JPS6067955A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPS6067955A JPS6067955A JP20555583A JP20555583A JPS6067955A JP S6067955 A JPS6067955 A JP S6067955A JP 20555583 A JP20555583 A JP 20555583A JP 20555583 A JP20555583 A JP 20555583A JP S6067955 A JPS6067955 A JP S6067955A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- surface protective
- protective layer
- glow discharge
- fluorine
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｊ−）を
光導電層とした電子写真感光体の改良−こ関する。
光導電層とした電子写真感光体の改良−こ関する。
近年、電子写真技術の進歩は目覚しく、超高速複写機や
レーザービームプリンタなどの開発が活発に進められ′
Ｃおり、これらの機器に用いられる感光体は、長期間、
高速で使用されるため、動作の安定性及び耐久性が要求
されている。現在、電子写真感光体には、Ｓｅ 、 Ｃ
ｄＳ 、 ＺｎＯ等の光電材料が一般的に使用されてい
るが、ａ−８ｉは耐熱性、耐摩耗性、無公害性、光感度
特性等に優れているという理由から、ａ −８１の電子
写真感光体への応用が報告されている。
レーザービームプリンタなどの開発が活発に進められ′
Ｃおり、これらの機器に用いられる感光体は、長期間、
高速で使用されるため、動作の安定性及び耐久性が要求
されている。現在、電子写真感光体には、Ｓｅ 、 Ｃ
ｄＳ 、 ＺｎＯ等の光電材料が一般的に使用されてい
るが、ａ−８ｉは耐熱性、耐摩耗性、無公害性、光感度
特性等に優れているという理由から、ａ −８１の電子
写真感光体への応用が報告されている。
しかしながら、安定した動作や著しく優れた耐久性がま
すます要求されている今日的状況では、いままで報告さ
れたａ −８１感光体では十分に対応しきれな（なりつ
つあり、特に、超高速複写用の感光体に要求される特性
を十分に満足しえるものではない。
すます要求されている今日的状況では、いままで報告さ
れたａ −８１感光体では十分に対応しきれな（なりつ
つあり、特に、超高速複写用の感光体に要求される特性
を十分に満足しえるものではない。
本発明は上記事情に鑑みて成されたもので、きわめて安
定した動作特性をもっとともに、著しく優れた耐久性を
有する、超高速複写に好適な電子写真感光体を提供する
ことを目的とする。
定した動作特性をもっとともに、著しく優れた耐久性を
有する、超高速複写に好適な電子写真感光体を提供する
ことを目的とする。
本発明の要旨は、導電性基板上に、望ましくは、ａ −
Ｓｉ障壁層を形成し、その上に、ａ −Ｓｉ光光導電層
層、水素及びフッ素とともに炭素を含むａ−８１表面保
護層とを： グロー放電分解法によって、順次積層して
成る電子写真感光体において、フッ素含有シリコン化合
物と水素含有シリコン化合物のガス容積に封して、フッ
素含有シリコン化合物のガス容積を２０〜５０％とした
雰囲気の中でグロー放電を発生し、前記ａ −Ｓ１表面
保護層を形成したことを特徴とする電子写真感光体を提
供することにある。
Ｓｉ障壁層を形成し、その上に、ａ −Ｓｉ光光導電層
層、水素及びフッ素とともに炭素を含むａ−８１表面保
護層とを： グロー放電分解法によって、順次積層して
成る電子写真感光体において、フッ素含有シリコン化合
物と水素含有シリコン化合物のガス容積に封して、フッ
素含有シリコン化合物のガス容積を２０〜５０％とした
雰囲気の中でグロー放電を発生し、前記ａ −Ｓ１表面
保護層を形成したことを特徴とする電子写真感光体を提
供することにある。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明の電子写真感光体は、第１図（Ａ）＃こ示す通り
、導電性基板（ＩＩ上に、ａ −Ｓｉ光導電層（２）及
びａ −Ｓｉ表面保護層（３）を順次積層して構成され
、望ましくは、第１図の）に示す如く、導電性基板（１
）とａ −Ｓｉ光導電層（２）ノ間に、ａ −Ｓ’ｒ障
壁層（４）を介在させるとよい。
、導電性基板（ＩＩ上に、ａ −Ｓｉ光導電層（２）及
びａ −Ｓｉ表面保護層（３）を順次積層して構成され
、望ましくは、第１図の）に示す如く、導電性基板（１
）とａ −Ｓｉ光導電層（２）ノ間に、ａ −Ｓ’ｒ障
壁層（４）を介在させるとよい。
ａ −Ｓｉ光導電層（２）には、水素及びフッ素の少な
くとも一種とともに、酸素、並びに周期律表第１１［ａ
族、特に硼素を含有させる。
くとも一種とともに、酸素、並びに周期律表第１１［ａ
族、特に硼素を含有させる。
ａ −Ｓｉ表面保護層（３）には、水素及びフッ素とと
もに、炭素を含有し、更に、周期律表第ｎｔａ族、特に
硼素を含有させてもよい。
もに、炭素を含有し、更に、周期律表第ｎｔａ族、特に
硼素を含有させてもよい。
