JPH0945688A - 配線構造及びその形成方法 - Google Patents
配線構造及びその形成方法Info
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- JPH0945688A JPH0945688A JP21248095A JP21248095A JPH0945688A JP H0945688 A JPH0945688 A JP H0945688A JP 21248095 A JP21248095 A JP 21248095A JP 21248095 A JP21248095 A JP 21248095A JP H0945688 A JPH0945688 A JP H0945688A
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- forming
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 配線の側方へのヒロックを抑制して同一層の
配線間における短絡を防止する。 【解決手段】 ＴｉＮ膜２４、ＡｌＣｕ膜２３及びＴｉ
Ｎ膜２２を配線のパターンに加工した後、窒素を含む雰
囲気中でのプラズマ処理等を行い、ＴｉＮ膜２２、２４
から露出しているＡｌＣｕ膜２３の側面にＡｌ3 Ｎ膜２
６を形成して、積層構造のＡｌ配線２７を完成させる。
Ａｌ3 Ｎ膜２６はＡｌＣｕ膜２３よりも高硬度で且つ高
密度であるので、このＡｌ3 Ｎ膜２６が保護膜になっ
て、側方へのヒロックが形成されにくい。
配線間における短絡を防止する。 【解決手段】 ＴｉＮ膜２４、ＡｌＣｕ膜２３及びＴｉ
Ｎ膜２２を配線のパターンに加工した後、窒素を含む雰
囲気中でのプラズマ処理等を行い、ＴｉＮ膜２２、２４
から露出しているＡｌＣｕ膜２３の側面にＡｌ3 Ｎ膜２
６を形成して、積層構造のＡｌ配線２７を完成させる。
Ａｌ3 Ｎ膜２６はＡｌＣｕ膜２３よりも高硬度で且つ高
密度であるので、このＡｌ3 Ｎ膜２６が保護膜になっ
て、側方へのヒロックが形成されにくい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願の発明は、半導体装置中
の配線構造及びその形成方法に関するものである。
の配線構造及びその形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置中の配線として、低抵抗で且
つ加工が容易なＡｌ合金を材料とするＡｌ配線が広く使
用されている。しかし、Ａｌ配線はエレクトロマイグレ
ーションやストレスマイグレーションに対する耐性が高
くなく、図５に示す様に、Ａｌ配線１１中で矢印１２方
向のマイグレーションが発生すると、Ａｌ原子の移動元
と移動先とに夫々ボイド１３とヒロック１４とが形成さ
れる。
つ加工が容易なＡｌ合金を材料とするＡｌ配線が広く使
用されている。しかし、Ａｌ配線はエレクトロマイグレ
ーションやストレスマイグレーションに対する耐性が高
くなく、図５に示す様に、Ａｌ配線１１中で矢印１２方
向のマイグレーションが発生すると、Ａｌ原子の移動元
と移動先とに夫々ボイド１３とヒロック１４とが形成さ
れる。
【０００３】そこで、図６に示す様に、積層構造のＡｌ
配線１５も広く使用されている。このＡｌ配線１５は、
高融点金属膜等から成るバリアメタル膜１６とＡｌ合金
膜１７と高融点金属膜等から成るキャップメタル膜１８
とを順次に積層させ、これらの膜を配線のパターンに加
工したものである。
配線１５も広く使用されている。このＡｌ配線１５は、
高融点金属膜等から成るバリアメタル膜１６とＡｌ合金
膜１７と高融点金属膜等から成るキャップメタル膜１８
とを順次に積層させ、これらの膜を配線のパターンに加
工したものである。
【０００４】従って、このＡｌ配線１５では、バリアメ
タル膜１６及びキャップメタル膜１８によって、Ａｌ配
線１５の下方及び上方へのヒロック１４が抑制されてい
る。また、バリアメタル膜１６によってＡｌ合金膜１７
