JPS6310358A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光磁気記録媒体に関する。

〔発明の背景〕

光磁気記録は、記録密度が高い、非接触で記録・読み出
しが可能、高速ランダムアクセスができる、信号の並列
処理が可能、さらに書換えもできるなどの特徴を有して
いるため、近年、特に注目されている。

光磁気記録媒体の基本的構成は、透明樹脂またはガラス
を基板とし、これに希土類−遷移金属アモルファス合金
、たとえばＧｄＦｅやＧｄＴｄＦｅ等の磁性薄膜を設け
たものである。

周知のように、光磁気記録は記録に際して、熱磁気記録
によって磁性薄膜にレーザー光を照射して反転磁区を形
成するとともに、読み出しに際しては、磁性薄膜にレー
ザーの直線偏光を入射し、記録した磁化状態（大きさ、
方向）に対応して反射光または透過光の偏光面が回転す
る現象を利用するものである。反射光の偏光面が回転す
る現象がカー効果、その回転角がカー回転角と呼ばれて
いる。

このカー効果を利用する読み出しでのＳＮ比は、性能指
数−θヤｘＪＦ（Ｒ：反射率）に比例し、この性能指数
は光磁気記録媒体の特性に主として依存する。そこで、
従来から、カー回転角θ、を増大し、ＳＮ比を高めるた
めに、種々の提案がなされてきた。

たとえば特開昭５６−１５６９４３号公報では、磁性薄
膜と透明基板との間に透明誘電体膜を介在させ、見掛は
上のカー回転角の増大を図っている。同様の目的をもっ
て、磁性薄膜上にも透明誘電体膜を設けることも行われ
ている。

また、一般に、この種の媒体においては、酸化され易い
希土類−遷移金属アモルファス合金が用いられているの
で、その耐食性が問題となり、この耐食性改善のためを
も目的として、磁性薄膜を透明誘電体膜で挟持すること
が知られている。

しかるに、この磁性薄膜を透明誘電体膜で挟持する構造
は、見掛は上のカー回転角を増大させ、また耐食性の改
善効果があるものの、誘電体膜は無機材料からなり、熱
伝導率が大きいため、熱磁気記録時において、レーザー
光による熱が逃げ易く、書き込み感度が悪く、十分な記
録感度が得られていなかった。

そこで、本発明の主たる目的は、記録感度が高く、また
耐食性も損うことがなく、全体としてきわめて合理的な
層構造をもった光磁気記録媒体を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は、透明基板上に、第１誘電体膜、磁性薄膜、
第２誘電体膜、第１有機保護膜、第３誘電体膜、第２有
機保護膜の順に成膜したことで達成される。

〔発明の具体的構成〕

以下本発明をさらに詳説する。

本発明の光磁気記録媒体は、透明基板上に、第１誘電体
膜、磁性薄膜、第２誘電体膜、第１有機保護膜、第３誘
電体膜、第２有機保護膜の順に成膜したものである。

本発明では、見掛は上のカー回転角を増大させ、また、
磁性薄膜の耐食性改善のためにも、磁性薄膜を第１誘電
体膜および第２誘電体膜によって挟持することとしであ
る。

ところで、この誘電体膜を形成する材料は、ＡｆｆＮ等
の無機物であり、熱伝導率が大であるため、記録感度を
向上させるためには、第２誘電体膜の膜厚は、厚くする
ことが望まれる。しかし、第２誘電体膜を薄くすると、
逆に耐食性は低下する。

そこで、耐食性を損わないで、記録感度を向上させるた
めに、第２誘電体膜を薄くし、その上面に熱転動率の小
さい第１有機保護膜を厚く成膜するようにしである。ま
た、第２誘電体膜を薄くすることによって、磁性薄膜に
対する耐食性が低下することに対しては、第１有機保護
股上に第３誘電体膜を比較的厚く成膜することによって
補償しである。また、第３誘電体膜が裸であると、製品
の取扱時において剥離したり損傷し易い。そこで第３誘
電体膜上に第２有機保護膜を形成する構造としである。

