JPH01207923A - ベンチュリー管型シリコン・ソース気化装置 - Google Patents
ベンチュリー管型シリコン・ソース気化装置Info
- Publication number
- JPH01207923A JPH01207923A JP3182788A JP3182788A JPH01207923A JP H01207923 A JPH01207923 A JP H01207923A JP 3182788 A JP3182788 A JP 3182788A JP 3182788 A JP3182788 A JP 3182788A JP H01207923 A JPH01207923 A JP H01207923A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- silicon source
- vaporization
- liquid silicon
- port
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体製造工程で使用されるシリコン・ソー
スの気化装置に関する。
スの気化装置に関する。
［従来の技術］
半導体製造工程で使用されるシリコン・ソースは気化し
難い上、大気に漏れないように保全するとともにエピタ
キシャルに用いる時の気体濃度を定常にコントロールし
、必要な量を能率良く供給出来るように気化を促進しな
ければならない。
難い上、大気に漏れないように保全するとともにエピタ
キシャルに用いる時の気体濃度を定常にコントロールし
、必要な量を能率良く供給出来るように気化を促進しな
ければならない。
従来は、タンク内に貯蔵した液体シリコン・ソースζこ
キャリアガスを吹込み、バブリングによりシリコン・ソ
ースの気化ガスを発生させていた。
キャリアガスを吹込み、バブリングによりシリコン・ソ
ースの気化ガスを発生させていた。
シリコン・ソースの気泡中への揮発効率は高くないから
、タンク・バブリングによる大量の気化には限界があり
、また気化熱による液温の低下の影響を受けて所要の気
化流量を安定に長時間確保することが難しい。シリコン
・ソースの気化ガス供給量に制限がある為、半導体製造
工程の生産性向上のネックとなっているのが現状である
。
、タンク・バブリングによる大量の気化には限界があり
、また気化熱による液温の低下の影響を受けて所要の気
化流量を安定に長時間確保することが難しい。シリコン
・ソースの気化ガス供給量に制限がある為、半導体製造
工程の生産性向上のネックとなっているのが現状である
。
［発明が解決しようとする問題点］
タンク・バブリングによるシリコン・ソースの気化・供
給方式は、気化熱による液温低下の影響が低効率の原因
となって、最大気化量３０ｇ／分、供給時間３０分程度
に留っていたこれまでの水準を打破し、気化量の安定化
と気化流量の最大値を引上げる。
給方式は、気化熱による液温低下の影響が低効率の原因
となって、最大気化量３０ｇ／分、供給時間３０分程度
に留っていたこれまでの水準を打破し、気化量の安定化
と気化流量の最大値を引上げる。
［問題を解決するための手段］
本発明は、ベンチュリー管の一端にガス供給口を他端に
ガス送出口を設けるとともに、ベンチュリ一部に液体シ
リコン・ソース吸引口を設け、供給ガス中に液体シリコ
ン・ソースを吸引気化させることを特徴とするベンチュ
リー管型シリコン・ソース気化装置であり、揮発力の弱
い液体シリコン・ソースをベンチュリ一部のガス膨張力
を利用して膨張気化させ、気化の安定を図ると同時に気
化効率の低下要因を排除し、気化流量を大幅に増大する
。
ガス送出口を設けるとともに、ベンチュリ一部に液体シ
リコン・ソース吸引口を設け、供給ガス中に液体シリコ
ン・ソースを吸引気化させることを特徴とするベンチュ
リー管型シリコン・ソース気化装置であり、揮発力の弱
い液体シリコン・ソースをベンチュリ一部のガス膨張力
を利用して膨張気化させ、気化の安定を図ると同時に気
化効率の低下要因を排除し、気化流量を大幅に増大する
。
［作用及び実施例］
第１図の本発明の一実施例において、気化装置ｌのベン
チュリー管２にそのガス供給口２からキャリアガスを圧
送し、ベンチュリ一部３でベルヌーイ原理に従う高速ガ
ス流に変換し、液体シリコン・ソース吸引口６からこの
高速ガス中に液体シリコン・ソースを吸引させ高速ガス
内で気化する。
チュリー管２にそのガス供給口２からキャリアガスを圧
送し、ベンチュリ一部３でベルヌーイ原理に従う高速ガ
ス流に変換し、液体シリコン・ソース吸引口６からこの
高速ガス中に液体シリコン・ソースを吸引させ高速ガス
内で気化する。
タンク７は液体シリコン・ソースを貯蔵する。ベンチュ
リー効果で高速化されたキャリアガスはタンク７から吸
引した液体シリコン・ソースの分子に気化エネルギーを
有効に与えることができる。
リー効果で高速化されたキャリアガスはタンク７から吸
引した液体シリコン・ソースの分子に気化エネルギーを
有効に与えることができる。
気化シリコン・ソースを含んだキャリアガスはガス送出
口５から流出する。液体シリコン・ソースとして、５ｉ
ＣＩ４．５ｉＨＣＩ３＋加圧した５ｉＨ２ＣＩ２等が使
用可能で、キャリアガスとしてＮ２＋ Ｎ２＋ ０２＋
Ｆ２＋ ＣＩ２等が使用される。
口５から流出する。液体シリコン・ソースとして、５ｉ
ＣＩ４．５ｉＨＣＩ３＋加圧した５ｉＨ２ＣＩ２等が使
用可能で、キャリアガスとしてＮ２＋ Ｎ２＋ ０２＋
Ｆ２＋ ＣＩ２等が使用される。
ガス供給口４とガス送出口５の間の圧力バランスを制御
してガス発生量を安定化し、この安定を崩す要因がない