を形成する際の配向性が向上して、マイグレーション自
体も抑制されている。
タル膜１６及びキャップメタル膜１８によって、Ａｌ配
線１５の下方及び上方へのヒロック１４が抑制されてい
る。また、バリアメタル膜１６によってＡｌ合金膜１７
を形成する際の配向性が向上して、マイグレーション自
体も抑制されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図６に示した
Ａｌ配線１５でも、側面は高融点金属膜等に覆われてい
ないので、Ａｌ配線１５の側方へのヒロック１４は抑制
することができない。一方、半導体装置の微細化に伴っ
て、Ａｌ配線１１、１５の幅が縮小されると共にＡｌ配
線１１、１５間の距離も縮小されてきている。
Ａｌ配線１５でも、側面は高融点金属膜等に覆われてい
ないので、Ａｌ配線１５の側方へのヒロック１４は抑制
することができない。一方、半導体装置の微細化に伴っ
て、Ａｌ配線１１、１５の幅が縮小されると共にＡｌ配
線１１、１５間の距離も縮小されてきている。
【０００６】このため、図５に示す様に、Ａｌ配線１１
で形成されたヒロック１４が、同一層で且つ隣接してい
るＡｌ配線１１に到達する可能性が高かった。従って、
これらのＡｌ配線１１間で短絡を生じ易く、従来のＡｌ
配線１１、１５では信頼性が必ずしも高くなかった。
で形成されたヒロック１４が、同一層で且つ隣接してい
るＡｌ配線１１に到達する可能性が高かった。従って、
これらのＡｌ配線１１間で短絡を生じ易く、従来のＡｌ
配線１１、１５では信頼性が必ずしも高くなかった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の配線構造は、
配線の形成材料よりも高硬度で且つ高密度の材料から成
る保護膜によって前記配線の側面が覆われていることを
特徴としている。
配線の形成材料よりも高硬度で且つ高密度の材料から成
る保護膜によって前記配線の側面が覆われていることを
特徴としている。
【０００８】請求項２の配線構造は、請求項１の配線構
造において、前記保護膜が導電膜であることを特徴とし
ている。
造において、前記保護膜が導電膜であることを特徴とし
ている。
【０００９】請求項３の配線構造の形成方法は、配線の
パターニング後に、この配線の形成材料よりも高硬度で
且つ高密度の材料から成る保護膜を前記配線の側面に形
成する工程を具備することを特徴としている。
パターニング後に、この配線の形成材料よりも高硬度で
且つ高密度の材料から成る保護膜を前記配線の側面に形
成する工程を具備することを特徴としている。
【００１０】請求項４の配線構造の形成方法は、請求項
３の配線構造の形成方法において、前記保護膜として導
電膜を用いることを特徴としている。
３の配線構造の形成方法において、前記保護膜として導
電膜を用いることを特徴としている。
【００１１】請求項５の配線構造の形成方法は、請求項
３の配線構造の形成方法において、窒素を含む雰囲気中
または酸素を含む雰囲気中で前記配線にプラズマ処理を
施して、前記保護膜を形成することを特徴としている。
３の配線構造の形成方法において、窒素を含む雰囲気中
または酸素を含む雰囲気中で前記配線にプラズマ処理を
施して、前記保護膜を形成することを特徴としている。
【００１２】請求項６の配線構造の形成方法は、請求項
５の配線構造の形成方法において、前記配線のパターニ
ングと前記プラズマ処理とを同一の反応室内で行うこと
を特徴としている。
５の配線構造の形成方法において、前記配線のパターニ
ングと前記プラズマ処理とを同一の反応室内で行うこと
を特徴としている。
【００１３】請求項７の配線構造の形成方法は、請求項
３の配線構造の形成方法において、窒素を含む雰囲気中
または酸素を含む雰囲気中で前記配線に熱処理を施し
て、前記保護膜を形成することを特徴としている。
３の配線構造の形成方法において、窒素を含む雰囲気中
または酸素を含む雰囲気中で前記配線に熱処理を施し
て、前記保護膜を形成することを特徴としている。
