JPH0121112B2 - - Google Patents
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- JPH0121112B2 JPH0121112B2 JP59073653A JP7365384A JPH0121112B2 JP H0121112 B2 JPH0121112 B2 JP H0121112B2 JP 59073653 A JP59073653 A JP 59073653A JP 7365384 A JP7365384 A JP 7365384A JP H0121112 B2 JPH0121112 B2 JP H0121112B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- zirconia
- phase
- carbide
- amount
- tic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Thin Magnetic Films (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
本発明は種々の電子機器の基板、例えば薄膜磁
気ヘツドのスライダーや磁気記録デイスクの基板
など、また断熱材などに使用するのに適したジル
コニアセラミツクスの組成に関するものである。 このような用途に使用されるセラミツクスとし
ては、機械加工性に優れていることがまず要求さ
れる。すなわち、加工時の切削抵抗の少ないこと
や、切断ブレードなどへの目づまりのないことな
どが要求される。また、加工時に加工された部分
の結晶粒の脱落が起るがこの脱落部分が出来るだ
け小さいことが望ましい。そのためには、結晶粒
が小さいことが望ましい。 また、これらの用途においては摺動性に優れて
いることも必要であるが、従来提案されていた
Al2O3―TiC系セラミツクスは摺動性に劣つてい
た。 そこで、本発明は加工性がよく更に摺動性にも
優れているジルコニア系セラミツクスを提案する
ものである。 本発明のジルコニアセラミツクスは、周期率表
ａ，ａ，ａ族から選ばれた少くとも１種類
の元素の炭化物を0.4〜26.3wt％、アルミナを0.34
〜22.5wt％を含み、残部が実質的にジルコニア部
分からなることを特徴とする。望ましくは、炭化
物量を0.72〜7.2wt％、アルミナ量を0.8〜8.1wt％
含む。ジルコニア相に炭化物微粒子、特にTiC微
粒子、やアルミナ微粒子を分散させることにより
ジルコニア相の結晶粒の成長を防ぎ、マトリツク
スの結晶粒を微細化する働きがあるものと考えら
れる。不純物としては通常許容される程度の
SiO2，Fe2O3は、含有することが出来るが、
Fe2O3の量は0.1wt％以下にすることが望ましい。
SiO2の量は5wt％までは問題にならない。また、
通常はジルコニア相に固溶されていると考えられ
ているY2O3，CaO，MgOなどが部分的に析出し
て来て、分散粒子となり、あるいは添加したTiC
やAl2O3などと結合あるいは反応した微粒子とし
てジルコニア相中に分散することもあるが、これ
は問題ではない。Al2O3とTiCは上述のようにジ
ルコニア相中に分散して、結晶粒の粗大化するの
を防ぐが、同時にジルコニアセラミツクスを切削
する際に、高硬度の炭化物がドレツシングの役割
をして、ダイヤモンドプレートの目づまりを防止
する。 ジルコニア相としては安定化ジルコニア相、す
なわち立方晶ジルコニアであることが望ましい。
立方晶ジルコニアは摺動特性に優れる。 ジルコニア相を安定化するには、Y2O3，
MgO，CaO等の安定化剤を添加する。これらの
安定化剤を添加しないジルコニアは高温（2400℃
以上）では立方晶（Ｃ―相）であるが、温度を下
げて2400℃〜約1200℃の範囲では正方晶（ｔ―
相）となり、常温（約1200℃以下）では単斜晶
（ｍ―相）となる。そこで、安定化剤の量がきわ
めて少い場合、ジルコニアは常温ではｍ―相にな
