JPH01196754A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH01196754A JPH01196754A JP63020520A JP2052088A JPH01196754A JP H01196754 A JPH01196754 A JP H01196754A JP 63020520 A JP63020520 A JP 63020520A JP 2052088 A JP2052088 A JP 2052088A JP H01196754 A JPH01196754 A JP H01196754A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magneto
- film
- optical recording
- thin film
- metal nitride
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光熱磁気記録再生装置に用いられる光磁気記録
媒体に関するものである。
媒体に関するものである。
従来の技術
近年、大容量メモリの１つとして、光ディスクの開発、
商品化が活発である。その中でも書き換え可能な光磁気
ディスクの開発が精力的に行われている。
商品化が活発である。その中でも書き換え可能な光磁気
ディスクの開発が精力的に行われている。
以下に、図面全参照しながら従来の光磁気記録媒体につ
いて説明する。
いて説明する。
最近の光磁気ディスクの例を第４図に示す（例えば第８
回日本応用磁気学会学術講演概要集１９８４年１１月Ｐ
２２４）。
回日本応用磁気学会学術講演概要集１９８４年１１月Ｐ
２２４）。
第４図において、１は同志円状又はスパイラル状に溝又
はピットが形成された樹脂又はガラスの円環状基板、２
はＺｎＳやＳｉＯ２＋ Ａ／Ｎ、 ５ｉ３ｕ４等の透明
誘電体薄膜、３は垂直磁化容易軸を有するＴｂＦｅＣｏ
、 ＴｂＦｅ、 ＴｂＣｏ、 ＤｙＦｅ、 ＤｙＦｅＣ
ｏ 等の光磁気記録膜、５はＡ／Ｎヤ５ｉ０２． Ｓｉ
３Ｎ４等の誘Ｗ体保護膜である。
はピットが形成された樹脂又はガラスの円環状基板、２
はＺｎＳやＳｉＯ２＋ Ａ／Ｎ、 ５ｉ３ｕ４等の透明
誘電体薄膜、３は垂直磁化容易軸を有するＴｂＦｅＣｏ
、 ＴｂＦｅ、 ＴｂＣｏ、 ＤｙＦｅ、 ＤｙＦｅＣ
ｏ 等の光磁気記録膜、５はＡ／Ｎヤ５ｉ０２． Ｓｉ
３Ｎ４等の誘Ｗ体保護膜である。
以上のように構成された従来の光磁気記録媒体について
、以下その機能について説明する。
、以下その機能について説明する。
光磁気記録媒体の基板１の材料として
（１）−殻内に記録・再生用レーザー光は基板１側から
光磁気記録媒体に照射されるため、透明かつ複屈折が少
ないこと、 （２）高速ランダムアクセスに必要な溝及びビットを設
けるため、加工性・成形性が優れていること、 等の理由から、ガラス板上に紫外線硬化型樹脂を塗布し
たガラス２Ｐ基板やＰＭＭム、ｐｃ、エポキシ等の透明
樹脂材料を使用する。
光磁気記録媒体に照射されるため、透明かつ複屈折が少
ないこと、 （２）高速ランダムアクセスに必要な溝及びビットを設
けるため、加工性・成形性が優れていること、 等の理由から、ガラス板上に紫外線硬化型樹脂を塗布し
たガラス２Ｐ基板やＰＭＭム、ｐｃ、エポキシ等の透明
樹脂材料を使用する。
光磁気記録膜３は垂直磁化膜であり、非晶質希土類遷移
金属薄膜が開発研究の中心である。
金属薄膜が開発研究の中心である。
光磁気記録媒体は、光磁気記録膜３の酸化による特性劣
化の改善、カー回転角又はファラデー回転角の増大等の
理由で、光磁気記録膜３に屈折率の高い透明誘電体薄膜
２を隣接し、見掛は上のカー回転角を増大するカーエン
−・ンスの構成や、誘電体保護膜６を隣接し、光磁気記
録膜３の酸化劣化を防止するサンドインチ構成をとって
いる。
化の改善、カー回転角又はファラデー回転角の増大等の
理由で、光磁気記録膜３に屈折率の高い透明誘電体薄膜
２を隣接し、見掛は上のカー回転角を増大するカーエン