ａ −８１障壁ＮＪ Ｔ４＋には、水素及びフッ素の少
なくとも一種とともに、導電性基板（１）からの電荷の
注入を阻止させるため、例えば、酸素、窒素、炭素の少
なくとも一種、並びにＷＪ期律表第Ｍａ族、特に硼素を
含有させる。
なくとも一種とともに、導電性基板（１）からの電荷の
注入を阻止させるため、例えば、酸素、窒素、炭素の少
なくとも一種、並びにＷＪ期律表第Ｍａ族、特に硼素を
含有させる。
第１表は、 ａ −Ｓ、ｉ障壁層（４）に酸素を含有し
た場合について、個々の届の厚み及び含有量を示しであ
る。
た場合について、個々の届の厚み及び含有量を示しであ
る。
第１表
第１表について、ａ −Ｓｉ障壁層（４）に含有させた
酸素にかえて、窒素、炭素を含有した場合でも。
酸素にかえて、窒素、炭素を含有した場合でも。
それぞれの層の厚み並びに他の成分の含有量は何ら変更
される。ものではなく、ａ −Ｓｉ障壁ｆｆ １４１に
、窒素、炭素のそれぞれが単独に含有される場合、窒素
含有量は０．０５〜５５ ａｔｏｍｉ、ｃ％、炭素含有
量は０．０５〜４５ ａｔｏｍｊ−ｃ％である。
される。ものではなく、ａ −Ｓｉ障壁ｆｆ １４１に
、窒素、炭素のそれぞれが単独に含有される場合、窒素
含有量は０．０５〜５５ ａｔｏｍｉ、ｃ％、炭素含有
量は０．０５〜４５ ａｔｏｍｊ−ｃ％である。
本発明によれば、 ａ −ｓ１表面保護ＮＩ＋３１をグ
ロ並びに硼素の出発原料ガス（例えば、Ｂ２Ｈ６など）
のガス流量を調整して、層内のそれぞれの含有量を特定
するとともに、Ｓｉ、Ｆａなどのフッ素含有シリコン化
合物と、Ｓｉ、Ｈ４などの水素含有シリコン化合物のそ
れぞれのガス容積を特定することにより、きわめて安定
した動作特性をもち、著しく優れた耐久性を有する感光
体となることが判った。
ロ並びに硼素の出発原料ガス（例えば、Ｂ２Ｈ６など）
のガス流量を調整して、層内のそれぞれの含有量を特定
するとともに、Ｓｉ、Ｆａなどのフッ素含有シリコン化
合物と、Ｓｉ、Ｈ４などの水素含有シリコン化合物のそ
れぞれのガス容積を特定することにより、きわめて安定
した動作特性をもち、著しく優れた耐久性を有する感光
体となることが判った。
即ち、フッ素含有シリコン化合物と水素含有シリコン化
合物のガス容積に対して、フッ素含有シリコン化合物の
ガス容積が２０％未満となると、比較的大きい結合エネ
ルギをもったＳｉ −Ｆが減少して耐久性の向上に寄与
せず、５０％を超えると、シリコン原子のダングリング
ボンドが増加して、電荷受容量の低下とともに光感度の
劣化を招くことになり、２０〜５０％の範囲となるよう
に設定するとよい。フッ素含有シリコン化合物には、５
ｉ−Ｆａ、ＳすＦａ 、 ５１ａｔｅなど種々の化合物
があり、水素含有シリコン化合物には、Ｓｉ、Ｈ４，５
ｉｓＨａ 。
合物のガス容積に対して、フッ素含有シリコン化合物の
ガス容積が２０％未満となると、比較的大きい結合エネ
ルギをもったＳｉ −Ｆが減少して耐久性の向上に寄与
せず、５０％を超えると、シリコン原子のダングリング
ボンドが増加して、電荷受容量の低下とともに光感度の
劣化を招くことになり、２０〜５０％の範囲となるよう
に設定するとよい。フッ素含有シリコン化合物には、５
ｉ−Ｆａ、ＳすＦａ 、 ５１ａｔｅなど種々の化合物
があり、水素含有シリコン化合物には、Ｓｉ、Ｈ４，５
ｉｓＨａ 。
ＳｉａＨｇなど種々の化合物がある。そして、上記シリ
コン化合物ガスやＢｇＨａガスなどは、Ａｒ、Ｈｅなど
の希ガスやＨ２ガスなどがキャリアガスとして使われて
おり、本発明によれば、表面保護層（３）をグロー放電
分解法により形成する雰囲気ガス中、５０〜９０％の範
囲に設定するのがよい。
コン化合物ガスやＢｇＨａガスなどは、Ａｒ、Ｈｅなど
の希ガスやＨ２ガスなどがキャリアガスとして使われて
おり、本発明によれば、表面保護層（３）をグロー放電
分解法により形成する雰囲気ガス中、５０〜９０％の範
囲に設定するのがよい。
かかる条件【こよって形成したａ −８１表面保護層（
３）は、炭素の含有量を最低で１ ａｔｏｍｔｃ％、最
大゛でも４５ ａｔｏｍｉ、０％まで高めることができ
、これにより、ＳＩＣを生成して感光体の耐久性を上げ
るという所期の目的を達成することができる。好適には
、電荷保持能力を一層向上させるため、炭素の含有量を
ｌθ〜４５ ａｔｏｍ１ｃ％の範囲に設定するとよい。
３）は、炭素の含有量を最低で１ ａｔｏｍｔｃ％、最
大゛でも４５ ａｔｏｍｉ、０％まで高めることができ
、これにより、ＳＩＣを生成して感光体の耐久性を上げ
るという所期の目的を達成することができる。好適には
、電荷保持能力を一層向上させるため、炭素の含有量を
ｌθ〜４５ ａｔｏｍ１ｃ％の範囲に設定するとよい。
そして゛、炭素が１．ｇ ａｔｏｍｔｃ％以下では、耐
久性の向上は見られず、且つ表面電位が低く、電荷保持
能力が向上しない。
久性の向上は見られず、且つ表面電位が低く、電荷保持
能力が向上しない。
また、表面保護層（３）の層厚は０．０１＃ｌ以下で耐
久性の向上は見られず、且つ表面電位が低く、電荷保持
能力が向上しない。そして、０．５μｍ以上では光感度
が低下傾向を示すと同時に、残留電位が大きくなる。従
って、表面保護層（３１の層厚は０．Ｏ１〜０，５μｍ
、好ましくは０．０５〜０．１５ ｔｉｎの範囲がよい
