JPH02297720A - 磁気記憶体及びその製造方法及び磁気記憶装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は磁気記憶装置（ｉｆ！気ディスク装置、　Ｅｎ
ｎトドラム装置び磁気テープ装置）及び、該磁気記憶装
置に用いられる磁気記憶体（以下、記憶体と呼ぶ）及び
その製造方法に関する。

〔従来の技術］ 金属磁性媒体（以下、金属媒体と呼ぶ）を有する記憶体
に於いては、記録再生ヘッド（以下、ヘッドと呼ぶ）と
の接触に耐えるだけの充分な機砿的信頼性と水分、塩素
等の方食（５３＠に充分耐える耐食性が要求される。

従来より基鈑はアルマイト処理やＮ　ｉ　−Ｐメンキ等
の非６ｎ性メツキ処理後、鏡面化やすし目付けのための
研磨が施こされたＡＩ２合金基板等が用いられ、次にＮ
　ｉ−Ｐ、　Ｎ　１−Ｃｕ−Ｐ等の非ｉｆｆ性メッキや
Ｃｒ、Ｂｉ等の被覆の有無の後、強磁性金属媒体を被覆
し、更にＳｉＯｘ（ポリケイ酸を含む）、ＡｆｆＮ、Ｃ
，Ｓ　ｉｓ　Ｎ−とＡＩ２□０．の固溶体等の保護膜が
波層され、カップリング剤を用いた中間層の有無の後パ
ーフロロポリエーテルに代表される液体潤滑剤や高級ア
ルコールや脂肪酸に代表される固体潤滑剤の薄層が被覆
される。

上記記憶体は一応の耐久性能を有し、既に市場に出回り
始めているものの大きな欠点を有している。

上記記憶体を搭載した磁気記憶装置を４０℃８０％〜Ｒ
，Ｈ，の環境下に放置すると記憶体１枚の１〜２ケ所に
方食点が発生し、ディフェクトエラーに至る。又記憶体
とヘッドとの接触を繰り返すことにより、両者間の摩擦
係数が増大し、スピンドルモーターがしばしば停止に至
った。

［発明が解決しようとする課題１ 従来の技術では、金属媒体の耐食性を充分に確保できず
、又記憶体とヘッド間の機械的信頼性を充分に確保でき
ないという課題を有していた。

本発明は上記の課題を解決するものであり、その目的と
するところは、水分や塩素等の環境下に於ける金属媒体
の耐食性を飛躍的に向上させるとともに、記憶体とヘッ
ド間の摩擦係数を大幅に低減し、且つその効果を長期に
維持しつる信頼性に優れた記憶体の製造、提供と該記憶
体を用いた磁気記憶装置を提供することにある。

［課題を解決するための手段１ 本発明は、基体上に金属Ｋｎ性媒体が被覆され、この金
属磁性媒体上に酸化物、窒化物、炭化物及び炭素から選
ばれる少なくともｌ　ｆｌの物質より成る薄膜が被覆さ
れ、次に分子の一方の末端にアミノ基或はイミノ基の少
なくとも１種を有し、他方の末端に加水分解性基を有す
る有機金属化合物の少なくとも１種の硬化膜が被覆され
、更に水素原子の少なくとも一部が弗素原子で置換され
た脂肪酸の少なくとも１種を被覆せしめた事を特徴とす
る。

金属媒体は従来技術と同様の材料そして製法によって被
覆する事が出来る。Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｐ
、貴金属元素等から成る金属を湿式メッキ方やスパッタ
リング法に代表される乾式成膜法で被覆形成する。

酸化物、窒化物、炭化物は、Ａβ、Ｂ、Ｙ、Ｓｉ、Ｔｉ
、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗから選ばれ
る元素との化合物であり、その混合層、積層は任意であ
る。炭素はグラファイト、ダイヤモンド、アモルファス
の単独、混合。

積層であり、いずれも１００〜５００人の膜厚が適切で
ある。上記化合物及び炭素はスパッタリング法、イオン
ブレーティング法等のＰＶＤ法やＣＶＤ法で形成可能で
あり、酸化物は有機金属化合物の塗布、焼成によっても
得られる。

