JPH01204055A - 電子写真用感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真用感光体の製造方法Info
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- JPH01204055A JPH01204055A JP63027432A JP2743288A JPH01204055A JP H01204055 A JPH01204055 A JP H01204055A JP 63027432 A JP63027432 A JP 63027432A JP 2743288 A JP2743288 A JP 2743288A JP H01204055 A JPH01204055 A JP H01204055A
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- amorphous silicon
- surface layer
- gas
- glow discharge
- integer
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子写真用感光体の製造方法に関するもので
あり、特に、非晶質ケイ素系光導電層と非晶質炭化ケイ
素系表面層とを有する電子写真感光体の製造方法に関す
る。
あり、特に、非晶質ケイ素系光導電層と非晶質炭化ケイ
素系表面層とを有する電子写真感光体の製造方法に関す
る。
従来の技術
近年、感光層として非晶質ケイ素（アモルファスシリコ
ン）を用いた電子写真感光体が開発され、種々の改善が
試みられている。この非晶質ケイ素を用いた感光体は、
導電性基板上に、シラン（ＳｉＨ４）ガスのグロー放電
分解法などによりケイ素の非晶質膜を形成したもので必
って、非晶質ケイ素膜中に水素原子が取り込まれ、光導
電性を呈するものである。非晶質ケイ素感光体は、波長
約４００ｎｍ〜７００ｎｍの光に対して高い光感度を有
し耐熱性も高く、機械的強度も優れたものであるが、そ
の表面を保護するために、ＳｉＮ、ＳｉＯなどの組成を
有する表面層を設けることが提案されている。これ等の
表面層を有する電子写真感光体は、高温高湿下で長期間
にねたり繰返使用すると、画像ぼけを生じてしまうとい
う問題点があった。この点を改善したものとして、非晶
質炭化ケイ素を主体とする表面層を設けたものが提案さ
れている。（例えば、特開昭５７−１１５５５１号、同
５７−１１５５５６号、同５８−８８７５３＠公報）発
明が解決しようとする課題 ところで、従来の非晶質炭化ケイ素を主体とする表面層
は、通常、炭化水素系のガスと水素化ケイ素ガスとを用
いてグロー放電分解法により形成しているが、この方法
によって形成された表面層は、ビッカース硬度が約３０
０〜４００程度以下にしかならず、硬度の点で十分では
なかった。しだがつて、電子写真プロセスにおける残留
トナーの為のブレード或いは用紙剥離爪等との摩擦によ
って、表面状態が変化し、得られた画像に白すじ等の画
像欠陥が発生するという欠点があった。
ン）を用いた電子写真感光体が開発され、種々の改善が
試みられている。この非晶質ケイ素を用いた感光体は、
導電性基板上に、シラン（ＳｉＨ４）ガスのグロー放電
分解法などによりケイ素の非晶質膜を形成したもので必
って、非晶質ケイ素膜中に水素原子が取り込まれ、光導
電性を呈するものである。非晶質ケイ素感光体は、波長
約４００ｎｍ〜７００ｎｍの光に対して高い光感度を有
し耐熱性も高く、機械的強度も優れたものであるが、そ
の表面を保護するために、ＳｉＮ、ＳｉＯなどの組成を
有する表面層を設けることが提案されている。これ等の
表面層を有する電子写真感光体は、高温高湿下で長期間
にねたり繰返使用すると、画像ぼけを生じてしまうとい
う問題点があった。この点を改善したものとして、非晶
質炭化ケイ素を主体とする表面層を設けたものが提案さ
れている。（例えば、特開昭５７−１１５５５１号、同