。尚、との層厚は１表面保護層（３）の炭素の含有量が
多くなれば層厚を小さく、逆にこれらの含有量が小さく
なれば１層厚を大きくするように、上記の適正範囲内で
決定される。
久性の向上は見られず、且つ表面電位が低く、電荷保持
能力が向上しない。そして、０．５μｍ以上では光感度
が低下傾向を示すと同時に、残留電位が大きくなる。従
って、表面保護層（３１の層厚は０．Ｏ１〜０，５μｍ
、好ましくは０．０５〜０．１５ ｔｉｎの範囲がよい
。尚、との層厚は１表面保護層（３）の炭素の含有量が
多くなれば層厚を小さく、逆にこれらの含有量が小さく
なれば１層厚を大きくするように、上記の適正範囲内で
決定される。
光導電層（２）については、酸素含有量を５ Ｘ １０
−１０−２ａｔｏ％以上とすると光感度が大幅に低下し
。
−１０−２ａｔｏ％以上とすると光感度が大幅に低下し
。
また逆に１０−’ａｔｏｍｉｃ％以下であると、酸素原
子のその大きな電気陰性度によりダングリングボンドの
電子を充分にとり込むことができず、よって暗抵抗にし
て１０ Ω・α以上のａ −Ｓｉ光導電層を得ることが
できず、光導電層（２）の酸素含有量は１０〜５ Ｘ
ｔｏ−ｇａｔｏｍｉ、０％の範囲がヨイ。
子のその大きな電気陰性度によりダングリングボンドの
電子を充分にとり込むことができず、よって暗抵抗にし
て１０ Ω・α以上のａ −Ｓｉ光導電層を得ることが
できず、光導電層（２）の酸素含有量は１０〜５ Ｘ
ｔｏ−ｇａｔｏｍｉ、０％の範囲がヨイ。
障壁層（４）は光導電層（２）中で発生するキャリアを
導電性基板（１）へ円滑に輸送し、且つ導電性基板（１
）からの電荷の注入を阻止する役目をする。これに対し
、この障壁層（４）がない場合には、導電性基板（１）
からの電荷の注入阻止が有効になされず、表面電位が低
下し、暗減衰速度が大きくなる。
導電性基板（１）へ円滑に輸送し、且つ導電性基板（１
）からの電荷の注入を阻止する役目をする。これに対し
、この障壁層（４）がない場合には、導電性基板（１）
からの電荷の注入阻止が有効になされず、表面電位が低
下し、暗減衰速度が大きくなる。
前記障壁層（４）が有効に働くためには、酸素、窒素、
炭素の含有量をそれぞれ０．０５〜６０ ａｔｏｍｉ、
０％、Ｑ、Ｑ５〜５５ ａｔｏｍｉ（４％、０．０５〜
４５ ａｔｏｍｉ、ｃ％の範囲とするのがよく、これら
の少なくとも一種がＱ、Ｑ５ ａｔｏｍｉ、０％以下で
は導電性基板（１）からの電荷の注入阻止が十分でない
ため、表面電位が不十分で暗減衰速度が大きくなり、そ
れぞれが単独で上記最大値を越えると、光キャリアがド
ラッグされ、残留電位が増加する。尚、この障壁層につ
いて、酸素、窒素、炭素のうちから２種もしくは３種と
組み合わせて含有してもよく、その組み合わせ次第によ
って、それぞれの含有量が適宜決定される。
炭素の含有量をそれぞれ０．０５〜６０ ａｔｏｍｉ、
０％、Ｑ、Ｑ５〜５５ ａｔｏｍｉ（４％、０．０５〜
４５ ａｔｏｍｉ、ｃ％の範囲とするのがよく、これら
の少なくとも一種がＱ、Ｑ５ ａｔｏｍｉ、０％以下で
は導電性基板（１）からの電荷の注入阻止が十分でない
ため、表面電位が不十分で暗減衰速度が大きくなり、そ
れぞれが単独で上記最大値を越えると、光キャリアがド
ラッグされ、残留電位が増加する。尚、この障壁層につ
いて、酸素、窒素、炭素のうちから２種もしくは３種と
組み合わせて含有してもよく、その組み合わせ次第によ
って、それぞれの含有量が適宜決定される。
本発明のａ −、Ｓｉ電子写真感光体においては。
ａ −Ｓｉ光導電層の上に、炭素を含むａ −８１表面
保護層をグロー放電分解法によって積層する場合、フッ
素含有シリコン化合物と水素含有シリコン化合物のガス
容積に対して、フッ素含有シリコン化合物のガス容積を
２０〜５０％とした雰囲気の中でグロー放電を発生して
ａ −Ｓｉ表面保護層を形成したため、炭素を含有させ
て達成される安定した動作特性及び耐久性が、更に一層
向上し、特に、超高速複写用の感光体に好適となる。
保護層をグロー放電分解法によって積層する場合、フッ
素含有シリコン化合物と水素含有シリコン化合物のガス
容積に対して、フッ素含有シリコン化合物のガス容積を
２０〜５０％とした雰囲気の中でグロー放電を発生して
ａ −Ｓｉ表面保護層を形成したため、炭素を含有させ
て達成される安定した動作特性及び耐久性が、更に一層
向上し、特に、超高速複写用の感光体に好適となる。
次に、ａ −Ｓｉ層を生成するための容量結合型グロー
放電分解装置を第２図に基づいて説明する。
放電分解装置を第２図に基づいて説明する。
図中の第１．第２．第３．第４．第５タンク（５）ｆ６
１ （７１（８１（９１ｓこは、それぞれＳｉＦ４．
Ｓｉ、Ｈ４，Ｂ＋Ｉ（ａ 。
１ （７１（８１（９１ｓこは、それぞれＳｉＦ４．
Ｓｉ、Ｈ４，Ｂ＋Ｉ（ａ 。
０３０Ｅ（４ガスが密封されている。また、 ＳｉＦ４
゜ＳｉＨ＋ 、 ＢＩＨ６ガス何れもキャリアーガスは
水素である。これらのガスは対応する第１．第２．第３
、第４及び第５調整弁（１［１旧１ｉ１Ｈ１３１（１４
１を開放することにより放出され、その流量がマスフロ
ーコントローラ鱈（ｔ６１旺７１＋１８狂うにより規制
され、第１．第２及び第３タンク＋５１ Ｆｅ２ （７
