JPH01199341A - 磁性層間の交換総合力が制御されたオーバーライト可能な光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁性層間の交換結合力が制御されたオーバー
ライト可能な光磁気記録媒体に関する。

〔従来の技術〕

最近、高密度、大容量、高いアクセス速度、並びに高い
記録及び再生速度を含めた種々の要求を満足する光学的
記録再生方法、それに使用される記録装置、再生装置及
び記録媒体を開発しようとする努力が成されている。

広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁気記録再生方
法は、情報を使用した後、消去することができ、新たな
情報を記録することができるというユニークな利点のた
めに、最も大きな魅力に満ちている。

この光磁気記録再生方法で使用される記録媒体は、記録
層として１層又は多層の垂直磁化膜（ｐｅｒｐｅｎｄｉ
ｃｕｌａｒ　ｍａｇｎｅｔｉｃ　１ａｙｅｒ　ｏｒ　ｌ
ａｙｅｒｓ）を有する。この磁化膜は、例えばアモルフ
ァスのＧｄＦｅやＧｄＣｏ、　ＧｄＦｅＣｏ、　ＴｂＦ
ｅ、　ＴｂＣｏ、　ＴｂＰｅＣｏなどからなる。記録層
は一般に同心円状又はらせん杖のトラックを成しており
、このトラックの上に情報が記録される。ここで、本明
細書では、膜面に対し「上向き（ｕｐｗａｒｄ）　Ｊ又
は「下向き（ｄｏｗｎＨａｒｄ）　Ｊの何れか一方を、
「Ａ向き」、他方を「逆Ａ向き」と定義する。記録すべ
き情報は、予め２値化されており、この情報が「Ａ向き
」の磁化を有するビット（Ｂ１）と、「逆Ａ向き」の磁
化を有するビット（Ｂ、）の２つの信号で記録される。

これらのビットＢｔ、Ｂ＊は、デジタル信号の１．０の
何れか一方と他方にそれぞれ相当する。しかし、一般に
は記録されるトラしりの磁化は、記録前に強力な外部磁
場を印加することによって「逆Ａ向き」に揃えられる。

この処理は初期化（ｉｎｉｔｉａｌｉｚｅ）と呼ばれる
。その上でトランクに「Ａ向き」の磁化を有するビット
（Ｂ１）を形成する。情報は、このビットＣＢ＋）の有
無及び／又はビット長によって記録される。

旦ユ上星底坐鳳理： ビットの形成に於いては、レーザーの特徴即ち空間的時
間的に素晴らしい凝集性（ｃｏｈｅｒｅｎｃｅ）が有利
に使用され、レーザー光の波長によって決定される回折
限界とほとんど同じ位に小さいスポットにビームが絞り
込まれる。絞り込まれた光はトラック表面に照射され、
記録再生層に直径が１μｍ以下のビットを形成すること
により情報が記録される。光学的記録においては、理論
的に約１０＠ビット／−までの記録密度を達成すること
ができる。何故ならば、レーザビームはその波長とほと
んど同じ位に小さい直径を有するスポットにまで凝縮（
ｃｏｎｃｅｎ　ｔｒａ　ｔｅ）することが出来るからで
ある。

第２図に示すように、光磁気記録においては、レーザー
ビーム（Ｌ）を記録層（１）の上に絞りこみ、それを加
熱する。その間、初期化された向きとは反対の向きの記
録磁界（Ｈｂ）を加熱された部分に外部から印加する。

そうすると局部的に加熱された部分の保磁力Ｈｃ（ｃｏ
ｅｒｓｉｖｉｔｙ）は減少し記録磁界（Ｈｂ）より小さ
くなる。その結果、その部分の磁化は、記録磁界（Ｈｂ
）の向きに並ぶ、こうして逆に磁化されたビットが形成
される。

フェロ磁性材料とフェリ磁性材料では、磁化及びＨｃの
温度依存性が異なる。フェロ磁性材料はキュリー点付近
で減少するＨｃを有し、この現象に基づいて記録が実行
される。従って、Ｔｃ書込み（キュリー点書込み）と引
用される。

他方、フェリ磁性材料°はキュリー点より低い補償温度
（ｃｏＨｃｎｓａｔｉｏｎ　ｔｅ園ｐｅｒａｔｕｒｅ）
を有しており、そこでは磁化（Ｍ）はゼロになる。逆に
この温度付近でＨｃが非常に大きくなり、その温度から
外れるとＨｃが急激に低下する。この低下したＨｃは、
比較的弱い記録磁界（Ｈｂ）によって打ち負かされる。

つまり、記録が可能になる。この記録プロセスはＴ　ｃ
ｌｌ＠＃＋　書込み（補償点書込み）と呼ばれる。

もっとも、キュリー点又はその近辺、及び補償温度の近
辺にこだわる必要はない。要するに、室温より高い所定
の温度に於いて、低下したＨｃを有する磁性材料に対し
、その低下したＨｃを打ち負かせる記録磁界（Ｈｂ　）
を印加すれば、記録は可能である。

再圧９１団し 第３図は、光磁気効果に基づ（情報再生の原理を示す、
光は、光路に垂直な平面上で全ての方向に通常は発散し
ている電磁場ベクトルを有する電磁波である。光が直線
偏光（Ｌ、）に変換され、そして記録層（１）に照射さ
れたとき、光はその表面で反射されるか又は記録層（１
）を透過する。

このとき、偏光面は磁化（Ｍ）の向きに従って回転する
。この回転する現象は、磁気カー（Ｋｅｒｒ）効果又は
磁気ファラデー（Ｆａｒａｄａｙ）効果と呼ばれる。

例えば、もし反射光の偏光面が「Ａ向き」磁化に対して
θに度回転するとすると、「逆Ａ向き」磁化に対しては
一〇に度回転する。従って、光アナライザー（偏光子）
の軸を一θに度傾けた面に垂直にセントしておくと、「
逆Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂ、）から反射された
光はアナライザーを透過することができない、それに対
して「Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂ１）から反射さ
れた光は、（ｓｉｎ２θｋ）富を乗じた分がアナライザ
ーを透過し、ディテクター（光電変換手段）に捕獲され
る。その結果、「Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂ１）
は「逆Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂｏ）よりも明る
（見え、ディテクターに於いて強い電気信号を発生させ
る。このディテクターからの電気信号は、記録された情
報に従って変調されるので、情報が再生されるのである
。

ところで、従来、キュリー点が低くて記録が容品で、し
かも保磁力が高くて保存安定性が高く、その上θｋが大
きくて再生（読み出し）時のＣ／Ｎ比が高い１つの磁性
材料を見い出すことは困難で、そのため必要な機能を分
離して２つの異なる磁性材料を積層した多層光磁気記録
媒体が提案された（特開昭５７−７８６５２号）、この
記録媒体は、垂直磁化可能な低キユリー点を有する高保
磁力層と垂直磁化可能な高キュリー点を有する低保磁力
層との２層膜からなり、該高保磁力層と低保磁力層とは
互いに交換結合しているものである。そのため低キユリ
ー点を有する高保磁力層で情報の記録と保存を行ない、
記録された情報は低保磁力層に転写されるので、高キュ
リー点を有し、かつθにの大きな低保磁力層で情報の読
み出しを行なうのであその後、第１層を記録層、第２層
を記録補助層とし、両層の交換結合力σ。と、キュリー
点、保磁力の違いを利用した光変調だけによるオーバー
ライト可能な多層光磁気記録媒体が発明され、特許出願
された（特開昭６２−１７５９４８号）、以下、この出
願を「先願」と引用する。尚、先願明細書では交換結合
力σ。を界面磁壁エネルギーと称している。

〔先願発明の説明〕

先願発明のオーバーライトは、光だけを変調し、記録磁
界は変調しない。磁界を高速度で変調させることは困難
である。つまり、記録に使用するレーザービームは、記
録すべき情報に従いパルス状に変調される。しかし、こ
のこと自身は、従来の光磁気記録でも行われており、記
録すべき２値化情報に従いビーム強度をパルス状に変調
する手段は既知の手段である。例えば、ＴＩＩＥ　　Ｂ
ＥＬＬＳＹＳＴＥＭ　　　ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ　　　Ｊ
ＯＵＲＮＡＬ、Ｖｏｌ、６２（１９８３）。

１９２３−１９３６に詳しく記載されている。

先願発明のオーバーライトで特徴的なことの１つは、ビ
ーム強度の高レベルと低レベルである。

即ち、ビーム強度が高レベルの時に、記録磁界（Ｈｂ）
により記録補助層（第２層）の「Ａ向き」磁化を「逆Ａ
向き」に反転（ｒｅｖｅｒｓｅ）させ為この第２層の「
逆Ａ向き」磁化によって記録層（第１層）に「逆Ａ向き
」磁化〔又は「Ａ向き」磁化〕を有するビットを形成す
る。ビーム強度が低レベルの時は、記録補助層の「Ａ向
き」磁化によって記録再生層に「Ａ向き」磁化〔又は「
逆Ａ向き」磁化〕を有するビットを形成する。ビームは
「近接した２本のビーム」とし、先行ビームを低レベル
で点灯して原則として変調せず、それにより常に逆Ａ向
き〔又はＡ向き」〕のビピッを形成し、□つまり、これ
で前の情報が消去される一□次いで、後行ビームを高レ
ベルと前記低しベルと同等又はそれよりも低い基底レベ
ル（ゼロレベルを含む）との間で情報に従いパルス変調
することにより、高レベルのときにのみＡ向き（又は逆
Ａ向き」〕のビピッを形成し、これにより記録すること
をしてもよい。

ビーム強度 情報イき号の例　　　１１１００１１１１０００いずれ
にせよ、必要な高レベルと低レベルと場合により基底レ
ベルが与えられれば、前述の文献等に記載された変調手
段を部分的に修正するだけで、ビーム強度を上記の如（
変調することは、当業者にとって容易である。

尚、ここでは、「Ａ向き」は、磁性層に対して上向き又
は下向きの何れか一方を意味し、他方は「逆Ａ向き」と
称される。

また、ここでは、　　　　　はΔΔΔ　という表現は、
先に〔〕の外のＯＯＯを読んだときには、以下の　　　
　　はΔΔΔ〕のときにも、〔〕の外のＯＯＯを読むこ
とにする。それに対して先に０００を読まずに〔〕内の
Δ△Δの方を選択して読んだときには、以下のΩΩΩＡ
又墓△ΔΔ〕のときにも０００を読まずに〔〕内のΔΔ
Δを読むものとする。

このようにオーバーライト可能な媒体は、垂直磁気異方
性を有する少な（とも２層の磁性層からなり、第１層が
記録層で第２層が記録補助層からなる。

媒体は、第１実施ａ様と第２実施態様とに大別される。

いずれの実施態様においても、記録媒体は、要員構造を
有し、この構造は次のように分けられる。

第１層は、室温で保磁力が高く磁化反転温度が低い記録
再生層である。第２層は第１層に比べ相対的に室温で保
磁力が低（磁化反転温度が高い記録補助層である。いず
れも垂直磁化膜からなる。

なお、第１層と第２層ともに、それ自体糸ＮＢから構成
されていてもよい。

第１実施態様では、第１層の保磁力をＨＣい第２層のそ
れを）Ｉｃｔ、第１層のキュリー点をＴ、い第２層のそ
れをＴｅａ、室温をＴ１、低レベルのレーザービームを
照射した時の記録媒体の温度をＴＬ％高レベルのレーザ
ービームを照射した時のそれをＴＨ１第１層が受ける結
合磁界をＨｏ、第２層が受ける結合磁界をＨ□とした場
合、記録媒体は、下記の式ｌを満足し、そして室温で式
２〜５を満足する。

Ｔ１１　　〈Ｔｃｒ４Ｔｔ　　＜　ＴＣ！４７Ｍ　　−
・・−・＝−−−−−−−式ｌＨｃ＋　＞　Ｈｃ＊＋　
ｌ　Ｈｏｔ　＋　Ｈｏｗｌ・−・・・・・・−・−・−
・−・・・式２Ｈｃ＋＞Ｈ□　・−・−・−・・−・・
・・−・・・・−・・・・・・・・−・・−・・−・−
−−−−・−・・・・・式３Ｈｃｔ＞Ｈ□・・−・−・
・・−・・・−・−・−・・・−・−・−・・曲曲聞・
−曲面式４Ｈｃｓ＋Ｈ＊ｔ＜　Ｈｉｎｉ、　ｌ　＜　Ｈ
ｃ＋　＋−Ｈ＋ｕ−”曲成５上記式中、符号「〜」は、
等しいか又はほぼ等しいことを表す、また上記式中、複
合士、壬については、上段が後述するＡ　（ａｎｔｉｐ
ａｒａｌｌｅｌ）タイプの媒体の場合であり、下段は後
述するＰ（ｐａｒａｌｌｅｌ）タイプの媒体の場合であ
る。なお、フェロ磁性体媒体はＰタイプに属する。

