JPH01192102A - サーミスタ組成物 - Google Patents
サーミスタ組成物Info
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- JPH01192102A JPH01192102A JP1651588A JP1651588A JPH01192102A JP H01192102 A JPH01192102 A JP H01192102A JP 1651588 A JP1651588 A JP 1651588A JP 1651588 A JP1651588 A JP 1651588A JP H01192102 A JPH01192102 A JP H01192102A
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 37
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910018576 CuAl2O4 Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910026161 MgAl2O4 Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910003303 NiAl2O4 Inorganic materials 0.000 abstract 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N aluminium(i) oxide Chemical compound [Al]O[Al] BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003134 ZrOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はサーミスタ組成物に係り、特に、MgA I
t Oa系材料、Ni Alx0a系材料およびCuA
1□04系材料からな系材−ミスタ組成物に関する。
t Oa系材料、Ni Alx0a系材料およびCuA
1□04系材料からな系材−ミスタ組成物に関する。
〈従来の技術とその問題点〉
従来がら、−船釣なサーミスタ組成物としては、Mn(
マンガン)・Ni にッケル)系材料からなるものが知
られている。そして、このMn −Ni系サーミスタ
組成物には300℃程度までの温度領域において安定し
た特性を発揮するという利点があるので、300℃以下
の、いわゆる低温領域で数多く使用されている。しかし
、このMn ・Ni系サーミスタ組成物においては、
300℃以上の温度領域で組成的な変化が発生し、その
抵抗値の変化率が大きくなってしまうという欠点がある
ので、300℃以上の温度領域では使用し難いという問
題点がある。
マンガン)・Ni にッケル)系材料からなるものが知
られている。そして、このMn −Ni系サーミスタ
組成物には300℃程度までの温度領域において安定し
た特性を発揮するという利点があるので、300℃以下
の、いわゆる低温領域で数多く使用されている。しかし
、このMn ・Ni系サーミスタ組成物においては、
300℃以上の温度領域で組成的な変化が発生し、その
抵抗値の変化率が大きくなってしまうという欠点がある
ので、300℃以上の温度領域では使用し難いという問
題点がある。
一方、800℃以上というような高温領域で使用可能な
サーミスタ組成物としては、Zr0z(酸化ジルコニウ
ム)・YzOs(fa化インドリウム)系材料からなる
各種のものが開発されている。
サーミスタ組成物としては、Zr0z(酸化ジルコニウ
ム)・YzOs(fa化インドリウム)系材料からなる
各種のものが開発されている。
ところが、いずれのサーミスタ組成物においても、その
抵抗値や傾きを示すB定数のばらつきが大きいばかりか
、良好な寿命特性を得ることができないという欠点があ
る。また、このZrOx ・Y2O、系サーミスタ組
成物を300℃〜800℃というような温度領域で使用
する場合には、その抵抗値が高すぎて使用し難いという
不都合がある。
抵抗値や傾きを示すB定数のばらつきが大きいばかりか
、良好な寿命特性を得ることができないという欠点があ
る。また、このZrOx ・Y2O、系サーミスタ組
成物を300℃〜800℃というような温度領域で使用
する場合には、その抵抗値が高すぎて使用し難いという
不都合がある。
〈発明の目的〉
以上説明したように、従来のサーミスタ組成物において
は、300℃〜800℃というような温度領域における
使用に適するものがほとんどないというのが現状である
。
は、300℃〜800℃というような温度領域における