＋からのガスは第１主管■へ、また、第４及び第５タン
ク＋８１ （９１からの酸素ガス及びメタンガスは第２
主管ｔ２１１へ送られる。尚、（２１１は止め弁である
。第１．第２主管■圓を通じて流れるガスは反応管Ｑ４
へと送り込まれるが、この反応管内部の基蔗の周囲には
容量結合型放電用電極（至）が配設されており、それ自
体の高周波電力は５０ｗａｔｔｓ乃至３ ｋｊ−１ｏｗ
ａｔｔｓが、また周波数は１． ＭＨｚ乃至数ＩＱ Ｍ
Ｈｚが適当である。反応管Ｃ４内部には、その上にａ−
８ｉｌｌ１９Ｂが形成される。例えば、アルミニウムや
ＮＥＳＡガラスのような基板ａ音がモーター（５）によ
り回転可能であるターンテーブルＯａ上＋こ載置されて
おり、該基板（ハ）自体は適当な加熱手段により、約５
０乃至３００℃好ましくは約１５０乃至２５０℃の温度
に均一加熱されている。また、反応管（財）の内部はａ
−Ｓｉ、膜形成時に高度の真空状態（放電圧０．５乃
至２．０ Ｔｏｒｒ ）を必要とすることにより回転ポ
ンプ■と拡散ポンプ（１に連結されてい・る。
゜ＳｉＨ＋ 、 ＢＩＨ６ガス何れもキャリアーガスは
水素である。これらのガスは対応する第１．第２．第３
、第４及び第５調整弁（１［１旧１ｉ１Ｈ１３１（１４
１を開放することにより放出され、その流量がマスフロ
ーコントローラ鱈（ｔ６１旺７１＋１８狂うにより規制
され、第１．第２及び第３タンク＋５１ Ｆｅ２ （７
＋からのガスは第１主管■へ、また、第４及び第５タン
ク＋８１ （９１からの酸素ガス及びメタンガスは第２
主管ｔ２１１へ送られる。尚、（２１１は止め弁である
。第１．第２主管■圓を通じて流れるガスは反応管Ｑ４
へと送り込まれるが、この反応管内部の基蔗の周囲には
容量結合型放電用電極（至）が配設されており、それ自
体の高周波電力は５０ｗａｔｔｓ乃至３ ｋｊ−１ｏｗ
ａｔｔｓが、また周波数は１． ＭＨｚ乃至数ＩＱ Ｍ
Ｈｚが適当である。反応管Ｃ４内部には、その上にａ−
８ｉｌｌ１９Ｂが形成される。例えば、アルミニウムや
ＮＥＳＡガラスのような基板ａ音がモーター（５）によ
り回転可能であるターンテーブルＯａ上＋こ載置されて
おり、該基板（ハ）自体は適当な加熱手段により、約５
０乃至３００℃好ましくは約１５０乃至２５０℃の温度
に均一加熱されている。また、反応管（財）の内部はａ
−Ｓｉ、膜形成時に高度の真空状態（放電圧０．５乃
至２．０ Ｔｏｒｒ ）を必要とすることにより回転ポ
ンプ■と拡散ポンプ（１に連結されてい・る。
以上の構成のグロー放電分解装置において、例えば炭素
を含有するａ −Ｓｊ−膜を基板（イ）上に形成すると
きは、第１及び／又は第２調整弁（１１０１１とともに
、第５調整弁（１４１を開放して第１．第２タンク（５
１（６１よりＳｉＦ＋ガス、Ｓ、１−Ｈ４ガスを、第５
タンク（９）よりメタンガスを、また硼素も含有させる
ときは第３調整弁任２をも開放して、第３タンク（７）
よりＢｓＨ６ガスを放出する。放出量はマスフローコン
トローラミ９住ｅ （１７１（１９により規制され、
ＳｉＦ＋ガス及び／又はＳ′ＬＨ＋ガスの流量が特定さ
れ、それにＢ２Ｈ６ガスが混合されたガスが第１主管■
を介して、また、それとともにＳｉ、Ｆ４及び／又ｊｉ
５ｉＥ（４ｉこ対し一定のモル比にあるメタンガスが
第２主管ＣＤを介して反応管（財）へと送り仏学れる。
を含有するａ −Ｓｊ−膜を基板（イ）上に形成すると
きは、第１及び／又は第２調整弁（１１０１１とともに
、第５調整弁（１４１を開放して第１．第２タンク（５
１（６１よりＳｉＦ＋ガス、Ｓ、１−Ｈ４ガスを、第５
タンク（９）よりメタンガスを、また硼素も含有させる
ときは第３調整弁任２をも開放して、第３タンク（７）
よりＢｓＨ６ガスを放出する。放出量はマスフローコン
トローラミ９住ｅ （１７１（１９により規制され、
ＳｉＦ＋ガス及び／又はＳ′ＬＨ＋ガスの流量が特定さ
れ、それにＢ２Ｈ６ガスが混合されたガスが第１主管■
を介して、また、それとともにＳｉ、Ｆ４及び／又ｊｉ
５ｉＥ（４ｉこ対し一定のモル比にあるメタンガスが
第２主管ＣＤを介して反応管（財）へと送り仏学れる。
そして反応室（２）内部が０．５乃至２，０ 、、 Ｔ
Ｑｒｒ程度の真壁状態、基板温度が５０乃至３００℃、
容量型放電用電極（ハ）の高周波電力が５０ ｗａｔｔ
ｓ乃至３ ｋｉ、ｌｏｗａｔｔｓ 、また周波数が１乃
至数１０ Ｍ■工Ｚに設定されてし）ることに損保って
、グロー放電が起こり、ガス力家分解して、基板上にフ
ッ素、水素及び炭素を含有したａ −Ｓｉ膜、或いは、
それに加えて適量の硼素を含有したａ −Ｓｉ、膜が約
ｌＯ乃至２５００ Ａ ／分の成膜速度で形成される。
Ｑｒｒ程度の真壁状態、基板温度が５０乃至３００℃、
容量型放電用電極（ハ）の高周波電力が５０ ｗａｔｔ
ｓ乃至３ ｋｉ、ｌｏｗａｔｔｓ 、また周波数が１乃
至数１０ Ｍ■工Ｚに設定されてし）ることに損保って
、グロー放電が起こり、ガス力家分解して、基板上にフ
ッ素、水素及び炭素を含有したａ −Ｓｉ膜、或いは、
それに加えて適量の硼素を含有したａ −Ｓｉ、膜が約
ｌＯ乃至２５００ Ａ ／分の成膜速度で形成される。
以下、本発明の実施例について説明する。
〔実施例１〕
上述した第２図に示すグロー放電分解装置でａ−８１光
導電層とａ −Ｓｉ、表面保護層を形成し、この感光体
