JPH01201970A - イメージセンサ - Google Patents
イメージセンサInfo
- Publication number
- JPH01201970A JPH01201970A JP63025572A JP2557288A JPH01201970A JP H01201970 A JPH01201970 A JP H01201970A JP 63025572 A JP63025572 A JP 63025572A JP 2557288 A JP2557288 A JP 2557288A JP H01201970 A JPH01201970 A JP H01201970A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photodiode
- common electrode
- image sensor
- electrode
- substrate
- Prior art date
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- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ファクシミリ、画像入力端末装置等の原稿読取部に用い
られるイメージセンサに関し、素子を微細化したときの
出力の増加及びＳ／Ｎの向上を目的とし、 透明基板の上に光導電物質が形成され、その上に共通電
極及び個別電極が対向して形成されたイメージセンサに
おいて、上記共通電極及び個別電極に対向した基板上に
アモルファスシリコンを用いたＰｉｎ構造又はショット
キー構造の光ダイオードを設け、該光ダイオードと光導
電物質との間に絶縁層を設けるように構成する。
られるイメージセンサに関し、素子を微細化したときの
出力の増加及びＳ／Ｎの向上を目的とし、 透明基板の上に光導電物質が形成され、その上に共通電
極及び個別電極が対向して形成されたイメージセンサに
おいて、上記共通電極及び個別電極に対向した基板上に
アモルファスシリコンを用いたＰｉｎ構造又はショット
キー構造の光ダイオードを設け、該光ダイオードと光導
電物質との間に絶縁層を設けるように構成する。
本発明はファクシミリ、画像入力端末装置等の原稿読取
部に用いられるイメージセンサに関する。
部に用いられるイメージセンサに関する。
アモルファスシリコンを用いた密着型イメージセンサは
ファクシミリの普及に伴い、その小型化。
ファクシミリの普及に伴い、その小型化。
高精細化の要望が高まっているが、高精細化に伴う出力
及びＳ／Ｎが低下しない様な構造が要求されている。
及びＳ／Ｎが低下しない様な構造が要求されている。
従来のイメージセンサの素子としては、ダイオードを用
いた蓄積型のものと、対向電極を用いた光導電型のもの
との二つの方式があった。前者のダイオードを用いたも
のは、出力が小さいため専用ＩＣで蓄積型にして読み取
る必要があり、又光導電型のものは、その出力が用いる
素材により決定されるという欠点があった。特にアモル
ファスシリコンを用いた光導電型の場合、Ｃｄ５Ｓｅに
比較して応答性はよいものの出力が小さいという欠点が
あった。このため第４図に示すような構成のイメージセ
ンサが提案されている（特願昭６２＝６０１６１号）。
いた蓄積型のものと、対向電極を用いた光導電型のもの
との二つの方式があった。前者のダイオードを用いたも
のは、出力が小さいため専用ＩＣで蓄積型にして読み取
る必要があり、又光導電型のものは、その出力が用いる
素材により決定されるという欠点があった。特にアモル
ファスシリコンを用いた光導電型の場合、Ｃｄ５Ｓｅに
比較して応答性はよいものの出力が小さいという欠点が
あった。このため第４図に示すような構成のイメージセ
ンサが提案されている（特願昭６２＝６０１６１号）。
これは第４図に示すように透明基板１の上に透明体のゲ
ート電極２が設けられ、その上に絶縁膜３およびアモル
ファスシリコン層４が設けられ、そのアモルファスシリ
コン層４の上にソース電極５とドレイン電極６とが離間
して設けられていて使用時には基板１の裏面から光を入
射するようになっている。そして受光部のアモルファス
シリコン層４に発生した光導電電流を絶縁膜３を介して
ゲート電極２により制御することによりアモルファスシ
リコンの高速性を利用し、さらにゲート電位によるソー
スドレイン間のコンダクタンスコントロールを利用して
電流値の絶対値を従来のアモルファスシリコンを用いた
光導電型に比して増加可能としたものである。
ート電極２が設けられ、その上に絶縁膜３およびアモル
ファスシリコン層４が設けられ、そのアモルファスシリ
コン層４の上にソース電極５とドレイン電極６とが離間
して設けられていて使用時には基板１の裏面から光を入
射するようになっている。そして受光部のアモルファス
シリコン層４に発生した光導電電流を絶縁膜３を介して
ゲート電極２により制御することによりアモルファスシ
リコンの高速性を利用し、さらにゲート電位によるソー
スドレイン間のコンダクタンスコントロールを利用して
電流値の絶対値を従来のアモルファスシリコンを用いた
光導電型に比して増加可能としたものである。
〔発明が解決しようとする１題〕
上記従来の裏面型のアモルファスシリコンイメージセン
サでは、出力の増加は可能であるがＳ／Ｎが低下すると
いう欠点があった。
サでは、出力の増加は可能であるがＳ／Ｎが低下すると