分子の一方の末端にアミノ基或はイミノ基の少なくとも
１種を有し、他方の末端に加水分解性基を有する有機金
属化合物は、 Ｎ１１２−Ｃ２１（、Ｎ）ｌ−Ｃ，Ｈ，−Ｍ−＋０８１
χ　或いは。

Ｎｉｌ□−ＣＪａ−ト（ＯＲ）χ Ｎｌｌ□−ＣＯＮ）Ｉ−Ｃ３Ｈ，−Ｍ−（ＯＲ＋χ等こ
こでＭはＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ或はＴａであり
、Ｒは炭素数が１〜４のアルキル基又は水素でありそし
てχはＭの金属元素の価数である。

に代表される。上述の有機金属化合物は単独或は混合さ
れ、特にケイ素化合物の場合は弱酸水溶液の添加の有無
の後、アルコール類等の可溶性溶媒に希釈した後、スプ
レー法、スピンナー法。

ディッピング法や超音波噴霧吹き付は法等の既知の製法
で塗布し、必要に応じて焼成する。溶媒希釈の割合は得
たい膜厚に応じて適宜決定する。又焼成は、５０〜２０
０℃、１分〜３０分で充分であり膜厚は単分子層レベル
から１００人が適切である。

水素原子の少、なくとも１部が弗素原子で置換された脂
肪酸は、直鎖、分枝又は飽和、不飽和の制限は無いが単
素数は１２以上が望ましい、これらは可溶性温媒に溶解
、希釈され、スピンナー法、ディッピング法、スプレー
法等の湿式法や真空蒸着法等で形成され、必要に応じて
焼成する。希釈の割合は得たい謹厚に応じて適宜決定す
る又焼成は５０〜１５０℃、１〜２０分で充分であり、
１ｉ厚は１０〜１００人が適切である。

〔作　用） 本発明によれば、金属媒体に、硬度、緻密性に１ｉ！れ
る酸化物、窒化物、炭化物及び炭素から選ばれる少なく
とも１種の物質より成る薄膜を形成することにより、ヘ
ッドの衝撃摩耗からそして環境中の水分や塩素等から金
属媒体を保護する。

しかし、上記薄膜は、数１００人前後と薄く、ピンボー
ルレスにすることは困難である。又上記薄膜のうち炭素
以外は潤滑性に乏しく、最も優れる炭素膜に於いても、
潤滑性が不充分なため、各種の潤滑剤を薄膜上に積層化
せしめるのが一般的であった。しかしながら、上記の薄
膜と潤滑剤との固着力が弱いため、長期間に及ぶヘッド
と記憶体の接触摩耗により、潤滑剤が徐々に記憶体上か
ら除去され、初期の優れた潤滑効果が失なわれてしまっ
た。

本発明は、上記薄膜上に１分子の一方の末端にアミノ基
或はイミノ基の少なくとも１種を有し、他方の末端に加
水分解性基を有する有機金属化合物の硬化膜を被覆せし
めた後に水素原子の一部を弗素原子で置換した脂肪酸を
被覆せしめるものである。加水分解性基は、酸化物、窒
化物、炭化物及び炭素のＲ表面の活性基（−０）１．−
ＣＯＯＨ等）との親和力が強く、アミノ基或いはイミノ
基は脂肪酸の−ＣＯＯＨ基との親和力が強（、該脂肪酸
が記憶体上に強固に固定化されヘッドの衝撃摩耗によっ
て記憶体上から除去される事を防ぐ。

又水素原子の一部が弗素原子で置換された脂肪酸は優れ
た捏水性を示し、防錆作用を高める効果があり、上記の
理由により、その効果は長期間に亘り維持される。

以上により長期機械的イ８頼性及び保存信頼性に優れた
記憶体の製造、提供が可能になり、更に該記憶体を用い
ることにより磁気記憶装置の信頼性は著しく向上した。

［実　施　例］ 鏡面仕上げされたディスク状アルミニウム合金基板上に
非ｍ性Ｎ１−Ｐ合金メッキを約１５μｍ厚に施こした後
、研磨により表面粗度Ｒａ＝７０〜＋　２０人、Ｒｍａ
ｘ＝７００〜１５００人に表面すし目付は加工し、更に
Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ合金メッキを約０．０５μｍ厚に施こし
た。