つまり、保磁力と温度との関係をグラフで表すと、次の
如くなる。細線は第１層のそれを、太線は第２層のそれ
を表す。

ＴＬ　　　　　　　ＴＭ 従って、この記録媒体に室温で初期補助磁界（旧ｎｉ、
）を、印加すると、式５によれば、第１層の磁化の向き
は反転せずに第２層の磁化のみが反転する。そこで、記
録前に媒体に初期補助磁界（Ｈｉｎｉ、）を印加すると
、第２層のみを「Ａ向き」□ここでは「Ａ向き」を便宜
的に本明細書紙面において上向きの矢？で示し、「逆Ａ
向き」を下向きの欠番で示す□に磁化させることができ
る。そして、旧ｎ１．がゼロになっても、式４により、
第２層の磁化官は再反転せずにそのまま保持される。

初期補助磁界（旧ｎｉ、）により第２層のみが、記録直
前まで「Ａ向きｊ電に磁化されている状態を概念的に表
すと、次のようになる。

ここで、第璽層における磁化の向き１は、それまでに記
録されていた情報を表わす、以下の説明においては、向
きに関係がないので、以下Ｘで示す、そして、上記の表
を簡単のために、次のように表す。

ここにおいて、高レベルのレーザービームを照射して媒
体温度をＴ、に上昇させる。すると、Ｔ、Ｉはキュリー
点ＴＣＩより高温度なので第１層の磁化は消失してしま
う、更にＴ、はキュリー点Ｔｃ８付近なので第２層の磁
化も全く又はほぼ消失する。ここで、媒体の種類に応じ
て「Ａ向き」又は「逆Ａ向き」の記録磁界（Ｈｂ）を印
加する。記録磁界（Ｈｂ）は、媒体自身からの浮遊磁界
でもよい。

説明を簡単にするために「逆Ａ向き」の記録磁界（Ｈｂ
）を印加したとする。媒体は移動しているので、照射さ
れた部分は、レーザービームから直ぐに遠ざかり、空気
で冷却される。Ｈｂの存在下で、媒体の温度が低下する
と、第２層の磁化は、Ｈｂに従い、反転されて「逆Ａ向
き」の磁化となる（状態２Ｎ）。

そして、さらに放冷が進み、媒体温度がＴｃｌより少し
下がると、再び第１層の磁化が現れる。その場合、磁気
的結合（交換結合）力のために、第１層の磁化の向きは
、第２層の磁化の向きの影響を受ける。その結果、媒体
に応じて８　（Ｐタイプの媒体の場合）又は９　（Ａタ
イプの媒体の場合）が生じる。

この高レベルのレーザービームによる状態の変化をここ
では高温サイクルと呼ぶことにする。

次に、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
Ｔ、に上昇させる。ＴＬはキエリー点’ｒｃ＋付近なの
で第１層の磁化は全く又はほぼ消失してしまうが、キュ
リー点ＴＣＩよりは低温であるので第２層の磁化は消失
しない。

ここでは、記録磁界（Ｈｂ）は、不要であるが、高速度
（短時間）でＨｂをＯＮ、ＯＦＦすることは不可能であ
る。従うで、止むを得ず高温サイクルのときのままにな
っている。

しかし、Ｈｃｍはまだ大きいままなので、Ｈｂによって
第２層の磁化が反転することはない、媒体は移動してい
るので、照射された部分は、レーザービームから直ぐに
遠ざかり、空気で冷却される。冷却が進むと、再び第１
層の磁化が現れる。

現れる磁化の向きは、磁気的結合力のために第２層の磁
化の向きの影響を受ける。その結果、媒体によって？　
（Ｐタイプの場合）又は８　（Ａタイプの場合）の磁化
が出現する。この磁化は室温でも変わらない。

この低レベルのレーザービームによる状態の変化をここ
では低温サイクルと呼ぶことにする。

以上、説明したように、第１層の磁化の向きがどうであ
れ、高温サイクルと低温サイクルとによって、互いに反
対向きの磁化官又は８を有するビットが形成される。つ
まり、レーザービームを情報に従い高レベル（高温サイ
クル）と低レベル（低温サイクル）との間でパルス状に
変調することによりオーバーライトが可能となる。

Ｐイ　のム Ａ　イブ　の　ム なお、記録媒体は一般にディスク状であり、記録時、媒
体は回転される。そのため、記録された部分（ビット）
は、１回転する間に再び旧ｎｉ、の作用を受け、その結
果、第２層の磁化は元の「Ａ向き」電に揃えられる。し
かし、室温では、第２層の磁化の影響が第１層に及ぶこ
とはなく、そのため記録された情報は保持される。

そこで、第１層に直線偏光を照射すれば、その反射光に
は情報が含まれているので、従来の光磁気記録媒体と同
様に情報が再生される。

このような第１層及び第２層を構成する垂直磁化膜は、
■補償温度を有せずキュリー点を有するフェロ磁性体及
びフェリ磁性体、並びに■補償温度、キュリー点の双方
を有するフェリ磁性体の非晶質或いは結晶質からなる群
から選択される。

以上の説明は、キュリー点を利用した第１実施態様の説
明である。それに対して第２実施態様は室温より高い所
定の温度に於いて低下したＨｃをを利用するものである
。第２実施態様は、第１実施態様に於けるＴｃｌの代わ
りに第１層が第２層に磁気結合される温度Ｔ□を使用し
、Ｔｃ、の代わりに第２ＮがＨｂで反転する温度Ｔｓｔ
を使用すれば、第１実施態様と同様に説明される。

第２実施Ｊｌｄｌでは、第１層の保磁力を）Ｉｃ＋、第
２層のそれをＨｏ、第１層が第２層に磁気的に結合され
る温度をＴ□とし、第２層の磁化がＨｂで反転する温度
をＴＩ、室温をＴＩ、低レベルのレーザービームを照射
した時の媒体の温度をＴＬ、高レベルのレーザービーム
を照射した時のそれをＴＩ、第１層が受ける結合磁界を
Ｈａ＋、第２層が受ける結合磁界をＨｌｌｌとした場合
、記録媒体は、下記式６を満足し、かつ室温で式７〜１
０を満足するものである。

Ｔ　＊　＜　Ｔ　＊　＋　ｗ；　Ｔ　Ｌ　＜　Ｔ　６４
　Ｔ　Ｎ　−−−−−−−−−−式６Ｈｃ＋　＞　Ｈｃ
ｍ　＋　ｌ　Ｈａｔ　’ｉ”　Ｈｃｘ　ｌ　＝−・−・
＝−−−−−＝式７Ｈｃ＋　＞　Ｈｓ＋　　・・・−・
・・・・−・・・・・・・・・・・・・・・・−・・・
・−・・−・−・・・・・・−・・・・−式８ＨＣ！＞
ＨＤ！−・−・−・・・・−・−・・−・・−・・・・
−・・・・−・・−・・−・−・・−・・−・・・−式
９１（ｃｚ＋）（ａｔ＜　ｌ旧ｎｉ、　ｌ　＜Ｈｃｔ±
Ｈ１１１’−””式１０上記式中、複合上、；について
は、上段が後述するＡ　（ａｎｔｉｐａｒａｌｌｅｌ）
タイプの媒体の場合であり、下段は後述するＰ　（ｐａ
ｒａｌｌｅｌ）タイプの媒体の場合である。

第１、第２実施態様ともに、第１層、第２層の双方が遷
移金属（例えばＦｅ、Ｃｏ）−重希土類金属（例えばＧ
ｄ＋　Ｔｂ、Ｄｙその他）合金組成から選択された非晶
質フェリ磁性体である記録媒体が好ましい。

第１層と第２層の双方とも、遷移金属 （ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ　　ｍｅｔａｌ）　−重希土類
金属（ｈｅａｖｙｒａｒｅ　　ｅａｒｔｈ　　ｍｅｔａ
ｌ）合金組成から選択された場合には、各合金としての
外部に現れる磁化の向き及び大きさは、合金内部の遷移
金属原子（以下、ＴＭと略す）のスピン（ｓｐｉｎ）の
向き及び大きさと重希土類金属原子（以下、ＲＥと略す
）のスピンの向き及び大きさとの関係で決まる０例えば
ＴＭのスピンの向き及び大きさを点線のベクトル↑で表
わし、ＲＥのスピンのそれを実線のベクトル↑で表し、
合金全体の磁化の向き及び大きさを二重実線のベクトル
？で表す、このとき、ベクトル官はベクトル↑とベクト
ル↑との和として表わされる。ただし、合金の中では７
ＭスピンとＲＥスピンとの相互作用のためにベクトル↑
とベクトル↑とは、向きが必ず逆になっている。従って
、己と↑との和或いは↓と↑との和は、両者の強度が等
しいとき、合金のベクトルはゼロ（つまり、外部に現れ
る磁化の大きさはゼロ）になる、このゼロになるときの
合金組成は補償組成（ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎｃｏｍ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ　）と呼ばれる。それ以外の組成のと
きには、合金は両スピンの強度差に等しい強度を有し、
いずれか大きい方のベクトルの向きに等しい向きを有す
るベクトル（官又は８）を有するこめベクトルの磁化が
外部に現れる０例えば↑↓は電となり、↑↓は８となる
。

ある合金組成の７ＭスピンとＲＥスピンの各ベクトルの
強度が、どちらか一方が大きいとき、その合金組成は、
強度の大きい方のスピン名をとってＯＯリッチ例えばＲ
Ｅリンチであると呼ばれる。

第１層と第２層の両方について、７Ｍリッチな組成とＲ
Ｅリッチな組成とに分けられる。従って、縦軸座標に第
１Ｎの組成を横軸座標に第２Ｎの組成をとると、媒体全
体としては、種類を次の４象限に分類することができる
。先に述べたＰタイプはＩ象限と■象限に属するもので
あり、Ａタイプは■象限と■象限に属するものである。

ＲＥリッチ（第１７１） ７Ｍリッチ（第１層） 〔縦横座標の交点は、両層の補償組成を表す。〕一方、
温度変化に対する保磁力の変化を見ると、キュリー点く
保磁力ゼロの温度）に達する前に保磁力が一旦無限大に
増加してまた降下すると言う特性を持つ合金組成がある
。この無限大のときに相当する温度は補償温度（Ｔｃ、
、、、　）と呼ばれる。

補償温度は、７Ｍリッチの合金組成においては、室温か
らキュリー点の間には存在しない。室温より下にある補
償温度は、光磁気記録においては無意味であるので、こ
の明細書で補償温度とは室温からキュリー点の間に存在
するものを言うことにする。

第１層と第２層の補償温度の有無について分類すると、
媒体は４つのタイプに分類される。第１象限の媒体は、
４つ全部のタイプが含まれる。４つのタイプについて、
「保磁力と温度との関係を表すグラフ」を書（と、次の
通りになる。なお、細線は第１層のそれであり、太線は
第２層のそれである。

夕Ａ；乙１ 保磁力 保磁力 、Ｌ不グ」− 保磁力 保磁力 ここで、第１層と第２層の両方についてＲＥリッチかＴ
Ｍす７チかで分け、かつ補償温度を持つか持たないかで
分けると、記録媒体は次の９クラスに分類される。

第１表 第１表（続き） ここで第１表に示したクラス１の記録媒体（Ｐタイプ・
■象限・タイプｌ）に属する特定の媒体Ｎｌｌを例にと
り、オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体−１は、次式ｌｌ： Ｔ＠＜　Ｔ　ｃ＋ｅｓ＊、　Ｉ＜　Ｔｃ＋　＃ＴＬ　＃
　Ｔｃｏａｐ、　ｚ　＜　Ｔ　ｃｔ部Ｔ。

の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。なお、細線は第１層のグラフを示し、太線は第２
層のグラフを示す。