るが、安定化剤の量を増加するとｔ―相が常温で
存在するようになり、更に安定化剤の量を増やす
と常温でもＣ―相で存在することになる。 そこで本発明のジルコニアセラミツクスにおい
ては、そのジルコニア相には常温においても立方
晶ジルコニアとして存在するだけの安定化剤を含
有させることが望ましい。Y2O3の場合、ジルコ
ニア相のなかに５〜20mol％含有され、残部実質
的にZrO2であることが望ましい。しかし、MgO
やCaOも同時に含有されても問題ない。 このような安定化剤が過剰に含まれた場合、立
方晶ジルコニアのなかにY4Zr3O12のようなZrO2
―Y2O3の化合物が析出して、摺動特性の劣化、
強度の低下をまねく。そこで20mol％以上の
Y2O3を含有することは望ましくない。安定化剤
が少くなると上に述べたように、ｔ相やｍ相も生
じてくるが常温でｍ相が生じると、その際体積膨
張を伴なう。基板への膜付け、パターン付けの際
の数百℃までの加熱や冷却に起因してｍ相が生じ
ると基板の反りやパターンずれが生じるおそれが
ある。そこで安定化ジルコニアにするための安定
化剤の下限値は約5mol％である。Y2O3の含有量
は5mol％以上でできるだけ少いことがよく、よ
り適当な量は約５〜約10mol％である。 ジルコニア相の結晶粒径は12μm以下であるこ
とが望ましい。より望ましくは、10μm以下であ
る。正方晶ジルコニアの結晶粒径は通常約15μm
であるが、12μm以下にすることによつて機械加
工性が向上し、チツピングの大きさも小さくする
ことができる。 更に、本発明のジルコニアセラミツクの相対密
度（理論密度と比して）は99％以上であることが
望ましく、ポアの極めて少ないものとなつてい
る。このように高い密度を持つので、摺動特性の
優れたものとなる。 本発明のジルコニアセラミツクスを製造するに
は、ZrO2微粉末、Y2O3粉末、ａ，ａ，ａ
族元素の炭化物（例えばTiC，ZrC，HfC，VC，
NbC，TaC，WC）粉末及びAl2O3粉末を所定の
割合で配合し、十分混合し、これを乾燥させ、少
量のバインダーを加えて造粒する。この造粒粉を
得るべき形状のキヤビテイを持つたプレス機で成
形体に予備成型する。この成形体を真空中で1400
℃〜1600℃の温度でホツトプレスして焼結体とし
てジルコニアセラミツクを得る。 このホツトプレスを行う時の温度は得られたジ
ルコニアセラミツクスの性能を左右する。1400℃
以上の温度はセラミツクスの相対密度を99％以上
にするために必要である。しかし、1600℃以上に
すると、安定化ジルコニアの結晶粒の粒成長が著
しくなるので1600℃以下でホツトプレスすること
が望ましい。 ホツトプレスで得たジルコニアセラミツクスは
用途に応じて必要とする形状にダイヤモンドブレ
ードで切断し、グラインダーなどで仕上加工をす
る。また必要に応じて磁気コア、信号コイル、絶
縁膜を付けて用いられる。この絶縁膜としては数
10μm厚さにスパツターで付けたAl2O3が使用さ
れる。 以上説明したように、本発明のジルコニアセラ
ミツクスは摺動性、耐摩耗性に優れている。また
密度も高くポアがほとんどない。 更に、機械加工性が良好などで、微細な加工を
行うことができる。 本発明のジルコニアセラミツクスについて、以
下例を示す。 例 １ 平均粒径0.03μmのZrO2微粉末とY2O3粉末、さ
らに代表的なａ，ａ，ａ族遷移元素の炭化
物（TiC，ZrC，HfC，VC，NbC，TaC，WC）
粉末及びAl2O3粉末を表１に示す割合に配合し、
純水を溶媒としてアルミナボールミルで24時間混
合した。混合溶液を乾燥し10％のPVA溶液を添
加してらいかい機で造粒後、1ton／cm2の圧力で
80φ×６〜７の成型体に予備成型した。次にこれ
を真空中1450℃×300Kg／cm2×1hの条件下でホツ
トプレスした。 焼結体の密度は水中置換法で測定し理論密度を
除して相対密度を求めた。曲げ強度試験は焼結体
をダイヤモンドブレードで切断し４mm×３mm×35