５７−１１５５５６号、同５８−８８７５３＠公報）発
明が解決しようとする課題 ところで、従来の非晶質炭化ケイ素を主体とする表面層
は、通常、炭化水素系のガスと水素化ケイ素ガスとを用
いてグロー放電分解法により形成しているが、この方法
によって形成された表面層は、ビッカース硬度が約３０
０〜４００程度以下にしかならず、硬度の点で十分では
なかった。しだがつて、電子写真プロセスにおける残留
トナーの為のブレード或いは用紙剥離爪等との摩擦によ
って、表面状態が変化し、得られた画像に白すじ等の画
像欠陥が発生するという欠点があった。
本発明は、従来の技術における上記のような問題点に鑑
みてなされたものである。
みてなされたものである。
したがって、本発明の目的は、高い硬度を有し、耐摩耗
性に優れた表面層を有する非晶質ケイ素系電子写真感光
体を提供することにある。
性に優れた表面層を有する非晶質ケイ素系電子写真感光
体を提供することにある。
課題を解決するための手段及び作用
本発明は、導電性基板上に非晶質ケイ素系光導電層及び
非晶質炭化ケイ素系表面層をグロー放電分解法により順
次形成する電子写真用感光体の製造方法において、非晶
質ケイ素系光導電層の形成後、反応室内に、原料ガスと
して、フルオロ炭化水素ガスと水素化ケイ素ガスとより
なるガス混合物を導入し、グロー放電分解により、非晶
質炭化ケイ素を主体してなる表面層を形成することを特
徴とする。
非晶質炭化ケイ素系表面層をグロー放電分解法により順
次形成する電子写真用感光体の製造方法において、非晶
質ケイ素系光導電層の形成後、反応室内に、原料ガスと
して、フルオロ炭化水素ガスと水素化ケイ素ガスとより
なるガス混合物を導入し、グロー放電分解により、非晶
質炭化ケイ素を主体してなる表面層を形成することを特
徴とする。
以下、本発明について詳記する。
本発明において用いられる導電性基板としては、アルミ
ニウム、ニッケル、クロム、ステンレス鋼などの合金、
導電膜を有するプラスチックシートあるいはガラス、導
電化処理をした紙などがあげられる。
ニウム、ニッケル、クロム、ステンレス鋼などの合金、
導電膜を有するプラスチックシートあるいはガラス、導
電化処理をした紙などがあげられる。
非晶質ケイ素系光導電層は、反応ガスとしてケイ素化合
物を用い、グロー放電分解法によって上記の導電性基板
上に形成する。すなわち、プラス？ ＣＶ Ｄ （Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ ［）ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）
装置の反応室内にケイ素化合物を主体とする反応ガスを
導入し、この反応ガスをグロー放電分解することによっ
て、反応室内の所定の位置に設定された導電性基板上に
非晶質ケイ素系光導電層を形成させる。
物を用い、グロー放電分解法によって上記の導電性基板
上に形成する。すなわち、プラス？ ＣＶ Ｄ （Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ ［）ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）
装置の反応室内にケイ素化合物を主体とする反応ガスを
導入し、この反応ガスをグロー放電分解することによっ
て、反応室内の所定の位置に設定された導電性基板上に
非晶質ケイ素系光導電層を形成させる。
本発明において用いられるケイ素化合物としては、５ｆ
Ｈ４、Ｓ！２ Ｈ６，５ＩＣ１４，５ｉＨＣ！３．５ｆ
Ｈ２ＣＩ２ 、Ｓｆ （ＣＨ３＞４、Ｓ ！３ ＨＢ
、 Ｓ ！４ Ｈｌｏ等があげられる。
Ｈ４、Ｓ！２ Ｈ６，５ＩＣ１４，５ｉＨＣ！３．５ｆ
Ｈ２ＣＩ２ 、Ｓｆ （ＣＨ３＞４、Ｓ ！３ ＨＢ
、 Ｓ ！４ Ｈｌｏ等があげられる。
上記ケイ素化合物と共に、必要に応じて各種のキャリア
ガス、例えば、水素、ヘリウム、アルゴン、ネオン等を
混合して使用することも可能である。更に又、上記ガス
