JPH01258215A - 磁気記憶体及び製造方法 - Google Patents
磁気記憶体及び製造方法Info
- Publication number
- JPH01258215A JPH01258215A JP4799088A JP4799088A JPH01258215A JP H01258215 A JPH01258215 A JP H01258215A JP 4799088 A JP4799088 A JP 4799088A JP 4799088 A JP4799088 A JP 4799088A JP H01258215 A JPH01258215 A JP H01258215A
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- Japan
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- metal
- magnetic memory
- medium
- polyether polymer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気記録装置（磁気ディスク装置、磁気ドラム
装置及び磁気テープ装置）に用いられる磁気記憶体（以
下、記憶体と呼ぶ）及びその製造方法に関する。
装置及び磁気テープ装置）に用いられる磁気記憶体（以
下、記憶体と呼ぶ）及びその製造方法に関する。
金属磁性媒体（以下、金属媒体と呼ぶ）を有する記憶体
に於いては、記録再生ヘッド（以下、へラドと呼ぶ）と
の接触に耐えるだけの充分な機械的信頼性と水分、塩素
等の腐食環境に充分耐える耐食性が要求される。
に於いては、記録再生ヘッド（以下、へラドと呼ぶ）と
の接触に耐えるだけの充分な機械的信頼性と水分、塩素
等の腐食環境に充分耐える耐食性が要求される。
従来より基板はアルマイト処理やＮ１−Ｐメツキ等の非
磁性メツキ処理後、鏡面化やすし日付けのための研摩が
施こされたＡｔ合金基板等が用いられ、次にＮ１−Ｐ、
Ｎ、１−Ｏｕ−Ｐ等の非磁性メツキやＯｒ、Ｂｉ等の被
覆の有無の後、強磁性金属媒体を被覆し、更にＳｉｎ、
（ポリケイ酸を含も）、Ａ／、Ｎ 、０．８１．Ｎ、と
＊２，０．の固溶体等の保護膜が被覆され、更にパー７
０ロボリ工−テルに代表される液体潤滑剤や高級アルコ
ールや脂肪酸に代表される固体潤滑剤の薄層が被覆され
る。
磁性メツキ処理後、鏡面化やすし日付けのための研摩が
施こされたＡｔ合金基板等が用いられ、次にＮ１−Ｐ、
Ｎ、１−Ｏｕ−Ｐ等の非磁性メツキやＯｒ、Ｂｉ等の被
覆の有無の後、強磁性金属媒体を被覆し、更にＳｉｎ、
（ポリケイ酸を含も）、Ａ／、Ｎ 、０．８１．Ｎ、と
＊２，０．の固溶体等の保護膜が被覆され、更にパー７
０ロボリ工−テルに代表される液体潤滑剤や高級アルコ
ールや脂肪酸に代表される固体潤滑剤の薄層が被覆され
る。
上記記憶体は一応の耐久性能を有し、既に市場に出回り
始めているものの大きな欠点を有している。
始めているものの大きな欠点を有している。
上記記憶体を搭載したドライブを４０℃８０％Ｒ，Ｈの
環境下に放置すると記憶体１枚の１〜２ケ所に腐食点が
発生し、？イ７エクトエラーに至る。又記憶体とヘッド
との接触を繰り返すこ七により、両者間の摩擦係数が増
大し、スピンドルモーターがしばしば停止に至った。
環境下に放置すると記憶体１枚の１〜２ケ所に腐食点が
発生し、？イ７エクトエラーに至る。又記憶体とヘッド
との接触を繰り返すこ七により、両者間の摩擦係数が増
大し、スピンドルモーターがしばしば停止に至った。
（発明が解決しようとする課題〕
掟米の技術では、金属媒体の耐食性を充分に確保できず