mmの試験片を使用し、JIS4点曲げて測定した。ま
たポア観察、ビツカース硬度測定（荷重200ｇ）
は試片の一部を鏡面研摩して行つた。比抵抗の測
定には１cm角の試片を用い、４端子法の一種であ
るパウ法で測定したが、比抵抗が高いときには両
面に銀ペーストを塗布し絶縁抵抗を決めた。ま
た、摩耗テストを行い、摩耗量を測定し、ジルコ
ニアの摩耗量を100としたときの相対比較を行つ
た。加工性は、鏡面研摩した試片にダイヤモンド
ブレードで溝を入れラツピング面と切削面の稜に
生ずるチツピングの大小で比較した。また摺動特
性は、焼結体から実際の薄膜磁気ヘツドの形状に
切り出し、磁気デイスクと接触させてデイスクを
回転し、特性を比較した。以上の測定結果を第１
表に示す。 第１表でAl2O3と炭化物を加えたジルコニアセ
ラミツクスはNo.１〜８であり、No.９〜10はAl2O3
のみを加えたジルコニアセラミツクスである。い
ずれも助剤としてAl2O3を2wt％添加してある。
また、No.11は助剤としてMgOを0.5wt％添加し、
1650℃でホツトプレスしたものである。 相対密度はAl2O3―TiCを除いてすべて99％以
上に緻密化しており、また鏡面のポア観察におい
てもほとんどポアは観察されず、基板としての基
本的特性である表面にポアが存在しないという条
件を満していることがわかつた。これはマトリツ
クスであるZrO2がAl2O3に比べて焼結性が元来良
好である上に、圧力下で焼結していることに起因
するものと思われる。 ビツカース硬さはAl2O3―TiCに比べ、ZrO2の
方が小さいが炭化物を加えることにより、Hvは
1400〜1550と100〜200程上昇する。そのため、耐
摩耗性も向上する曲げ強度はマトリツクスの強度
に強く影響を受けるため、残留正方晶の多いNo.７
に比べ、ZrO2及びZrO2―炭化物系では強度は小
さいが基板材としては十分な強度である。また比
抵抗は30vc1％の炭化物を複合化した場合、炭化
物粒子の平均粒径、分布状態によつて大きな差異
が存在するがそれでもマトリツクスのZrO2に比
べ導電性は大幅に向上されており、帯電防止とい
う点では好ましい影響を与える。 溝入れの際のチツピングは炭化物を添加すると
チツピングの量、大きさは小さくなり加工性は向
上した。摺動特性はAl2O3―TiCの場合、短時間
でデイスクに傷をつけるため基板材としてあまり
好ましくないのに対し、Y2O3を十分に入れた安
定化ジルコニアでは長時間のデイスク回転に耐
え、摺動特性は良好である。
気ヘツドのスライダーや磁気記録デイスクの基板
など、また断熱材などに使用するのに適したジル
コニアセラミツクスの組成に関するものである。 このような用途に使用されるセラミツクスとし
ては、機械加工性に優れていることがまず要求さ
れる。すなわち、加工時の切削抵抗の少ないこと
や、切断ブレードなどへの目づまりのないことな
どが要求される。また、加工時に加工された部分
の結晶粒の脱落が起るがこの脱落部分が出来るだ
け小さいことが望ましい。そのためには、結晶粒
が小さいことが望ましい。 また、これらの用途においては摺動性に優れて
いることも必要であるが、従来提案されていた
Al2O3―TiC系セラミツクスは摺動性に劣つてい
た。 そこで、本発明は加工性がよく更に摺動性にも
優れているジルコニア系セラミツクスを提案する
ものである。 本発明のジルコニアセラミツクスは、周期率表
ａ，ａ，ａ族から選ばれた少くとも１種類
の元素の炭化物を0.4〜26.3wt％、アルミナを0.34
〜22.5wt％を含み、残部が実質的にジルコニア部
分からなることを特徴とする。望ましくは、炭化
物量を0.72〜7.2wt％、アルミナ量を0.8〜8.1wt％
含む。ジルコニア相に炭化物微粒子、特にTiC微
粒子、やアルミナ微粒子を分散させることにより
ジルコニア相の結晶粒の成長を防ぎ、マトリツク
スの結晶粒を微細化する働きがあるものと考えら
れる。不純物としては通常許容される程度の
SiO2，Fe2O3は、含有することが出来るが、