Ｔ８゜＠Ｉｎ　ｌ　Ｔ　ｔ２９．２ 室温Ｔ３で第１層の磁化が初期補助磁界旧ｎｉ。

により反転せずに第２層のみが反転する条件は、式１２
である。この媒体１１ｍ１は式１２を満足する。

式１２： ％式％ 但し、ＭＣＩ：第１層の保磁力 １（ｃｔ：第２層の保磁力 Ｍ３．：第１層の飽和磁気モーメント （ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ　　ｍａｇｎｅｔｉｚａｔｉｏ
ｎ）Ｍｏ：第２層の飽和磁気モーメント ｔ、：第１１１の膜厚 １、＋第２層の膜厚 σ１；界面磁壁エネルギー（交換結合力）（ｉｎｔｅｒ
ｆａｃｅ　　ｗａｌｌ　　ｅｎｅｒｇｙ）このとき、Ｒ
ｉａｌ、の条件式は、式１５で示される。

旧ｎ１．が無くなると、反転した第２層の磁化は交換結
合力により第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２
層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式１３〜
１４で示される。この媒体嵐璽は弐１３〜１４を満足す
る。

σ− ’ｌ　Ｍ、、　ｔ　。

σ− 式１４：　　Ｈｃ怠〉□ ２　Ｍ■ｔ　を 式１５： ％式％ 室温で式１２〜１４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式１５の条件を満足するＨ
ｉｎｉ、により例えば「Ａ向きＪＴ（↑↓）に揃えられ
る。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状態ｌ
）。

この状態ｌは記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Ｈｂ　）は↑の向きに印加される。

□高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、ＴＬは第１層のキュリー点Ｔｃ
Ｉにほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２．）
。

さらに照射を続けると、媒体の温度は更に上昇する。媒
体の温度が第２層のＴ　ｅ　Ｏ＠　ｅ　Ｈ１より少し高
い温度になったとき、ＲＥ％ＴＭの各スピンの方向は変
わらないが、強度の大小関係が逆転する（↑↓−↑↓）
、そのため、第２層の磁化が反転し、「逆Ａ向き」番の
磁化になる（状態３Ｈ）。

しかし、この温度では）ｆｃｔがまだ大きいので、↑Ｈ
ｂによって第２層の磁化が反転されることはない、さら
に温度が上昇し、ＴＨになると、第２層の温度はほぼキ
ュリー点Ｔ’ｃｔとなり、その磁化も消失する（状５４
１１　＞　。

この状ａ４ＩＩにおいてレーザービームのスポット領域
から外れると、媒体の温度は低下を始める。

媒体の温度がＴｏより少し下がると、第２１１に磁化が
生じる。この場合、↑Ｈｂによって？（↓゛）の磁化が
生じる（状Ｌｉ５．Ｉ）、Ｌかし、温度はまだＴｃｌよ
り高いので第１層には磁化は現れない。

そして、媒体の温度が更に下がり、ＴＣ６ｍ、、１以下
になると、ＲＥ、ＴＭの各スピンの方向は変わらないが
、強度の大小関係が逆転する（、↑−↓↑）。

その結果、合金全体の磁化は反転し、？から「逆Ａ向き
」８になる（状態６Ｎ）。

この状ａ　６　ＩＩでは媒体の温度はＴ、１より高いの
で第１層の磁化はまだ消失したままである。また、その
温度でのＨｃ！は大きいので第２層の磁化６は、↑Ｈｂ
で反転することはない。

そして、更に温度が低下してＴＣＩより少し下がると、
第１層に磁化が出現する。そのとき第２層からの交換結
合力がＲＥスピン同士（↓）、ＴＭスピン同士（↑）を
揃えるように働く、そして、第１層の温度はＴ　ｅ　６
　＠　ｅ　、７以上なので７Ｍスピンの方が大きく、そ
のため第１層には、↑つまり嘗の磁化が出現する。この
状態が状態７Ｎである。

媒体の温度がこの状ＭＬのときの温度から更に低下して
、Ｔ　ｅａｍｐ、　＋以下になると、第１ＮのＲＥスピ
ンと７Ｍスピンの強度の大小関係の逆転が起こる（　↓
↑→↓↑　）、その結果、８の磁化が出現する（状態８
Ｎ）。

そして、やがて媒体の温度は状態８Ｈのときの温度から
室温まで低下する。室温でのＩ（ｃ＋は十分に大きいの
で第１層の磁化は↑Ｈｂによって反転されることなく、
状ＭＬが保持される。こうして、「逆Ａ向き」のビット
形成が完了する。

□低温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、ＴＬは第１層のキュリ
ー点Ｔ’ｃ＋にほぼ等しいので、その磁化は消失する（
状＆２Ｌ）＠ この状態２Ｌに於いてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴＣＩより少し下がると、第２層のＲＥ。

７Ｍスピン（↑−）の影響が交換結合力により第１層の
各スピンに及ぶ、つまり、ＲＥスピン同士（↑）　、Ｔ
Ｍスピン同士（４＞を揃える力が働（。

その結果、第１層には、↑↓即ち８の磁化が記録磁界↑
Ｉ（ｂに打ち勝って出現する（状１３ｔ　＞　、この状
態の温度はＴ　ＣＯ＠　＋＋＋　１以上なので７Ｍスピ
ンの方が大きい。

媒体温度が更にＴｃｏａｅ、を以下に冷えると高温サイ
クルと同様に第１層のＲＥスピンと７Ｍスピンとの大小
関係が逆転する（　↑↓−↑↓　）。その結果、第１層
の磁化は市となる（状Ｂ　４　Ｌ　）。

この状態４Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「Ａ向き」↑のビット形成が完了する。

次に第１表に示したクラス２の記録媒体（Ｐタイプ・夏
象限・タイプ２）に属する特定の媒体部２を例にとり、
オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体１１ｈ２は、次式１６： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如（
なる。

ＴＬ　　Ｔｃａｓｅ、　ｔ　　７ｗ 室温Ｔｌ１ｌで第１層の磁化が初期補助磁界旧ｎｉ。

により反転せずに第２層の磁化のみが反転する条件は、
式１７である。この媒体Ｎａ２は式１７を満足する。　
式１７： ％式％ ただし、Ｈｃｌ：第１層の保磁力 ＨＣ８Ｆ第２層の保磁力 Ｍｌ、：第１層の飽和磁気モーメント Ｍｏ：第２層の飽和磁気モーメント ｔ１　：第１層の膜厚 ｔ８：第２層の膜厚 σ、：界面磁壁エネルギー このとき、旧ｎｉ、の条件式は、式２０で示される。

Ｍｉｎ＋、が無くなると、反転した第２層の磁化は交換
結合力により第１層の磁化の影響を受ける。それでも第
２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式１８
〜１９で示される。この媒体１１ｈ２は式１８〜１９を
満足する。

式１８：　　　　Ｈｃｌ＞□ ２Ｍｓ＋ｔ＋ σ− 式１９：　　　　Ｈｃｍ　＞□ ２Ｍｓ富を富 式２０： ％式％ 室温で式１７〜１９の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式２０の条件を満足するＨ
ｉｎｉ、により例えば「Ａ向き」官（↑↓）に揃えられ
る。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状態ｌ
）。

この状態１は記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Ｈｂ　”）は↑の向きに印加される。

□高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、ＴＬは第１層のキュリー点Ｔｃ
Ｉにほぼ等しいので、その磁化は消失する（状１１ｉｉ
２Ｍ）− さらに照射を続けると、媒体の温度は更に上昇する。媒
体の温度が第２ＮのＴｃｏｓｐ＋！より少し高い温度に
なったとき、ＲＥＳＴＭの各スピンの方向は変わらない
が、強度の大小関係が逆転する（↑↓−↑↓）、そのた
め、合金全体の磁化が反転し、「逆Ａ向き」８の磁化に
なる（状態３Ｎ）。

しかし、この温度ではＨｃ露がまだ大きいので、↑Ｈｂ
によって第２層の磁化が反転されることはない、さらに
温度が上昇し、ＴＭになると、第２層の温度はほぼキュ
リー点ＴＣｔとなり、その磁化は消失する（状態４゜）
。

この状態４層においてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下を始める。

媒体の温度がＴｏより少し下がると、第２層に磁化が生
じる。この場合、↑Ｈｂによって電（↓↑）の磁化が生
じる。しかし、温度はまだＴｃｌより高いので第１層に
は磁化は現れない、この状態が状態５．ｌである。

そして、媒体の温度が更に下がり、Ｔ、。１．、！以下
になると、ＲＥＳＴＭの各スピンの方向は変わらないが
、強度の大小関係が逆転する（、７−↓↑）。

その結果、合金全体の磁化は反転して電から「逆Ａ向き
」６になる（状態６エ）。

この状態Ｃ＋＋では媒体の温度はＴＣＩより高いので第
１層の磁化はまだ消失したままである。また、その温度
での）Ｉｃ１は大きいので第２層の磁化が↑Ｈｂで反転
することはない。

そして、更に温度が低下してＴ’ｃ＋より少し下がると
、第１層に磁化が出現する。そのとき第２Ｎからの交換
結合力がＲＥスピン同士（↓）、ＴＭスピン同士（↑）
を揃えるように働く、そのため第１層には↓↑つまり８
の磁化が出現する。この状態が状態？＃＋である。

そして、やがて媒体の温度は状態７エのときの温度から
室温まで低下する。室温でのＨ（１は十分に大きいので
第１層の磁化は↑Ｈｂによって反転されることなく、状
態７エが保持される。こうして、「逆Ａ向き」のビット
形成が完了する。

□低温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、Ｔ、は第１層のキュリ
ー点Ｔｅｌにほぼ等しいので、その磁化は消失する（状
Ｊｌｉ２Ｌ）− この状Ｊ［Ｌに於いてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴ’ｃｔより少し下がると、第２ＦＪのＲＥ
。

７Ｍスピン（↑↓）の影響が交換結合力により第１層の
各スピンに及ぶ、つまり、ＲＥスピン同士（↑）　、Ｔ
Ｍスピン同士り）を揃える力が働く。

その結果、第１層には、↑↓即ちｔの磁化が出現する（
状Ｂ３ｔ）− この状Ｍ３Ｌは媒体温度が更に低下しても変化がない、
その結果、第１層には、「Ａ向き」のビットが形成され
る。

次に第１表に示したクラス３の記録媒体（Ｐタイプ・■
象限・タイプ３）に属する特定の媒体１１ｈ３を例にと
り、オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体−３は、次式２１： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

ＴＣｌｌｌｌｌｌ、ｌＴＬ　　　　　　　ＴＮ室温Ｔ、
で第１層の磁化が初期補助磁界旧ｎｉ。

により反転せずに第２層のみが反転する条件は、式２２
である。この媒体嵩３は式２２を満足する。

式２２： ％式％ ただし、Ｈｃ＋　：第１層の保磁力 ＨＨ：第２層の保磁力 Ｍ＊＋：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ、、＋第２層の飽和磁気モーメント ｔ１　：第１層の膜厚 を富　：第２層の膜厚 σｗ：界面磁壁エネルギー このとき、Ｈｉｎｔ、の条件式は、式２５で示される。

旧ｎｉ、が無（なると、反転した第２層の磁化は交換結
合力により第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２
層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式２３〜
２４で示される。この媒体−３は式２３〜２４を満足す
る。

式２３：　　Ｈ，、＞　− ２Ｍ□ｔ１ 式２４：　　　ＨＣＩ＞　− ２Ｍ３怠を冨 式２５： ％式％ 室温で式２２〜２４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式２５の条件を満足する旧
ｎｉ、により例えば「Ａ向きＪ　Ｉｉ　（Ｔ、）に揃え
られる。このとき、第１層は記録状態のままて残る（状
態１）。

この状Ｍｌは記録直前まで保持される。ここでは、記ｔ
！磁界（Ｈｂ　）は↓の向きに印加される。

□高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、ＴＬは第１層のキュリー点Ｔ’
ｃ＋にほぼ等しいので、その゛磁化は消失する（状１ｍ
２ｍ）− さらにビームの照射が続き、媒体の温度がＴ、Ｉとなる
と、Ｔ、は第２層のＴｅｌにほぼ等しいので、その磁化
も消失する（状Ｌｉ５Ｎ）。

この状態３．においてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体の温度がＴｃ、より少し下がると、第２層に磁化が
生じる。この場合、↓Ｈｂによって８（↓↑）の磁化が
生じる。しかし、温度はまだＴＣＩより高いので第１層
には磁化は現れない、この状態が状８４　Ｎである。