ところで、記録感度の低下を防止するためには、第２誘
電体膜は不要であるとも考えられるが、第１有機保護膜
を成膜するとき、スパッタリング装置外の大気中にディ
スクを取り出さなくではならない。大気中にディスクを
取り出すと、磁性薄膜が直接大気にさらされ、酸化が直
ちに行なわれてしまう。

したがって、第２誘電体膜は、薄くともよいから、磁性
薄膜をカバーするように、大気と隔離したバッタリング
装置内で成膜し、磁性薄膜の酸化防止を図ることが必要
である。

第１図に本発明の光磁気記録媒体の構造を示した。すな
わち、透明基板１上に、第１誘電体膜２Ａ、磁性薄膜３
、第２誘電体膜２Ｂ、第１有機保護膜４Ａ、第３誘電体
膜２Ｃ１第２有機保護膜４Ｂが順に形成されている。

本発明において、透明基板としては、ポリメチルメタア
クリレート、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリ
イミド、ポリ了ミド、エポキシ、三酢酸セルロース、ポ
リエチレンテレフタレート等の樹脂基板のほか、ガラス
、セラミック等であってもよい。

本発明において好適に用いることができる透明誘電体と
しては、八ｊ！　Ｌ　５ｔＪ４＋Ａ　ｊ！　ＳＩＮ等の
窒化物のほか、ＣｅＦ３．ＭｇＦｓ、　ＭｇＦｚ＋　Ｌ
ａＦｆｆ＋　ＬａＰｚ＋　ＮａＦ。

ＺｎＳ、　Ｓｉｎ、　５ｉ（１２，ＣｅＦ＝、＾ｌ１Ｆ
３．　ＴａｚＯｓ、　ＣａＦ等を挙げることができる。

第１誘電体の膜厚としては、２００人〜２０００人が好
ましい。

これに対して、第２誘電体膜は書き込み時の熱エネルギ
ーの逸散を防止し、記録感度を向上させるために、薄い
ほど好ましく、２００Å以下が望まれる。

さらに、第３誘電体膜は、その下層に第１有機保護膜が
存在し、これが書き込み時の熱電導を抑える効果を示す
から、記録感度について考慮を払わなくて足り主に耐食
性のみを考えればよいから、高い耐食性を示す５００Å
以上であることが望ましい。

誘電体膜の形成手段としては、スパッタ法、プラズマＣ
ＶＤ法、真空蒸着法、イオンブレーティング法などを採
用できる。

磁性薄膜の材質としては、希土類−遷移金属、アモルフ
ァス合金が一般には好ましいが、結晶体の形式であって
もよい。これらの例としては、ＧｄＦｅ、　ＴｂＦｅ、
　ＧｄＣｏ、　ＤｙＦｅ、　ＧｄＴｂＦｅ、　ＴｂＤｙ
Ｆｅ。

ＴｂＦｅＣ０，ＧｄＴｂＣｏ、　ＧｄＴｂＦｅＣｏ、　
ＧｄＦｅＢ１．　ＧｄＴｂＦｅＧｅＨあるいはこれらに
旧、　Ｓｒ、　Ｇｅ等の添加元素が添加されたもの；Ｍ
ｎＢ１．　ＰｔＣｏ、　ＭｎＣｕＢ１．　ＭｎＡ　ｉｔ
　Ｇｅ等がある。

磁性薄膜の厚さは２００人〜１５００人が好ましい。

この膜形成手段としては、誘電体膜の場合と同様である
。

他方、有機保護膜としては、たとえばアクリル系の紫外
線硬化樹脂などの有機材料を用いることができる。ポリ
メチルメタアクリレート等を溶媒に溶かしたものであっ
てもよい。この成膜法としては、スピンコード法のほか
、久遠のプラズマＣＶＤ法によってもよい。

すなわち、この有機保護膜は有機材料からなり、他方で
これと接する誘電体膜は無機材料からなり、相方異質な
材料が接することになるので、接着・密着性が悪い。と
りわけ、有機保護膜として、アクリル系紫外線硬化樹脂
を用いたときにこの傾向が顕著である。これに対して、
プラズマＣＶＤ法により重合膜を形成すると、その膜表
面が活性であるため、誘電体膜との接着・密着性が向上
し、好適である。また、他の膜の成膜と共に、−貫して
真空中で成膜でき、操作的にかつ磁性薄膜の酸化防止の
ためにも望ましい。