中にジボランガス、ホスフィンガス、その他のドニパン
トガスを混合させて非晶質ケイ素系感光層の電子写真特
性を改善することも可能である。
ガス、例えば、水素、ヘリウム、アルゴン、ネオン等を
混合して使用することも可能である。更に又、上記ガス
中にジボランガス、ホスフィンガス、その他のドニパン
トガスを混合させて非晶質ケイ素系感光層の電子写真特
性を改善することも可能である。
上記したガスを用いて非晶質ケイ素感光層を形成させる
ためのグロー放電分解の条件は、例えば、交流放電の場
合を例に、とると、次の通りである。
ためのグロー放電分解の条件は、例えば、交流放電の場
合を例に、とると、次の通りである。
電源周波数は通常０．１〜３０Ｍ）１２．好適には５〜
２０聞ｌであり、放電時の反応室内の圧力は、０．１〜
５Ｔｏｒｒであり、基板加熱温度はｉｏｏ〜４００℃で
ある。
２０聞ｌであり、放電時の反応室内の圧力は、０．１〜
５Ｔｏｒｒであり、基板加熱温度はｉｏｏ〜４００℃で
ある。
本発明における光導電層の膜厚は、任意に設定されるが
、１１Ｉ！１１〜２００１Ｉ！１１、特に１０ｔｔｍ
〜１００−が好適である。
、１１Ｉ！１１〜２００１Ｉ！１１、特に１０ｔｔｍ
〜１００−が好適である。
本発明においては、電子写真感光体は、導電性基板上に
光照射に応じて電荷担体を発生させる光導電層を形成さ
せるが、所望により、支持体でおる導電性基板と光導電
層間に電荷輸送層及び／又は電荷担体に対して障壁を形
成する電荷ブロッキング層を積層してもよい。
光照射に応じて電荷担体を発生させる光導電層を形成さ
せるが、所望により、支持体でおる導電性基板と光導電
層間に電荷輸送層及び／又は電荷担体に対して障壁を形
成する電荷ブロッキング層を積層してもよい。
次いで、上記非晶質ケイ素系感光層の上に、非晶質炭化
ケイ素を主体としてなる表面層を形成させる。
ケイ素を主体としてなる表面層を形成させる。
表面層を形成させるための原料ガスとしては、フルオロ
炭化水素ガスと水素化ケイ素ガスとよりなるガス混合物
が使用される。それ等の混合割合は、適宜設定すること
ができるが、例えば、前者と後者の割合を流ｍ比で２０
：１ないし１：２ｏの範囲で使用するのが好ましい。
炭化水素ガスと水素化ケイ素ガスとよりなるガス混合物
が使用される。それ等の混合割合は、適宜設定すること
ができるが、例えば、前者と後者の割合を流ｍ比で２０
：１ないし１：２ｏの範囲で使用するのが好ましい。
フルオロ炭化水素としては、下記一般式（Ａ）（［３）
及び（Ｃ）で示されるものが使用され、ＣｎＨ２ｎ＋２
−ｘＦｘ （Ａ）ｃ、 Ｈ２，−、Ｆ、
ＣＢ）Ｃト１ ’Ｆ
（Ｃ）ｎ ２ｎ−２−ｚ ｚ （式中、０は整数を表わし、Ｘは１ないし２ｎ＋２の整
数を表わし、ｙは１ないし２ｎの整数を表わし、２は１
ないし２ｎ−２の整数を表わす）具体的には、例えば、
ＣＨ３Ｆ （フルオロメタン）、ＣＨ２Ｆ２ （ジフル
オロメタン）、ＣＨＦ３ （フルオロホルム）、ＣＦ４
（テトラフルオロメタン）、Ｃ２［−１５Ｆ（フルオ
ロエタン）、Ｃ２Ｈ４Ｆ２（ジフルオロエタン）、ｃ２
Ｆ６ （ペルフルオロエタン）、Ｃ２Ｈ３Ｆ（フルオロ
エチレン）、Ｃ３Ｈ３Ｆ（フッ化アリル）、ｃ３Ｆ４
（テトラフルレオ自アレン）等をあげることができる。
及び（Ｃ）で示されるものが使用され、ＣｎＨ２ｎ＋２
−ｘＦｘ （Ａ）ｃ、 Ｈ２，−、Ｆ、
ＣＢ）Ｃト１ ’Ｆ
（Ｃ）ｎ ２ｎ−２−ｚ ｚ （式中、０は整数を表わし、Ｘは１ないし２ｎ＋２の整
数を表わし、ｙは１ないし２ｎの整数を表わし、２は１
ないし２ｎ−２の整数を表わす）具体的には、例えば、
ＣＨ３Ｆ （フルオロメタン）、ＣＨ２Ｆ２ （ジフル
オロメタン）、ＣＨＦ３ （フルオロホルム）、ＣＦ４
（テトラフルオロメタン）、Ｃ２［−１５Ｆ（フルオ
ロエタン）、Ｃ２Ｈ４Ｆ２（ジフルオロエタン）、ｃ２
Ｆ６ （ペルフルオロエタン）、Ｃ２Ｈ３Ｆ（フルオロ
エチレン）、Ｃ３Ｈ３Ｆ（フッ化アリル）、ｃ３Ｆ４
（テトラフルレオ自アレン）等をあげることができる。
又、水素化ケイ素としては、Ｓ ｉ Ｈ４、Ｓ ｌ ２