更に、媒体温度が低下してＴｃｌより少し下がると、第
１層にも磁化が出現する。この場合、第２層の磁化が交
換結合力により第１層に及ぶ、その結果、ＲＥスピン同
士（↓）、ＴＭスピン同士（↑）を揃える力が働く、こ
の場合、媒体温度はまだＴｅ（１ＳＰ＋１以上にあるの
で、７Ｍスピンの方がＲＥスピンより大きくなる（、ｉ
）、その結果、第２層には官の磁化が出現する（状態５
Ｍ）。

この状態５Ｈの温度から、媒体温度が更に低下してＴ　
ｃｏｓｔ、＋以下になると、第１層の７ＭスピンとＲＥ
スピンの強度の大小関係が逆転する（、↑−↓↑）、そ
のため、第１層の磁化が反転し、「逆Ａ向き」８の磁化
になる（状Ｍ　６　Ｎ　）。

そして、やがて媒体の温度は状Ｌｉ６．Ｉのときの温度
から室温まで低下する。室温でのＨＣＩは十分に大きい
ので第１層の磁化は、安定に保持される。

こうして、「逆Ａ向き」のビット形成が完了する。

□低温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、ＴＬは第１層のキュリ
ー点Ｔｅｌにほぼ等しいので、その磁化は消失する。し
かし、この温度ではまだ第２層のＨｃ！は大きいので、
その磁化は↓Ｈｂによって反転されることはない（状態
２Ｌ）。

この状ｊｉｉ２　ｔにおいてレーザービームのスポット
領域から外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴＣＩより少し下がると、第２層のＲＥ。

７Ｍスピン＜　Ｔ＝　＞の影響が交換結合力により第１
層の各スピンに及ぶ、つまりＲＥスピン同士（↑）　、
ＴＭスピン同士（↓）を揃える力が働く。

その結果、第１層には、↑↓即ち６の磁化が出現する。

この場合、温度はＴ　ｅｌｌ＠１．１以上なので７Ｍス
ピンの方が大きくなる（状態３Ｌ）。

媒体温度が更にＴ　Ｃ６＠　ｐ＋　＋以下に冷えると高
温サイクルと同様に第１層のＲＥスピンと７Ｍスピンと
の大小関係が逆転する（　↑↓−↑↓　）、その結果、
第１層の磁化は↓Ｈｂに打ち勝ってｔとなる（状態４．
）。

この状７Ｌｉ　４　ｔは媒体温度が室温まで下がっても
保持される。その結果、「Ａ向き」ｔのビット形成が完
了する。

次に第１表に示したクラス４の記録媒体（Ｐタイプ・■
象限・タイプ４）に属する特定の媒体Ｎａ４を例にとり
、オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体部４は、次式２６： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

Ｔ　Ｌ　　　　　　Ｔ　Ｎ 室温Ｔ、で第１層の磁化が初期補助磁界旧ｎｉ。

により反転せずに第２層のみが反転する条件は、式２７
である。この媒体−４は式２７を満足する。

式２７： ％式％ ただし、Ｈｃｌ：第１層の保磁力 Ｈｃｍ：第２層の保磁力 Ｍ、、：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ■：第２層の飽和磁気モーメント １、＋第１層の膜厚 ｔ８　：第２Ｊｉの膜厚 σｗ：界面磁壁エネルギー このとき、１ｌｉｎｉ、の条件式は、式３０で示される
。

Ｈｉｎｉ、が無くなると、反転した第２層の磁化は交換
結合力により第１層の磁化の影響を受ける。それでも第
２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式２８
〜２９で示される。この媒体磁４は式２８〜２９を満足
する。

σ− 式２１１　　Ｈｃｌ＞□ ２Ｍ１ｔ＋ 式２９：　　Ｈｃｘ＞□ ２Ｍｓｇｊ諺 式３０： ％式％ 室温で式２７〜２９の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式３０の条件を満足する旧
ｎｉ、により例えば「Ａ向き」電（↑↓）に揃えられる
。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状態ｌ）
。

この状！ａ１は記録直前まで保持される。ここでは記録
磁界（Ｗｂ　）は↓の向きに印加される。

□高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、ＴＬは第１層のキュリー点Ｔｃ
ｔにほぼ等しいので、その磁化は消失する（状Ｊｌｉ２
ｍ）− ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しＴ、ｌに
なると、第２層の温度Ｔ、ｌはキュリー点Ｔｃｆｆ１に
ほぼ等しいので、その磁化も消失する。これが状ａ３．
Ｉである。

この状態３ＩＩにおいてレーザービームのスポット領域
から外れると、媒体の温度は低下を始める。

媒体の温度がＴｃ雰より少し下がると、第２層の磁化が
出現する。この場合、↓Ｈｂのために８（↓↑）の磁化
が出現する。しかし、温度はＴＣＩより高いので第１層
には磁化が現れない、この状態が状態４Ｎである。

そして、媒体温度が更に下がり、ＴＣＩより少し下がる
と、第１層に磁化が出現する。そのとき第２層からの交
換結合力がＲＥスピン同士（↓）、ＴＭスピン同士（↑
）を揃えるように働く、そのため第璽層には↓↑つまり
８の磁化が出現する。この状態が状態５Ｈである。

そして、やがて媒体の温度は状態５．のときの温度から
室温まで低下する。室温でのＨｃｌは十分に大きいので
第１層の磁化は安定に保持される。

こうして、「逆Ａ向き」のビット形成が完了する。

□低温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、Ｔ、は第１層のキュリ
ー点Ｔｅｌを越えているので、その磁化は消失する。こ
の状態では、Ｈｏはまだ十分に大きいので、第２層の磁
化型は↓Ｈｂで反転することはない、この状態が状態２
Ｌである。

この状態２Ｌにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴｃＩより少し下がると、第２層のＲＥ。

７Ｍスピン（↑↓）の影響が交換結合力により第１層の
各スピンに及ぶ、つまり交換結合力はＲＥスピン同士（
↑）　、ＴＭスピン同士（↓）を揃えるように働（、そ
の結果、第１層には、↑↓即ち古の磁化が↓Ｈｂに打ち
勝って出現する。この状態が状１１ｉ：ＪＬである。

この状態３Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「Ａ向き」電のビット形成が完了する。

次に第１表に示したクラス５の記録媒体ｃＡタイプ・■
象限・タイプ３）に属する特定の媒体−５を例にとり、
オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体Ｎａ５は次式３１： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

Ｔ　＠＠ｗａ−・ＩＴＬ　　　　　ＴＩＩ室温Ｔｌｌで
第１層の磁化が初期補助磁界旧ｎｉ。

により反転せずに第２層のみが反転する条件は、式３２
である。この媒体ｈ５は式３２を満足する。

式３２： ただし、Ｈｃ＋＋第１層の保磁力 Ｈ■：第２層の保磁力 ＭＢ２：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ、を第２層の飽和磁気モーメント ｔ、：第１層の膜厚 ｔ８　：第２層の膜厚 σｗ：界面磁壁エネルギー このとき、Ｈｌｎｉ、の条件式は、式３５で示される。

旧ｎｉ、が無くなると、反転した第２層の磁化は交換結
合力により第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２
層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式３３〜
３４で示される。この媒体−５は式３３〜３４を満足す
る。

σ− ２Ｍ、、　ｔ　。

σ曽 式３４：　　　Ｈｃｚ＞□ Ｍｓｍｔｔ 式３５： ％式％ 室温で式３２〜３４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式３５の条件を満足するＨ
ｉｎｉ、により例えば「Ａ向き」？（、↑）に揃えられ
る。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状Ｊｌ
ｉｔ）　。

この状ｆｌｌは記録直前まで保持される。ここでは、記
録磁界（Ｈｂ　）は↓の向きに印加される。

□高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、ＴＬは第１層のキュリー点Ｔ’
ｃ＋にほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２Ｈ
）。

さらにビームの照射が続くと、媒体の温度がＴＭとなる
と、Ｔ、ＩはＴ’ｃｔにほぼ等しいので、第２層の磁化
も消失する（状態３Ｈ）。

この状Ｌｓ＊においてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体の温度がＴＣＩより少し下がると、第２層の磁化が
出現する。この場合、↓Ｈｂのために８（↑↓）の磁化
が出現する。しかし、温度はＴＣＩより高いので第１層
には磁化が現れない、この状態が状態４つである。

更に、媒体温度が低下してＴＣＩより少し下がると、第
１層にも磁化が出現する。この場合、第２層の磁化が交
換結合力により層１に及ぶ、その結果、ＲＥスピン同士
（↑）　、ＴＭスピン同士（↓）を揃える力が働（、こ
の場合、媒体温度はまだＴ。２、、１以上にあるので、
７Ｍスピンの方がＲＥスピンより大きくなる（↑↓）、
その結果、第２層には息の磁化が出現する（状１ｈｉ５
．）−この状態５　Ｎの温度から、媒体温度が更に低下
してＴｃｏａｔ１以下になると、第１Ｎの７Ｍスピンと
ＲＥスピンの強度の大小関係が逆転する（↑↓−↑、）
、そのため、第盲層の磁化が反転し、「Ａ向き」？の磁
化になる（状態６Ｎ）。

そして、やがて媒体の温度は状ＪＬｉ　６　Ｍのときの
温度から室温まで低下する。室温でのＨｃ＋は十分に大
きいので第１層の磁化は安定に保持される。

こうして、「Ａ向き」のビット形成が完了する。

□低温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、ＴＬは第１層のキュリ
ー点Ｔｅｌにほぼ等しいので、その磁化は消失する。し
かし、この温度ではまだ第２層のＨｃｌは大きいので、
第２層の磁化は↓Ｈｂによって反転されることはない（
状態２Ｌ）。

この状態２．でビームの照射が終了すると、媒体温度は
降下し始める。媒体温度がＴＣＩより少し下がると、第
２層のＲＥ、７Ｍスピン（↓↑）の影響が交換結合力に
より第１層の各スピンに及ぶ。

つまりＲＥスピン同士（↓）　、ＴＭスピン同士（↑）
を揃える力が働く、その結果、第１ＦＪには、↓↑即ち
電の磁化が↓Ｈｂに打ち勝って出現する。

この場合、温度はＴ　ＣＩｎ　＠　ｅ＋　＋以上なので
７Ｍスピンの方が大きくなる（状態３Ｌ）。

媒体温度が更にＴＣａＩ６＄＋ｊ以下に冷えると高温サ
イクルと同様に第菖層のＲＥスピンと７Ｍスピンとの大
小関係が逆転する（　、↑−ト）、その結果、第１層の
磁化は８となる（状ａ４ｔ）−この状Ｊｆｆ４ｔは媒体
温度が室温まで下がっても保持される。その結果、「逆
Ａ向き」６のビット形成が完了する。

次に第１表に示したクラス６の記録媒体（Ａタイプ・■
象限・タイプ４）に属する特定の媒体隠６を例にとり、
オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体Ｎａ６は、次式３６： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

Ｔ　＊　　　　　　　Ｔ　ｃ　ＩＴ　ｃ　ｔ’ｒ　Ｌ　
　　　　Ｔ　Ｍ 室温ＴＩで第１層の磁化が初期補助磁界旧ｎｉ。

により反転せずに第２層のみが反転する条件は、式３７
である。この媒体Ｎ１６は式３７を満足する。

式３７： ただし、ＨＨ＋第１層の保磁力 Ｈｃｔ：第２層の保磁力 Ｍ、１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍｏ：第２層の飽和磁気モーメント ｔｌ：第１層の膜厚 ｔ２　：第２層の膜厚 σ、：界面磁壁エネルギー このとき、旧ｎｉ、の条件式は、式４０で示される。

旧ｎｉ、が無（なると、反転した第２層の磁化は交換結
合力により第１ＩＩの磁化の影響を受ける。それでも第
２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式３８
〜３９で示される。この媒体Ｎ１６は式３８〜３９を満
足する。

式３８ｉ　　Ｈｃｌ＞□ ２Ｍ１１ｔｌ σ綽 式３９：　　１（Ｃｌ＞□ ２Ｍｇｇ！露 式４０： ％式％ 室温で式３７〜３９の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式４０の条件を満足するＨ
ｉｎｉ、、により例えば「Ａ向き」？（ル↑）に揃えら
れる。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状態
ｌ）。

この状態１は記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Ｈｂ　）は↓の向きに印加される。

□高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴ、に上昇させると、ＴＬは第１層のキュリー点Ｔｃ
、にほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２．）
。

ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しＴ、ｌに
なると、第２Ｎの温度ＴＮはＴｃ！にほぼ等しいので、
その磁化も消失する。これが状態３Ｍである。