、又記憶体とヘッド間の機械的信頼性を充分に確保でき
ないという課題を有していた。
、又記憶体とヘッド間の機械的信頼性を充分に確保でき
ないという課題を有していた。
本発明は上記の課題を解決するものであり、その目的と
するところは、水分や塩素等の環境下に於ける金属媒体
の耐食性を飛躍的に向上させるとともに、記憶体とヘッ
ド間の摩擦係数を大幅に低減し、且つその効果を長期に
維持しうる信頼性に優れた記憶体を製造し提供するとこ
ろにある。
するところは、水分や塩素等の環境下に於ける金属媒体
の耐食性を飛躍的に向上させるとともに、記憶体とヘッ
ド間の摩擦係数を大幅に低減し、且つその効果を長期に
維持しうる信頼性に優れた記憶体を製造し提供するとこ
ろにある。
本発明の記憶体及び製造方法は、基体上に金属媒体を形
成させし、該金属媒体上に酸化物、窒化物、炭化物及び
炭素から選ばれる少なくとも１種の物質より成る薄膜を
形成せしめそして該薄膜上に少なくともＴｉ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ｎｂ、Ｔａの金属アルコラートの１種とイソシアネ
ート基を有するフッ化ポリエーテルＩ重合体を含′む混
合物を形成せしめた事を特徴とする。
成させし、該金属媒体上に酸化物、窒化物、炭化物及び
炭素から選ばれる少なくとも１種の物質より成る薄膜を
形成せしめそして該薄膜上に少なくともＴｉ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ｎｂ、Ｔａの金属アルコラートの１種とイソシアネ
ート基を有するフッ化ポリエーテルＩ重合体を含′む混
合物を形成せしめた事を特徴とする。
金属媒体は従来技術と同様の材料、製法によって形成す
る。
る。
酸化物、窒化物、炭化物は、ｋｔ、 Ｂ 、 Ｙ 。
Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、ｌ１ｉｆｎ、、１ｆｂ、Ｔａ、Ｏｒ
。
。
ＭＯ，Ｗから選ばれる元素との化合物であり、その混合
層、積層は任意である。炭素はグラファイト、ダイヤモ
ンド、アモルファスの牟独、混合。
層、積層は任意である。炭素はグラファイト、ダイヤモ
ンド、アモルファスの牟独、混合。
積層であり、いずれも１００〜５００Ｘの膜厚が適切で
ある。上記化合物及び炭素はスパッタリング法、イオン
ブレーティング法等のＰｖＤ法やＯＶＤ法で形成可能で
あり、酸化物は有機金属化合物の塗布、焼成によっても
得られる。
ある。上記化合物及び炭素はスパッタリング法、イオン
ブレーティング法等のＰｖＤ法やＯＶＤ法で形成可能で
あり、酸化物は有機金属化合物の塗布、焼成によっても
得られる。
次に金属アルコラートは、Ｔｉ（０（＋４Ｈ，）４゜Ｚ
ｒ （ｏｏ４ａ、 ）４ ｔＴｌｆ （ＯＯ＋ＩＩＩｅ
）ａ ｅＭｂ＊（００６１７）ｓ ｅ Ｔａｇ （
ＯＯｔＨ３）ｓ等であり、又イソシアネート基を有する
フッ化ポリエーテル重合体は、 ０ＯＮ−Ｒ’ −Ｒｆ−Ｒ’ −Ｗｏｏ 、 ＯＨ，
−Ｒ’ −Ｒｆ−Ｒ−ＭＯＯ Ｒ′；アルキレン、シクロアルキレン、アロマティック
グループ Ｒｆ ＝ −０１！、 −０−（０，１Ｆ、Ｏ）？＆−
（ａｙ、ｏ）ｍ −７０１Ｐ！− ａ、ｓは、１０以上の整数である。
ｒ （ｏｏ４ａ、 ）４ ｔＴｌｆ （ＯＯ＋ＩＩＩｅ
）ａ ｅＭｂ＊（００６１７）ｓ ｅ Ｔａｇ （
ＯＯｔＨ３）ｓ等であり、又イソシアネート基を有する
フッ化ポリエーテル重合体は、 ０ＯＮ−Ｒ’ −Ｒｆ−Ｒ’ −Ｗｏｏ 、 ＯＨ，
−Ｒ’ −Ｒｆ−Ｒ−ＭＯＯ Ｒ′；アルキレン、シクロアルキレン、アロマティック