−・ンスの構成や、誘電体保護膜６を隣接し、光磁気記
録膜３の酸化劣化を防止するサンドインチ構成をとって
いる。
ところで、情報記憶装置の性能は、記憶容量、アクセス
速度、データ転送速度等の特性により決定される。光磁
気記録媒体を情報記憶装置の記録媒体として使用する場
合、記憶容量の点では充分な特性が得られている。
速度、データ転送速度等の特性により決定される。光磁
気記録媒体を情報記憶装置の記録媒体として使用する場
合、記憶容量の点では充分な特性が得られている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、光磁気ディスクの記録はヒートモード記
録であるため、磁気ディスクに比べ感度−が悪く、市販
の大パワー半導体レーザー（４ｏｍｗ）を用いてもデー
タ転送速度が高々１Ｍバイト／秒と遅いという問題点を
有していた。
録であるため、磁気ディスクに比べ感度−が悪く、市販
の大パワー半導体レーザー（４ｏｍｗ）を用いてもデー
タ転送速度が高々１Ｍバイト／秒と遅いという問題点を
有していた。
本発明は上記問題点に鑑み、光磁気記録媒体の記録感度
が高くなり、データ転送速度を向上することができる光
磁気記録媒体を提供するものである。
が高くなり、データ転送速度を向上することができる光
磁気記録媒体を提供するものである。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明の光磁気記録媒体は光
磁気記録膜に隣接して、例えばポリテトラフルオルエチ
レン、ポリイミド等の有機物とＳｉＮ、 人／Ｎ、Ｔ
ｉｅ、ＨｆＮ、ＴａＮ、ＢＮ、ＺｒＮ、ＴｉＮ、ＵＮ。
磁気記録膜に隣接して、例えばポリテトラフルオルエチ
レン、ポリイミド等の有機物とＳｉＮ、 人／Ｎ、Ｔ
ｉｅ、ＨｆＮ、ＴａＮ、ＢＮ、ＺｒＮ、ＴｉＮ、ＵＮ。
ＴｈＮ、 ＢｅＮ、 ＮｂＮ、 ＶＮ等の窒化金属のい
ずれか１種以上とを混合して形成した有機物−窒化金属
混合薄膜を設けた構成となっている。
ずれか１種以上とを混合して形成した有機物−窒化金属
混合薄膜を設けた構成となっている。
作用
この構成によって、有機物薄膜の熱伝導率が誘電体薄膜
の１０分の１以下であるため、光磁気記録膜から有機物
−窒化金属混合薄膜への熱拡散が防止でき、光磁気記録
膜の熱保存性が向上する。
の１０分の１以下であるため、光磁気記録膜から有機物
−窒化金属混合薄膜への熱拡散が防止でき、光磁気記録
膜の熱保存性が向上する。
また、有機物に窒化金属を混合することにより記録、消
去に伴う光磁気記録膜の熱に対する耐熱性を確保し、繰
り返し記録、消去時の有機物−窒化金属混合薄膜の劣化
を防止している。
去に伴う光磁気記録膜の熱に対する耐熱性を確保し、繰
り返し記録、消去時の有機物−窒化金属混合薄膜の劣化
を防止している。
これらにより、レーザー光照射時の光磁気記録膜の上昇
温度が高くなり、従って光磁気記録媒体の熱的感度が上
がり、データ転送速度が向上することとなる。
温度が高くなり、従って光磁気記録媒体の熱的感度が上
がり、データ転送速度が向上することとなる。
実施例
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例における光磁気記録媒体の断
面模式図を示す。第１図において、４はポリテトラフル
オルエチレン薄膜にＳｉ３Ｎ４を６０％（体積チ）程度
混入した有機物−窒化金属混合薄膜で、光磁気記録膜の
非光照射面側に設けられている。なお、１は基板、２は
透明誘電体薄膜、３は光磁気記録膜、５は誘電体保護膜
であり、これらは従来例の構成と同じものである。
面模式図を示す。第１図において、４はポリテトラフル
オルエチレン薄膜にＳｉ３Ｎ４を６０％（体積チ）程度
混入した有機物−窒化金属混合薄膜で、光磁気記録膜の
非光照射面側に設けられている。なお、１は基板、２は
透明誘電体薄膜、３は光磁気記録膜、５は誘電体保護膜
であり、これらは従来例の構成と同じものである。