【００１４】請求項８の配線構造の形成方法は、請求項
３の配線構造の形成方法において、前記配線に窒素また
は酸素をイオン注入して、前記保護膜を形成することを
特徴としている。
３の配線構造の形成方法において、前記配線に窒素また
は酸素をイオン注入して、前記保護膜を形成することを
特徴としている。
【００１５】請求項９の配線構造の形成方法は、請求項
３の配線構造の形成方法において、前記配線の側面に側
壁状の前記保護膜を形成することを特徴としている。
３の配線構造の形成方法において、前記配線の側面に側
壁状の前記保護膜を形成することを特徴としている。
【００１６】本願の発明による配線構造及びその形成方
法では、配線の形成材料よりも高硬度で且つ高密度の材
料から成る保護膜によって配線の側面を覆っているの
で、配線の側方へのヒロックを抑制して同一層の配線間
における短絡を防止することができる。
法では、配線の形成材料よりも高硬度で且つ高密度の材
料から成る保護膜によって配線の側面を覆っているの
で、配線の側方へのヒロックを抑制して同一層の配線間
における短絡を防止することができる。
【００１７】また、配線の側面を覆う保護膜を導電膜に
すれば、ボイド等によって配線が断線しても、保護膜が
電流のバイパスになる。
すれば、ボイド等によって配線が断線しても、保護膜が
電流のバイパスになる。
【００１８】また、配線のパターニングと配線の側面を
覆う保護膜を形成するためのプラズマ処理とを同一の反
応室内で行えば、製造装置及び製造装置間の搬送工程が
少なくなる。
覆う保護膜を形成するためのプラズマ処理とを同一の反
応室内で行えば、製造装置及び製造装置間の搬送工程が
少なくなる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本願の発明の第１〜第４具
体例を、図１〜４を参照しながら説明する。図１が、第
１具体例を示している。この第１具体例では、図１
（ａ）に示す様に、ＳｉＯ2 膜２１等の層間絶縁膜上
に、バリアメタル膜であり膜厚が１００ｎｍであるＴｉ
Ｎ膜２２と、０．５％のＣｕを含有しており膜厚が５０
０ｎｍであるＡｌＣｕ膜２３と、キャップメタル膜であ
り膜厚が１００ｎｍであるＴｉＮ膜２４とを、スパッタ
法で順次に形成する。
体例を、図１〜４を参照しながら説明する。図１が、第
１具体例を示している。この第１具体例では、図１
（ａ）に示す様に、ＳｉＯ2 膜２１等の層間絶縁膜上
に、バリアメタル膜であり膜厚が１００ｎｍであるＴｉ
Ｎ膜２２と、０．５％のＣｕを含有しており膜厚が５０
０ｎｍであるＡｌＣｕ膜２３と、キャップメタル膜であ
り膜厚が１００ｎｍであるＴｉＮ膜２４とを、スパッタ
法で順次に形成する。
【００２０】ＴｉＮ膜２２、２４及びＡｌＣｕ膜２３の
形成条件は、下記の通りである。これらのＴｉＮ膜２
２、２４及びＡｌＣｕ膜２３を形成した後、ＴｉＮ膜２
４上でフォトレジスト２５を配線のパターンに加工す
る。
形成条件は、下記の通りである。これらのＴｉＮ膜２
２、２４及びＡｌＣｕ膜２３を形成した後、ＴｉＮ膜２
４上でフォトレジスト２５を配線のパターンに加工す
る。
【００２１】ＴｉＮ膜のスパッタ条件 ガス Ａｒ／Ｎ2 ＝３３／６６ｓｃｃｍ 圧力 ０．４Ｐａ 直流電力 ８ｋＷ 基板加熱温度 ３００℃
【００２２】ＡｌＣｕ膜のスパッタ条件 ガス Ａｒ＝６５ｓｃｃｍ 圧力 ０．２Ｐａ 直流電力 １５ｋＷ 基板加熱温度 ３００℃
【００２３】次に、図１（ｂ）に示す様に、フォトレジ
スト２５をマスクにした下記の条件のＲＩＥで、ＴｉＮ
膜２４、ＡｌＣｕ膜２３及びＴｉＮ膜２２を連続的にエ
ッチングした後、図１（ｃ）に示す様に、灰化によって
フォトレジスト２５を剥離する。そして、図１（ｄ）に
示す様に、上述のＲＩＥ及び灰化を行った反応室のガス
を入れ換え、この反応室内で、下記の条件のプラズマ処
理を行う。
スト２５をマスクにした下記の条件のＲＩＥで、ＴｉＮ
膜２４、ＡｌＣｕ膜２３及びＴｉＮ膜２２を連続的にエ