の耐久性を試験した。
導電層とａ −Ｓｉ、表面保護層を形成し、この感光体
の耐久性を試験した。
即ち、前記グロー放電分解装置のターンテーブル（２）
上に円筒状のアルミニウム基板（１）を載置し、第１タ
ンク（５）より水素をキャリアーガスとじたＳｉ、Ｆ４
ガス（流量ｔａｏ ｓｃｃＭ ）を、第２タンク（６）
より水素をキャリアーガスとしたＳｉ、Ｈ＋ガス（流量
１９０ ＳＯＱＭ ）を、第３タンク（７）より水素を
キャリアーガスとしたＢ１！Ｈａガス（流量８９ ｓｅ
ｃＭ ）を、更＋ｃ、第４ タンク（８１ｊり酸素ガス
（流ｉｉ″ｃ１，４ ｓｅｃＭ）を放出し、これらのガ
ス流量の割合に応じて、グロー放電雰囲気のガス組成が
決められる。これにより、アルミニウム基板（１）上に
酸素を約ｌＯ−１０−８ａｔｏ％、硼素を約２００ ｐ
ｐｍ 、水素及び７７素が合計して約１５ ａｔｏｍｉ
、ｃ％含有する厚さｌＱｔｔｍのａ−Ｓｊ−光導電層を
得た。このときの製造条件は放電圧を０．６ Ｔｏｒｒ
、 基板温度を２００℃、 高周波電力を２００ ｗ
ａｔｔｓ 、膜形成速度を１４ Ａ ／ ｓθＣとした
。更に、同様の方法で、Ｓｉ、Ｆ＋ガスを２０ ＳＯＣ
Ｍ 。
上に円筒状のアルミニウム基板（１）を載置し、第１タ
ンク（５）より水素をキャリアーガスとじたＳｉ、Ｆ４
ガス（流量ｔａｏ ｓｃｃＭ ）を、第２タンク（６）
より水素をキャリアーガスとしたＳｉ、Ｈ＋ガス（流量
１９０ ＳＯＱＭ ）を、第３タンク（７）より水素を
キャリアーガスとしたＢ１！Ｈａガス（流量８９ ｓｅ
ｃＭ ）を、更＋ｃ、第４ タンク（８１ｊり酸素ガス
（流ｉｉ″ｃ１，４ ｓｅｃＭ）を放出し、これらのガ
ス流量の割合に応じて、グロー放電雰囲気のガス組成が
決められる。これにより、アルミニウム基板（１）上に
酸素を約ｌＯ−１０−８ａｔｏ％、硼素を約２００ ｐ
ｐｍ 、水素及び７７素が合計して約１５ ａｔｏｍｉ
、ｃ％含有する厚さｌＱｔｔｍのａ−Ｓｊ−光導電層を
得た。このときの製造条件は放電圧を０．６ Ｔｏｒｒ
、 基板温度を２００℃、 高周波電力を２００ ｗ
ａｔｔｓ 、膜形成速度を１４ Ａ ／ ｓθＣとした
。更に、同様の方法で、Ｓｉ、Ｆ＋ガスを２０ ＳＯＣ
Ｍ 。
ＳｉＨ４ガスを３０ ｓｃｃＭ 、 ＢｓＨａガスを１
２５ ｓｅｃＭ、更に、第５タンク（９）よりメタンガ
スを２０ ｓｅｃＭの流量として放出した以外は同一の
条件の下で上記ａ−Ｓｉ光導電層上にａ −８１表面保
護層を形成した。
２５ ｓｅｃＭ、更に、第５タンク（９）よりメタンガ
スを２０ ｓｅｃＭの流量として放出した以外は同一の
条件の下で上記ａ−Ｓｉ光導電層上にａ −８１表面保
護層を形成した。
この時、グロー放電の雰囲気において、ＳｉＦ４とＳｉ
Ｈ４のガス容積に対するＳｉ、Ｆ ４ガス容積を約４０
％多こ設定し、キャリアーガスとして使ったＨ２ガスは
約８０％となった。これにより、炭素を約２０ａｔｏｍ
ｔｃ％、硼素を約２００ ｐｐｍ、 フッ素及び水素が
合計して約５ ａｔｏｍｉｃ％含有する厚さ０．１μｍ
のａ−８ｉ、表面保護層を得た。
Ｈ４のガス容積に対するＳｉ、Ｆ ４ガス容積を約４０
％多こ設定し、キャリアーガスとして使ったＨ２ガスは
約８０％となった。これにより、炭素を約２０ａｔｏｍ
ｔｃ％、硼素を約２００ ｐｐｍ、 フッ素及び水素が
合計して約５ ａｔｏｍｉｃ％含有する厚さ０．１μｍ
のａ−８ｉ、表面保護層を得た。
かかる電子写真感光体によれば、長波長領域も含めて光
感度特性が優れていることを確認し、更に、暗中で５．
６ ｋ’Ｖのコロナチャージャで帯電シ、暗中での表面
電位の経時変化並びに７７Ｏｎ１ｌｌの単色光照射直後
の表面電位の経時変化を追ったところ、表面電位が７０
０ｖ以上と大幅に高く、暗減衰も遅く、電荷保持能力に
も優れていることが認められ、この結果、半導体レーザ
を用いたレーザービームプリンタへの応用など今後の幅
広い用途に対応できることが判った。
感度特性が優れていることを確認し、更に、暗中で５．
６ ｋ’Ｖのコロナチャージャで帯電シ、暗中での表面
電位の経時変化並びに７７Ｏｎ１ｌｌの単色光照射直後
の表面電位の経時変化を追ったところ、表面電位が７０
０ｖ以上と大幅に高く、暗減衰も遅く、電荷保持能力に
も優れていることが認められ、この結果、半導体レーザ
を用いたレーザービームプリンタへの応用など今後の幅
広い用途に対応できることが判った。
かくして得られた電子写真感光体について、５．６ｋＶ
のコロナチャージャによる帯電をした後に、画像露光し
磁気ブラシ現象を行った結果、画像濃度が高く、高コン
トラストで良好な画像が得られ、４０万回の繰り返しテ
スト後においても、濃度低下、白地のかぶり、ドラム表
面の傷による白抜けなど、初期画像からの劣化は全く見
られず。
のコロナチャージャによる帯電をした後に、画像露光し
磁気ブラシ現象を行った結果、画像濃度が高く、高コン
トラストで良好な画像が得られ、４０万回の繰り返しテ
スト後においても、濃度低下、白地のかぶり、ドラム表
面の傷による白抜けなど、初期画像からの劣化は全く見
られず。
耐久性も良好であることが確認された。
〔実施例２〕
前記実施例１で得られた感光体において、アルミニウム
基板（１）と光導電層（２）の間に、次の製作条件によ
