JPH0359818A - 磁気記憶体及びその製造方法及び磁気記憶装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は磁気記憶装置（磁気ディスク装置、磁気ドラム
装置及び磁気テープ装置）及び、該磁気記憶装置に用い
られる磁気記憶体（以下、記憶体と呼ぶ）及びその製造
方法に関する。

［従来の技術］ 金属磁性媒体（以下、金属媒体と呼ぶ）を有する記憶体
に於いては、記録再生ヘッド（以下、ヘッドと呼ぶ）と
の接触に耐えるだけの充分な機械的信頼性と水分、塩素
等の腐食環境に充分耐える耐食性が要求される。

従来より基板はアルマイト処理やＮ１−Ｐメツキ等の非
磁性メツキ処理後、鏡面化やすじ目付けのための研磨が
施こされたＡｔ合金基板等が用いられ、次にＮ　ｉ−Ｐ
　、　Ｎ　：Ｌ−Ｏｕ−Ｐ等の非磁性メツキやＯｒ、Ｂ
ｉ等の被覆の有無の後、強磁性金属媒体を被覆し、更に
Ｓｉｎ、（ポリケイ酸を含む）、ＡｔＮ　、Ｏ、Ｓ　ｉ
３Ｎ、とＡｔ２０．の固溶体等の保護膜が被覆され、カ
ップリング剤を用いり中間層の有無の後パー７０ロポリ
エーテルに代表される液体潤滑剤や高級アルコールや脂
肪酸に代表される固体潤滑側の薄層が被覆される。

上記記憶体は一応の耐久性能を有し、既に市場に出回り
始めているものの大きな欠点を有している。

上記記憶体を搭載した磁気記憶装置を４０℃８０％Ｒ，
Ｈの環境下に放置すると記憶体１枚の１〜２ケ所に腐食
点が発生し、ディフェクトエラーに至る。又記憶体とヘ
ッドとの接触を繰り返すことにより、両者間の摩擦係数
が増大し、スピンドルモーターがしばしば停止に至った
。

［発明が解決しようとする課題］ 従来の技術では、金属媒体の耐食性を充分に確保できず
、又記憶体とヘッド間の機械的信頼性を充分に確保でき
ないという課題を有していた。

本発明は上記の課題を解決するものであり、その目的と
するところは、水分や塩素等の環境下に於ける金属媒体
の耐食性を飛躍的に向上させるとともに、記憶体とヘッ
ド間の摩擦係数を大幅に低減し、且つその効果を長期に
維持しうる信頼性に優れた記憶体の製造、提供と該記憶
体を用いた磁気記憶装置を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 本発明は基体上に金属磁性媒体が被覆され、この金属磁
性媒体上に酸化物、窒化物、炭化物及び炭素から選ばれ
る少なくとも１種の物質より成る薄膜が被覆され、次に
分子の一方の末端にアミ／基或いはイミノ基の少なくと
も１種を有し、他方の末端に加水分解性基を有する有機
金属化合物の少なくとも１種の硬化膜が被覆され、更に
水素原子の少なくとも１部が弗素原子で置換された高級
アルコールの少なくとも１種を被覆せしめた事を特徴と
する。

金属媒体は従来技術と同様の材料そして製法によって被
覆する事が出来る。Ｏｏ、Ｉｒｅ、Ｎｉ。

Ｏｒ、Ｔａ、Ｐ、貴金属元素等から成る金属を湿式メツ
キ法やスパッタリング法に代表される乾式成膜法で被覆
形成する。

酸化物、窒化物、炭化物は、Ａｔ、　Ｂ　、　Ｙ　、　
Ｓｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｏｒ、Ｍ。

、Ｗから選ばれる元素との化合物であり、その混合層、
ａＩ層は任意である。炭素はグラファイト。

ダイヤモンド、アモルファスの単独、混合、積層であり
、いずれも１００〜５００Ｘの膜厚が適切である。上記
化合物及び炭素はスパッタリング法、イオンブレーティ
ング法等のＰＶＤ法やＯＶＤ法で形成可能であり、酸化
物は有機金属化合物の塗布、焼成によっても得られる。