以上のように構成された光磁気記録媒体について、以下
その機能について説明する。
その機能について説明する。
透明誘電体薄膜２、光磁気記録膜３及び誘電体保護膜５
は従来例の構成と同じ機能を有する。すなわち、光磁気
記録膜３は非晶質希土類−遷移金属薄膜であり、透明誘
電体薄膜２はカーエンハンス機能を、誘電体保護膜６は
保護機能をそれぞれ有している。
は従来例の構成と同じ機能を有する。すなわち、光磁気
記録膜３は非晶質希土類−遷移金属薄膜であり、透明誘
電体薄膜２はカーエンハンス機能を、誘電体保護膜６は
保護機能をそれぞれ有している。
本実施例では光磁気記録膜３としてＴｂＦｅＣｏを、透
明誘電体薄膜２としてＺｎＳを、誘電体保護膜５として
５ｉ５Ｎ４を用いた。膜厚はそれぞれ８８０人。
明誘電体薄膜２としてＺｎＳを、誘電体保護膜５として
５ｉ５Ｎ４を用いた。膜厚はそれぞれ８８０人。
１０００Ａ、１０００Ａである。
ポリテトラフルオルエチレンは断熱機能を有する。ポリ
テトラフルオルエチレンの熱伝導率は、０−２５ （Ｊ
／ｍ−５−ｋ）であり、誘電体保護５の構成材料である
５ｉ３Ｎ４（７） ２０〜６０ （Ｊ／ｍ−５−ｋ）に
比べ１００分の１程度になっている。これはポリテトラ
フルオルエチレンが５１５Ｈ４に比べ十分な断熱効果を
もたらすことを示している。
テトラフルオルエチレンの熱伝導率は、０−２５ （Ｊ
／ｍ−５−ｋ）であり、誘電体保護５の構成材料である
５ｉ３Ｎ４（７） ２０〜６０ （Ｊ／ｍ−５−ｋ）に
比べ１００分の１程度になっている。これはポリテトラ
フルオルエチレンが５１５Ｈ４に比べ十分な断熱効果を
もたらすことを示している。
有機物としてポリテトラフルオルエチレンを、窒化金属
として５ｉ５Ｎ４を採用した有機物−窒化金属混合薄膜
４の断熱機能はポリテトラフルオルエチレンとほぼ同等
であり、有機物−窒化金属混合薄膜４の膜厚を６００Ｘ
以上とすることで十分な断熱効果があることが実験的に
確認できている。
として５ｉ５Ｎ４を採用した有機物−窒化金属混合薄膜
４の断熱機能はポリテトラフルオルエチレンとほぼ同等
であり、有機物−窒化金属混合薄膜４の膜厚を６００Ｘ
以上とすることで十分な断熱効果があることが実験的に
確認できている。
第２図に光磁気記録媒体の記録感度及びＳ／Ｎの有機物
−窒化金属混合薄膜４の膜厚依存性を示す。有機物−窒
化金属混合薄膜４の膜厚が６００Ａ以上で記録感度が４
．ｏ ｍｗ （線速ｅ ｍ ／ ｓ ）となっており、
有機物−窒化金属混合薄膜４の膜厚が０の場合（従来例
の構成による光磁気記録媒体の場合）のｅ、ｏ ｍ ｗ
（線速ａｍ／ｓ）に対し約３０％記録窓度が向上して
いる。また、Ｓ／Ｎは有機物−窒化金属混合薄膜４の膜
厚に対する依存性が無く、従来例の構成による光磁気記
録媒体と同様な特性が得られる。
−窒化金属混合薄膜４の膜厚依存性を示す。有機物−窒
化金属混合薄膜４の膜厚が６００Ａ以上で記録感度が４
．ｏ ｍｗ （線速ｅ ｍ ／ ｓ ）となっており、
有機物−窒化金属混合薄膜４の膜厚が０の場合（従来例
の構成による光磁気記録媒体の場合）のｅ、ｏ ｍ ｗ
（線速ａｍ／ｓ）に対し約３０％記録窓度が向上して
いる。また、Ｓ／Ｎは有機物−窒化金属混合薄膜４の膜
厚に対する依存性が無く、従来例の構成による光磁気記
録媒体と同様な特性が得られる。
ところで、一般に光磁気記録媒体はディスクとして利用
されるが、角速度一定で記録を行う場合、記録領域の内
周部と外周部では、同一強度のレーザー出力を用いた場
合、ディスク上で投入パワー密度が１．５〜２倍異なる
。このため、過剰パワーで書かれた場合の温度上昇によ
る劣化を防止しなければならない。
されるが、角速度一定で記録を行う場合、記録領域の内
周部と外周部では、同一強度のレーザー出力を用いた場
合、ディスク上で投入パワー密度が１．５〜２倍異なる
。このため、過剰パワーで書かれた場合の温度上昇によ
る劣化を防止しなければならない。
本実施例の有機物−窒化金属混合薄膜４は過剰パワー加
熱時の熱的安定性が窒化金属の混合により有機物本来の