この状ａ３１１においてレーザービームのスポット領域
から外れると、媒体の温度は低下し始める。

媒体の温度がＴ、８より少し下がると、第２Ｎの磁化が
出現する。この場合、↓Ｈｂのためにａ（、ｉ）の磁化
が出現する。しかし、温度はＴ’ｃ＋より高いので第１
層には磁化が現れない、この状態が状態４Ｎである。

そして、媒体温度が更に下がり、ＴＣＩより少し下がる
と、第１層に磁化が出現する。そのとき第２Ｎからの交
換結合力がＲＥスピン同士（↑）、ＴＭスピン同士（↓
）を揃えるように働く、そのため第１層には↑↓つまり
電の磁化が↓Ｈｂに打ち勝って出現する。この状態が状
態５Ｎである。

そして、やがて媒体の温度は状態５Ｈのときの温度から
室温まで低下する。室温でのＨＣＩは十分に大きいので
第１層の磁化は安定に保持される。

こうして、「Ａ向き」電のビット形成が完了する。

□低温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、ＴＬは第１層のキュリ
ー点Ｔ’ｃｔにほぼ等しいので、その磁化は消失する。

この状態では、Ｈｏはまだ十分に大きいので、第２層の
磁化官は↓Ｈｂで反転することはない、この状態が状態
２Ｌである。

この状ｔｆＡ２Ｌにおいてレーザービームのスポット領
域から外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴ’ｃｔより少し下がると、第２層のＲＢ。

７Ｍスピン（↓↑）の影響が交換結合力により第１層の
各スピンに及ぶ、交換結合力はＲＥスピン同±（↓）　
、ＴＭスピン同士（↑）を揃えるように働く、その結果
、層１には、↓↑即ち８の磁化が出現する。この状態が
状！１３Ｌである。

この状態３Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「逆Ａ向き」８のビ・７ト形成が完了す
る。

次に第１表に示したクラス７の記録媒体（Ｐタイプ・■
象限・タイプ４）に属する特定の媒体−７を例にとり、
オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体陽７は、次式４１： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

ＴＬ　　　　　　　　Ｔ圓 室温Ｔ、で第１層の磁化が初期補助磁界旧ｎｉ。

により反転せずに第２層のみが反転する条件は、式４２
である。この媒体丸７は式４２を満足する。

式４２： ％式％ ただし、）ＩＣＩ：第１層の保磁力 Ｈｃ寡：第２層の保磁力 Ｍ３１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ、、：第２層の飽和磁気モーメント ｔｌ　：第１層の膜厚 を雪　：第２層の膜厚 σ、＝界面磁壁エネルギー このとき、１ｌｉｎｉ、の条件式は、式４５で示される
。

Ｈｉｎｉ、が無くなると、反転した第２層の磁化は交換
結合力により第１層の磁化の影響を受ける。それでも第
２Ｍの磁化が再度反転せずに保持される条件は、式４３
〜４４で示される。この媒体隘７は式４３〜４４を満足
する。

σ智 式４３：　　１（ＣＩ＞□ ２Ｍｓ＋ｔｔ 式４４：　　　Ｈｃｘ＞□ ２　Ｍ、ｔｔ冨 式４５； ％式％ 室温で式４２〜４４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式４５の条件を満足する旧
ｎｉ、により例えば「Ａ向きｊ市（↓↑）に揃えられる
。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状態ｌ）
。

この状ａ１は記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Ｈｂ　）は↓の向きに印加される。

□高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、ＴＬは第嘗層のキュリー点Ｔ０
にほぼ等しいので、その磁化は消失する（状Ｊｉｉ２Ｍ
　）　。

ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しＴ、にな
ると、第２Ｎの温度Ｔ１１はキュリー点Ｔ０にほぼ等し
いので、その磁化も消失する。これが状ＪＬｉ　３　Ｎ
である。

この杖ＢｓＩＩにおいてレーザービームのスポット領域
から外れると、媒体の温度は低下し始める。

媒体の温度がＴｃ！より少し下がると、第２層の磁化が
出現する。この場合、↓Ｈｂのために８（↑↓）の磁化
が出現する。しかし、温度はまだＴ’ｃ＋より高いので
第１層には磁化が現れない、この状態が状態４Ｎである
。

そして、媒体温度が更に下がり、Ｔｅｌより少し下がる
と、第１層に磁化が出現する。そのとき第２層（↑↓）
からの交換結合力がＲＥスピン同士（↑）　、ＴＭスピ
ン同士（３）を揃えるように働く、そのため第１層には
↑↓つまり８の磁化が出現する。この状態が状Ｂ５Ｎで
ある。

そして、やがて媒体の温度は状ＲＭ　５　Ｍのときの温
度から室温まで低下する。室温での）Ｉｃｔは十分に大
きいので第１層の磁化は安定に保持される。

こうして、「逆Ａ向き」８のビット形成が完了す□低温
サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、ＴＬは第１層のキュリ
ー点ＴＣＩにほぼ等しいので、その磁化は消失する。こ
の状態では、）Ｉｃ、はまだ十分に大きいので、第２層
の磁化？は↓Ｈｂで反転することはない、この状態が状
態２Ｌである。

この状態２Ｌにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴｅｌより少し下がると、第２層のＲＥ。

ＴＭスピン（↓↑）の影響が交換結合力により第１層の
各スピンに及ぶ、交換結合力はＲＥスピン同士（↓）　
、ＴＭスピン同士（↑）を揃えるように働く、その結果
、第１層には、↓↑即ち嘗の磁化が↓Ｈｂに打ち勝って
出現する。この状態が状態３Ｌである。

この状Ｂ３Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「Ａ向き」電のビット形成が完了する。

次に第１表に示したクラス８の記録媒体（Ａタイプ・■
象限・タイプ２）に属する特定の媒体Ｎ１１８を例にと
り、オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体−８は、次式４６： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

Ｔ　Ｌ　　Ｔ　Ｃ１１＋＆＄＋　ｌ　Ｔ　Ｈ室温Ｔ１１
で第１層の磁化が初期補助磁界旧ｎｉ。

により反転せずに第２層のみが反転する条件は、式４７
である。この媒体Ｎａ９は室温で式４７を満足する０式
４７： ただし、）（ＣＩ＝第１層の保磁力 １（ｃｍ：第２層の保磁力 ＭＳＩ　：第１層の飽和磁気モーメント量８．：第２層
の飽和磁気モーメント ｔｌ　：第１層の膜厚 ｔ、：第２層の膜厚 σｗ：界面磁壁エネルギー このとき、Ｍｉｎ！、の条件式は、式５０で示される。

旧ｎ１．が無くなると、反転した第２層の磁化は交換結
合力により第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２
層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式４８〜
４９で示される。この媒体１ｌｋＬ８は式４８〜４９を
満足する。

σ、 ２　Ｍ＊、　ｔ　。

σ− 式４９：　　Ｈｃｍ　＞□ ２Ｍ、、ｔ。

式５０： ％式％ 室温で式４７〜４９の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式５０の条件を満足する１
ｌｉｎｉ、により例えば「Ａ向き」？（↑、）に揃えら
れる。このとき、第１１は記録状態のままで残る（状態
１）。

この状態ｌは記録直前まで保持される。ここでは、記録
磁界（Ｈｂ　）は↑の向きに印加される。

□高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、ＴＬは第１層のキュリー点Ｔｃ
ｌにほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２Ｎ）
。

さらにビームの照射が続き、媒体温度がＴ　ｃｏ□、２
より少したか（なると、ＲＥスピン（↑）及び１Ｍスピ
ン（３）の向きは変わらずに、強度の大小関係が逆転す
る（↑↓　−↑↓）、その結果、第２層の磁化は反転し
て「逆Ａ向き」６となる。この状態が状Ｌｉ５Ｈである
。

しかし、この温度では）Ｉｃｍがまだ大きいので、第２
層の磁化８は↑Ｈｂで反転されることはない。

更にビームの照射が続き、そのため媒体温度が更に上昇
してＴ、になったとする、すると、Ｔ、はＴｃ！にほぼ
等しいので、第２層の磁化も消失する（状態４Ｎ）。

この状８４Ｍにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴ、より少し下がると、第２層に磁化が生じ
る。この場合、↑Ｈｂにより？（、τ）の磁化が出現す
る。しかし、温度はまだＴＣＩより高いので、第１層に
は磁化が現れない、この状態が状ＪＬｉ　５　Ｎである
。

さらに媒体温度が低下してＴ。６Ｍ４１より少し下がる
と、ＲＥスピン（↓）及び１Ｍスピン（↑）の向きは変
わらずに、強度の大小関係が逆転する（、？　　−↓へ
）、その結果、第２層の磁化は反転して「逆Ａ向き」８
となる。この状態では、Ｉ（ｃｚは既に相当大きくなっ
ているので第２層の磁化８は↑Ｈｂにより反転されるこ
とはない、そして、温度はまだＴＣＩより高いので第１
層の磁化はまだ現れない、この状態が状Ｂ６Ｈである。

更に、媒体温度が低下してＴｅｌより少し下がると、第
１層にも磁化が出現する。この場合、第２層の磁化（↓
↑）が交換結合力により第１層に及ぶ。

その結果、ＲＥスピン同士（↓）　、ＴＭスピン同士（
↑）を揃える力が働く、その結果、第１層には↓？　（
？）の磁化が出現する（状ｓ’ｙ、＞　。

そして、やがて媒体の温度は状Ｌｉ　７　ＩＩのときの
温度から室温まで低下する。室温でのＨＣＩは十分に大
きいので第１層の磁化は安定に保持される。

こうして、「Ａ向き」電のビット形成が完了する。

□低温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、ＴＬは第１層のキュリ
ー点Ｔ’ｃｔにほぼ等しいので、その磁化は消失する。

しかし、この温度ではまだ第２層のＨｃ、は大きいので
、その磁化は↑Ｈｂによって反転されることはない（状
ａ２Ｌ　）。

この状Ｗ！Ａ２Ｌにおいてレーザービームのスポット領
域から外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴｃ１より少し下がると、第２層のＲＥ。

７Ｍスピン（↑↓）の影響が交換結合力により第１層の
各スピンに及ぶ、つまりＲＥスピン同士（↑）　、ＴＭ
スピン同士（３）を揃える力が働く。

その結果、第１層には、↑↓即ち８の磁化が↑Ｈｂに打
ち勝って出現する。この状態が状Ｌ３ｔである。

この状Ｍ３Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「逆Ａ向き」８のビット形成が完了する
。

次に第１表に示したクラス９の記録媒体〈Ａタイプ・■
象限・タイプ４）に属する特定の媒体Ｎ１９を例にとり
、オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体−９は、次式５１： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

室温Ｔ、で第１層の磁化が初期補助磁界旧ｎｉ。

により反転せずに第２Ｎのみが反転する条件は、式５２
である。この媒体−９は式５２を満足する。

式５２： ただし、Ｈｏｌ：第１層の保磁力 ＨＣｌ：第２層の保磁力 Ｍ、１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ３８：第２層の飽和磁気モーメント ｔ１　：第菖層の膜厚 ｔ、：第２層の膜厚 σｗ　：界面磁壁エネルギー このとき、旧ｎｉ、の条件式は、式５５で示される。

Ｈ４ｎ１．が無くなると、反転した第２層の磁化は交換
結合力により第１層の磁化の影響を受ける。それでも第
２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式５３
〜５４で示される。この媒体１１ｈ９は式５３〜５４を
満足する。

式５３：　　　Ｈｃｌ＞□ ２　Ｍ、、　ｔ　。

σ簀 式５４：　　　Ｈｃ＊＞□ ２　Ｍ、！ｔ　。

式５５： ％式％ 室温で式５２〜５４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式５５の条件を満足する旧
ｎｉ、により例えば「Ａ向き」？（↑。）に揃えられる
。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状ａｌ）
。

この状Ｂ１は記録直前まで保持される。ここでは記！３
磁界（Ｈｂ　）は↓の向きに印加される。

□高温サイクル□ ソシて、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、ＴＬは第１層のキュリー点Ｔ”
ｃ＋にほぼ等しいので、その磁化は消失する（状ｆ！１
２Ｎ）− ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しＴ、にな
ると、第２層の温度Ｔ、はＴｏにほぼ等しいので、第２
層の磁化も消失する。これが状態３、である。