使用に適するものがほとんどないというのが現状である
。
本発明は、このような現状に鑑みて創案されたものであ
って、300℃〜800℃の温度領域、いわゆる中温領
域における使用に通した抵抗値を有し、かつ、経時(比
抵抗)変化率がわずかで安定した特性を有するサーミス
タ組成物を提供することを目的としている。
って、300℃〜800℃の温度領域、いわゆる中温領
域における使用に通した抵抗値を有し、かつ、経時(比
抵抗)変化率がわずかで安定した特性を有するサーミス
タ組成物を提供することを目的としている。
く問題点を解決するための手段〉
本発明は、上記目的を達成するために、Mg Alff
1o4 (7グネアルミナ)系材料、Ni A1.O。
1o4 (7グネアルミナ)系材料、Ni A1.O。
にッケルアルミナ)系材料およびCu Al□0゜(銅
アルミナ)系材料からなり、Mg A1.O,系材料、
N i A 120 a系材料およびCu A l t
Oa系材料の組成割合がこれらの総量に対して、それ
ぞれ5〜50モル%、5〜70モル%および25〜90
モル%の範囲にあるサーミスタ組成物を構成したことに
特徴を有するものである。
アルミナ)系材料からなり、Mg A1.O,系材料、
N i A 120 a系材料およびCu A l t
Oa系材料の組成割合がこれらの総量に対して、それ
ぞれ5〜50モル%、5〜70モル%および25〜90
モル%の範囲にあるサーミスタ組成物を構成したことに
特徴を有するものである。
〈実施例〉
以下、本発明の実施例について説明するが、まず、サー
ミスタ組成物の製造手順について説明したのち、異なる
組成割合とされた各種のサーミスタ組成物に対する特性
実験の結果について説明する。
ミスタ組成物の製造手順について説明したのち、異なる
組成割合とされた各種のサーミスタ組成物に対する特性
実験の結果について説明する。
サーミスタ組成物の製造にあたっては、まず、Mg0(
酸化マグネシウム)、Ni O(酸化ニッケル)、Cu
O(酸化銅)、Ah03(アルミナ)それぞれの粉末
材料を所定量ずつ調合したうえで、これらの材料を第1
表に示す割合で湿式混合したのち、乾燥した。そして、
得られた混合材料を1100℃の温度下で2時間にわた
って加熱することによって仮焼成し、仮焼成された混合
材料に適当なバインダを加えて再び湿式混合したうえで
乾燥した。つぎに、得られた混合材料を直径10■lで
厚み1菖1の円板状に加圧成形することによってペレッ
トを形成したのち、このペレットを1300℃〜140
0℃の温度下で2時間にわたって加熱することによって
焼成した。さらに、このペレットの表裏両面にPt(白
金)・Pd(パラジウム)からなるペーストを塗布し、
このペーストを1100℃で焼き付けることにより、後
述する特性実験における試料となるサーミスタ組成物を
形成した。
酸化マグネシウム)、Ni O(酸化ニッケル)、Cu
O(酸化銅)、Ah03(アルミナ)それぞれの粉末
材料を所定量ずつ調合したうえで、これらの材料を第1
表に示す割合で湿式混合したのち、乾燥した。そして、
得られた混合材料を1100℃の温度下で2時間にわた
って加熱することによって仮焼成し、仮焼成された混合
材料に適当なバインダを加えて再び湿式混合したうえで
乾燥した。つぎに、得られた混合材料を直径10■lで
厚み1菖1の円板状に加圧成形することによってペレッ
トを形成したのち、このペレットを1300℃〜140
0℃の温度下で2時間にわたって加熱することによって
焼成した。さらに、このペレットの表裏両面にPt(白
金)・Pd(パラジウム)からなるペーストを塗布し、
このペーストを1100℃で焼き付けることにより、後
述する特性実験における試料となるサーミスタ組成物を
形成した。
第1表
なお、第1表における番号l、6.7.11および12
の試料は、いずれも本発明の範囲外となるものであり、
これらの番号以外の試料はすべて本発明の範囲内となる
ものである。
の試料は、いずれも本発明の範囲外となるものであり、
これらの番号以外の試料はすべて本発明の範囲内となる
ものである。
このようにして得られた組成割合の異なる(第1表参照
)サーミスタ組成物それぞれに対して特性実験を行った
ところ、抵抗値、B定数および比抵抗(経時)変化率の
それぞれについて第2表に示すような測定結果を得た。
)サーミスタ組成物それぞれに対して特性実験を行った
ところ、抵抗値、B定数および比抵抗(経時)変化率の
それぞれについて第2表に示すような測定結果を得た。
なお、この第2表における抵抗値は500′Cにおける
測定値、B定数は400℃〜500′Cにおける測定値
であり、また、比抵抗変化率は800℃、1o00Hv
放置における測定値である。
測定値、B定数は400℃〜500′Cにおける測定値