ものより向上しており、過剰パワーで記録した場合にも
安定な断熱特性を示した。
熱時の熱的安定性が窒化金属の混合により有機物本来の
ものより向上しており、過剰パワーで記録した場合にも
安定な断熱特性を示した。
第３図に過剰パワー記録を繰り返した場合の記録感度変
化を示す。第３図は過剰パワー記録、消去、正常パワー
記録、を繰り返した場合の記録パワーの変化を示したも
のである。過剰パワーは通常パワーの約２倍のパワーで
ある。繰シ返し過剰パワー投入を行った場合、記録感度
の変化はほとんどなかった。
化を示す。第３図は過剰パワー記録、消去、正常パワー
記録、を繰り返した場合の記録パワーの変化を示したも
のである。過剰パワーは通常パワーの約２倍のパワーで
ある。繰シ返し過剰パワー投入を行った場合、記録感度
の変化はほとんどなかった。
以上のように本実施例によれば、光磁気記録膜３に隣接
して有機物−窒化金属混合薄膜４を配置することにより
記録感度を３ｏ％以上向上させることができる。さらに
有機物−窒化金属混合膜４の窒化金属として５ｉ５Ｎ４
を採用することにより、オーバーパワー記録時にも安定
した断熱特性を示した。
して有機物−窒化金属混合薄膜４を配置することにより
記録感度を３ｏ％以上向上させることができる。さらに
有機物−窒化金属混合膜４の窒化金属として５ｉ５Ｎ４
を採用することにより、オーバーパワー記録時にも安定
した断熱特性を示した。
なお本実施例では有機物−窒化金属混合薄膜４ ・の
有機物としてポリテトラフルオルエチレンヲ使用したが
、これはポリイミドでもよく、この場合、オーバーパワ
ーに対する耐久性がより向上するという効果が得られる
。
有機物としてポリテトラフルオルエチレンヲ使用したが
、これはポリイミドでもよく、この場合、オーバーパワ
ーに対する耐久性がより向上するという効果が得られる
。
また、本実施例では有機物−窒化金属混合薄膜４の窒化
金属として５ｉ５Ｎ４を用いたが、有機物−窒化金属混
合薄膜４の窒化金属はム／Ｎ、 Ｔｉｅ、 ＨｆＮ。
金属として５ｉ５Ｎ４を用いたが、有機物−窒化金属混
合薄膜４の窒化金属はム／Ｎ、 Ｔｉｅ、 ＨｆＮ。
ＴａＮ、 ＢＮ、 ＺｒＮ、 ＵＮ、 ＴｈＮ、 Ｂｅ
Ｎ、 ＮｂＮ、 ＶＮのいずれかでも同様な効果が得ら
れる。
Ｎ、 ＮｂＮ、 ＶＮのいずれかでも同様な効果が得ら
れる。
発明の効果
本発明は光磁気記録膜に隣接して有機物−窒化金属混合
薄膜を設け、有機物−窒化金属混合薄膜の有機物として
ポリテトラフルオルエチレン又ハポリイミドとすること
により記録感度を向上することができ、さらに有機物に
窒化金属を混合させて有機物−窒化金属混合物とするこ
とにより、記録、消去時のオーバーパワーに対する耐熱
性が向上するという効果を得ることができる優れた光磁
気記録媒体を実現できるものである。
薄膜を設け、有機物−窒化金属混合薄膜の有機物として
ポリテトラフルオルエチレン又ハポリイミドとすること
により記録感度を向上することができ、さらに有機物に
窒化金属を混合させて有機物−窒化金属混合物とするこ
とにより、記録、消去時のオーバーパワーに対する耐熱
性が向上するという効果を得ることができる優れた光磁
気記録媒体を実現できるものである。
第１図は本発明の一実施例における光磁気記録媒体の断
面模式図、第２図は本発明の一実施例における光磁気記
録媒体の記録感度・Ｓ／Ｈの有機物−窒化金属混合薄膜
膜厚依存性を示す特性図、第３図は本発明の一実施例に
おける光磁気記録媒体に過剰パワー記録を繰り返した場
合の記録感度変化を示す特性図、第４図は従来の光磁気
記録媒体の断面模式図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・透明誘電体薄膜、
３・・・・・・光磁気記録膜、４・・・・・・有機物−
窒化金属混合薄膜、５・・・・・・誘電体保護膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１−