この状ＪＬｉ３ｍにおいてレーザービームのスポット領
域から外れると、媒体の温度は低下し始める。

媒体の温度がＴｏより少し下がると、第２層の磁化が出
現する。この場合、’ｌＨｂのために＆（↓↑）の磁化
が出現する。しかし、この温度はまだＴＣＩより高いの
で第１層には磁化は現れない、この状態が状態４Ｈであ
る。

そして、媒体温度が更に下がり、ＴＣＩより少し下がる
と、第１層に磁化が出現する。そのとき第２層（↓↑）
からの交換結合力がＲＥスピン同士（↓）　、ＴＭスピ
ン同士（↑）を揃えるように働く、そのため第１層には
↓↑つまり電の磁化が↓Ｈｂに打ち勝って出現する。こ
の状態が状＊　５　Ｎである。

そして、やがて媒体の温度は状１’１３ｉ　５　ＩＩの
ときの温度から室温まで低下する。室温でのＭＣＩは十
分に大きいので第１Ｍの磁化は安定に保持される。

こうして、「Ａ向き」官のビット形成が完了する。

□低温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、ＴＬは第１層のキュリ
ー点Ｔｃｌにほぼ等しいので、その磁化は消失する。こ
の状態では、ＨＣ！はまだ十分に大きいので、第２Ｎの
磁化電は↓Ｈｂで反転することはない。この状態が状ｊ
ｌＱ　２　ｔである。

この状態２Ｌにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始めシ。

媒体温度がＴＣＩより少し下がると、第２層のＲＥ。

７Ｍスピン（↑ヤ）の影響が交換結合力により第１層の
各スピンに及ぶ、交換結合力はＲＥスピン同士（↑）　
、ＴＭスピン同士（↓）を揃えるように働く、その結果
、第１層には、↑↓即ち息の磁化が出現する。この状態
が状ａ３Ｌである。

この状態３Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「逆Ａ向き」番のビット形成が完了する
。

〔発明が解決しようとする課題〕

磁性層の寿命を高めるには、成膜を高真空中で行なう必
要がある。

しかしながら、本発明者らの実験によると、第１層と第
２層を順序は問わないが高真空中で連続成膜すると、用
いる材料によっては磁性層間の交換結合力σ、が大きく
なり過ぎることがある。

ところで、オーバーライト可能な媒体では、第１層の情
報が初期化された第２Ｎの磁化によって消去されないよ
うにするために σ− 式３　：　ＨＣＩ＞　− ２Ｍ１１ｔｌ を満足することが必要であり、また初期化された第２層
の磁化が第１層の磁化により反転させられないために、 σ曽 式４　：　Ｈｃｍ＞□ ２Ｍｓ冨を雪 を満足する必要がある。従って、交換結合力σ、が大き
過ぎる場合、保磁力ＨＣと飽和磁気モーメントＭｓは磁
性層の材料で決定されていまうので、膜厚ｔを大きくし
なければならない。

しかし、第１層、第２層の合計膜厚ｔａｇが厚くなると
、磁性層の熱容量が増加するので、記録時にレーザービ
ームを照射して媒体の温度をＴ。又はＴＬに上昇させる
時、レーザービームのパワーを大きくしなければならず
、照射効率が悪いという問題を生む。

そこで、交換結合力σ１そのものを、磁性層の材料によ
らず下方修正（制ｍ＞できる手段について鋭意研究の結
果、最初に第盲層、第２Ｎの何れか又は両方に非磁性元
素例えばＳｉｓ　Ｇｅ等を添加すれば、添加量によって
交換結合力σｗが制御可能であることを見出した。

しかし、単に非磁性元素を添加して交換結合力σ１をｔ
Ｗ制御しても、設計どおりのオーバーライト可能な媒体
が得られることは、希であった（問題点）。

従って、本発明の目的は、交換結合力σ−が大きなオー
バーライト可能な光磁気記録媒体において、第１層、第
２層の合計膜厚１１１を増加させずに、非磁性元素の添
加によって設計どおりのオーバーライト可能な光磁気記
録媒体を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明者は、研究を進めた結果、単に非磁性元素を添加
して交換結合力σ、を制御しても、設計どおりのオーバ
ーライトができない媒体は、■第１層の情報が初期化さ
れた第２１１により消去されるか、又は■初期化された
第２１１の磁化が第１層の磁化により乱され、非初期化
状態となっていることを見出した。

そこで、更に研究を進めた結果、非磁性元素を添加する
と交換結合力σ−が低下すると同時に、保磁力Ｈ０と飽
和磁気モーメン）ＭＳとの積も低下することが判った。

そのため、式３及び式４を変形すると、σ− ２Ｈｃ、Ｍ、、　ｔ　。

σ− 式４／ｌｋ：　　１＞□ ２ＨｃｔＭｓｔｌ冨 となるが、Ｈｃ−ＭＳ積の低下がσｗの低下を上回ると
、却って、 ７Ｆ賀 ｃＭｓ が著しく増加する場合があり、その場合には、合°　計
膜厚ｔｔｘの増加なしに式３及び式４を満足させること
はできず、オーバーライトが不可能又は不完全となるこ
とが判った。

しかし、第１層、第２層のうち非磁性元素添加前のＨｃ
−ＭＳ積の小さい方に非磁性元素を添加すると、 ＨｃＭｓ の増加がほとんどなく　（第６図参照）、従つて、添加
した方の層の膜厚ｔは薄くできないものの、添加しない
方の層は、σ、が低下してもＨｏ・Ｍ。

積は変化しないので式３又は式４を満足させる膜厚ｔを
減少させることができ、結局、合計膜厚ｔ＋ｘを添加前
に比べて薄くできることを見出し、本発明を成すに至っ
た。

それに対して、Ｈｃ−Ｍｓ積の小さい方に非磁性元素を
添加すると、 σ− ＨｃＭ雲 の増加が著しく　（第８図参照）、従って、添加した方
の層の膜厚ｔは却って相当に厚くしないと、式３及び式
４が満足されず、結局、合計膜厚ｔｉｔを添加前に比べ
て薄くできなかった。

また、第１層、第２層の両方に添加した場合も合計膜厚
ｔｉｔを添加前に比べて薄くできなかった。

従って、本発明は、第１層、第２層のうちＨｃ・Ｍｓ積
の小さい方に非磁性元素を添加することにより交換結合
力σ−を所定の値に制御し、それにより合計膜厚ｔ１！
を低下させたオーバーライト可能な光磁気記録媒体を提
供する。

〔作用〕

磁性体の磁気モーメントは、原子が持つ外殻電子の軌道
角運動量及びスピン角運動量によるものであり、その交
換相互作用は、その電子が隣接する電子とパウリの原理
と２電子間の静電的相互作用を通じて行うことによる。

そのため、磁性原子間の距離が長（なったり、最近接の
磁性原子の数が減少したりすると、その原子が持つ電子
の波動関数の重なりが小さくなり、交換相互作用が減少
する。

そこで、本発明は、磁性層中に非磁性元素を添加するこ
とで、実質的に眉間の磁性原子間の距離を長くし、かつ
最近接の磁性原子の数を減少させることにより、交換相
互作用を低下させ、それによって交換結合力σ５を制御
（低下）させる。

非磁性元素としては、例えばＳｉ、、Ｇｅｓ　７１％　
ＣｒｈＣｕ、Ｉｎなどが使用される。

非磁性元素の添加量は、効果をだすには少なくとも０．
５ａｔ＋ｓ％が好ましいが、実際の添加量は、予備実験
により、必要とする所定の交換結合力σ１とそのときの
Ｈｃ−Ｍｓ積に応じた添加量を確かめておくべきである
。

以下、参考例及び実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれに限定されるものではない。

〔参考例１〕 ３元のＲＦマグネトロン・スパッタリング装置を用い、
厚さ１．２ａ＋ｓ＋　、直径２００ａ＋ｍのディスク状
ガラス基板を該装置の真空チャンバー内にセントする。

真空チャンバー内を一旦５　Ｘ　１０−’Ｐａまで排気
した後、アルゴンガスを導入し、Ａｒガス圧を２×１０
−’Ｐａに保持しながら、成膜速度約３人／秒で、スパ
ッタリングを行なう。

最初にターゲットとしてＴｂ！。Ｆｅ、。合金（注：添
字の数字は、原子％）を用い、基板上に膜厚ｔｌ−５０
０人の丁ｂＦｅ垂直磁化膜からなる第１Ｊｉ（記録層）
を形成する。

続いて、真空状態を保持したままターゲ７）としてｌ）
ｙ□Ｆｅｓ・１ＣＯｔ＋、　ｈ合金及び非磁性元素であ
るＳｉを用いて同時スパッタリングを行ない、第１層の
上に膜厚ｔｚ　−５００人のＤＹＦｅＣｏＳｉ系垂直磁
化膜からなる第２Ｊｉ（記録補助層）を形成する。

こうしてＳＩターゲットに与える電力を変化させること
により第２層に添加するＳｔの添加量を変えた種々の２
層光磁気記録媒体（第１図参照）を製造した。

そして、製造した媒体の第１ＮのＨ６・Ｍ、積並びに交
換結合力σ、及び第２層のＨｃ’Ｍｓ積を測定し、σ、
及び第２１１のＨｏ・Ｍ、積とＳｔの添加量との関係を
調べた。この結果を第５図及び第６図に示す、尚、ＳＩ
の代わりにＧｅを添加した例も測定したので合わせて示
す。

その結果、元素の添加を行なわない場合には、第１層の
Ｈｃ−Ｍｓ積は、２００，０００で、第２Ｎのそれは１
５０．０００であり、本例は、Ｈｃ−Ｍｓ積の小さい方
に添加した例である。

第６図に示されるように、非磁性元素を添加しσ― て、式４Ａにより第２層の膜厚ｔオは薄くできないもの
の、第５図に示されるように非磁性元素を添加するとσ
賛が低下するので、式３Ａにより第１層の膜厚ｔ、を薄
くでき、結局、合計膜厚ｔｉｔを薄くできる。

〔参考例２〕 参考例１と同様の条件で、今度は第１層にＳｉ又はＧｏ
を添加し、第２層には非磁性元素を添加しないで、各種
添加量の２層光磁気記録媒体を製造した。

そして、製造した媒体の第２１１のＨｃ−Ｍｓ積並びに
交換結合力σｗ及び第１層のＨｃ−Ｍ＊積を測定し、σ
ｗ及び第１層のＨｃ−Ｍｓ積と添加量との関係を調べた
。この結果を第７図及び第８図に示す。

その結果、元素の添加を行なわない場合には、第１層の
Ｈｃ−Ｍ、積は、２００，０００で、第２層のそれは１
５０，０００であり、本例は、Ｈｃ−Ｍｓ積の大きい方
に添加した例である。

第８図に示されるように、非磁性元素を添加しσ− て行くと、　□　が著しく増加し、そのたｃＭｓ め式３Ａにより第１層の膜厚ｔｉ　は却って著しく厚く
させなければならない、従って、第７図に示されるよう
に非磁性元素を添加するとσ−が低下するので、式４Ａ
により第２層の膜厚ｔ、を薄くできるが、第１層の増加
分に負けて、結局、合計膜厚１＋１を添加前に比べ薄く
することはできない。

〔参考例３〕 参考例１と同様の条件で、今度は第ｉｌｌと第２層の両
方に同量のＳｉ又はＧｅを添加し、各種添加量の２１１
光磁気記録媒体を製造した。

そして、製造した媒体の交換結合力σ５及び第１層、第
２層の各Ｈｃ−Ｍ、積を測定し、σｗ及び第１層のＨｏ
・Ｍ、積と添加量との関係を調べた。この結果を第９図
に示す。

σ− この場合には、□　が第１層についてはＨｃ　Ｍ！ 第８図のごとく著しく増加するので、却って膜厚ｔ１を
著しく厚くさせなければならず、第２層については第６
図のごとくほとんど増加しないので膜厚ｔ８を薄くでき
ないので、結局、合計膜厚ｔ、！は参考例２よりも厚く
しなければならなくなる。

〔実施例〕

参考例１と同様にして、叶マグネトロン・スパッタリン
グ装置を用い、基板上に膜厚ｔ＋”５００人のＴｂ、。

Ｐｅｗ。の垂直磁化膜からなる第１層（記録Ｍ）を形成
した。第１層のＨｃ−Ｍｓ積は、２００．０００である
。

続いて、真空状態を保持したまま第１層の上に膜厚ｈ−
１０００人、（ＤｙｚａＦｅａｂ、　５ｃＯｚｓ、　ｔ
）　、ｈ、　５ｓｉｓ、　ｓの垂直磁化膜からなる第２
層（記録補助Ｊりを形成した。Ｓｔを除いた第２層の組
成からなる磁性層のＨｃ−Ｍｓ積は、１５０，０００で
ある。