Ｈ６、Ｓ １３ ＨＢ 、Ｓ ！４ Ｈｌｏ等をあげる
ことができる。
Ｈ６、Ｓ １３ ＨＢ 、Ｓ ！４ Ｈｌｏ等をあげる
ことができる。
以上列記した表面層を形成するための原料物質は、常温
でガス状であっても、固体状あるいは液状であってもよ
いが、固体状あるいは液状で必る場合には、気化して反
応室内に導入する。
でガス状であっても、固体状あるいは液状であってもよ
いが、固体状あるいは液状で必る場合には、気化して反
応室内に導入する。
表面層は、プラズマＣＶＤ装置により上記の原料ガスを
グロー放電分解させることによって形成させるが、グロ
ー放電分解は、直流及び交流放電のいずれを採用する場
合でも可能でおる。膜形成の生成条件は、交流放電の場
合を例にとると、周波数は０．１〜３０ＭＨｚ、好適に
は５〜２０ＭＨ７であり、又、放電時の真空度は０．１
〜５Ｔｏｒｒ （１３，３〜６８７Ｐａ）、基板加熱温
度は１００〜４００℃である。
グロー放電分解させることによって形成させるが、グロ
ー放電分解は、直流及び交流放電のいずれを採用する場
合でも可能でおる。膜形成の生成条件は、交流放電の場
合を例にとると、周波数は０．１〜３０ＭＨｚ、好適に
は５〜２０ＭＨ７であり、又、放電時の真空度は０．１
〜５Ｔｏｒｒ （１３，３〜６８７Ｐａ）、基板加熱温
度は１００〜４００℃である。
表面層の膜厚は任意に設定されるがｏ、 ｏｉ〜１Ｇ仮
、好ましくは０．２〜５μｍでおる。
、好ましくは０．２〜５μｍでおる。
本発明においては、非晶質炭化ケイ素系表面層の形成に
際して、水素化ケイ素とフルオロ炭化水素の混合ガスが
使用されるから、グロー放電分解によって発生する水素
原子が、フッ素原子と結合して弗化水素の形になり、系
外に除去される。したがって、形成される表面層中に導
入される水素ガスの量が著しく低下し、形成される表面
層の硬度が高くなるものと推測される。
際して、水素化ケイ素とフルオロ炭化水素の混合ガスが
使用されるから、グロー放電分解によって発生する水素
原子が、フッ素原子と結合して弗化水素の形になり、系
外に除去される。したがって、形成される表面層中に導
入される水素ガスの量が著しく低下し、形成される表面
層の硬度が高くなるものと推測される。
実施例
次に、実施例によって本発明の電子写真用感光体の製造
方法を説明する。
方法を説明する。
実施例１
円筒状基板上への非晶質ケイ素膜の生成が可能な容量結
合型プラズマＣＶＤ装置の所定の位置に、円筒状アルミ
ニウム基板を載置し、反応室内にシラン（Ｓ ｉ Ｈ４
）ガス、ジボラン（８２Ｈ６）ガス及び水素（Ｈ２）ガ
スの混合ガスを導入して、グロー放電分解することによ
り、円筒状アルミニウム基板上に、膜厚２仮の非晶質ケ
イ素電荷注入防止層及び膜厚２０μｍの非晶質ケイ素系
光導電層を生成した。
合型プラズマＣＶＤ装置の所定の位置に、円筒状アルミ
ニウム基板を載置し、反応室内にシラン（Ｓ ｉ Ｈ４
）ガス、ジボラン（８２Ｈ６）ガス及び水素（Ｈ２）ガ
スの混合ガスを導入して、グロー放電分解することによ
り、円筒状アルミニウム基板上に、膜厚２仮の非晶質ケ
イ素電荷注入防止層及び膜厚２０μｍの非晶質ケイ素系
光導電層を生成した。
このときの電荷注入防止層の成膜条件は、次の通りであ
った。
った。
１００％シランガス流ｍ ： ２００ｃｉ／ｍｉｎ３
００ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流ｆｆｌ ： ２０
０ｃｆｆｌ／ ｍｉｎ反応器内圧： ０．８Ｔｏｒｒ 放電電力 ： １８０Ｗ 放電時間 ： ４０ｍ１ｎ 放電周波数： １３．５６阿ｆｌｚ 基板温度 ：２５０℃ また、光導電層の成膜条件は、次の通りであった。
００ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流ｆｆｌ ： ２０
０ｃｆｆｌ／ ｍｉｎ反応器内圧： ０．８Ｔｏｒｒ 放電電力 ： １８０Ｗ 放電時間 ： ４０ｍ１ｎ 放電周波数： １３．５６阿ｆｌｚ 基板温度 ：２５０℃ また、光導電層の成膜条件は、次の通りであった。