Fe2O3の量は0.1wt％以下にすることが望ましい。
SiO2の量は5wt％までは問題にならない。また、
通常はジルコニア相に固溶されていると考えられ
ているY2O3，CaO，MgOなどが部分的に析出し
て来て、分散粒子となり、あるいは添加したTiC
やAl2O3などと結合あるいは反応した微粒子とし
てジルコニア相中に分散することもあるが、これ
は問題ではない。Al2O3とTiCは上述のようにジ
ルコニア相中に分散して、結晶粒の粗大化するの
を防ぐが、同時にジルコニアセラミツクスを切削
する際に、高硬度の炭化物がドレツシングの役割
をして、ダイヤモンドプレートの目づまりを防止
する。 ジルコニア相としては安定化ジルコニア相、す
なわち立方晶ジルコニアであることが望ましい。
立方晶ジルコニアは摺動特性に優れる。 ジルコニア相を安定化するには、Y2O3，
MgO，CaO等の安定化剤を添加する。これらの
安定化剤を添加しないジルコニアは高温（2400℃
以上）では立方晶（Ｃ―相）であるが、温度を下
げて2400℃〜約1200℃の範囲では正方晶（ｔ―
相）となり、常温（約1200℃以下）では単斜晶
（ｍ―相）となる。そこで、安定化剤の量がきわ
めて少い場合、ジルコニアは常温ではｍ―相にな
るが、安定化剤の量を増加するとｔ―相が常温で
存在するようになり、更に安定化剤の量を増やす
と常温でもＣ―相で存在することになる。 そこで本発明のジルコニアセラミツクスにおい
ては、そのジルコニア相には常温においても立方
晶ジルコニアとして存在するだけの安定化剤を含
有させることが望ましい。Y2O3の場合、ジルコ
ニア相のなかに５〜20mol％含有され、残部実質
的にZrO2であることが望ましい。しかし、MgO
やCaOも同時に含有されても問題ない。 このような安定化剤が過剰に含まれた場合、立
方晶ジルコニアのなかにY4Zr3O12のようなZrO2
―Y2O3の化合物が析出して、摺動特性の劣化、
強度の低下をまねく。そこで20mol％以上の
Y2O3を含有することは望ましくない。安定化剤
が少くなると上に述べたように、ｔ相やｍ相も生
じてくるが常温でｍ相が生じると、その際体積膨
張を伴なう。基板への膜付け、パターン付けの際
の数百℃までの加熱や冷却に起因してｍ相が生じ
ると基板の反りやパターンずれが生じるおそれが
ある。そこで安定化ジルコニアにするための安定
化剤の下限値は約5mol％である。Y2O3の含有量
は5mol％以上でできるだけ少いことがよく、よ
り適当な量は約５〜約10mol％である。 ジルコニア相の結晶粒径は12μm以下であるこ
とが望ましい。より望ましくは、10μm以下であ
る。正方晶ジルコニアの結晶粒径は通常約15μm
であるが、12μm以下にすることによつて機械加
工性が向上し、チツピングの大きさも小さくする
ことができる。 更に、本発明のジルコニアセラミツクの相対密
度（理論密度と比して）は99％以上であることが
望ましく、ポアの極めて少ないものとなつてい
る。このように高い密度を持つので、摺動特性の
優れたものとなる。 本発明のジルコニアセラミツクスを製造するに
は、ZrO2微粉末、Y2O3粉末、ａ，ａ，ａ
族元素の炭化物（例えばTiC，ZrC，HfC，VC，
NbC，TaC，WC）粉末及びAl2O3粉末を所定の
割合で配合し、十分混合し、これを乾燥させ、少
量のバインダーを加えて造粒する。この造粒粉を
得るべき形状のキヤビテイを持つたプレス機で成
形体に予備成型する。この成形体を真空中で1400
℃〜1600℃の温度でホツトプレスして焼結体とし
てジルコニアセラミツクを得る。 このホツトプレスを行う時の温度は得られたジ
ルコニアセラミツクスの性能を左右する。1400℃
以上の温度はセラミツクスの相対密度を99％以上
にするために必要である。しかし、1600℃以上に
すると、安定化ジルコニアの結晶粒の粒成長が著
しくなるので1600℃以下でホツトプレスすること
が望ましい。 ホツトプレスで得たジルコニアセラミツクスは
用途に応じて必要とする形状にダイヤモンドブレ
