JPH01208721A - 磁気記憶体及び製造方法 - Google Patents

磁気記憶体及び製造方法

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JPH01208721A
JPH01208721A JP3331588A JP3331588A JPH01208721A JP H01208721 A JPH01208721 A JP H01208721A JP 3331588 A JP3331588 A JP 3331588A JP 3331588 A JP3331588 A JP 3331588A JP H01208721 A JPH01208721 A JP H01208721A
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JP
Japan
Prior art keywords
metal
manufacturing
polyether polymer
magnetic memory
medium
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Pending
Application number
JP3331588A
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English (en)
Inventor
Tetsuo Nakagawa
中川 哲男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気記録装置(@気ディスク装置、磁気ドラム
装置及び磁気テープ装置)に用いられる磁気記tは体(
以下、記憶体と呼ぶ)及びその製造方法に関する。
〔従来の技術〕
金属磁性媒体(以下、金属媒体と呼ぶ)を有する記憶体
に於いては、語録再生ヘッド(以下、へラドと呼ぶ)と
の接触に耐えるだけの充分な機械的信頼性と水分、塩素
等の力負環境に充分耐える耐食性が要求される。
従来より基板はアルマイト処理やN1−Pメツキ等の非
磁性メツキ処理後、鏡面化やすし目付けのための研摩が
施こされたAt合金基板等が用いられ、次にN i −
P 、 N i −Ou −P等の非磁性メツキやOr
、Bi等の被覆の有無の後、強磁性金属媒体を被覆し、
更にSin、(ポリケイ酸を含む)、AtN 、O、S
i、N、とkt、O8の固溶体等の保護膜が被覆され、
更パーフロロポリエーテルに代表される液体潤滑剤や高
級アルコールや脂肪酸に代表される固体潤滑剤の薄層が
被覆される。
上記記憶体は一応の耐久性能を有し、既に市場に出回り
始めているものの大きな欠点を有している。
上記記憶体を搭載したドライブを40℃80%R,H,
の環境下に放置すると記憶体1枚の1〜2ケ所に飽食点
が発生し、デイ7エクトエラーに至る。又記憶体とヘッ
ドとの接触を繰り返すことにより、両者間の摩擦係数が
増大し、スピンドルモーターがしばしば停止に至った。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の技術では、金属媒体の耐食性を充分に確保できず
、又記憶体とヘッド間の機械的信頼性を充分に確保でき
ないという課題を有していた。
本発明は上記の課題を解決するものであり、その目的と
するところは、水分や塩素等の環境下に於ける金属媒体
の耐食性を飛躍的に向上させるとともに、記憶体とヘッ
ド間の摩擦係数を大幅に低減し、且つその効果を長期に
維持しうる信頼性に優れた記憶体を製造し提供するとこ
ろにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の記憶体及び製造方法は、基体上に金属媒体を形
成させし、該金属媒体上に酸化物、窒化物、炭化物及び
炭素から選ばれる少なくとも1種の物質より成る薄膜を
形成せしめそして該薄膜上に少なくともTi、Zr、H
f、Nb、Taの金属アルコラードの1種とカルボニル
基を有するフッ化ポリエーテル重合体を含む混合物を形
成せしめた事を特徴とする。
金属媒体は従来技術と同様の材料、製法によって形成す
る。
酸化物、窒化物、炭化物は、At、B、Y。
Si、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Or。
Mo、Wから選ばれる元素との化合物であり、その混合
層、積層は任意である。炭素はグラファイト、ダイヤモ
ンド、アモルファスの琳独e 混合*―層であり、いず
れも100〜500Xの膜厚が適切である。上記化合物
及び炭素はスパッタリング法、イオンブレーティング法
等のP’VD法JPOVD法で形成可能であり、酸化物
は有機金属化合物の塗布、焼成によっても得られる。
次に金属アルコラードは、T i (00,H,)4゜
Zr(004H,)4.HfC004H@ )4 、N
b、(oc。
Hy )s y Ta、 (002H3)s等であり、
又カルボニル基を有する7フ化ポリエーテル重合体は、
OH,000−(Rf)−C!0OH HOOO−(Rf) −000H at=−L−oyffi−o−<a、y4o )rL−
(OF20 )m−ay2−−OF、 − ル、・mは、10以上の整数である。
上式で表わされる重合体等である。金属アルコラード及
び7フ化ポリエーテル重合体は可溶性溶媒に希釈され、
スプレー法、スピンナー法、ディッピング法や超音波に
よる噴霧吹き付は法等の既知の製法で塗布され、必要に
応じ焼成する。溶媒はハロゲン化炭化水素系を用い、碍
たい膜厚に応じ濃度が決定される。焼成は、絶対条件で
はないが50〜150℃で1分〜20分で充分であり、
30〜2001の膜厚が適切である。
尚、金属アルコラードは、全官能型以外の適用も可能で
あり、又フッ化ポリエーテル重合体も、カルボニル基以
外の官能基を有する重合体、例えば7オンプリンZ −
D I A L 、 Z −D OLや無官能の重合体
、例えば同Z−AM−s e r i e sとの併用
適用も可能である。(7オンプリンはモンテジソン社製
品) 又、金属アルコラードとフッ化ポリエーテル重合体の混
合割合は、前者の官能基数な01分子故をPそして後者
の官能基数なQ1分子故をRとし1以下の場合、初期よ
りヘットと記憶体間の摩擦性能が劣り、10以上の場合
、初期の摩擦性能は優れるものの、長期に亘り、MW性
能が維持されなくなる。
〔作用〕
本発明によれば、金属媒体に、硬度、緻密性に優れる酸
化物、窒化物、炭化物及び炭素から選ばれる少なくとも
1種の物質より成る薄膜を形成することにより、ヘッド
の486耗からそして環境中の水分や塩素等から金属媒
体を保護する。
しかし、上記薄膜は、数100X前後と薄く、ピンホー
ルレスにすることは困難である。又上記薄膜のうち炭素
以外は潤滑性に乏しく、最も優れる炭素膜に於いても、
潤滑性が不充分なため、各種の潤滑剤を薄膜上に積層化
せしめるのが一般的であった。しかしながら、上記の薄
膜と潤滑剤との固着力が弱いため、長期間に及ぶヘッド
と記憶体の接触摩耗により、潤滑剤が徐々に記憶体上か
ら除去され、初期の優れた潤滑効果が失なわれてしまっ
た。
本発明では、上記薄膜上に、カルボニル基を有するフッ
化ポリエーテル重合体と金属アルコラードを少なくとも
含む混合物を被覆せしめるものである。金属アルコラー
ドは、酸化物、窒化物、炭化物及び炭素の最表面の活性
基(−OH,−000H)と、そしてフッ化ポリエーテ
ル重合体のカルボニル基と脱水縮合反応口、記憶体上に
4曙滑膜を固定化しヘッドの衝撃摩耗により除去される
事を防ぐ作用がある。
又7フ化ポリエーテル重合体は擾れた撥水性を示し、防
錆作用を高める効果があり、上記の理由により、その効
果は長期間に亘り維持される。
以上により長期機械的信頼性及び保存信頼性に優れた記
憶体の製造、提供が可能になった。
〔実施例〕
鏡面仕上げされたディスク伏アルミニウム合金基板上に
非磁性N1−P合金メツキを約151zm厚に施こした
後、研摩により表面粗度α02μ胤以下に表面加工し、
更にOo −N i −P合金メツキを約α05μm厚
に施こした。
次にマグネトロンスパッタ装置に上記基板をセットし、
5X10−6torr以下まで排気した後、基板を80
°0まで加熱し、吸着水分の除去後、Arガスを導入し
、5X10−3torrにした後、第1表に示した材料
をターゲットとして、パワー密度4 W / ctAで
成膜した。
次に同じく第1表に示す金属アルコラードとフッ化ポリ
エーテル重合体の混合物を70ン115に[]、20W
/V%の濃度でML’Sし、ディッピング法(10cr
n/顛)で塗布し、その後、110℃で10分間焼成し
た。
第  1  表 上記の製造方法により得られた記憶体を下記試験で計画
した。結果は第2光に示した。
、 (c s s−耐久試験) CSS動作前後の外観変化、静摩擦係数と出力低下率を
求める。(使用ヘッド:簿[357oタイフ、フライハ
イドα157mm  9m1six時)(耐食性試験) 85℃ 80%R,H,の環境下放置に於いて、放置時
間の経過をおい、ミッシングピット数を測定し、その増
加が認められた時点で寿命と判断した。
第  2  表 〔発明の効果〕 高記録密度対応の記憶体として薄膜型記憶体が登場して
久しいが、長期信頼性に対する不安からその使用は一部
に限られていた。
本発明によれば、加温瀉下で記憶体が用いられても金属
媒体は実用的に何等の影響を受けず、又増々硬質化、低
7テイハイト化するヘッドを用いての機械的信頼性が高
いので、更に小型化し、厳しい環境下で用いられるドラ
イブ体に搭載されても、記憶体、ヘッドはともに特性劣
化は、はとんど認められない。
以上の如く、高記録密度対応の高耐久性記憶体の製造、
提供が可能になった。
以上 出願人 セイコーエプソン株式会社