ッチングした後、図１（ｃ）に示す様に、灰化によって
フォトレジスト２５を剥離する。そして、図１（ｄ）に
示す様に、上述のＲＩＥ及び灰化を行った反応室のガス
を入れ換え、この反応室内で、下記の条件のプラズマ処
理を行う。
【００２４】エッチング条件 ガス ＢＣｌ3 ／Ｃｌ2 ＝６０／９０ｓｃｃｍ 圧力 ２Ｐａ 高周波電力 １２００Ｗ
【００２５】プラズマ処理条件 ガス Ａｒ／Ｎ2 ＝６０／９０ｓｃｃｍ 圧力 ２Ｐａ 高周波電力 １５００Ｗ
【００２６】上述のプラズマ処理の結果、図１（ｅ）に
示す様に、ＴｉＮ膜２２、２４から露出しているＡｌＣ
ｕ膜２３の側面に、 ６Ａｌ＋Ｎ2 →３Ａｌ3 Ｎ の反応式によってＡｌ3 Ｎ膜２６が形成されて、積層構
造のＡｌ配線２７が完成する。
示す様に、ＴｉＮ膜２２、２４から露出しているＡｌＣ
ｕ膜２３の側面に、 ６Ａｌ＋Ｎ2 →３Ａｌ3 Ｎ の反応式によってＡｌ3 Ｎ膜２６が形成されて、積層構
造のＡｌ配線２７が完成する。
【００２７】以上の様にして形成した第１具体例のＡｌ
配線２７では、ＡｌＣｕ膜２３の下面及び上面がＴｉＮ
膜２２、２４に覆われているのみならず側面もＡｌ3 Ｎ
膜２６に覆われており、ＴｉＮ膜２２、２４及びＡｌ3
Ｎ膜２６はＡｌＣｕ膜２３よりも高硬度で且つ高密度で
あるので、これらのＴｉＮ膜２２、２４及びＡｌ3 Ｎ膜
２６が保護膜になって、下方及び上方のみならず側方へ
もヒロックが形成されにくい。
配線２７では、ＡｌＣｕ膜２３の下面及び上面がＴｉＮ
膜２２、２４に覆われているのみならず側面もＡｌ3 Ｎ
膜２６に覆われており、ＴｉＮ膜２２、２４及びＡｌ3
Ｎ膜２６はＡｌＣｕ膜２３よりも高硬度で且つ高密度で
あるので、これらのＴｉＮ膜２２、２４及びＡｌ3 Ｎ膜
２６が保護膜になって、下方及び上方のみならず側方へ
もヒロックが形成されにくい。
【００２８】しかも、この第１具体例では、図１（ｂ）
のＲＩＥ及び図１（ｃ）の灰化を行った反応室と同じ反
応室内で図１（ｄ）のプラズマ処理を行っているので、
製造装置及び製造装置間の搬送工程が少なくて、Ａｌ配
線２７を低コストで形成することができる。
のＲＩＥ及び図１（ｃ）の灰化を行った反応室と同じ反
応室内で図１（ｄ）のプラズマ処理を行っているので、
製造装置及び製造装置間の搬送工程が少なくて、Ａｌ配
線２７を低コストで形成することができる。
【００２９】なお、以上の第１具体例では、窒素を含む
雰囲気中でプラズマ処理を行ってＡｌＣｕ膜２３の側面
にＡｌ3 Ｎ膜２６を形成しているが、酸素を含む雰囲気
中でプラズマ処理を行ってＡｌＣｕ膜２３の側面にＡｌ
2 Ｏ3 膜を形成してもよい。
雰囲気中でプラズマ処理を行ってＡｌＣｕ膜２３の側面
にＡｌ3 Ｎ膜２６を形成しているが、酸素を含む雰囲気
中でプラズマ処理を行ってＡｌＣｕ膜２３の側面にＡｌ
2 Ｏ3 膜を形成してもよい。
【００３０】図２が、第２具体例を示している。この第
２具体例でも、図２（ａ）に示す様に、ＴｉＮ膜２４、
ＡｌＣｕ膜２３及びＴｉＮ膜２２を配線のパターンに加
工するために使用したフォトレジスト２５を灰化によっ
て剥離するまでは、図１に示した第１具体例と実質的に
同様の工程を実行する。しかし、この第２具体例では、
その後、図２（ａ）に示す様に、膜厚が１００ｎｍのＷ
膜３１を下記の条件のＣＶＤ法で形成する。
２具体例でも、図２（ａ）に示す様に、ＴｉＮ膜２４、
ＡｌＣｕ膜２３及びＴｉＮ膜２２を配線のパターンに加
工するために使用したフォトレジスト２５を灰化によっ
て剥離するまでは、図１に示した第１具体例と実質的に
同様の工程を実行する。しかし、この第２具体例では、
その後、図２（ａ）に示す様に、膜厚が１００ｎｍのＷ
膜３１を下記の条件のＣＶＤ法で形成する。
【００３１】 Ｗ膜のＣＶＤ条件 ガス ＷＦ6 ／Ｈ2 ／Ａｒ＝４０／４００／２２５０ｓｃｃｍ 圧力 １０．６６ｋＰａ 基板加熱温度 ４２０℃
【００３２】次に、下記の条件でＷ膜３１の全面をエッ
チバックし、図２（ｂ）に示す様に、ＴｉＮ膜２２、Ａ
ｌＣｕ膜２３及びＴｉＮ膜２４の側面に、Ｗ膜３１から