ードで切断し、グラインダーなどで仕上加工をす
る。また必要に応じて磁気コア、信号コイル、絶
縁膜を付けて用いられる。この絶縁膜としては数
10μm厚さにスパツターで付けたAl2O3が使用さ
れる。 以上説明したように、本発明のジルコニアセラ
ミツクスは摺動性、耐摩耗性に優れている。また
密度も高くポアがほとんどない。 更に、機械加工性が良好などで、微細な加工を
行うことができる。 本発明のジルコニアセラミツクスについて、以
下例を示す。 例 １ 平均粒径0.03μmのZrO2微粉末とY2O3粉末、さ
らに代表的なａ，ａ，ａ族遷移元素の炭化
物（TiC，ZrC，HfC，VC，NbC，TaC，WC）
粉末及びAl2O3粉末を表１に示す割合に配合し、
純水を溶媒としてアルミナボールミルで24時間混
合した。混合溶液を乾燥し10％のPVA溶液を添
加してらいかい機で造粒後、1ton／cm2の圧力で
80φ×６〜７の成型体に予備成型した。次にこれ
を真空中1450℃×300Kg／cm2×1hの条件下でホツ
トプレスした。 焼結体の密度は水中置換法で測定し理論密度を
除して相対密度を求めた。曲げ強度試験は焼結体
をダイヤモンドブレードで切断し４mm×３mm×35
mmの試験片を使用し、JIS4点曲げて測定した。ま
たポア観察、ビツカース硬度測定（荷重200ｇ）
は試片の一部を鏡面研摩して行つた。比抵抗の測
定には１cm角の試片を用い、４端子法の一種であ
るパウ法で測定したが、比抵抗が高いときには両
面に銀ペーストを塗布し絶縁抵抗を決めた。ま
た、摩耗テストを行い、摩耗量を測定し、ジルコ
ニアの摩耗量を100としたときの相対比較を行つ
た。加工性は、鏡面研摩した試片にダイヤモンド
ブレードで溝を入れラツピング面と切削面の稜に
生ずるチツピングの大小で比較した。また摺動特
性は、焼結体から実際の薄膜磁気ヘツドの形状に
切り出し、磁気デイスクと接触させてデイスクを
回転し、特性を比較した。以上の測定結果を第１
表に示す。 第１表でAl2O3と炭化物を加えたジルコニアセ
ラミツクスはNo.１〜８であり、No.９〜10はAl2O3
のみを加えたジルコニアセラミツクスである。い
ずれも助剤としてAl2O3を2wt％添加してある。
また、No.11は助剤としてMgOを0.5wt％添加し、
1650℃でホツトプレスしたものである。 相対密度はAl2O3―TiCを除いてすべて99％以
上に緻密化しており、また鏡面のポア観察におい
てもほとんどポアは観察されず、基板としての基
本的特性である表面にポアが存在しないという条
件を満していることがわかつた。これはマトリツ
クスであるZrO2がAl2O3に比べて焼結性が元来良
好である上に、圧力下で焼結していることに起因
するものと思われる。 ビツカース硬さはAl2O3―TiCに比べ、ZrO2の
方が小さいが炭化物を加えることにより、Hvは
1400〜1550と100〜200程上昇する。そのため、耐
摩耗性も向上する曲げ強度はマトリツクスの強度
に強く影響を受けるため、残留正方晶の多いNo.７
に比べ、ZrO2及びZrO2―炭化物系では強度は小
さいが基板材としては十分な強度である。また比
抵抗は30vc1％の炭化物を複合化した場合、炭化
物粒子の平均粒径、分布状態によつて大きな差異
が存在するがそれでもマトリツクスのZrO2に比
べ導電性は大幅に向上されており、帯電防止とい
う点では好ましい影響を与える。 溝入れの際のチツピングは炭化物を添加すると
チツピングの量、大きさは小さくなり加工性は向
上した。摺動特性はAl2O3―TiCの場合、短時間
でデイスクに傷をつけるため基板材としてあまり
好ましくないのに対し、Y2O3を十分に入れた安
定化ジルコニアでは長時間のデイスク回転に耐
え、摺動特性は良好である。
【表】
【表】
例 ２
表２に示す組成のジルコニアセラミツクスを例
１と同じ製造条件で作成した。これを加工し、鏡
面にラツピングして、3″径のウエハーとした。こ
の試料について、結晶径径、耐チツピング性、切