こうして製造したクラス８　（Ａタイプ・第■象限・タ
イプ２）に属する２層光磁気記録媒体について、磁気特
性を下記第２表に示す。

第２表 ｍｌ　Ｔｂ５ｅＦｅｘ。

率２　　（ＤＶｔｓＦｅ４ｉ、　＠ｃｏａｌ　ｉ）　ｑ
ｈ、　５Ｓｉｓ、　ｓこの媒体は、クラス８に属するの
で、この媒体が室温で満たすべき条件は、 ２　Ｍｓ＋　ｔ　Ｉ 式４９：　Ｈｃ＊＞□ ２Ｍｓ富１゜ であり、各式を計算すると、 式４７：左辺−５０００＞右辺−４７８８式４８：左辺
−５０００＞右辺＝　４６８８式４９：左辺−７２０〉
右辺−６２０ となり各式を満足している。

また、式５０において、 左辺−４０＜１旧ａｔ、　ｌ　＜右辺−９６８８である
から、例えば旧ｎｉ、　　＝２０００　０ｅとすること
で式５０が満足される。

従って、この媒体は、先願発明に従いオーバーライトが
可能である。

〔比較例〕

次に比較のために、非磁性元素を添加しない外は実施例
と同様にして２Ｎ光磁気記録媒体を製造した。

この媒体の磁気特性を下記第３表に示す。

第３表 ＊１　ｒｂ、。Ｆｅ、。

＊２　ＤＶ富自Ｆｅａｈ、ａｃＯｘｓ、富そこで、実施
例と同様に式４７〜４９を計算すると、（ａ）式４７：
左辺−５ｏｏｏ　＞右辺−８６１９（ｂ）式４８：左辺
−５０００＞右辺＝　８４３７（ｃ）式４９：左辺−１
０００＞右辺＝８１８となり、式４７及び式４８が満足
されていない。

従って、この媒体は、（ａ）第１層に影響を与えずに第
２層だけを初期化することは不可能であり、オーバーラ
イトはできない。

この磁性材料のままでオーバーライトを可能にするには
、式４８を満足させるために膜厚ｔ１を６７５人より厚
くしなければならず、かつ式４７を満足させるために膜
厚ｔ、を６８１人より厚くしなければならず、従って、
全体の膜厚ｔ１□は、実施例に比べ（６Ｂ？＋１．１０
０）÷（４００＋　１＋　１００）　＃１．２倍以上に
厚くなる。

〔参考例４・・・・・・・オーバー’Ｊ（）可能な光磁
気記録装置〕この装置は記録専用であり、その全体構成
を第４図（概念図）に示す。

この装置は、基本的には、 （ａ）記録媒体２０を移動させる手段の一例としての回
転手段２１； （Ｃ）レーザービーム光源２３； （ｄ）記録すべき２値化情報に従い、ビーム強度を、（
１）上向き磁化を有するビットと下向き磁化を有するビ
ットの何れか一方のビットを形成させるのに適当な媒体
温度Ｔ、を与える高レベルと、（２）他方のビットを形
成させるのに適当な媒体温度ＴＬを与える低レベルとに
パルス状に変調する手段２４； （ｂ、　　ｅ）初期補助磁界旧ｎｉ、印加手段２２と兼
用された記録磁界Ｈｂ印加手段２５；からなる。

兼用された手段２２＆２５として、ここでは、Ｈｂ−旧
ｎｉ、　＝２０００　０ｅで磁界の向きが「Ａ向き」↑
の永久磁石を使用する。この永久磁石２２＆２５は、デ
ィスク状記録媒体２０の半径方向の長さに相当する長さ
を有する棒状のものである。

この磁石２２＆２５は、本記録装置に固定して設置し、
光源２３を含むピンクアップと共に移動させることはし
ないことにする。

〔参考例５−・−・・・オール−９（）光磁気記録〕参
考例４の記録装置Ｆ（第４図参照）を使用して光磁気記
録を実施する。まず、回転手段２１で実施例の記録媒体
（クラス８）２０を８．５　ｍ７秒の一定線速度で移動
させる。その媒体２０に対し、レーザービームを照射す
る。このビームは、手段２４により高レベル時：　８．
Ｏｗ＋１１　（ｏｎ　ｄｉｓｋ）、低レベル時：　４．
４　ｍＷ　（ｏｎ　ｄｉｓｋ）の出力がでるように調整
されている。そしてビームは、手段２４により情報に従
いパルス状に変調される。ここでは、記録すべき情報を
周波数Ｉ　ＭＩＸの信号とした。従って、ビームを周波
数Ｉ　ＭＩＸで変調させながら媒体２０に照射した。こ
れにより、Ｉ　ＭＩＸの信号が記録されたはずである。

別の光磁気再生装置で再生すると、Ｃ／Ｎ比は５５ｄＢ
であり、記録されていることが確かめられた。

次に媒体２０の既に記録した領域に、今度は周波数２　
ＭＨｚの信号を新たな情報として記録した。

この情報を同様に再生すると、Ｃ／Ｎ比＝　５３ｄＢで
新たな情報が再生された。エラー発生率は、１０４〜１
０−ｈであった。このとき、ＩＭＩＩｚの信号（前の情
報）は全く現れなかった。

この結果、オーバーライトが可能であることが判った。

なお、この条件では、媒体の温度は、高レベル時ニアＨ
−２００℃、低レベル時ｊ　ＴＬ−１２０℃に達する。

それに対して、比較例の媒体は、同様に記録したところ
オーバーライトが不可能であった。

、〔発明の効果〕 以上のとおり、本発明は、交換結合力σ鱒の大きなオー
バーライト可能な光磁気記録媒体において、磁性層の基
本材料を変えることなく、磁性層に所定量の非磁性元素
を添加することにより、その添加量に応じて交換結合力
σ□を所定の値に制御でき、その結果、全体の膜厚を増
加させることなく、オーバーライトを可能にする。

また、逆に第１層、第２層の組成の設計の幅が広がり、
実用化の上で多大の福音が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例にかかるオーバーライト可能
な光磁気記録媒体の縦断面を示す概念図である。 第２図は、光磁気記録方式の記録原理を説明する概念図
である。 第３図は、光磁気記録方式の再生原理を説明する概念図
である。 第４図は、先廟発明にかかるオーバーライト可能な光磁
気記録装置の主要部を説明する概念図である。 第５図は、Ｈｃ−Ｍｓ積の小さい方の層に非磁性元素を
添加した場合の、非磁性元素の添加量と、磁性層間に働
く交換結合力σ。との関係を示すグラフである。 第６図は、Ｈｃ−Ｍｓ積の小さい方の層に非磁性元素を
添加した場合の、非磁性元素の添σ− 油量と、□　との関係を示すグラフ ｃＭａ である。 第７図は、Ｈｏ・Ｍ、積の大きい方の層に非磁性元素を
添加した場合の、非磁性元素の添加量と、磁性層間に働
く交換結合力σ、との関係を示すグラフである。 第８図は、Ｈｃ−Ｍｓ積の大きい方の層に非磁性元素を
添加した場合の、非磁性元素の添σ− 油量と、□　との関係を示すグラフ ｃＭｓ である。 第９図は、第１層、第２層の両方に非磁性元素を添加し
た場合の、非磁性元素の添加量と、磁性層間に働く交換
結合力σｗとの関係を示すグラフである。 〔主要部分の符号の説明〕 Ｌ・−−一−−・−、レーザービーム Ｌｐ−・・・・・・直線偏光 Ｂ１−・−・・・「Ａ向き」磁化を有するビットＢ、−
・・・・−・「逆Ａ向き」磁化を有すると７）１−・−
・−・・記録Ｎ（第１層） ２・・−・・・−−−−一記録補助層（第２層）Ｓ・・
・−・・・・・・基板 ２０・−・−・オーバーライト可能な光磁気記録媒体２
１・・・−・−・記録媒体を回転させる回転手段２２・
・・・・−初期補助磁界旧ｎｉ、印加手段２３−・−・
レーザービーム光源 ２４・・・−・・・記録すべき２値化情報に従い、ビー
ム強度を、（１）「Ａ向き」磁化を有するビット又は「
逆Ａ向き」磁化を有するビットの何れか一方を形成する
のに適当な温度を媒体に与える高レベルと、（２）他方
のビットを形成するのに適当な温度を媒体に与える低レ
ベルとの間でパルス状に変調する手段