成る側壁を形成して、積層構造のＡｌ配線３２を完成さ
せる。
チバックし、図２（ｂ）に示す様に、ＴｉＮ膜２２、Ａ
ｌＣｕ膜２３及びＴｉＮ膜２４の側面に、Ｗ膜３１から
成る側壁を形成して、積層構造のＡｌ配線３２を完成さ
せる。
【００３３】エッチング条件 ガス ＳＦ6 ／Ｃｌ2 ＝４０／２０ｓｃｃｍ 圧力 １Ｐａ 高周波電力 ６００Ｗ
【００３４】以上の様にして形成した第２具体例のＡｌ
配線３２では、Ｗ膜３１によってＡｌＣｕ膜２３から側
方へのヒロックが形成されにくいのみならず、ボイド等
によってＡｌＣｕ膜２３が断線してもＷ膜３１が電流の
バイパスになるので、寿命が長い。
配線３２では、Ｗ膜３１によってＡｌＣｕ膜２３から側
方へのヒロックが形成されにくいのみならず、ボイド等
によってＡｌＣｕ膜２３が断線してもＷ膜３１が電流の
バイパスになるので、寿命が長い。
【００３５】図３が、第３具体例を示している。この第
３具体例も、ＡｌＣｕ膜２３の代わりに、膜厚が５００
ｎｍのＴｉ膜３３を下記の条件のスパッタ法で形成し、
プラズマ処理の代わりに、下記の条件の熱処理を行うこ
とを除いて、図１に示した第１具体例と実質的に同様の
工程を実行する。この結果、Ｔｉ膜３３の側面がＴｉＮ
膜３４に覆われている積層構造のＴｉ配線３５が完成す
る。
３具体例も、ＡｌＣｕ膜２３の代わりに、膜厚が５００
ｎｍのＴｉ膜３３を下記の条件のスパッタ法で形成し、
プラズマ処理の代わりに、下記の条件の熱処理を行うこ
とを除いて、図１に示した第１具体例と実質的に同様の
工程を実行する。この結果、Ｔｉ膜３３の側面がＴｉＮ
膜３４に覆われている積層構造のＴｉ配線３５が完成す
る。
【００３６】Ｔｉ膜のスパッタ条件 ガス Ａｒ＝６５ｓｃｃｍ 圧力 ０．４Ｐａ 直流電力 ５ｋＷ 基板加熱温度 ３００℃
【００３７】熱処理条件 ガス ＮＨ3 １００％ 温度 ７００℃ 圧力 常圧 処理時間 ３０秒
【００３８】なお、以上の第３具体例では、窒素を含む
雰囲気中で熱処理を行ってＴｉ膜３３の側面にＴｉＮ膜
３４を形成しているが、酸素を含む雰囲気中でプラズマ
処理を行ってＴｉ膜３３の側面にＴｉＯ膜を形成しても
よい。
雰囲気中で熱処理を行ってＴｉ膜３３の側面にＴｉＮ膜
３４を形成しているが、酸素を含む雰囲気中でプラズマ
処理を行ってＴｉ膜３３の側面にＴｉＯ膜を形成しても
よい。
【００３９】図４が、第４具体例を示している。この第
４具体例も、プラズマ処理の代わりに、下記の条件で窒
素をイオン注入することを除いて、図１に示した第１具
体例と実質的に同様の工程を実行する。この結果、Ａｌ
Ｃｕ膜２３の側面がＡｌ3 Ｎ膜２６に覆われている積層
構造のＡｌ配線２７が完成する。
４具体例も、プラズマ処理の代わりに、下記の条件で窒
素をイオン注入することを除いて、図１に示した第１具
体例と実質的に同様の工程を実行する。この結果、Ａｌ
Ｃｕ膜２３の側面がＡｌ3 Ｎ膜２６に覆われている積層
構造のＡｌ配線２７が完成する。
【００４０】窒素のイオン注入条件 エネルギー １０ｋｅＶ ドーズ量 １×１０18個／ｃｍ2
【００４１】窒素はＡｌＣｕ膜２３のみならずＴｉＮ膜
２４やＳｉＯ2 膜２１にもイオン注入される。しかし、
ＴｉＮ膜２４は窒素をイオン注入されてもパターンや電
気特性には影響がなく、ＳｉＯ2 膜２１も表面にＳｉＯ
Ｎ膜３６が形成されるだけで絶縁特性には影響がない。
２４やＳｉＯ2 膜２１にもイオン注入される。しかし、
ＴｉＮ膜２４は窒素をイオン注入されてもパターンや電
気特性には影響がなく、ＳｉＯ2 膜２１も表面にＳｉＯ
Ｎ膜３６が形成されるだけで絶縁特性には影響がない。
【００４２】なお、以上の第４具体例では、窒素をイオ
ン注入してＡｌＣｕ膜２３の側面にＡｌ3 Ｎ膜２６を形
成しているが、酸素をイオン注入してＡｌＣｕ膜２３の
側面にＡｌ2 Ｏ3 膜を形成してもよい。
ン注入してＡｌＣｕ膜２３の側面にＡｌ3 Ｎ膜２６を形
成しているが、酸素をイオン注入してＡｌＣｕ膜２３の
側面にＡｌ2 Ｏ3 膜を形成してもよい。
