JPH01196885A - 半導体発光装置 - Google Patents

半導体発光装置

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Publication number
JPH01196885A
JPH01196885A JP63022636A JP2263688A JPH01196885A JP H01196885 A JPH01196885 A JP H01196885A JP 63022636 A JP63022636 A JP 63022636A JP 2263688 A JP2263688 A JP 2263688A JP H01196885 A JPH01196885 A JP H01196885A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
light emitting
emitting element
monitor
photodiode
Prior art date
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Pending
Application number
JP63022636A
Other languages
English (en)
Inventor
Hidekazu Kitamura
英一 北村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP63022636A priority Critical patent/JPH01196885A/ja
Publication of JPH01196885A publication Critical patent/JPH01196885A/ja
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  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 半導体発光装置のモニタ用フォトダイオードの配置の改
良にに関し、 簡単且つ容易に実施し得る発光素子とモニタ用フォトダ
イオードの配置により、モニタ用出射光のモニタ用フォ
トダイオードの受光面からの反射光が、発光素子に逆入
射するのを完全に防止する半導体発光装置の提供を目的
とし、 発光素子と、該発光素子のモニタ用出射光をモニタする
モニタ用フォトダイオードとを具備する半導体発光装置
において、前記モニタ用フォトダイオードの受光面が、
前記発光素子の前記モニタ用出射光の方向と平行で、且
つ前記モニタ用出射光の拡がり角領域内に配設されるよ
う構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体発光装置に係り、特にモニタ用フォト
ダイオードの配置の改良に関するものである。
光通信においては通常の場合、送信側の発光素子の信号
出力が常に一定になるように半導体発光装置を駆動して
いる。
5の出力を一定にするために、超高信頼度が必要なもの
は外部に取り付ける場合があるが、通常は半導体発光g
Hのパッケージ内部にモニタ用フォトダイオードを組み
込み、フィードバックをかけて発光素子を駆動している
この内部に組み込むモニタ用フォトダイオードと発光素
子との相対位置により、モニタ用フォトダイオードから
の反射光が発光素子に戻ることがあり、発光素子の特性
に悪影響を与えている。
以上のような状況から発光素子に悪影響を与える反射光
が生じないモニタ用フォトダイオードを組み込んだ半導
体発光装置が要望されている。
〔従来の技術〕
従来の半導体発光装置を第2図について説明する。
図に示すように、パッケージ13に設けたヒートシンク
14には発光素子11が取り付けられており、発光素子
11のモニタ用出射光側にモニタ用フォトダイオード1
2がセラミック15を介してパッケージ13に取り付け
られている。
このような配置の場合において、モニタ用フォトダイオ
ード12の受光面12aがモニタ用出射光に対して直交
するように配置すると、モニタ用出射光がモニタ用フォ
トダイオード12の受光面12aで反射して発光素子1
1に逆に入射し、発光素子11の特性に悪影響を与える
ので、モニタ用フォトダイオード12をモニタ用出射光
に対してわずかの傾斜を設けた面に取り付けて受光面1
2aを傾斜させて反射光の発光素子11への入射を防止
している。
〔発明が解決しようとする課題〕
以上説明の従来の半導体発光装置においては、モニタ用
出射光がモニタ用フォトダイオードの受光面で反射し、
発光素子に逆に入射するのを防止するために、モニタ用
フォトダイオードをモニタ用出射光に対して傾斜を設け
た面に取り付けて受光面を傾斜させなければならないと
いう問題点があった。
即ち、モニタ用フォトダイオードをこのような面と取り
付けると、モニタ用フォトダイオードのボンディング工
程において、ワイヤ付けを行うのが゛難しくなるので極
端な傾斜を設けることができないのである。
従ってモニタ用出射光のモニタ用フォトダイオードの受
光面からの反射光を完全に発光素子に逆入射するのを防
止するのが困難である。
本発明は以上のような状況から簡単且つ容易に実施し得
る発光素子とモニタ用フォトダイオードの配置により、
モニタ用出射光のモニタ用フォトダイオードの受光面か