第１有機保護膜は、書き込み時の熱エネルギーの逸散防
止を図るために成膜するものであるから、その厚みは５
０００Å以上の厚膜とするのが好ましい。

第２有機保護膜は、取扱時の損傷防止を主たる目的とす
るので、その厚みはさほど影響がなく、１〜２０μｍが
好ましい。

〔実施例〕

次に実施例および比較例を示し、本発明の効果を明らか
にする。

（実施例１） １．６μｍのピンチ、溝深さ８００人のトラッキング案
内溝を有する１２０寵φのポリカーボネート基板上に、
第１誘電体膜（ＳｉＮ：５００人）、磁性薄膜（ＧｄＴ
ｂＦｅ　：　５００人）、第２誘電体膜□つワ０ （ＳｉＮ：　２００人）を順にスパッタ法により成膜し
た後、大気中に取り出して紫外線硬化樹脂を用いスピン
コード法により０．５μｍの厚さで第１有機保護膜を形
成した。さらに、その後、第３誘電体膜（ＳｉＮ　：　
５００人）をスパッタ法により成膜し、次いで、３μｍ
の厚さで紫外線硬化樹脂をスピンコードし、硬化させて
光磁気記録媒体を得た。

この媒体について、最適記録パワーを調べたところ、４
．５＋Ｗであ−った。また、６０℃×８０％ＲＨの環境
下に１０００時間放置したところ、ビットエラーレート
がｌＸｌ０−’から３　Ｘ　１０−５に変化した。

（比較例１） 実施例１において、第２誘電体膜の厚みを３００人に増
厚としたほかは同一の媒体を作成し、書込み最適パワー
を調べたところ、６．８　ｍＷであり、実施例１の場合
より高い値であった。

この最適パワーが増大したことにより、半導体レーザー
にかかる負担が大きくなり、レーザーの劣化を早めるこ
とが懸念された。

（比較例２） 実施例１において、第２誘電体膜の厚みを３００人に濾
膜したほかは同一の媒体を作成した。この媒体を、６０
℃×８０％ＲＨ中に１０００時間放置したところ、ビッ
トエラーレートがｌＸｌ０−６から４ＸｌＯ−’に変化
し、大きなエラーレートが認められた。この原因は、第
３誘電体膜が薄いため、十分な耐食性を発揮しないため
であることが認められた。

（実施例２） 比較例２において、第３誘電体膜を２０００人に増厚し
、同一の媒体を作成したところ、そのビットエラーレー
トは、ｌＸｌ０−’から４Ｘ１０−５に変化し、エラー
レートが少くなった。また、最適記録パワーは変化しな
かった。

（比較例３） 実施例１において、第１有機保護膜を０．３μｍに減厚
して作成した媒体について、記録最適パワーを調べたと
ころ、５．６　ｍＷとなり、実施例１より増大した。こ
の原因は、第１有機保護膜が薄いため、書き込み時の熱
が逃げてしまうものと考えられた。

〔発明の効果〕

以−りの通り、本発明によれば、耐食性をｔＭわないで
記録感度の向上を確実に達成できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る光磁気記録媒体の断面図である。 １・・・基板、２Ａ、２Ｂ、２Ｃ・・・誘電体膜、３・
・・磁性薄膜、４Ａ、４Ｂ・・・有機保護膜。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）透明基板上に、第１誘電体膜、磁性薄膜、第２誘
   電体膜、第１有機保護膜、第３誘電体膜、第２有機保護
   膜の順に成膜したことを特徴とする光磁気記録媒体。
2. （２）第２誘電体膜を２００Å以下、かつ第１有機保護
   膜を５０００Å以上とした上記第１項記載の光磁気記録
   媒体。
3. （３）第３誘電体膜を５００Å以上とした上記第１項記
   載の光磁気記録媒体。
4. （４）第１および第２有機保護膜をプラズマＣＶＤ法に
   よる重合膜とした第１項記載の光磁気記録媒体。