−一幕 扶 ２−遣明誘電体真履 ３−光砥気叱録膜 第２図 有ａ仲−窒化金属混合薄ＷＬ腫１（ズ→第３図 ＯＴＯＯ２００、？００ 遥？ｊパワー投入口抜− 第４図
面模式図、第２図は本発明の一実施例における光磁気記
録媒体の記録感度・Ｓ／Ｈの有機物−窒化金属混合薄膜
膜厚依存性を示す特性図、第３図は本発明の一実施例に
おける光磁気記録媒体に過剰パワー記録を繰り返した場
合の記録感度変化を示す特性図、第４図は従来の光磁気
記録媒体の断面模式図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・透明誘電体薄膜、
３・・・・・・光磁気記録膜、４・・・・・・有機物−
窒化金属混合薄膜、５・・・・・・誘電体保護膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１−
−一幕 扶 ２−遣明誘電体真履 ３−光砥気叱録膜 第２図 有ａ仲−窒化金属混合薄ＷＬ腫１（ズ→第３図 ＯＴＯＯ２００、？００ 遥？ｊパワー投入口抜− 第４図
Claims (2)
- （１）光磁気記録膜と前記光磁気記録膜に接し、有機物
と窒化金属とが混合されて形成された有機物−窒化金属
混合薄膜を備えたことを特徴とする光磁気記録媒体。 - （２）有機物がポリテトラフルオルエチレン又はポリイ
ミドであること、及び窒化金属がＳｉＮ、ＡｌＮ、Ｔｉ
Ｎ、ＨｆＮ、ＴａＮ、ＢＮ、ＺｒＮ、ＵＮ、ＴｈＮ、Ｂ
ｅＮ、ＮｂＮ、ＶＮのいずれか１種以上を含むことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63020520A JPH01196754A (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63020520A JPH01196754A (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01196754A true JPH01196754A (ja) | 1989-08-08 |
Family
ID=12029437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63020520A Pending JPH01196754A (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01196754A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110387040A (zh) * | 2019-07-17 | 2019-10-29 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种黑色聚酰亚胺膜 |
| US10854554B2 (en) * | 2018-01-23 | 2020-12-01 | Ferro Corporation | Carbide, nitride and silicide enhancers for laser absorption |
-
1988
- 1988-01-29 JP JP63020520A patent/JPH01196754A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10854554B2 (en) * | 2018-01-23 | 2020-12-01 | Ferro Corporation | Carbide, nitride and silicide enhancers for laser absorption |
| CN110387040A (zh) * | 2019-07-17 | 2019-10-29 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种黑色聚酰亚胺膜 |
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