高速ガス系全体は、気化流量を変更する時のレスポンス
も良くガス流量の制御が素早いと同時に、大流量を送出
できる。シリコン・ソースガス供給能力は１０００ｇ／
分の気化量を６０分供給する水準に達する。
してガス発生量を安定化し、この安定を崩す要因がない
高速ガス系全体は、気化流量を変更する時のレスポンス
も良くガス流量の制御が素早いと同時に、大流量を送出
できる。シリコン・ソースガス供給能力は１０００ｇ／
分の気化量を６０分供給する水準に達する。
［発明の効果］
本発明は、ベンチュリ一部でベルヌーイ原理に従う高速
ガス流を作り、液体シリコン・ソースを高速ガス中に吸
引させ高速ガス内で液体シリコン・ソース分子に気化エ
ネルギーを有効に与えて気化するようにした高速ガス系
全体は、気化流量を変更する時のレスポンスも良くガス
流量の制御が素早いと同時に、大流量を送出てきる。
ガス流を作り、液体シリコン・ソースを高速ガス中に吸
引させ高速ガス内で液体シリコン・ソース分子に気化エ
ネルギーを有効に与えて気化するようにした高速ガス系
全体は、気化流量を変更する時のレスポンスも良くガス
流量の制御が素早いと同時に、大流量を送出てきる。
第１図は本発明の一実施例を示す気化装置の概要説明図
である。 １：気化装置 ２：ペンチュリー管３：ペンチ
ュリ一部 ４：ガス供給口５：ガス送出口 ６
：液体シリコン・ソース吸引口 ア：タンク 出願人 東芝セラミックス株式会社
である。 １：気化装置 ２：ペンチュリー管３：ペンチ
ュリ一部 ４：ガス供給口５：ガス送出口 ６
：液体シリコン・ソース吸引口 ア：タンク 出願人 東芝セラミックス株式会社
Claims (1)
- （１）ベンチュリー管の一端にガス供給口を他端にガス
送出口を設けるとともに、ベンチュリー部に液体シリコ
ン・ソース吸引口を設け、供給ガス中に液体シリコン・
ソースを吸引気化させることを特徴とするベンチュリー
管型シリコン・ソース気化装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3182788A JPH01207923A (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | ベンチュリー管型シリコン・ソース気化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3182788A JPH01207923A (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | ベンチュリー管型シリコン・ソース気化装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01207923A true JPH01207923A (ja) | 1989-08-21 |
Family
ID=12341910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3182788A Pending JPH01207923A (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | ベンチュリー管型シリコン・ソース気化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01207923A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002068713A1 (en) * | 2001-02-28 | 2002-09-06 | Porter Instrument Company, Inc. | Vaporizer |
| KR100853387B1 (ko) * | 2007-05-17 | 2008-08-21 | 두손산업 (주) | 기판 제조 공정상의 공정액 흡입장치 |
| KR100967773B1 (ko) * | 2006-10-31 | 2010-07-05 | 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 | 반응성 기체에 대한 누출 봉쇄 장치 |
| CN104091756A (zh) * | 2014-07-17 | 2014-10-08 | 上海华力微电子有限公司 | 一种洗涤器机台之喷头装置 |
-
1988
- 1988-02-16 JP JP3182788A patent/JPH01207923A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002068713A1 (en) * | 2001-02-28 | 2002-09-06 | Porter Instrument Company, Inc. | Vaporizer |
| KR100967773B1 (ko) * | 2006-10-31 | 2010-07-05 | 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 | 반응성 기체에 대한 누출 봉쇄 장치 |
| KR100853387B1 (ko) * | 2007-05-17 | 2008-08-21 | 두손산업 (주) | 기판 제조 공정상의 공정액 흡입장치 |
| CN104091756A (zh) * | 2014-07-17 | 2014-10-08 | 上海华力微电子有限公司 | 一种洗涤器机台之喷头装置 |
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