のコア半体１４を同図（ｅ）に示すよ
うに突き合わせ、モールドガラス５を５００℃〜６００
℃の温度で流し込み溶着する。その後、切り離し線１５
に沿ってダイサー等で切り離し、第１図のような本発明
の磁気ヘッドを得る。

第４図に本発明の第２の実施例を示す。

この実施例は両コア半体１，１゛ともＳ　ｓ　Ｏ２３で
仕切られたセンダスト薄膜コア部２を有している。

第５図に本発明の第３の実施例を示す。

この実施例は第２の実施例のフェライトコア部１を全て
非磁性の基板１６で形成したものである。

ｉ且悲簸１ 以上のごとく本発明の磁気ヘッドは高飽和磁束密度を実
現できるセンダスト等の合金薄膜コアを使いながらその
欠点である渦電流による透磁率の低下を来たさず、且つ
合金薄膜にありがちな大きな内部応力を発生させない高
性能で高製造歩留りを実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例の斜視図、第４図、第５図は本
発明の第２．第３の実施例を示す斜視図、第３図（ａ）
〜（ｅ）は本発明の第１の実施例の製造方法を示す斜視
図、第２図（ａ）、（ｂ）は従来の磁気ヘッドの斜視図
である。 １．１′・・・・・・フェライトコア半体、２・・・・
・・高飽和磁束密度の薄膜コア部（センダスト）、 ３・・・・・・電気的絶縁性薄膜による仕切り（５１０
２）、４・・・・・・ギャップスペーサ、 ５・・・・・・モールドガラス、 ６・・・・・・巻線窓、 ７・・・・・φコイル。 −て　　Ｉ　　　Ｑ’を 第２　図（α）　　　第２図（ｂ） 第　３　図　＜、ａ＞ ス 窮　３　印　（ｂ） ！　３　図　（Ｃ） 第　３　図　（ｄ） Ｓ　３　図　　（ｅ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ２つの磁気コアで形成されるギャップの対向面の片方も
   しくは両方に高飽和磁束密度の磁性薄膜が配設された磁
   気ヘッドにおいて、その磁性薄膜が電気的絶縁性薄膜に
   より、ギャップ面に直角方向に仕切られていることを特
   徴とする磁気ヘッド。