１００％シランガス流ｆｆｉ ： ２００ｃｆｆｌ／
ｍｉｎ１００ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流１： ５
ｃＩＡ／ｍｉｎ水素ガス流１７Ｊ ： １９５ｏｙｆ
／ｍｉｎ反応器内圧： ０．８Ｔｏｒｒ 放電電力 ： ｉａｏｗ 放電時間 ： ４００ｍ１ｎ 放電周波数： １３．５６聞ｌ 基板温度 ＝２５０℃ 続いて、形成された非晶質ケイ素系光導電層の上に、表
面層を形成させた。即ち、反応室内を真空排気した後、
四フッ化炭素（ＣＦ４）とシランガス（Ｓｉ４）ガスと
よりなる混合ガスを反応室内に導入し、グロー放電分解
させ、膜厚０．５Ｐの表面層を形成した。
ｍｉｎ１００ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流１： ５
ｃＩＡ／ｍｉｎ水素ガス流１７Ｊ ： １９５ｏｙｆ
／ｍｉｎ反応器内圧： ０．８Ｔｏｒｒ 放電電力 ： ｉａｏｗ 放電時間 ： ４００ｍ１ｎ 放電周波数： １３．５６聞ｌ 基板温度 ＝２５０℃ 続いて、形成された非晶質ケイ素系光導電層の上に、表
面層を形成させた。即ち、反応室内を真空排気した後、
四フッ化炭素（ＣＦ４）とシランガス（Ｓｉ４）ガスと
よりなる混合ガスを反応室内に導入し、グロー放電分解
させ、膜厚０．５Ｐの表面層を形成した。
このときの表面層の成膜条件は、次の通りであった。
四フッ化炭素ガス流１ ： ４０ＣＩｉ／ｍｉｎシラン
ガス流量：１６ＣＩＡ／ｍｉｎ 反応器内圧： ０．５Ｔｏｒｒ 放電電力 ： ２００Ｗ 放電時間 ： ６０ｍ１ｎ 放電周波数： １３．５６聞２ 基板温度 ：２５０℃ このようにして製造された電子写真感光体における表面
層のビッカース硬度（荷重＝１（ＥＪ）を測定したとこ
ろ、７８０ＫＩ／ｃｒｉであり、非常に硬いものであっ
た。
ガス流量：１６ＣＩＡ／ｍｉｎ 反応器内圧： ０．５Ｔｏｒｒ 放電電力 ： ２００Ｗ 放電時間 ： ６０ｍ１ｎ 放電周波数： １３．５６聞２ 基板温度 ：２５０℃ このようにして製造された電子写真感光体における表面
層のビッカース硬度（荷重＝１（ＥＪ）を測定したとこ
ろ、７８０ＫＩ／ｃｒｉであり、非常に硬いものであっ
た。
この電子写真感光体を複写機に入れて正のコロナ帯電方
式で複写を行い、コピー画像の画質を評価した。複写を
５万回繰り返した後、温度３５℃、湿度８５％ＲＨの環
境下と温度５℃、湿度１５％ＲＨの環境下で画質を評価
したところ、画像ぼけ、画像濃度の低下はなく、クリー
ニングブレードや紙剥離風による傷もまったく見られな
かった。
式で複写を行い、コピー画像の画質を評価した。複写を
５万回繰り返した後、温度３５℃、湿度８５％ＲＨの環
境下と温度５℃、湿度１５％ＲＨの環境下で画質を評価
したところ、画像ぼけ、画像濃度の低下はなく、クリー
ニングブレードや紙剥離風による傷もまったく見られな
かった。
実施例２
実施例１におけると同様にして、円筒状アルミニウム基
板上に、非晶質ケイ素を主体とする厚さ約２即の電荷注
入防止層及び厚さ約２０１ｍの光導電層を生成した。
板上に、非晶質ケイ素を主体とする厚さ約２即の電荷注
入防止層及び厚さ約２０１ｍの光導電層を生成した。
続いて、反応ガスとしてペルフルオロエタン（Ｃ２Ｆ６
）とシランガスを用いる以外は実施例１におけると同様
にして膜厚０．５μｍの表面層を形成した。このときの
成膜条件は次の通りでめった。
）とシランガスを用いる以外は実施例１におけると同様
にして膜厚０．５μｍの表面層を形成した。このときの
成膜条件は次の通りでめった。
ペルフルオロエタン流量：４０ｃｆｆｌ／ｍｉｎシラン
ガス流１ ： ２４ｃｉ／ｍｉｎ反応器内圧： ０．
５Ｔｏｒｒ 放電電力 ： ２００Ｗ 放電時間 ： ３０ｍ１ｎ 放電周波数＝１３゜５６Ｍ＋ＩＺ 基板温度 ：２５０℃ このようにして製造された電子写真感光体における表面
層のビッカース硬度（荷重＝ｉｏ９）は７２０ＫＩ／ｃ