って形成した障壁層（４）を介在させた電子写真感光体
をつくった。
基板（１）と光導電層（２）の間に、次の製作条件によ
って形成した障壁層（４）を介在させた電子写真感光体
をつくった。
即ち、第２図に示すグロー放電分解装置でＳｉＦ４ガス
を２．ＯＳｏｆ３Ｍ％ＳｉＨ＋ガスを３０ ｓｃｃＭ
、 Ｂｌ！Ｈｅガスを１２５ ｓｃｃＭ 、 ＣＨ４ガ
スを０．８ ＳＯＱＭの流量とした以外は実施例１０条
件の下でアルミニウム基板（１）上ｔｃｐ素を約０．６
ａｔｏｍｉｃ％、硼素を約２００ ｐｐｍ、フッ素及
び水素が合計して約５ ａｔｏｍｉ、０％含有する厚さ
２μｍのａ −８５−障壁層を得た。次いで、この上に
、実施例１と全く同一のａ −Ｓｉ光導電層及びａ −
Ｓｉ−表面保護層を順次積層して電子写真感光体を得た
。
を２．ＯＳｏｆ３Ｍ％ＳｉＨ＋ガスを３０ ｓｃｃＭ
、 Ｂｌ！Ｈｅガスを１２５ ｓｃｃＭ 、 ＣＨ４ガ
スを０．８ ＳＯＱＭの流量とした以外は実施例１０条
件の下でアルミニウム基板（１）上ｔｃｐ素を約０．６
ａｔｏｍｉｃ％、硼素を約２００ ｐｐｍ、フッ素及
び水素が合計して約５ ａｔｏｍｉ、０％含有する厚さ
２μｍのａ −８５−障壁層を得た。次いで、この上に
、実施例１と全く同一のａ −Ｓｉ光導電層及びａ −
Ｓｉ−表面保護層を順次積層して電子写真感光体を得た
。
かくして得られた電子写真感光体について、５，６ｋＶ
ノコロナチヤージヤによる帯電をした後に。
ノコロナチヤージヤによる帯電をした後に。
画像露光し磁気ブラシ現象を行った結果、画像濃度が高
く、高コントラストで良好な画像が得られ、４０万回の
繰り返しテスト後においても、濃度低下、白地のかぶり
、ドラム表面の傷による白抜けなど、初期画像からの劣
化は全く見られず、耐久性も良好であることが確認され
た。
く、高コントラストで良好な画像が得られ、４０万回の
繰り返しテスト後においても、濃度低下、白地のかぶり
、ドラム表面の傷による白抜けなど、初期画像からの劣
化は全く見られず、耐久性も良好であることが確認され
た。
更１こ、本例により得られた電子写真感光体は、長波長
領域も含め４て光感度特性が優れていることニ加工、５
．６ ｋｖのコロナチャージャで帯電して、暗中での表
面電位の経時変化並びに’１７０ｎｗｒ の単色光照射
直後の表面電位の経時変化によれば、その表面電位が実
施例１よりも一段と大幅Ｃご高く、８５０ｖ以上となり
、電荷保持能力にも好適となることが判った。
領域も含め４て光感度特性が優れていることニ加工、５
．６ ｋｖのコロナチャージャで帯電して、暗中での表
面電位の経時変化並びに’１７０ｎｗｒ の単色光照射
直後の表面電位の経時変化によれば、その表面電位が実
施例１よりも一段と大幅Ｃご高く、８５０ｖ以上となり
、電荷保持能力にも好適となることが判った。
〔実施例３〕
実施例１で述べた表面保護層を形成する場合、第１タン
ク（５）より水素をキャリアーガスとしたＳｉＦ’＋ガ
ス、並びに第２タンク（６）より水素をキャリアーガス
とした５ｌ−Ｈ４ガスのそれぞれの放出量を変えて、グ
ロー放電雰囲気のガス組成を第２表のように幾通りにも
して、感光体（Ａｌ ｔＢｌ （Ｃ１及びＣＤ）を製作
した。但し、その他の製作条件は実施例１と全く同一に
した。
ク（５）より水素をキャリアーガスとしたＳｉＦ’＋ガ
ス、並びに第２タンク（６）より水素をキャリアーガス
とした５ｌ−Ｈ４ガスのそれぞれの放出量を変えて、グ
ロー放電雰囲気のガス組成を第２表のように幾通りにも
して、感光体（Ａｌ ｔＢｌ （Ｃ１及びＣＤ）を製作
した。但し、その他の製作条件は実施例１と全く同一に
した。
かかる感光体の耐久性試験を実施例１で述べた方法によ
って確認したところ、第２表の通りである。尚、第２表
中の耐久性試験の評価は、初期画像からの劣化が認めら
れた限界の繰り返し回数を目安とした。
って確認したところ、第２表の通りである。尚、第２表
中の耐久性試験の評価は、初期画像からの劣化が認めら
れた限界の繰り返し回数を目安とした。
第２表から明らかなように、感光体ＩＢ） ｔｃ）は、
■万回の繰り返しテストをおこなっても、濃度低下。
■万回の繰り返しテストをおこなっても、濃度低下。
白地のかぶり、ドラム表面の傷による白抜けなど、初期
画像からの劣化が見られず、耐久性が著しく向上し、こ
れにより、超高速複写用の感光体として十分に満足しえ
るものとなることが判った。然るに、感光体（Ａｌ （
Ｄｌでは、せいぜい、２０万回、１５万回であり、在来
のａ −Ｓｉ感光体とほぼ同じレベルであった。
画像からの劣化が見られず、耐久性が著しく向上し、こ
れにより、超高速複写用の感光体として十分に満足しえ
るものとなることが判った。然るに、感光体（Ａｌ （
Ｄｌでは、せいぜい、２０万回、１５万回であり、在来
のａ −Ｓｉ感光体とほぼ同じレベルであった。
上述した実施例から明らかなように、本発明のａ −Ｓ
１感光体は、光導電層の上に表面保護層が積層されてお
り、その表面保護層をグロー放電分解装置によって形成
するに際し、フッ素含有シリコン化合物と水素含有シリ
コン化合物のガス組成を特定することにより、きわめて
安定した動作特性並びに優れた耐久性が獲得され、その
結果、今後、ますます要求される超高速複写用の感光体
として期待される。