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基体上に金属磁性媒体が被覆され、この金属磁性
    媒体上に酸化物、窒化物、炭化物及び炭素から選ばれる
    少なくとも1種の物質より成る薄膜が被覆され、次に該
    薄膜上に少なくともTi、Zr、Hf、Nb、Taの金
    属アルコラードの1種とカルボニル基を有するフッ化ポ
    リエーテル重合体を含む混合物を被覆せしめた事を特徴
    とする磁気記憶体。
  2. (2)基体上に金属磁性媒体の被膜を形成させる工程、
    該金属媒体上に、酸化物、窒化物、炭化物及び炭素から
    選ばれる少なくとも1種の物質より成る薄膜を形成させ
    る工程そして該薄膜上に少なくともTi、Zr、Hf、
    Nb、Taの金属アルコラードの1種とカルボニル基を
    有するフッ化ポリエーテル重合体を含む混合物の被膜を
    形成させる工程によることを特徴とする磁気記憶体の製
    造方法。
  3. (3)少なくともTi、Zr、Hf、Nb、Taの金属
    アルコラードの1種とカルボニル基を有するフッ化ポリ
    エーテル重合体を含む混合物を塗布する工程とその後、
    焼成する工程により被膜を形成させることを特徴とする
    第2項記載の磁気記憶体の製造方法。
JP3331588A 1988-02-16 1988-02-16 磁気記憶体及び製造方法 Pending JPH01208721A (ja)

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