いう欠点があった。
本発明は上記問題点に鑑み、素子の微細化にかかわらず
出力の増加及びＳ／Ｎの向上が可能なイメージセンサを
提供することを目的とするものである。
出力の増加及びＳ／Ｎの向上が可能なイメージセンサを
提供することを目的とするものである。
（裸鞠を解決するための手段〕
上記目的は、透明基板１０の上に光導電物質１７が形成
され、その−ヒに共通電極２０及び個別電極２１が対向
して形成されたイメージセンサにおいて、上記共通電極
２０及び個別電極２１に対向した基板１０上にアモルフ
ァスシリコンを用いたｐｉｎ構造又はショットキー構造
の光ダイオード１５を設け、該光ダイオード１５と光導
電物質１７との間に絶縁層１６を設けたことを特徴とす
るイメージセンサによって達成される。
され、その−ヒに共通電極２０及び個別電極２１が対向
して形成されたイメージセンサにおいて、上記共通電極
２０及び個別電極２１に対向した基板１０上にアモルフ
ァスシリコンを用いたｐｉｎ構造又はショットキー構造
の光ダイオード１５を設け、該光ダイオード１５と光導
電物質１７との間に絶縁層１６を設けたことを特徴とす
るイメージセンサによって達成される。
（作 用］
共通電極２０と個別電極２１間の間に一定電圧を印加し
ておき、基板１０側から光照射すると、基板上に設けた
光ダイオード１５の電流特性によるケート電圧が発生し
、その電界効果により共通電極２０と個別電極２１間の
電流を光ダイオードのない場合より増加させ、光が照射
しない場合の暗電流は光ダイオードのない場合と同様で
あるので出力の増加及びＳ／Ｎの向上が可能となる。
ておき、基板１０側から光照射すると、基板上に設けた
光ダイオード１５の電流特性によるケート電圧が発生し
、その電界効果により共通電極２０と個別電極２１間の
電流を光ダイオードのない場合より増加させ、光が照射
しない場合の暗電流は光ダイオードのない場合と同様で
あるので出力の増加及びＳ／Ｎの向上が可能となる。
第１図は本発明の実施例を示す図であり、ａは平面図、
ｂはａ図のｂ−ｂ線における断面図である。
ｂはａ図のｂ−ｂ線における断面図である。
本実施例は回に示すようにガラス等の透明基板１０の上
に厚さ１０００人のＩＴＯの透明電極１１がｒ へ ） 設けられ、その上にｎ型アモルファスシリコン（厚さ１
００人）１２と１型アモルファスシリコン（厚さ１００
０Å以下）１３とｐ型アモルファスシリコン（厚さ８０
人）１４とよりなるｐｉｎ型光ダイオード（又はショッ
トキーダイオード）１５が設けられ、さらに該光ダイオ
ード１５を覆って厚さ３０００人の窒化シリコンを用い
た絶縁膜１６と厚さ３０００人のアモルファスシリコン
膜１７が設けられ、その上にｎ型アモルファスシリコン
１８とＣｒ又はＴｉ１９からなる共通電極２０及びそれ
に対向しギャップを隔てて個別電極２１か設けられてい
る。
に厚さ１０００人のＩＴＯの透明電極１１がｒ へ ） 設けられ、その上にｎ型アモルファスシリコン（厚さ１
００人）１２と１型アモルファスシリコン（厚さ１００
０Å以下）１３とｐ型アモルファスシリコン（厚さ８０
人）１４とよりなるｐｉｎ型光ダイオード（又はショッ
トキーダイオード）１５が設けられ、さらに該光ダイオ
ード１５を覆って厚さ３０００人の窒化シリコンを用い
た絶縁膜１６と厚さ３０００人のアモルファスシリコン
膜１７が設けられ、その上にｎ型アモルファスシリコン
１８とＣｒ又はＴｉ１９からなる共通電極２０及びそれ
に対向しギャップを隔てて個別電極２１か設けられてい
る。
なお光ダイオード１５は共通電極２０と個別電極２１の
ギャップの真下に位置するように配置されている。
ギャップの真下に位置するように配置されている。
このように構成された本実施例の動作を第２図により説
明する。第２図は共通電極２０と個別電極２１間に２ｖ
の電圧を印加し、絶縁膜例の電位を変えた場合の画電極
２０．２１間の電流を、基板側から光を照射した場合を
曲線イで、光を照射しない場合を曲線口で示している。
明する。第２図は共通電極２０と個別電極２１間に２ｖ
の電圧を印加し、絶縁膜例の電位を変えた場合の画電極
２０．２１間の電流を、基板側から光を照射した場合を
曲線イで、光を照射しない場合を曲線口で示している。
本実施例において基板側から光を照射した場合、光ダイ
オード１５は０．７５Ｖの起電力を発生し、その電界効
果の付加により共通電極２０と個別電極２１間には曲線
イの白丸印で示す位置の電流が流れる。光が照射されな
い時の暗出力はＶｏｃ＝０にあるのでその動作範囲はＢ
の如くになり、光タイオードのない場合（黒丸印と範囲
Ａで示す）に比しＳ（明電流）／Ｎ（暗電流）が増し、
かつ出力の絶対値も増加する。
オード１５は０．７５Ｖの起電力を発生し、その電界効
果の付加により共通電極２０と個別電極２１間には曲線
イの白丸印で示す位置の電流が流れる。光が照射されな
い時の暗出力はＶｏｃ＝０にあるのでその動作範囲はＢ
の如くになり、光タイオードのない場合（黒丸印と範囲
Ａで示す）に比しＳ（明電流）／Ｎ（暗電流）が増し、
かつ出力の絶対値も増加する。
なお共通電極２０及び個別電極２１は第３図に示すよう
な櫛形電極とすることもでき、この場合は従来の光導電
型センサと比較して素子を微細化しても十分大きな出力
が得られ、Ｓ／Ｎも改善されるため高精細化、カラー化
が可能となる。
な櫛形電極とすることもでき、この場合は従来の光導電
型センサと比較して素子を微細化しても十分大きな出力