削抵抗加工性、切削面の肌の状況、摺動特性を測
定した。 耐チツピング性はダイサーによる溝入れ加工の
際に稜に生ずるチツピングの大きさ（表では最大
チツピング深さで示す）及びアルミナ膜の欠けに
よつて測定した。アルミナ膜はセラミツク基板上
に約40μm厚さにスパツターリングで形成し、こ
れにダイサーで溝入れ加工した時に基板とともに
アルミナ膜が欠けた時のその部分の欠けの幅で示
した。 切削抵抗は外周スライサーで、スライサーに加
わる応力を圧電素子を用いて測定した。 摺動特性は磁気デイスクを回転させて、これに
ジルコニアセラミツクスを接触摺動させるCSSテ
ストによつて判定した。 Al2O3，TiCを添加しないNo.12及び14のジルコ
ニアの場合、切削抵抗力は非常に大きく切削面の
肌の状態も良くなかつた。チツピング深さは結晶
粒径の小さいNo.12では小さいが、Y2O3量を増加
し粗大な立方晶が多くNo.14では大きくなつた。
TiC，Al2O3を単独に添加したNo.15，16では結晶
粒がある程度微細化されるためチツピング深さは
ある程度減少するが切削面の肌の状態は大きさは
改善されない。それに対しTiCとAl2O3を同時に
添加したNo.13及びNo.17〜25の場合にはチツピング
量はNo.14に比べ1/3程度に減少しました切削抵抗
力も小さく切削面の肌の状態も良好であり、スラ
イダーを90本加工後も切削面は最初とほとんど変
わりはない。またアルミナ膜の欠けも非常に小さ
い。 No.25はTiCを40Vol％と非常に多く添加した場
合であるが、チツピング切削抵抗共に小さいが摺
動特性が悪い。 以上の実験から明らかなように、ジルコニアセ
ラミツクスは摺動特性に優れている。しかし、炭
化物を30Vol％を越えて加えたものは少し摺動特
性が落ちる。それでも、Al2O3―TiC系よりも優
れている。 ジルコニアセラミツクスに炭化物、アルミナを
分散させたものは、耐摩耗性に優れている。 Ｃ相のジルコニアであつても、Al2O3，TiCを
分散させると結晶粒径が小さくなり、チツピング
量が小さくなる。このため加工性が良好になる。
１と同じ製造条件で作成した。これを加工し、鏡
面にラツピングして、3″径のウエハーとした。こ
の試料について、結晶径径、耐チツピング性、切
削抵抗加工性、切削面の肌の状況、摺動特性を測
定した。 耐チツピング性はダイサーによる溝入れ加工の
際に稜に生ずるチツピングの大きさ（表では最大
チツピング深さで示す）及びアルミナ膜の欠けに
よつて測定した。アルミナ膜はセラミツク基板上
に約40μm厚さにスパツターリングで形成し、こ
れにダイサーで溝入れ加工した時に基板とともに
アルミナ膜が欠けた時のその部分の欠けの幅で示
した。 切削抵抗は外周スライサーで、スライサーに加
わる応力を圧電素子を用いて測定した。 摺動特性は磁気デイスクを回転させて、これに
ジルコニアセラミツクスを接触摺動させるCSSテ
ストによつて判定した。 Al2O3，TiCを添加しないNo.12及び14のジルコ
ニアの場合、切削抵抗力は非常に大きく切削面の
肌の状態も良くなかつた。チツピング深さは結晶
粒径の小さいNo.12では小さいが、Y2O3量を増加
し粗大な立方晶が多くNo.14では大きくなつた。
TiC，Al2O3を単独に添加したNo.15，16では結晶
粒がある程度微細化されるためチツピング深さは
ある程度減少するが切削面の肌の状態は大きさは
改善されない。それに対しTiCとAl2O3を同時に
添加したNo.13及びNo.17〜25の場合にはチツピング
量はNo.14に比べ1/3程度に減少しました切削抵抗
力も小さく切削面の肌の状態も良好であり、スラ
イダーを90本加工後も切削面は最初とほとんど変
わりはない。またアルミナ膜の欠けも非常に小さ
い。 No.25はTiCを40Vol％と非常に多く添加した場
合であるが、チツピング切削抵抗共に小さいが摺
動特性が悪い。 以上の実験から明らかなように、ジルコニアセ
ラミツクスは摺動特性に優れている。しかし、炭