次にマグネトロンスパッタ装置に上記基板をセントし、
５ｘｌＯ−’ｔｏｒｒ以下までｔノ１気した後、基板を
８０℃まで加熱し、吸着水分の除去後、Ａｒガスを導入
し、５ＸＩＯ−’ｔｏｒｒにした後、第１表に示した材
料をターゲットとして。

パワー密度４　ｗ　／　ｃ　ｍ　”で成膜した。

次に同じく第１表に示す有機金属化合物をメタノールと
フロン１１３（混合比１対３体積比）に０．００５ｗ／
ｖ％の濃度で溶解し、ディッピング法（１０ｃｍ／ｍ１
ｎ）で塗布し、その後。

１１０℃で１０分間焼成した。

次に同じく第１表に示す脂肪酸をフロン１１３とメタノ
ール（混合比９対１体積比）に０．２Ｗ　／　Ｖ％濃度
で溶解し、ディジピング法で塗布し、その後１１０℃で
１０分間焼成した。

第１表 上記製造方法により作製した記憶体と、３３７０クイブ
の薄膜ヘッド（フライバイト０．１５μｍ、９ｍ／５ｅ
ｃ）を用い磁気記憶装置を作製し、下記試験によって評
価した。結果は第２表に示す。

（１１Ｃ５Ｓ耐久試験 Ｃ８Ｓ動作（立上がり、立ち下がり時間ｌ。

５ｅｃ）前後の外観変化、静摩擦係数と出力の低下率を
求める。

（２）１１ｉ’１食寸生２式Ｍ ８０°Ｃ１９０％Ｒ，）！、の環境下に放置して、放置
時間の経過をおって、ミッシングピット数を測定し、そ
の増加が認められた時点を寿命と判断した。

第２表 （発明の効果１ 高記録密度対応の記憶体としての薄膜型記憶体を用いた
Ｎｕ磁気記憶装置登場して久しいが、長期信頼１生に対
する不安からその使用は一部に限られていた。

本発明によれば、加？Ｗ　？Ｈ下で記憶体が用いられて
も金属媒体は実用的に何等の影響を受けず、又増）７硬
質化、低フライハイド化するヘッドを用いての＋ｔｎ　
ｔａ的信頼性が高いので、更に小型化し、厳しい環境下
で用いられる磁気記憶装置に搭載されても、記憶体、ヘ
ッドはともに特性劣化は、はとんど認められない。

以上の如く、高記録密度対応の高耐久性記憶体・の製造
、提供そして該記憶体を用いることにより信頼性の高い
磁気記憶装置の提供が可能になった。

以上

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体上に金属磁性媒体が被覆され、この金属磁性
   媒体上に酸化物、窒化物、炭化物及び炭素から選ばれる
   少なくとも１種の物質より成る薄膜が被覆され、次に分
   子の一方の末端にアミノ基或はイミノ基の少なくとも１
   種を有し、他方の末端に加水分解性基を有する有機金属
   化合物の少なくとも１種の硬化膜が被覆され、更に水素
   原子の少なくとも一部が弗素原子で置換された脂肪酸の
   少なくとも１種を被覆せしめた事を特徴とする磁気記憶
   体。
2. （２）基体上に金属磁性媒体を被覆する工程、該媒体上
   に酸化物、窒化物、炭化物及び炭素から選ばれる少なく
   とも１種の物質より成る薄膜を被覆させる工程、次に分
   子の一方の末端にアミノ基或はイミノ基の少なくとも１
   種を有し、他方の末端に加水分解性基を有する有機金属
   化合物の少なくとも１種の硬化膜を被覆せしめる工程、
   更に水素原子の少なくとも一部が弗素原子で置換された
   脂肪酸の少なくとも１種を被覆せしめる工程を有するこ
   とを特徴とする磁気記憶体の製造方法。
3. （３）請求項１記載の磁気記憶体を用いた事を特徴とす
   る磁気記憶装置。