１感光体は、光導電層の上に表面保護層が積層されてお
り、その表面保護層をグロー放電分解装置によって形成
するに際し、フッ素含有シリコン化合物と水素含有シリ
コン化合物のガス組成を特定することにより、きわめて
安定した動作特性並びに優れた耐久性が獲得され、その
結果、今後、ますます要求される超高速複写用の感光体
として期待される。
第１図は本発明に係る感光体の拡大断面図、第２図はア
モルファスシリコン層を形成するためのグロー放電分解
装置を示す概略図である。 ＋１１−・・導電性基板 （２）・・・アモルファスシリコン光導［Ｍｌ（３１−
・アモルファスシリコン表面保護層（４１・・・アモル
ファスシリコーン１ｌＩｉＪｌ特許出願人 京セ ラ株
式会社 同 河 村 孝 夫
モルファスシリコン層を形成するためのグロー放電分解
装置を示す概略図である。 ＋１１−・・導電性基板 （２）・・・アモルファスシリコン光導［Ｍｌ（３１−
・アモルファスシリコン表面保護層（４１・・・アモル
ファスシリコーン１ｌＩｉＪｌ特許出願人 京セ ラ株
式会社 同 河 村 孝 夫
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｉｌ＋ 導［性基板上に、アモルファスシリコン光導電
層と、水素及びフッ素とともに炭素を含むアモルファス
シリコン表面保護層とを、グロー放電分解法によって、
順次積層して成る電子写真感光体１こおいて、フッ素含
有シリコン化合物と水素含有シリコン化合物のガス容積
に対して、フッ素含有シリコン化合物のガス容積を２０
〜５０％とした雰囲気の中でグロー放電を発生し、前記
アモルファスシリコン表面保護層を形成したことを特徴
とする電子写真感光体。 （２１ｉＪ［性基板上に、アモルファスシリコン障壁層
と、アモルファスシリコン光導電層と、水素及びフッ素
とともに炭素を含むアモルファスシリコン表面保護層と
を、グロー放電分解法によって、順次積層して成る電子
写真感光体において、フッ素含有シリコン化合物と水素
含有シリコン化合物のガス容積に対して、フッ素含有シ
リコン化合物のガス容積を２０〜５０％とした雰囲気の
中でグロー放電を発生し、前記アモルファスシリコン表
面保護層を形成したことを特徴とする電子写真感光体。 （３） 前記グロー放電分解用ガスとともに、キャリア
ーガスとして水素ガス、希ガスの少なくとも一種がグロ
ー放電の雰囲気ガスを占め、その割合が５０〜９０％と
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項
記載の電子写真感光体。 （４） 前記フッ素含有７ａリコン化合物がＳｉＦ＋で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項
記載の電子写真感光体。 （５）前記水素含有シリコン化合物がＳｉＨ＋であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載の
電子写真感光体。 （６１前記アモルファスシリコン表面保護層に周期律表
第ｍａ族が含まれていることを特徴とする特許請求の範
囲第１項又は第２項記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20555583A JPS6067955A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20555583A JPS6067955A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 電子写真感光体 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17664483A Division JPS6067952A (ja) | 1983-09-25 | 1983-09-25 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6067955A true JPS6067955A (ja) | 1985-04-18 |
Family
ID=16508826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20555583A Pending JPS6067955A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6067955A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4675265A (en) * | 1985-03-26 | 1987-06-23 | Fuji Electric Co., Ltd. | Electrophotographic light-sensitive element with amorphous C overlayer |
| JPS62183466A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-11 | Canon Inc | 光受容部材 |
