JPH01201836A - 情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は、記録に関与する物質及びこの物質を保護す
る物質の混合物からなる記録層に光ビームを照射するこ
とにより、照射部分の記録に関与する物質の光学的特性
を変化させて情報を記録する光ディスク等の情報記録媒
体に関する。

（従来の技術） 従来、記録層の光学的変化を利用して情報を記録再生す
る情報記録媒体として、例えば記録層に光ビームを照射
し、照射部分を溶融又は蒸発させてビットを形成し、ビ
ット部の光学的特性の変化、例えば反射率の変化を検出
するものが知られている。このような情報記録媒体の記
録層としては、例えばＴｅの金属を炭素−水素（Ｃ−Ｈ
）化合物中に分散させたもの、又はＴｅを含む有機放電
重合膜等がある。このような記録層においては、情報の
記録及び再生は、主に光の反射率及び吸収率が大きいＴ
ｅに依存している。一方、Ｔｅは耐酸化性が低いため、
Ｃ及びＨ５又は有機放電重合物によりＴｅの酸化を抑制
して記録層を長寿命化している。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、記録層中のＣ−Ｈ等の保護物質の割合を
増加させ、Ｔｅの割合を減少させると、記録感度が低下
してしまう虞がある。即ち、保護物質の割合を増加させ
ることによる情報記録媒体の長寿命化には、記録感度に
よる限界がある。

この発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、
記録層の記録に関与する物質を安定に維持することがで
きると共に、記録感度が高い情報記録媒体を提供するこ
とを目的とする。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） この発明に係る情報記録媒体は、基板と、記録に関与す
る物質及びこの物質を保護する物質の混合物からなる記
録層とを有する情報記録媒体であって、前記記゛録層は
、前記記録に関与する物質と前記保護物質との混合比が
層厚方向に変化していることを特徴とする。

（作用） この発明においては、上述のように記録に関与する物質
と保護物質との混合比を記録層の層厚方向に変化させる
ことができるので、記録層の酸化等が発生しやすい領域
、例えば表層部分において保護物質の含有量を多くシ、
且つ酸化等の発生する虞が少ない領域、例えば記録層の
中央部において保護物質の含有量を少なくすることがで
きる。

従って、記録層の酸化等が生じ易い領域の安定性を高め
ることができるので、記録層全体を長寿命化することが
でき、また、酸化等の発生する虞が少ない領域の保護物
質の量を少なくすることにより記録層全体の記録に関与
する物質の量を混合比一定の場合よりも多くすることが
できるので、記録感度を高く維持することができる。

（実施例） 以下、添付図面を参照してこの発明の実施例について具
体的に説明する。

第１図はこの実施例に係る情報記録媒体（光ディスク）
を示す断面図である。基板１はポリカーボネート、ポリ
メチルメタクリレート若しくはエポキシ等の樹脂、又は
ガラス等の経時変化が少ない材料で形成されている。基
板１の上には記録層２が設けられている。この記録層２
は炭素、水素及び金属又は半導体で形成されており、炭
素及び水素１１中に金属又は半導体１２が分散した状態
となっている。そして、レーザビームのような光ビーム
が照射されることにより、照射部分が溶融又は蒸発して
ピットが形成され情報が記録される。

なお、この場合において、情報の記録に関与するのは、
主に金属又は半導体１２であり、その反射率又は透過率
を検出することにより情報が読取られる。

記録層２を構成する金属又は半導体としては、比較的低
融点でビットを形成しやすく、且つ反射率及び吸収率が
高い材料、例えばＴｅを用いることができる。一方、記
録層２中の炭素及び水素１１は、記録層２中の金属又は
半導体を酸化等から保護する保護物質としての作用を有
〜している。

記録層２は、金属又は半導体１２と、炭素及び水素１１
との混合比がその層厚方向に変化しており、炭素及び水
素の含有量が相対的に中央部よりも表層部分で多くなっ
ている。この場合に、大気と接触して酸化され易い表層
部分において炭素及び水素の含有量が多いので、記録層
の耐酸化性が高く、記録層が長寿命である。また、記録
層２の中央部は、表層部分よりも酸化されにくいから、
上述のように炭素及び水素の含有量が低くても記録層の
耐酸化性が低下する虞が少ない。このように、中央部の
炭素及び水素の含有量を低下させることにより、炭素及
び水素の含有量が一定の場合よりも記録層全体の金属又
は半導体の含有量を多くすることができるので、記録層
の記録感度を高く維持することができる。

第１図の情報記録媒体において、金属又は半導体（例え
ばＴｅ）と炭素及び水素との混合比は、例えば第３図及
び第４図に示すように変化させることができる。つまり
、これら第３図及び第４図は横軸に層厚方向の距離をと
り、縦軸に金属又は半導体、並びに炭素及び水素の含有
率をとって、夫々の含有量の層厚方向の変化を示すグラ
フであるが、第３図のように混合比が層厚方向に連続的
に変化してもよいし、また、第４図のように段階的に変
化しても構わない。