グループ Ｒｆ ＝ −０１！、 −０−（０，１Ｆ、Ｏ）？＆−
（ａｙ、ｏ）ｍ −７０１Ｐ！− ａ、ｓは、１０以上の整数である。
上式で表わされる重合体等である。金属アルコラート及
びフッ化ポ゛リエーテル重合体は可溶性溶媒に希釈され
、スプレー法、スピンナー法、ディッピング法や超音波
による噴霧吹き付は法等の既知の製法で塗布され、必要
に応じ焼成する。溶媒はへｐゲン化炭化水素系を用い、
得たい膜厚に応じ濃度が決定される。焼成は、絶対条件
ではないが５０〜１５０℃で１分−２０分で充分であり
、３０〜２００１の膜厚が適切である。
びフッ化ポ゛リエーテル重合体は可溶性溶媒に希釈され
、スプレー法、スピンナー法、ディッピング法や超音波
による噴霧吹き付は法等の既知の製法で塗布され、必要
に応じ焼成する。溶媒はへｐゲン化炭化水素系を用い、
得たい膜厚に応じ濃度が決定される。焼成は、絶対条件
ではないが５０〜１５０℃で１分−２０分で充分であり
、３０〜２００１の膜厚が適切である。
尚、金属アルコラートは、全官能型以外の適用も可能で
あり、又フッ化ポリエーテル重合体も、イソシアネート
基以外の官能基を有する重合体、例えば７オンブリンＺ
−Ｄ Ｋ Ａ ＩＩ 、 Ｚ −Ｄ ＯＬ 。
あり、又フッ化ポリエーテル重合体も、イソシアネート
基以外の官能基を有する重合体、例えば７オンブリンＺ
−Ｄ Ｋ Ａ ＩＩ 、 Ｚ −Ｄ ＯＬ 。
Ｚ−Ｄ工ＡＯや無官能の重合体、例えば同Ｚ−ＡＭ−ｓ
ｅｒｉｅｓとの併用適用も可能である。（７オンプリン
はモンテジソン社製品） 又、金属アルコラートと７フ化ポリエーテル重合体の混
合割合は、前者の官能基数をＯ１分子数をＰそして後者
の官能基数をＱ１分子数をＲとした場合、 １以下の場合、初期よりヘッドと記憶体間の摩擦性能が
劣り、１０以上の場合、初期の摩擦性能は優れるものの
、長期に亘り、摩擦性能が維持されなくなる。
ｅｒｉｅｓとの併用適用も可能である。（７オンプリン
はモンテジソン社製品） 又、金属アルコラートと７フ化ポリエーテル重合体の混
合割合は、前者の官能基数をＯ１分子数をＰそして後者
の官能基数をＱ１分子数をＲとした場合、 １以下の場合、初期よりヘッドと記憶体間の摩擦性能が
劣り、１０以上の場合、初期の摩擦性能は優れるものの
、長期に亘り、摩擦性能が維持されなくなる。
本発明によれば、金属媒体に、硬度、緻密性に優れる酸
化物、窒化物、炭化物及び炭素から選ばれる少なくとも
１種の物質より成る薄膜を形成することにより、ヘッド
の衝撃摩耗からそして環境中の水分や塩素等から金属媒
体を保護する。
化物、窒化物、炭化物及び炭素から選ばれる少なくとも
１種の物質より成る薄膜を形成することにより、ヘッド
の衝撃摩耗からそして環境中の水分や塩素等から金属媒
体を保護する。
しかし、上記薄膜は、数１００Ｘ前後と薄く、ピンホー
ルレスにすることは困難である。又上記薄膜のうち炭素
以外は潤滑性に乏しく、最も優れる炭素膜に於いても、
潤滑性が不充分なため、各種の潤滑剤を薄膜上に積層化
せしめるのが一般的であった。しかしながら、上記の薄
膜と潤滑剤との固着力が弱いため、長期間に及ぶヘッド
と記憶体の接触摩耗により、潤滑剤が徐々に記憶体上か
ら除去され、初期の優れた潤滑効果が失なわれてしまっ
た。
ルレスにすることは困難である。又上記薄膜のうち炭素
以外は潤滑性に乏しく、最も優れる炭素膜に於いても、
潤滑性が不充分なため、各種の潤滑剤を薄膜上に積層化
せしめるのが一般的であった。しかしながら、上記の薄
膜と潤滑剤との固着力が弱いため、長期間に及ぶヘッド
と記憶体の接触摩耗により、潤滑剤が徐々に記憶体上か
ら除去され、初期の優れた潤滑効果が失なわれてしまっ
た。