分子の一方の末端にアミノ基或いはイミノ基の少なくと
も１種を有し、他方の末端に加水分解性基を有する有機
金属化合物は、 ＮＨ，−０，Ｈ，−ＮＨ−０，Ｈ，−Ｍ−（ＯＲ）、或
いはＮＨ！−０３Ｈ６−Ｍ−（ＯＲ）：ｔ ＭＨ，−０ＯＮＨ−０３Ｈ，−Ｍ−（ＯＲ）ｘ等ここで
ＭはＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｉｆ、Ｎｂ或いはＴａであり、
Ｒは炭素数が１〜４のアルキル基又は水素でありモして
ＸはＭの金属元素の価数である。

に代表される。上述の有機金属化合物は単独或いは混合
され、特にケイ素化合物の場合は弱酸水溶媒に希釈した
後、スプレー法、スピンナー法、ディッピング法や超音
波噴霧吹き付は法等の既知の製法で塗布し、必要に応じ
て焼成する。溶媒希釈の割合は得たい膜厚に応じて適宜
決定する。又焼成は５０〜２００”０．１分〜３０分で
充分であり膜厚は単分子層レベルから１００Ｘが適切で
ある水素原子の少なくとも１部が弗素原子で置換された
高級アルコールは、直鎖９分校又は飽和、不飽和の制限
は無いが炭素数は１２以上が望ましいこれらは可溶性溶
媒に溶解、希釈され、スピンナー法、ディッピング法、
スプレー法等の湿式法や真空蒸着法等で形成され、必要
に応じて焼成する。希釈の割合は得たい膜厚に応じて適
宜決定する、又焼成は５０〜１５０℃、１〜２０分で充
分であり、膜厚は１０〜１００１が適切である。

［作用コ 本発明によれば、金属媒体に、硬度、緻密性に優れる酸
化物、窒化物、炭化物及び炭素から選ばれる少なくとも
１種の物質より成る薄膜を形成することにより、ヘッド
の衝撃摩耗からそして環境中の水分や塩素等から金属媒
体を保護する。

しかし、上記薄膜は、数１００Ｘ前後と薄く、ピンホー
ルレスにすることは困難である。又上記薄膜のうち炭素
以外は潤滑性に乏しく、最も優れる炭素膜に於いても、
潤滑性が不充分なため、各種の潤滑剤を薄膜上に積層化
せしめるのが一般的であった。しかしながら、上記の薄
膜と潤滑剤との固着力が弱いため、長期間に及ぶヘッド
と記憶体の接触摩耗により、潤滑剤が徐々に記憶体上か
ら除去され、初期の優れた潤滑効果が失なわれてしまっ
た。

本発明は、上記薄膜上に、分子の一方の末端にアミノ基
或いはイミノ基の少なくとも１種を有し、他方の末端に
加水分解性基を有する有機金属化合物の硬化膜を被覆せ
しめた後に水素原子の一部を弗素原子で置換した高級ア
ルコールを被覆せしめるものである。加水分解性基は、
酸化物、窒化物、炭化物及び炭素の最表面の活性基（−
ＯＨ。

−ＯＯＯＨ等）との親和力が強く、アミノ基或いはイミ
ノ基は高級アルコールが記憶体上に強固に固定化されヘ
クトの衝Ｓ摩耗によって記憶体上から除去される事を防
ぐ。

又水素原子の一部が弗素原子で置換された高級アルコー
ルは優れた撥水性を示し、防錆作用を高める効果があり
、上記の理由により、その効果は長期間に亘り維持され
る。

以上により長期機械的信頼性及び保存信頼性に優れた記
憶体の製造、提供が可能になり、更に該記憶体を用いる
ことにより磁気記憶装置の信頼性は著しく向上した。

［実施例コ 鏡面仕上げされたディスク状アルミニウム合金基板上に
非磁性Ｎ１−Ｐ合金メツキを約１５μｍ厚に施こした後
、研磨により表面粗度Ｒａ＝７０〜１２０　Ｘ　、　Ｒ
ｍａｘ＝７　（ｊＯ〜１５００　ＸｌＣｆ１面すじ目付
は加工し、更にＯｏ　−Ｎ　ｉ　−Ｐ合金メツキを約０
．０５μ扉厚に施こした。

