JPH0246466A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0246466A JPH0246466A JP63196711A JP19671188A JPH0246466A JP H0246466 A JPH0246466 A JP H0246466A JP 63196711 A JP63196711 A JP 63196711A JP 19671188 A JP19671188 A JP 19671188A JP H0246466 A JPH0246466 A JP H0246466A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- wafer
- semiconductor
- hydrofluoric acid
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にホトレジス
トの除去工程を含む半導体装置の製造方法に関する。
トの除去工程を含む半導体装置の製造方法に関する。
従来、半導体装置の製造においては、ホトレジストを多
く用いる。ホトレジストをマスクとして使用した後のホ
トレジストを除去する方法の一つに有機剥離法がある。
く用いる。ホトレジストをマスクとして使用した後のホ
トレジストを除去する方法の一つに有機剥離法がある。
有機剥離法では、まずホトレジストが形成されている半
導体ウェーハを有機剥離剤に浸してホトレジストを除去
した後、ストリップリンス剤で洗浄し、次にメチルエチ
ルケトンやイソプロピルアルコール等で洗浄し、最後に
純水にて水洗する工程が採用されている。
導体ウェーハを有機剥離剤に浸してホトレジストを除去
した後、ストリップリンス剤で洗浄し、次にメチルエチ
ルケトンやイソプロピルアルコール等で洗浄し、最後に
純水にて水洗する工程が採用されている。
しかしながら、上述した従来の有機剥離法では、半導体
ウェーハの処理を重ねる事によりホトレジストの再付着
や剥離残り等が発生するという欠点がある。近年、半導
体装置は集積度が益々高まり、半導体素子か微細化され
て来ている。又、二次元ＣＣＤの様な、汚染等に非常に
敏感な半導体装置も現れて来ており、上記の様なホトレ
ジストの再付着や剥離残り等は深刻な歩留りの低下をも
たらすという問題がある。
ウェーハの処理を重ねる事によりホトレジストの再付着
や剥離残り等が発生するという欠点がある。近年、半導
体装置は集積度が益々高まり、半導体素子か微細化され
て来ている。又、二次元ＣＣＤの様な、汚染等に非常に
敏感な半導体装置も現れて来ており、上記の様なホトレ
ジストの再付着や剥離残り等は深刻な歩留りの低下をも
たらすという問題がある。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウェーハにホ
トレジストのパターンを形成して半導体素子形成のため
の処理を行う工程と、前記処理、終了後に有機剥離法に
より前記ホトレジストを除去する工程と、前記半導体ウ
ェーハをフッ酸液にてエツチングして残留ホトレジスト
を除去する工程とを含んで構成される。
トレジストのパターンを形成して半導体素子形成のため
の処理を行う工程と、前記処理、終了後に有機剥離法に
より前記ホトレジストを除去する工程と、前記半導体ウ
ェーハをフッ酸液にてエツチングして残留ホトレジスト
を除去する工程とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した半導体ウェーハの側面図である。
めの工程順に示した半導体ウェーハの側面図である。
第１図（ａ）に示すように、半導体ウェーハ１には各種
の機能をもった半導体素子が半導体製造工程で形成され
る（図示せず）。これら半導体素子を形成する為に知ら
れなる写真食刻技術でホトレジスト膜２が選択的に形成
される。
の機能をもった半導体素子が半導体製造工程で形成され
る（図示せず）。これら半導体素子を形成する為に知ら
れなる写真食刻技術でホトレジスト膜２が選択的に形成
される。
次に、第１図（ｂ）に示すように、半導体素子を作る為
の各種のエツチング技術等によって処理する。次に、不
用になったホトレジスト膜を除去するために、通常の有
機剥離法により除去する。
の各種のエツチング技術等によって処理する。次に、不
用になったホトレジスト膜を除去するために、通常の有
機剥離法により除去する。
しかしながら、この有機剥離法だけではホトレジストが
完全に除去されなかったり、再付着があったりしてホト
レジスト残留物３が残る。
完全に除去されなかったり、再付着があったりしてホト
レジスト残留物３が残る。
次に、第１図（ｃ）に示すように、半導体ウェーハをフ
ッ酸中で約５秒間エツチングする。これによりホトレジ
スト残留物は完全に除去される。
ッ酸中で約５秒間エツチングする。これによりホトレジ
スト残留物は完全に除去される。
尚、有機剥離法でホトレジストを剥離した後、過酸化水
素水にて洗浄しておき、次にフッ酸でエツチングすると
更にホトレジスト除去効果が高まる。
素水にて洗浄しておき、次にフッ酸でエツチングすると
更にホトレジスト除去効果が高まる。
以上説明したように、本発明によれば、完全にホトレジ
ストの除去が可能となり、半導体装置を歩留良く製造す
ることができるという効果が得られる。
ストの除去が可能となり、半導体装置を歩留良く製造す
ることができるという効果が得られる。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した半導体ウェーハの側面図である。 １・・・半導体ウェーハ、２・・・ホトレジスト膜、３
・・・ホトレジスト残留物。
めの工程順に示した半導体ウェーハの側面図である。 １・・・半導体ウェーハ、２・・・ホトレジスト膜、３
・・・ホトレジスト残留物。
Claims (1)
- 半導体ウェーハにホトレジストのパターンを形成して半
導体素子形成のための処理を行う工程と、前記処理、終
了後に有機剥離法により前記ホトレジストを除去する工
程と、前記半導体ウェーハをフッ酸液にてエッチングし
て残留ホトレジストを除去する工程とを含むことを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63196711A JPH0246466A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63196711A JPH0246466A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0246466A true JPH0246466A (ja) | 1990-02-15 |
Family
ID=16362319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63196711A Pending JPH0246466A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0246466A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007280982A (ja) * | 2006-04-03 | 2007-10-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | シリコン含有二層レジスト除去方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5831528A (ja) * | 1981-08-19 | 1983-02-24 | Nec Corp | フオトレジストの除去方法 |
| JPS63113456A (ja) * | 1986-10-30 | 1988-05-18 | Hitachi Chem Co Ltd | レジスト膜の剥離方法 |
-
1988
- 1988-08-05 JP JP63196711A patent/JPH0246466A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5831528A (ja) * | 1981-08-19 | 1983-02-24 | Nec Corp | フオトレジストの除去方法 |
| JPS63113456A (ja) * | 1986-10-30 | 1988-05-18 | Hitachi Chem Co Ltd | レジスト膜の剥離方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007280982A (ja) * | 2006-04-03 | 2007-10-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | シリコン含有二層レジスト除去方法 |
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