本発明では、上記薄膜上に、イソシアネート基を有する
フッ化ポリエーテル重合体と金属アルフラートを少なく
とも含む混合物を被覆、せしめるものである。金属アル
コラートは、酸化物、窒化物、炭化物及び炭素の最表面
の活性基（−ＯＨ。
フッ化ポリエーテル重合体と金属アルフラートを少なく
とも含む混合物を被覆、せしめるものである。金属アル
コラートは、酸化物、窒化物、炭化物及び炭素の最表面
の活性基（−ＯＨ。
−０ＯＯＨ＋と、そしてフッ化ポリエーテル重合体のイ
ソシアネート基と化学反応し、記憶体上に潤滑膜を固定
化しヘッドの衝撃摩耗により除去される事を防ぐ作用が
ある。
ソシアネート基と化学反応し、記憶体上に潤滑膜を固定
化しヘッドの衝撃摩耗により除去される事を防ぐ作用が
ある。
又７）化ポリエーテル重合体は優れた撥水性を示し、防
錆作用を高める効果があり、上記の理由により、その効
果は長期間に亘り維持される。
錆作用を高める効果があり、上記の理由により、その効
果は長期間に亘り維持される。
以上により長期機械的信頼性及び保存信頼性に優れた記
憶体の製造、提供が可能になった。
憶体の製造、提供が可能になった。
鏡面仕上げされたディスク状アルミニウム合金基板上に
非磁性Ｎ１−Ｐ合金メツキを約１５μｍ厚に施こした後
、研摩により表面粗度α０２μｍ以下に表面加工し、更
にＯｏ −Ｎ ｉ −Ｐ合金メツキを約ＣＬ０５μ講厚
に施こした。
非磁性Ｎ１−Ｐ合金メツキを約１５μｍ厚に施こした後
、研摩により表面粗度α０２μｍ以下に表面加工し、更
にＯｏ −Ｎ ｉ −Ｐ合金メツキを約ＣＬ０５μ講厚
に施こした。
次にマグネトロンスパッタ装置に上記基板をセットし、
５Ｘ１０−’ｔｏｒｒ以下まで排気した後、基板を８０
℃まで加熱し、吸着水分の除去後、人ｒガスを導入し、
５Ｘ１０＝ｔｏｒｒにした後、！！１表に示した材料を
ターゲットとして、パワー密度４Ｗ／−で成膜した。
５Ｘ１０−’ｔｏｒｒ以下まで排気した後、基板を８０
℃まで加熱し、吸着水分の除去後、人ｒガスを導入し、
５Ｘ１０＝ｔｏｒｒにした後、！！１表に示した材料を
ターゲットとして、パワー密度４Ｗ／−で成膜した。
次に同じく第１表に示す金属アルコラートとフッ化ポリ
エーテル重合体の混合物をフロン１１３にα２０ Ｗ
／ ７％の濃度で溶解し、ディッピング法（１０ｅＭ／
ｉ）で塗布し、その後、１１０℃で１０分間焼成した。
エーテル重合体の混合物をフロン１１３にα２０ Ｗ
／ ７％の濃度で溶解し、ディッピング法（１０ｅＭ／
ｉ）で塗布し、その後、１１０℃で１０分間焼成した。
第 １ 表
上記の製造方法により得られた記憶体を下記試験で評価
した。結果は第２表に示す。
した。結果は第２表に示す。
（ａＳＳ耐久試験）
ａＳＳ動作前後の外観変化、静摩擦係数と出力低下率を
求める。（使用ヘッド：薄膜３３７０タイプ、７ライハ
イト １１５μｍ９１１Ｌ／ｒｘ、時）（耐食性試験） ８５υ ８０％Ｒ，Ｈ，の環境下放置に於いて、放置時
間の経過をおい、ミッシングピット数を測定し、その増
加が認められた時点で寿命と判断した。
求める。（使用ヘッド：薄膜３３７０タイプ、７ライハ
イト １１５μｍ９１１Ｌ／ｒｘ、時）（耐食性試験） ８５υ ８０％Ｒ，Ｈ，の環境下放置に於いて、放置時
間の経過をおい、ミッシングピット数を測定し、その増
加が認められた時点で寿命と判断した。
第 ２ 表
〔発明の効果〕
高記録密度対応の記憶体として薄膜型記憶体が登場して
久しいが、長期信頼性に対する不安からその使用は一部
に限られていた。
久しいが、長期信頼性に対する不安からその使用は一部
に限られていた。
木兄ａＡＫよれば、加温湿下で記憶体が用いられても金
属媒体は実用的に何等の影響を受けず、又増々硬質化、