次にマグネトロンスパッタ装置に上記基板をセットし、
５　Ｘ　１０＝　ｔｏｒｒ以下まで排気した後、基板を
８０°０まで加熱し、吸着水分の除去後、Ａｒガスを導
入し、５Ｘ１０−３ｔｏｒｒにした後、第１表に示した
材料をターゲットとして、パワー密度４　Ｗ　／　ａｌ
で成膜した。

次に同じく第１表に示す有機金属化合物をメタノールと
フロン１１３（混合比１対３体積比）にＱ、００５Ｗ／
Ｖ％の濃度で溶解し、ディッピング法（１０ｏｎ／蝙）
で塗布し、その蓮、１１０℃で１０分間焼成した。

次に同じく第１表に示す高級アルコールをフロン１１３
とメタノール（混合比９対１体債比）にＱ、２Ｗ／Ｖ％
濃度で溶解し、ディッピング法で塗布し、その後１１０
°Ｃで１０分間焼成した。

上記製造方法により作製した記憶体と、３３７０タイプ
の薄膜ヘッド（フライハイド０．１５μ扉ｚ　９　”　
／　Ｓｅｃ　ンを用い磁気記憶装置を作製し、下記試験
によって評価した。結果は第２表に示す。

（１１０Ｓ　Ｓ耐久試験 Ｏ３Ｓ動咋（立ち上がり、立ち下がり時間１０ｓｅｃ）
前後の外観変化、静摩拙係数と出力の低下率を求める。

（２）耐食性試験 ８０℃、９０％Ｒ，Ｈの環境下に放置して、数置時間の
経過をおって、ミッシングピット数を測定し、その増加
が認められた時点を寿命と判断した。

第 表 ［発明の効果］ 高記録密度対応の記憶体としての薄膜型記憶体を用いた
磁気記憶装置が登場して久しいが、長期信頼性に対する
不安からその使用は一部に限られていた。

本発明によれば、加温瀉下で記憶体が用いられても金属
媒体は実用的に何等の影響を受ず、又増々硬質化、低フ
ライハイド化するヘッドを用いての機械的信頼性が高い
ので、更に小型化し、厳しい環境下で用いられる磁気記
憶装置に搭載されても、記憶体、ヘラｆはともに特性劣
化は、はとんど認められない。

以上の如く、高記録密度対応の高耐久性記憶体の製造、
提供そして該記憶体を用いることにより信頼性の高い磁
気記憶装置の提供が可能になった以上

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体上に金属磁性媒体が被覆され、この金属磁性
   媒体上に酸化物、窒化物、炭化物及び炭素から選ばれる
   少なくとも１種の物質より成る薄膜が被覆され、次に分
   子の一方の末端にアミノ基或いはイミノ基の少なくとも
   １種を有し、他方の末端に加水分解性基を有する有機金
   属化合物の少なくとも１種の硬化膜が被覆され、更に水
   素原子の少なくとも一部が弗素原子で置換された高級ア
   ルコールの少なくとも１種を被覆せしめた事を特徴とす
   る磁気記憶体。
2. （２）基体上に金属磁性媒体を被覆する工程、該媒体上
   に酸化物、窒化物、炭化物及び炭素から選ばれる少なく
   とも１種の物質より成る薄膜を被覆させる工程、次に分
   子の一方の末端にアミノ基或いはイミノ基の少なくとも
   １種を有し、他方の末端に加水分解性基を有する有機金
   属化合物の少なくとも１種の硬化膜を被覆せしめる工程
   、更に水素原子の少なくとも一部が弗素原子で置換され
   た高級アルコールの少なくとも一種を被覆せしめる工程
   を有することを特徴とする磁気記憶体の製造方法。
3. （３）基体上に金属磁性媒体が被覆され、この金属磁性
   媒体上に酸化物、窒化物、炭化物及び炭素から選ばれる
   少なくとも１種の物質より成る薄膜が被覆され、次に分
   子の一方の末端にアミノ基或いはイミノ基の少なくとも
   １種を有し、他方の末端に加水分解性基を有する有機金
   属化合物の少なくとも１種の硬化膜が被覆され、更に水
   素原子の少なくとも一部が弗素原子で置換された高級ア
   ルコールの少なくとも１種を被覆した請求項１記載の磁
   気記憶体を用いた事を特徴とする磁気記憶装置。