であり、また、比抵抗変化率は800℃、1o00Hv
放置における測定値である。
第2表
この第2表に示す測定結果によれば、本発明の範囲外で
ある試料(番号1.6.7.11および12)における
比抵抗変化率がいずれも3%を越え、その安定性が悪く
なっているのに対し、本発明の範囲内である試料すべて
の比抵抗変化率は3%以下で安定していることが分かる
。また、本発明の範囲内である試料のすべての400℃
〜500℃におけるB定数が5000〜1o000にと
なり、しかも、これらの500℃における抵抗値がlX
l0’〜5X10’Ω・口の範囲内にあることから本発
明に係るサーミスタ組成物が300℃〜800℃の温度
領域、すなわち、中温領域での使用に適していることは
明らかである。
ある試料(番号1.6.7.11および12)における
比抵抗変化率がいずれも3%を越え、その安定性が悪く
なっているのに対し、本発明の範囲内である試料すべて
の比抵抗変化率は3%以下で安定していることが分かる
。また、本発明の範囲内である試料のすべての400℃
〜500℃におけるB定数が5000〜1o000にと
なり、しかも、これらの500℃における抵抗値がlX
l0’〜5X10’Ω・口の範囲内にあることから本発
明に係るサーミスタ組成物が300℃〜800℃の温度
領域、すなわち、中温領域での使用に適していることは
明らかである。
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明によれば、サーミスタ組成
物がMg Al2O,系材料、Ni Al2O。
物がMg Al2O,系材料、Ni Al2O。
系材料およびCu A1gOn系材料か系材料、かつ、
M g A l z Oa系材料、Ni Al2O4系
材料およびCu A I z Oa系材料の組成割合が
これらの総量に対して、それぞれ5〜50モル%、5〜
70モル%および25〜90モル%の範囲とされている
ので、300℃〜800℃というような温度領域におけ
る使用に適した抵抗値を有するとともに、比抵抗変化率
がわずかで、安定した特性を有するサーミスタ組成物が
得ることができるという効果がある。
M g A l z Oa系材料、Ni Al2O4系
材料およびCu A I z Oa系材料の組成割合が
これらの総量に対して、それぞれ5〜50モル%、5〜
70モル%および25〜90モル%の範囲とされている
ので、300℃〜800℃というような温度領域におけ
る使用に適した抵抗値を有するとともに、比抵抗変化率
がわずかで、安定した特性を有するサーミスタ組成物が
得ることができるという効果がある。
Claims (1)
- (1)MgAl_2O_4系材料、NiAl_2O_4
系材料およびCuAl_2O_4系材料からなるサーミ
スタ組成物であって、 MgAl_2O_4系材料、NiAl_2O_4系材料
およびCuAl_2O_4系材料の組成割合がこれらの
総量に対して、それぞれ5〜50モル%、5〜70モル
%および25〜90モル%の範囲にあることを特徴とす
るサーミスタ組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1651588A JPH01192102A (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | サーミスタ組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1651588A JPH01192102A (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | サーミスタ組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01192102A true JPH01192102A (ja) | 1989-08-02 |
Family
ID=11918407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1651588A Pending JPH01192102A (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | サーミスタ組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01192102A (ja) |
-
1988
- 1988-01-27 JP JP1651588A patent/JPH01192102A/ja active Pending
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