第２図は第１図と同様な基板１上に、炭素及び水素の分
布が異なる以外は記録層２と同様に構成された記録層３
を設けた情報記録媒体（光ディスク）を示す断面図であ
る。即ち、この記録層３は、その表層部分のみならず、
基板１との境界部分においても炭素及び水素の含有量が
その中央部よりも多くなっている。例えば、基板１とし
て樹脂を使用した場合には、基板中の隙間を通って記録
層に水分等が侵入して記録層を酸化させる虞があるが、
このように記録層の基板との境界部分の炭素及び水素の
含有量を増加させることによりこの部分の酸化を抑制す
ることができ、記録層の耐酸化性を一層向上させること
ができる。

第２図の情報記録媒体において、金属又は半導体と炭素
及び水素との混合比は、第５図及び第６図に示すように
変化させることができる。これら第５図及び第６図は、
第３図及び第４図と同様に層厚方向における混合比の変
化を示すものであり、これらに示すように金属又は半導
体と炭素及び水素との混合比の層厚方向の変化が連続的
であっても、段階的であっても構わない。

次に、このような情報記録媒体（光ディスク）の製造方
法の一例について説明する。先ず、真空チャンバ内に基
板１を設置し、基板に対向して例えばＴｅ製のターゲッ
トを設置する。次いで、チャンバ内をクライオポンプ等
で排気して例えば５Ｘ１０″６Ｔｏｒｒ以下の高真空に
する。その後、チャンバ内にメタンガス等の炭化水素ガ
ス、又は炭化水素ガスとアルゴン等の希ガスとの混合ガ
スを所定流量で導入してチャンバ内を例えば５　Ｘ　１
０−３Ｔｏｒｒに保持し、ターゲットに所定電力を供給
して所定時間スパッタリングする。これにより、基板１
上に記録層２又は記録層３が成膜される。この場合に、
記録層における金属又は半導体と炭素及び水素との比率
は、ガス流量、各ガスの比率、又はスパッタリングパワ
ー等を変化させることにより調節することができる。例
えば、ガス流量（炭化水素ガス＋希ガス）及びスパッタ
リングパワーを一定とした場合には、炭化水素の流量比
が大きいほど炭素及び水素の含有量が多くなる。また、
ガスの流量及び比率が一定であれば、スパッタリングパ
ワーが小さいほど炭素及び水素の含有量が多くなる。従
って、成膜時にこれらの条件を連続的又は非連続的に変
化させることにより、記録層における金属又は半導体と
炭素及び水素との混合比を層厚方向に変化させることが
できる。

なお、上記実施例では、記録層に光ビームを照射し、照
射部分にピットを形成して情報を記録するタイプの情報
記録媒体にこの発明を適用した場合について示したが、
これに限らず、例えば磁気記録型又は相変化型の情報記
録媒体に適用することもできる。また、記録層を構成す
る材料もこの実施例に記載されたものに限る必要はなく
、要するに記録層が比較的酸化されやすい記録関与物質
とこの物質を酸化等から保護する保護物質との混合体で
形成されているものであれば適用することができる。

試験例 以下、この発明に係る情報記録媒体（光ディスク）を実
際に製造した試験例について説明する。

真空チャンバ内に円板上のポリカーボネート基板を設置
し、チャンバ内を５　Ｘ　１０′６Ｔｏｒｒ以下に排気
した後、アルゴンガス及びメタンガスをチャンバ内に導
入しつつ、基板に対向して配設されたＴｅターゲットに
電力を供給してスパッタリングした。この場合に、成膜
開始時から終了時までアルゴンガス及びメタンガスをい
ずれも流量５０３ＣＣＭと一定にした。そして、成膜開
始時から３０秒間はスパッタリングパワーを５０Ｗから
１００Ｗまで時間に比例して増加させ、その後の３０秒
間はスパッタリングパワーを１００Ｗと一定にし、更に
次の３０秒間はスパッタリングパワーを１００Ｗから５
０Ｗまで時間に比例して減少させた。これにより炭素及
び水素中にＴｅが分散した記録層を有する光ディスクが
形成され、記録層の混合比のプロファイルは第４図に示
すようになった。また、ガス流量又はガス混合比を変化
させることによっても層厚方向のＴｅと炭素及び水素と
の混合比を同様に変化させることができた。

［発明の効果コ この発明によれば、記録層において、記録に関与する物
質と、この物質を保護する物質との混合比を層厚方向に
変化させることができるので、例えば外気と接触しやす
い表層部分のような酸化等が発生しやすい領域において
保護物質の含有量を相対的に多ぐし、例えば中央部のよ
うな比較的酸化等が生じにくい領域において保護物質の
含有量を相対的に少なくすることができる。これにより
、記録層全体の耐酸化性等を良好にすることができると
共に、記録に関与する物質の全体量を混合比を均一にす
る場合よりも多くすることができる。

従って、長寿命で高記録感度の情報記録媒体を得ること
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図はこの発明の実施例に係る情報記録媒
体を示す断面図、第３図乃至第６図は層厚方向における
金属又は半導体と炭素及び水素との混合比の変化を示す
グラフ図である。 １；基板、２，３；記録層、１１；炭素及び水素（保護
物質）、１２；金属又は半導体（記録に関与する物質）
。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 第２図 勿 第３図 第４図 ω 第５Ｌ 旬 第６図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板と、記録に関与する物質及びこの物質を保護する物
   質の混合物からなる記録層とを有する情報記録媒体であ
   って、前記記録層は、前記記録に関与する物質と前記保
   護物質との混合比が層厚方向に変化していることを特徴
   とする情報記録媒体。