が得られ、Ｓ／Ｎも改善されるため高精細化、カラー化
が可能となる。
〔発明の効果］
以上説明した様に本発明によれは、光導電型イメージセ
ンサの共通電極と個別電極のギャップの下に光ダイオー
ドを設けることにより、出力の増加及びＳ／Ｎの向上か
可能となる。
ンサの共通電極と個別電極のギャップの下に光ダイオー
ドを設けることにより、出力の増加及びＳ／Ｎの向上か
可能となる。
第１図は本発明の実施例を示す図、
第２図は本発明の実施例の作用を説明するだめの図、
第３図は本発明の実施例の他の電極を示す図、第４図は
従来のイメージセンサを示す図である。 図において、 １０は基板、 １１は透明電極、 １５はｐｉｎ型光ダイオード、 １６は絶縁膜、 １■はアモルファスシリコン膜、 ２０は共通電極、 ２１は個別電極 を示す。 ｌ″Ｉ ヘ コベ ヘト オーミック（ＩＯ２）開電流〔Ｖ−２ｖ〕本発明の実施
例の作用を 説明するための図 第２図 本発明の実施例の他の電極を示す図
従来のイメージセンサを示す図である。 図において、 １０は基板、 １１は透明電極、 １５はｐｉｎ型光ダイオード、 １６は絶縁膜、 １■はアモルファスシリコン膜、 ２０は共通電極、 ２１は個別電極 を示す。 ｌ″Ｉ ヘ コベ ヘト オーミック（ＩＯ２）開電流〔Ｖ−２ｖ〕本発明の実施
例の作用を 説明するための図 第２図 本発明の実施例の他の電極を示す図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、透明基板（１０）の上に光導電物質（１７）が形成
され、その上に共通電極（２０）及び個別電極（２１）
が対向して形成されたイメージセンサにおいて、上記共
通電極（２０）及び個別電極（２１）に対向した基板（
１０）上にアモルファスシリコンを用いたｐｉｎ構造又
はショットキー構造の光ダイオード（１５）を設け、 該光ダイオード（１５）と光導電物質（１７）との間に
絶縁層（１６）を設けたことを 特徴とするイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63025572A JP2671901B2 (ja) | 1988-02-08 | 1988-02-08 | イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63025572A JP2671901B2 (ja) | 1988-02-08 | 1988-02-08 | イメージセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01201970A true JPH01201970A (ja) | 1989-08-14 |
| JP2671901B2 JP2671901B2 (ja) | 1997-11-05 |
Family
ID=12169642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63025572A Expired - Lifetime JP2671901B2 (ja) | 1988-02-08 | 1988-02-08 | イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2671901B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50106595A (ja) * | 1974-01-29 | 1975-08-22 | ||
| JPS60143626A (ja) * | 1983-12-29 | 1985-07-29 | Fujitsu Ltd | イメ−ジセンサの製造方法 |
| JPS62145866A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-29 | Canon Inc | センサ装置、光導電型センサの駆動方法及び駆動装置 |
| JPS62250676A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光スイツチ素子 |
-
1988
- 1988-02-08 JP JP63025572A patent/JP2671901B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50106595A (ja) * | 1974-01-29 | 1975-08-22 | ||
| JPS60143626A (ja) * | 1983-12-29 | 1985-07-29 | Fujitsu Ltd | イメ−ジセンサの製造方法 |
| JPS62145866A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-29 | Canon Inc | センサ装置、光導電型センサの駆動方法及び駆動装置 |
| JPS62250676A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光スイツチ素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2671901B2 (ja) | 1997-11-05 |
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