ｒＡで必った。実施例１におけると同様に画質評価を行
なったところ、画像ぼけ、画像濃度の低下はなく、クリ
ーニングブレードや紙剥離風による傷もまったく見られ
なかった。
ガス流１ ： ２４ｃｉ／ｍｉｎ反応器内圧： ０．
５Ｔｏｒｒ 放電電力 ： ２００Ｗ 放電時間 ： ３０ｍ１ｎ 放電周波数＝１３゜５６Ｍ＋ＩＺ 基板温度 ：２５０℃ このようにして製造された電子写真感光体における表面
層のビッカース硬度（荷重＝ｉｏ９）は７２０ＫＩ／ｃ
ｒＡで必った。実施例１におけると同様に画質評価を行
なったところ、画像ぼけ、画像濃度の低下はなく、クリ
ーニングブレードや紙剥離風による傷もまったく見られ
なかった。
比較例
実施例１におけると同様にして、円筒状アルミニウム基
板上に、非晶質ケイ素を主体とする厚さ約２Ｊ１ｍの電
荷注入防止層及び厚さ約２０即の光導電層を生成した。
板上に、非晶質ケイ素を主体とする厚さ約２Ｊ１ｍの電
荷注入防止層及び厚さ約２０即の光導電層を生成した。
続いて、メタンガスとシランガスとよりなる反応ガスを
用いる以外は、実施例１におけると同様にして膜厚０．
５Ｍの表面層を形成した。このときの成膜条件は次の通
りであった。
用いる以外は、実施例１におけると同様にして膜厚０．
５Ｍの表面層を形成した。このときの成膜条件は次の通
りであった。
メタンガス流量： １００７／ｍｉｎシランガス流量
： ２０Ｃｆｆｌ／ｍｉｎ反応器内圧： ０．５Ｔ
ｏｒｒ 放電電力 ： ２００Ｗ 放電時間 ： ３０ｍ１ｎ 放電周波数： １３．５６聞Ｚ 基板温度 ：２５０℃ このようにして製造された電子写真感光体における表面
層のビッカース硬度（荷重＝ｉｏｇ）は１４７０ＫＩ／
ｃｔｉであった。
： ２０Ｃｆｆｌ／ｍｉｎ反応器内圧： ０．５Ｔ
ｏｒｒ 放電電力 ： ２００Ｗ 放電時間 ： ３０ｍ１ｎ 放電周波数： １３．５６聞Ｚ 基板温度 ：２５０℃ このようにして製造された電子写真感光体における表面
層のビッカース硬度（荷重＝ｉｏｇ）は１４７０ＫＩ／
ｃｔｉであった。
この電子写真感光体を複写機にいれ、正のコロナ帯電方
式で複写を行い、コピー画像の画質を評価した。複写を
１５００回繰り返したところ、画像上にクリーニングブ
レードや紙剥離風による傷に基づく画像欠陥が観察され
るようになった。
式で複写を行い、コピー画像の画質を評価した。複写を
１５００回繰り返したところ、画像上にクリーニングブ
レードや紙剥離風による傷に基づく画像欠陥が観察され
るようになった。
発明の効果
本発明によれば、非晶質ケイ素光導電層の上に、フルオ
ロ炭化水素ガスと水素化ケイ素ガスとの混合ガスを用い
、グロー放電分解によって非晶質炭化ケイ素を主体とす
る表面層を設けるから、形成された表面層は、少なくと
もビッカース硬度５００以上の非常に高い表面硬度を有
するものとなる。
ロ炭化水素ガスと水素化ケイ素ガスとの混合ガスを用い
、グロー放電分解によって非晶質炭化ケイ素を主体とす
る表面層を設けるから、形成された表面層は、少なくと
もビッカース硬度５００以上の非常に高い表面硬度を有
するものとなる。
したがって、本発明の電子写真感光体は、使用に際して
クリーニングブレード、紙判離爪ぞの他による傷の発生
も起り難くなり、又どのような操作条件下でも、画像ぽ
けを生じることのないコピー画像を得ることができる。
クリーニングブレード、紙判離爪ぞの他による傷の発生
も起り難くなり、又どのような操作条件下でも、画像ぽ
けを生じることのないコピー画像を得ることができる。
特許出願人 富士ゼロックス株式会社代理人
弁理士 眼部 剛
弁理士 眼部 剛
Claims (2)
- （１）導電性基板上に非晶質ケイ素系光導電層及び非晶
質炭化ケイ素系表面層をグロー放電分解法により順次形
成する電子写真用感光体の製造方法において、非晶質ケ
イ素系光導電層の形成後、反応室内に、原料ガスとして
、少なくともフルオロ炭化水素ガスと水素化ケイ素ガス
とよりなるガス混合物を導入し、グロー放電分解により
、非晶質炭化ケイ素を主体してなる表面層を形成するこ