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　垂直磁気異方性を有する少なくとも２つの磁性層が
   積層されており、その第１層を記録層とし第２層を記録
   補助層とするオーバーライト可能な光磁気記録媒体に於
   いて、 第１層、第２層のうち、その磁気飽和モーメントＭｓと
   保磁力Ｈｃとの積が小さい方に、非磁性元素を添加する
   ことにより、該磁性層間に働く交換結合力σ＿ｗを所定
   の値に制御したことを特徴とする記録媒体。 ２　前記非磁性元素の添加量が少なくとも０．５ａｔｍ
   ％であることを特徴とする請求項第１項記載の記録媒体
   。 ３　前記非磁性元素が、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕ
   又はＩｎであることを特徴とする請求項第１項記載の記
   録媒体。 ４　媒体に対して上向き又は下向きの何れか一方を「Ａ
   向き」、他方を「逆Ａ向き」とするとき、記録の直前ま
   でに、第２層の磁化のみが初期補助磁界Ｈｉｎｉ、によ
   り「Ａ向き」に揃えられ、高レベルのレーザービームを
   照射した時は、記録磁界により第２層の「Ａ向き」磁化
   を「逆Ａ向き」に反転させ、この第２層の「逆Ａ向き」
   磁化によって第１層に「逆Ａ向き」磁化〔又は「Ａ向き
   」磁化〕を有するビットが形成され、低レベルのレーザ
   ービームを照射した時は、第２層の「Ａ向き」磁化によ
   って第１層に「Ａ向き」磁化〔又は「逆Ａ向き」磁化〕
   を有するビットが形成されることを特徴とする請求項第
   １項記載の記録媒体。 ５　第１層が室温で保磁力が高くキュリー点が低い磁性
   薄膜であり、第２層が相対的に室温で保磁力が低くキュ
   リー点が高い磁性薄膜であることを特徴とする特許請求
   の範囲第４項記載の記録媒体。 ６　第１層が第２層に磁気結合される温度をＴ＿ｓ＿１
   とし、第２層が記録磁界で反転する温度をＴ＿ｓ＿２と
   するとき、第１層が室温で保磁力が高く、第２層が相対
   的に室温で保磁力が低く、かつ Ｔ＿ｓ＿１＜Ｔ＿ｓ＿２であることを特徴とする請求項
   第４項記載の記録媒体。 ７　前記第１層と第２層とは、いずれも遷移金属−重希
   土類合金組成から選択したものであることを特徴とする
   請求項第１項記載の記録媒体。 ８　第１層が重希土類リッチで室温とキュリー点との間
   に補償温度を有する遷移金属−重希土類合金、第２層が
   重希土類リッチで室温とキュリー点との間に補償温度を
   有する遷移金属−重希土類合金からなり、かつ次の条件
   式： （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿１＜Ｔ＿ｃ＿
   １≒Ｔ＿Ｌ≒Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿２＜Ｔ＿ｃ＿２
   ≒Ｔ＿Ｈ を満足し、そして室温で次の各条件式： （２）Ｈ＿ｃ＿１＞Ｈ＿ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１
   ｔ＿１＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２ （３）Ｈ＿ｃ＿１＞σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１ｔ＿１ （４）Ｈ＿ｃ＿２＞σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２ （５）Ｈ＿ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２＜｜Ｈ
   ｉｎｉ．｜＜Ｈ＿ｃ＿１−σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１ｔ＿１ を満足する請求項第７項記載の記録媒体。 ただし、 Ｔ＿Ｒ：室温 Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿１：第１層の補償温度 Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿２：第２層の補償温度 Ｔ＿ｃ＿１：第１層のキュリー点 Ｔ＿ｃ＿２：第２層のキュリー点 Ｔ＿Ｌ：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｔ＿Ｈ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｈ＿ｃ＿１：第１層の保磁力 Ｈ＿ｃ＿２：第２層の保磁力 Ｍ＿ｓ＿１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ＿ｓ＿２：第２層の飽和磁気モーメント ｔ＿１：第１層の膜厚 ｔ＿２：第２層の膜厚 σ＿ｗ：交換結合力 Ｈｉｎｉ．：初期補助磁界 ９　第１層が重希土類リッチで室温とキュリー点との間
   に補償温度を有しない遷移金属−重希土類合金、第２層
   が重希土類リッチで室温とキュリー点との間に補償温度
   を有する遷移金属−重希土類合金からなり、かつ次の条
   件式： （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿ｃ＿１≒Ｔ＿Ｌ≒Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿
   ｐ＿．＿２＜Ｔ＿ｃ＿２≒Ｔ＿Ｈ を満足し、そして室温で次の各条件式： （２）Ｈ＿ｃ＿１＞Ｈ＿ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１
   ｔ＿１＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２ （３）Ｈ＿ｃ＿１＞σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１ｔ＿１ （４）Ｈ＿ｃ＿２＞σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２ （５）Ｈ＿ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２＜｜Ｈ
   ｉｎｉ．｜＜Ｈ＿ｃ＿１−σ＿ｗ２Ｍ＿ｓ＿１ｔ＿１ を満足する請求項第７項記載の記録媒体。 ただし、 Ｔ＿Ｒ：室温 Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿２：第２層の補償温度 Ｔ＿ｃ＿１：第１層のキュリー点 Ｔ＿ｃ＿２：第２層のキュリー点 Ｔ＿Ｌ：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｔ＿Ｈ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｈ＿ｃ＿１：第１層の保磁力 Ｈ＿ｃ＿２：第２層の保磁力 Ｍ＿ｓ＿１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ＿ｓ＿２：第２層の飽和磁気モーメント ｔ＿１：第１層の膜厚 ｔ＿２：第２層の膜厚 σ＿ｗ：交換結合力 Ｈｉｎｉ．：初期補助磁界 １０　第１層が重希土類リッチで室温とキュリー点との
   間に補償温度を有する遷移金属−重希土類合金、第２層
   が重希土類リッチで室温とキュリー点との間に補償温度
   を有しない遷移金属−重希土類合金からなり、かつ次の
   条件式： （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿１＜Ｔ＿ｃ＿
   １≒Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿ｃ＿２≒Ｔ＿Ｈ を満足し、そして室温で次の各条件式： （２）Ｈ＿ｃ＿１＞Ｈ＿ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１
   ｔ＿１＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２ （３）Ｈ＿ｃ＿１＞σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１ｔ＿１ （４）Ｈ＿ｃ＿２＞σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２ （５）Ｈ＿ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２＜｜Ｈ
   ｉｎｉ．｜＜Ｈ＿ｃ＿１−σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１ｔ＿１ を満足する請求項第７項記載の記録媒体。 ただし、 Ｔ＿Ｒ：室温 Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿１：第１層の補償温度 Ｔ＿ｃ＿１：第１層のキュリー点 Ｔ＿ｃ＿２：第２層のキュリー点 Ｔ＿Ｌ：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｔ＿Ｈ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｈ＿ｃ＿１：第１層の保磁力 Ｈ＿ｃ＿２：第２層の保磁力 Ｍ＿ｓ＿１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ＿ｓ＿２：第２層の飽和磁気モーメント ｔ＿１：第１層の膜厚 ｔ＿２：第２層の膜厚 σ＿ｗ：交換結合力 Ｈｉｎｉ．：初期補助磁界 １１　第１層が重希土類リッチで室温とキュリー点との
   間に補償温度を有しない遷移金属−重希土類合金、第２
   層が重希土類リッチで室温とキュリー点との間に補償温
   度を有しない遷移金属−重希土類合金からなり、かつ次
   の条件式： （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿ｃ＿１≒Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿ｃ＿２≒Ｔ＿
   Ｈ を満足し、そして室温で次の各条件式： （２）Ｈ＿ｃ＿１＞Ｈ＿ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１
   ｔ＿１＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２ （３）Ｈ＿ｃ＿１＞σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１ｔ＿１ （４）Ｈ＿ｃ＿２＞σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２ （５）Ｈ＿ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２＜｜Ｈ
   ｉｎｉ．｜＜Ｈ＿ｃ＿１−σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１ｔ＿１ を満足する請求項第７項記載の記録媒体。 ただし、 Ｔ＿Ｒ：室温 Ｔ＿ｃ＿１：第１層のキュリー点 Ｔ＿ｃ＿２：第２層のキュリー点 Ｔ＿Ｌ：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｔ＿Ｈ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｈ＿ｃ＿１：第１層の保磁力 Ｈ＿ｃ＿２：第２層の保磁力 Ｍ＿ｓ＿１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ＿ｓ＿２：第２層の飽和磁気モーメント ｔ＿１：第１層の膜厚 ｔ＿２：第２層の膜厚 σ＿ｗ：界面磁壁エネルギー Ｈｉｎｉ．：初期補助磁界 １２　第１層が重希土類リッチで室温とキュリー点との
   間に補償温度を有する遷移金属−重希土類合金、第２層
   が遷移金属リッチで室温とキュリー点との間に補償温度
   を有しない遷移金属−重希土類合金からなり、かつ次の
   条件式： （１）Ｔ＿ｒ＜Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿１＜Ｔ＿ｃ＿
   １≒Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿ｃ＿２≒Ｔ＿Ｈ を満足し、そして室温で次の各条件式： （２）Ｈ＿ｃ＿１＞Ｈ＿ｃ＿２＋｜σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿
   １ｔ＿１−σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２｜ （３）Ｈ＿ｃ＿１＞σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１ｔ＿１ （４）Ｈ＿ｃ＿２＞σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２ （５）Ｈ＿ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２＜｜Ｈ
   ｉｎｉ．｜＜Ｈ＿ｃ＿１＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２ を満足する請求項第７項記載の記録媒体。 ただし、 Ｔ＿Ｒ：室温 Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿１：第１層の補償温度 Ｔ＿ｃ＿１：第１層のキュリー点 Ｔ＿ｃ＿２：第２層のキュリー点 Ｔ＿Ｌ：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｔ＿Ｈ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｈ＿ｃ＿１：第１層の保磁力 Ｈ＿ｃ＿２：第２層の保磁力 Ｍ＿ｓ＿１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ＿ｓ＿２：第２層の飽和磁気モーメント ｔ＿１：第１層の膜厚 ｔ＿２：第２層の膜厚 σ＿ｗ：交換結合力 Ｈｉｎｉ．：初期補助磁界 １３　第１層が重希土類リッチで室温とキュリー点との
   間に補償温度を有しない遷移金属−重希土類合金、第２
   層が遷移金属リッチで室温とキュリー点との間に補償温
   度を有しない遷移金属−重希土類合金からなり、かつ次
   の条件式： （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿ｃ＿１≒Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿ｃ＿２≒Ｔ＿
   Ｈ を満足し、そして室温で次の各条件式： （２）Ｈ＿ｃ＿１＞Ｈ＿ｃ＿２＋｜σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿
   １ｔ＿１−σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２｜ （３）Ｈ＿ｃ＿１＞σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１ｔ＿１ （４）Ｈ＿ｃ＿２＞σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２ （５）Ｈ＿ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２＜｜Ｈ
   ｉｎｉ．｜＜Ｈ＿ｃ＿１＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２ を満足する請求項第７項記載の記録媒体。 ただし、 Ｔ＿Ｒ：室温 Ｔ＿ｃ＿１：第１層のキュリー点 Ｔ＿ｃ＿２：第２層のキュリー点 Ｔ＿Ｌ：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｔ＿Ｈ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｈ＿ｃ＿１：第１層の保磁力 Ｈ＿ｃ＿２：第２層の保磁力 Ｍ＿ｓ＿１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ＿ｓ＿２：第２層の飽和磁気モーメント ｔ＿１：第１層の膜厚 ｔ＿２：第２層の膜厚 σ＿ｗ：交換結合力 Ｈｉｎｉ．：初期補助磁界 １４　第１層が遷移金属リッチで室温とキュリー点との
   間に補償温度を有しない遷移金属−重希土類合金、第２
   層が遷移金属リッチで室温とキュリー点との間に補償温
   度を有しない遷移金属−重希土類合金からなり、かつ次
   の条件式： （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿ｃ＿１≒Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿ｃ＿２≒Ｔ＿
   Ｈ を満足し、そして室温で次の各条件式： （２）Ｈ＿ｃ＿１＞Ｈ＿ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１
   ｔ＿１＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２ （３）Ｈ＿ｃ＿１＞σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１ｔ＿１ （４）Ｈ＿ｃ＿２＞σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２ （５）Ｈ＿ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２＜｜Ｈ
   ｉｎｉ．｜＜Ｈ＿ｃ＿１−σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１ｔ＿１ を満足する請求項第７項記載の記録媒体。 ただし、 Ｔ＿Ｒ：室温 Ｔ＿ｃ＿１：第１層のキュリー点 Ｔ＿ｃ＿２：第２層のキュリー点 Ｔ＿Ｌ：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｔ＿Ｈ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｈ＿ｃ＿１：第１層の保磁力 Ｈ＿ｃ＿２：第２層の保磁力 Ｍ＿ｓ＿１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ＿ｓ＿２：第２層の飽和磁気モーメント ｔ＿１：第１層の膜厚 ｔ＿２：第２層の膜厚 σ＿ｗ：交換結合力 Ｈｉｎｉ．：初期補助磁界 １５　第１層が遷移金属リッチで室温とキュリー点との
   間に補償温度を有しない遷移金属−重希土類合金、第２
   層が重希土類リッチで室温とキュリー点との間に補償温
   度を有する遷移金属−重希土類合金からなり、かつ次の
   条件式： （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿ｃ＿１≒Ｔ＿Ｌ≒Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿
   ｐ＿．＿２＜Ｔ＿ｃ＿２≒Ｔ＿Ｈ を満足し、そして室温で次の各条件式： （２）Ｈ＿ｃ＿１＞Ｈ＿ｃ＿２＋｜σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿
   １ｔ＿１−σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２｜ （３）Ｈ＿ｃ＿１＞σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１ｔ＿１ （４）Ｈ＿ｃ＿２＞σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２ （５）Ｈ＿ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２＜｜Ｈ
   ｉｎｉ．｜＜Ｈ＿ｃ＿１−σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１ｔ＿１ を満足する請求項第７項記載の記録媒体。 ただし、 Ｔ＿Ｒ：室温 Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿２：第２層の補償温度 Ｔ＿ｃ＿１：第１層のキュリー点 Ｔ＿ｃ＿２：第２層のキュリー点 Ｔ＿Ｌ：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｔ＿Ｈ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｈ＿ｃ＿１：第１層の保磁力 Ｈ＿ｃ＿２：第２層の保磁力 Ｍ＿ｓ＿１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ＿ｓ＿２：第２層の飽和磁気モーメント ｔ＿１：第１層の膜厚 ｔ＿２：第２層の膜厚 σ＿ｗ：交換結合力 Ｈｉｎｉ．：初期補助磁界 １６　第１層が遷移金属リッチで室温とキュリー点との
   間に補償温度を有しない遷移金属−重希土類合金、第２
   層が重希土類リッチで室温とキュリー点との間に補償温
   度を有しない遷移金属−重希土類合金からなり、かつ次
   の条件式： （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿ｃ＿１≒Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿ｃ＿２≒Ｔ＿
   Ｈ を満足し、そして室温で次の各条件式： （２）Ｈ＿ｃ＿１＞Ｈ＿ｃ＿２＋｜σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿
   １ｔ＿１−σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２｜ （３）Ｈ＿ｃ＿１＞σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１ｔ＿１ （４）Ｈ＿ｃ＿２＞σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２ （５）Ｈ＿ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２＜｜Ｈ
   ｉｎｉ．｜＜Ｈ＿ｃ＿１＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１ｔ＿１ を満足する請求項第７項記載の記録媒体。 ただし、 Ｔ＿Ｒ：室温 Ｔ＿ｃ＿１：第１層のキュリー点 Ｔ＿ｃ＿２：第２層のキュリー点 Ｔ＿Ｌ：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｔ＿Ｈ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｈ＿ｃ＿１：第１層の保磁力 Ｈ＿ｃ＿２：第２層の保磁力 Ｍ＿ｓ＿１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ＿ｓ＿２：第２層の飽和磁気モーメント ｔ＿１：第１層の膜厚 ｔ＿２：第２層の膜厚 σ＿ｗ：交換結合力 Ｈｉｎｉ．：初期補助磁界