低フライハイド化するヘッドを用いての機械的信頼性が
高いので、更に小型化し、厳しい環境下で用いられるド
ライブ体に搭載されても、記憶体、ヘッドはとも°に特
性劣化は、はとんど認められない。
属媒体は実用的に何等の影響を受けず、又増々硬質化、
低フライハイド化するヘッドを用いての機械的信頼性が
高いので、更に小型化し、厳しい環境下で用いられるド
ライブ体に搭載されても、記憶体、ヘッドはとも°に特
性劣化は、はとんど認められない。
以上の如く、高記録密度対応の高耐久性記憶体の製造、
提供が可能になりた。
提供が可能になりた。
以上
出願人 七イフーエプソン株式会社
代理人 弁理士最上務（他１名）
Claims (3)
- （１）基体上に金属磁性媒体が被覆され、この金属磁性
媒体上に酸化物、窒化物、炭化物及び炭素から選ばれる
少なくとも１種の物質より成る薄膜が被覆され、次に該
薄膜上に少なくともＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａの金
属アルコラートの１種と、イソシアネート基を有するフ
ッ化ポリエーテル重合体を含む混合物を被覆せしめた事
を特徴とする磁気記憶体。 - （２）基体上に金属磁性媒体の被膜を形成させる工程、
該金属媒体上に、酸化物、窒化物、炭化物及び炭素から
選ばれる少なくとも１種の物質より成る薄膜を形成させ
る工程そして該薄膜上に少なくともＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、
Ｎｂ、Ｔａの金属アルコラートの１種とイソシアネート
基を有するフッ化ポリエーテル重合体を含む混合物の被
膜を形成させる工程によることを特徴とする磁気記憶体
の製造方法。 - （３）少なくともＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａの金属
アルコラートの１種とイソシアネート基を有するフッ化
ポリエーテル重合体を含む混合物を塗布する工程とその
後焼成する工程により被膜を形成させることを特徴とす
る第１項記載の磁気記憶体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4799088A JPH01258215A (ja) | 1988-03-01 | 1988-03-01 | 磁気記憶体及び製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4799088A JPH01258215A (ja) | 1988-03-01 | 1988-03-01 | 磁気記憶体及び製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01258215A true JPH01258215A (ja) | 1989-10-16 |
Family
ID=12790759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4799088A Pending JPH01258215A (ja) | 1988-03-01 | 1988-03-01 | 磁気記憶体及び製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01258215A (ja) |
-
1988
- 1988-03-01 JP JP4799088A patent/JPH01258215A/ja active Pending
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