らの反射光が、発光素子に逆入射するのを完全に防止す
る半導体発光装置の提供を目的としたものである。
〔課題を解決するための手段〕
上記問題点は、発光素子と、この発光素子のモニタ用出
射光をモニタするモニタ用フォトダイオードとを具備す
る半導体発光装置において、このモニタ用フォトダイオ
ードの受光面が、発光素子のモニタ用出射光の方向と平
行で、且つモニタ用出射光の拡がり角頭域内に配設され
る本発明による半導体発光装置によって解決される。
〔作用〕
即ち本発明においては、発光素子のモニタ用出射光と平
行な面にモニタ用フォトダイオードを取り付け、モニタ
用出射光の拡がり角頭域内にこのモニタ用フォトダイオ
ードの受光面が位置するようにモニタ用フォトダイオー
ドを取り付けるので、モニタ用フォトダイオードの受光
面からの反射光が発光素子に逆に入射するのを確実に防
止することが可能となる。
〔実施例〕
以下第1図について本発明の一実施例を説明する。
図に示すように、パッケージ3に設けたヒートシンク4
には発光素子1が取り付けられており、モニタ用フォト
ダイオード2は発光素子1のモニタ用出射光と平行な面
に設けたセラミック5を介してパッケージ3に取り付け
られている。
このような配置の場合においては、モニタ用フォトダイ
オード2の受光面2aはモニタ用出射光が入射するよう
な位置に設けなければならない。
このような配置構造においては、モニタ用フォトダイオ
ード2の受光面2aからの反射光が発光素子1に逆に入
射することがなく、従って発光素子1の光出力特性を安
定な状態に保持することが可能である。
又、モニタ用フォトダイオード2のボンディング工程に
おいては、モニタ用フォトダイオード2が傾斜しない平
面のセラミック5上に取り付けられているので、ワイヤ
付けの作業性が著しく向上する。
〔発明の効果〕
以上の説明から明らかなように本発明によれば極めて簡
単な構造の変更により、モニタ用フォトダイオードの受
光面からの反射光が発光素子に入射するのを防止できる
ので、発光素子の光出力特性を安定な状態に保持するこ
とが可能であり、又、モニタ用フォトダイオードのボン
ディングの作業性を向上することが可能となる等の利点
があり、著しい経済的及び、信頼性向上の効果が期待で
き工業的には極めて有用なものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による一実施例を示す側面図、第2図は
従来の半導体発光装置を示す側面図、である。 図において、 1は発光素子、 2はモニタ用フォトダイオード、 2aは受光面、 3はパッケージ、 4はヒートシンク、 5はセラミック、 を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  発光素子(1)と、該発光素子(1)のモニタ用出射
    光をモニタするモニタ用フォトダイオード(2)とを具
    備する半導体発光装置において、前記モニタ用フォトダ
    イオード(2)の受光面(2a)が、前記発光素子(1
    )の前記モニタ用出射光の方向と平行で、且つ前記モニ
    タ用出射光の拡がり角領域内に配設されていることを特
    徴とする半導体発光装置。
JP63022636A 1988-02-01 1988-02-01 半導体発光装置 Pending JPH01196885A (ja)

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JP63022636A JPH01196885A (ja) 1988-02-01 1988-02-01 半導体発光装置

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JP63022636A JPH01196885A (ja) 1988-02-01 1988-02-01 半導体発光装置

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JPH01196885A true JPH01196885A (ja) 1989-08-08

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JP63022636A Pending JPH01196885A (ja) 1988-02-01 1988-02-01 半導体発光装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001345507A (ja) * 2000-06-01 2001-12-14 Rohm Co Ltd 半導体レーザおよび光ピックアップ

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57160189A (en) * 1981-03-30 1982-10-02 Hitachi Ltd Semiconductor luminous device incorporated with photodetector
JPS6184086A (ja) * 1984-09-29 1986-04-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体レ−ザ装置

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