とを特徴とする電子写真用感光体の製造方法。 - （２）フルオロ炭化水素が、下記一般式（Ａ）（Ｂ）及
び（Ｃ）で示されるものから選択された少なくとも１種
よりなることを特徴とする請求項（１）記載の電子写真
用感光体の製造方法。 Ｃ＿ｎＨ＿２＿ｎ＿＋＿２＿−＿ｘＦ＿ｘ（Ａ） Ｃ＿ｎＨ＿２＿ｎ＿−＿ｙＦ＿ｙ（Ｂ） Ｃ＿ｎＨ＿２＿ｎ＿−＿２＿−＿ｚＦ＿ｚ（Ｃ） （式中、ｎは整数を表わし、ｘは１ないし２ｎ＋２の整
数を表わし、ｙは１ないし２ｎの整数を表わし、ｚは１
ないし２ｎ−２の整数を表わす）
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63027432A JPH01204055A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 電子写真用感光体の製造方法 |
| US07/624,533 US5459009A (en) | 1988-02-10 | 1990-12-10 | Process for making an electrophotographic photoreceptor having protective layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63027432A JPH01204055A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01204055A true JPH01204055A (ja) | 1989-08-16 |
Family
ID=12220947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63027432A Pending JPH01204055A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01204055A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57115559A (en) * | 1981-01-09 | 1982-07-19 | Canon Inc | Photoconductive material |
| JPS58108544A (ja) * | 1981-12-22 | 1983-06-28 | Canon Inc | 光導電部材及びそれを用いる像形成方法 |
| JPS58115449A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-09 | Canon Inc | 電子写真用像形成部材 |
| JPS63116159A (ja) * | 1986-11-04 | 1988-05-20 | Canon Inc | 電子写真用光受容部材 |
-
1988
- 1988-02-10 JP JP63027432A patent/JPH01204055A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57115559A (en) * | 1981-01-09 | 1982-07-19 | Canon Inc | Photoconductive material |
| JPS58108544A (ja) * | 1981-12-22 | 1983-06-28 | Canon Inc | 光導電部材及びそれを用いる像形成方法 |
| JPS58115449A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-09 | Canon Inc | 電子写真用像形成部材 |
| JPS63116159A (ja) * | 1986-11-04 | 1988-05-20 | Canon Inc | 電子写真用光受容部材 |
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