【００４３】また、以上の第１〜第４具体例では、配線
としてＡｌＣｕ膜２３またはＴｉ膜３３を用い、これら
のＡｌＣｕ膜２３またはＴｉ膜３３の保護膜としてＡｌ
3 Ｎ膜２６、Ｗ膜３１またはＴｉＮ膜３４を用いたが、
Ｗ膜、Ｍｏ膜、Ｃｒ膜またはこれらの合金膜や化合物膜
を配線として用いてもよく、Ｍｏ膜、Ｃｒ膜またはこれ
らの合金膜や化合物膜を保護膜として用いてもよい。
としてＡｌＣｕ膜２３またはＴｉ膜３３を用い、これら
のＡｌＣｕ膜２３またはＴｉ膜３３の保護膜としてＡｌ
3 Ｎ膜２６、Ｗ膜３１またはＴｉＮ膜３４を用いたが、
Ｗ膜、Ｍｏ膜、Ｃｒ膜またはこれらの合金膜や化合物膜
を配線として用いてもよく、Ｍｏ膜、Ｃｒ膜またはこれ
らの合金膜や化合物膜を保護膜として用いてもよい。
【００４４】
【発明の効果】本願の発明による配線構造及びその形成
方法では、配線の側方へのヒロックを抑制して同一層の
配線間における短絡を防止することができるので、信頼
性が高い配線構造を提供することができる。
方法では、配線の側方へのヒロックを抑制して同一層の
配線間における短絡を防止することができるので、信頼
性が高い配線構造を提供することができる。
【００４５】また、配線の側面を覆う保護膜を導電膜に
すれば、ボイド等によって配線が断線しても、保護膜が
電流のバイパスになるので、寿命が長くて信頼性が更に
高い配線構造を提供することができる。
すれば、ボイド等によって配線が断線しても、保護膜が
電流のバイパスになるので、寿命が長くて信頼性が更に
高い配線構造を提供することができる。
【００４６】また、配線のパターニングと配線の側面を
覆う膜を形成するためのプラズマ処理とを同一の反応室
内で行えば、製造装置及び製造装置間の搬送工程が少な
くなるので、信頼性が高い配線構造を低コストで形成す
ることができる。
覆う膜を形成するためのプラズマ処理とを同一の反応室
内で行えば、製造装置及び製造装置間の搬送工程が少な
くなるので、信頼性が高い配線構造を低コストで形成す
ることができる。
【図１】本願の発明の第１具体例を工程順に示す配線構
造の側断面図である。
造の側断面図である。
【図２】本願の発明の第２具体例の一部を工程順に示す
配線構造の側断面図である。
配線構造の側断面図である。
【図３】本願の発明の第３具体例の一部を示す配線構造
の側断面図である。
の側断面図である。
【図４】本願の発明の第４具体例の一部を示す配線構造
の側断面図である。
の側断面図である。
【図５】ボイド及びヒロックを説明するための配線の平
面図である。
面図である。
【図６】本願の発明の一従来例による配線の側断面図で
ある。
ある。
２３ ＡｌＣｕ膜 ２６ Ａｌ3 Ｎ膜 ２７ Ａｌ配線 ３１ Ｗ膜 ３２ Ａｌ配線 ３３ Ｔｉ膜 ３４ ＴｉＮ膜 ３５ Ｔｉ配線
Claims (9)
- 【請求項１】 配線の形成材料よりも高硬度で且つ高密
度の材料から成る保護膜によって前記配線の側面が覆わ
れていることを特徴とする配線構造。 - 【請求項２】 前記保護膜が導電膜であることを特徴と
する請求項１記載の配線構造。 - 【請求項３】 配線のパターニング後に、この配線の形
成材料よりも高硬度で且つ高密度の材料から成る保護膜
を前記配線の側面に形成する工程を具備することを特徴
とする配線構造の形成方法。 - 【請求項４】 前記保護膜として導電膜を用いることを
特徴とする請求項３記載の配線構造の形成方法。 - 【請求項５】 窒素を含む雰囲気中または酸素を含む雰
囲気中で前記配線にプラズマ処理を施して、前記保護膜
を形成することを特徴とする請求項３記載の配線構造の
形成方法。 - 【請求項６】 前記配線のパターニングと前記プラズマ
処理とを同一の反応室内で行うことを特徴とする請求項
５記載の配線構造の形成方法。 - 【請求項７】 窒素を含む雰囲気中または酸素を含む雰
囲気中で前記配線に熱処理を施して、前記保護膜を形成
することを特徴とする請求項３記載の配線構造の形成方
法。 - 【請求項８】 前記配線に窒素または酸素をイオン注入