| US4906544A (en) * | 1986-03-20 | 1990-03-06 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member of plasma polymerized amorphous carbon charge transporting layer and charge generating layer |
| US4913994A (en) * | 1986-03-20 | 1990-04-03 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member composed of charge transporting layer and charge generating layer |
| US4913993A (en) * | 1986-03-20 | 1990-04-03 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member composed of charge transporting layer and charge generating layer |
| US4950571A (en) * | 1986-04-09 | 1990-08-21 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member composed of charge transporting layer and charge generating layer |
| US5000831A (en) * | 1987-03-09 | 1991-03-19 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Method of production of amorphous hydrogenated carbon layer |
| JPWO2007132734A1 (ja) * | 2006-05-11 | 2009-09-24 | 株式会社シンク・ラボラトリー | グラビア製版ロール及びその製造方法 |
-
1983
- 1983-10-31 JP JP20555583A patent/JPS6067955A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4675265A (en) * | 1985-03-26 | 1987-06-23 | Fuji Electric Co., Ltd. | Electrophotographic light-sensitive element with amorphous C overlayer |
| JPS62183466A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-11 | Canon Inc | 光受容部材 |
| US4906544A (en) * | 1986-03-20 | 1990-03-06 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member of plasma polymerized amorphous carbon charge transporting layer and charge generating layer |
| US4913994A (en) * | 1986-03-20 | 1990-04-03 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member composed of charge transporting layer and charge generating layer |
| US4913993A (en) * | 1986-03-20 | 1990-04-03 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member composed of charge transporting layer and charge generating layer |
| US4950571A (en) * | 1986-04-09 | 1990-08-21 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member composed of charge transporting layer and charge generating layer |
| US5000831A (en) * | 1987-03-09 | 1991-03-19 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Method of production of amorphous hydrogenated carbon layer |
| JPWO2007132734A1 (ja) * | 2006-05-11 | 2009-09-24 | 株式会社シンク・ラボラトリー | グラビア製版ロール及びその製造方法 |
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