化物を30Vol％を越えて加えたものは少し摺動特
性が落ちる。それでも、Al2O3―TiC系よりも優
れている。 ジルコニアセラミツクスに炭化物、アルミナを
分散させたものは、耐摩耗性に優れている。 Ｃ相のジルコニアであつても、Al2O3，TiCを
分散させると結晶粒径が小さくなり、チツピング
量が小さくなる。このため加工性が良好になる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 周期率表ａ，ａ，ａ族から選ばれた少
くとも１種類の元素の炭化物を0.4〜26.3wt％、
アルミナを0.34〜22.5wt％を含み、残部が実質的
にジルコニア部分からなることを特徴とするジル
コニアセラミツクス。 ２ ジルコニア部分は実質的に立方晶ジルコニア
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のジルコニアセラミツクス。 ３ 周期率表ａ，ａ，ａ族の元素の炭化物
が炭化チタンであることを特徴とする特許請求の
範囲第２項記載のジルコニアセラミツクス。 ４ ジルコニア部分は酸化イツトリウムを５〜
20mol％含み残部が実質的に酸化ジルコニウムで
あることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載
のジルコニアセラミツクス。 ５ ホツトプレスを行つて理論密度の99％以上に
したことを特徴とする特許請求の範囲第４項記載
のジルコニアセラミツクス。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59073653A JPS61106455A (ja) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | ジルコニアセラミツクス |
| EP84107935A EP0137134B1 (en) | 1983-09-21 | 1984-07-06 | A magnetic head having a non-magnetic substrate |
| DE8484107935T DE3478162D1 (en) | 1983-09-21 | 1984-07-06 | A magnetic head having a non-magnetic substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59073653A JPS61106455A (ja) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | ジルコニアセラミツクス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61106455A JPS61106455A (ja) | 1986-05-24 |
| JPH0121112B2 true JPH0121112B2 (ja) | 1989-04-19 |
Family
ID=13524458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59073653A Granted JPS61106455A (ja) | 1983-09-21 | 1984-04-12 | ジルコニアセラミツクス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61106455A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1984
- 1984-04-12 JP JP59073653A patent/JPS61106455A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61106455A (ja) | 1986-05-24 |
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