して、前記保護膜を形成することを特徴とする請求項３
記載の配線構造の形成方法。 - 【請求項９】 前記配線の側面に側壁状の前記保護膜を
形成することを特徴とする請求項３記載の配線構造の形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21248095A JPH0945688A (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | 配線構造及びその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21248095A JPH0945688A (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | 配線構造及びその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0945688A true JPH0945688A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16623351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21248095A Pending JPH0945688A (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | 配線構造及びその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0945688A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998021748A1 (fr) * | 1996-11-14 | 1998-05-22 | Tokyo Electron Limited | Dispositif a semi-conducteur et son procede de fabrication |
| JP2002359246A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-12-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 配線およびその作製方法、並びに配線基板およびその作製方法 |
| KR100457372B1 (ko) * | 2001-12-06 | 2004-11-16 | 치 메이 옵토일렉트로닉스 코포레이션 | 힐록이 없는 알루미늄 배선층 및 그 제조 방법 |
| US6835660B2 (en) | 2002-11-05 | 2004-12-28 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device having metal alloy interconnection that has excellent EM lifetime |
| JP2009088537A (ja) * | 2001-03-27 | 2009-04-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
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| JP2011035048A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Renesas Electronics Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
-
1995
- 1995-07-28 JP JP21248095A patent/JPH0945688A/ja active Pending
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