JPH05120635A - 磁気ヘツド用基板材料 - Google Patents
磁気ヘツド用基板材料Info
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- JPH05120635A JPH05120635A JP3307069A JP30706991A JPH05120635A JP H05120635 A JPH05120635 A JP H05120635A JP 3307069 A JP3307069 A JP 3307069A JP 30706991 A JP30706991 A JP 30706991A JP H05120635 A JPH05120635 A JP H05120635A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】少なくとも正方晶ZrO2を含むZrO2相を重量％で
２０〜６５％含有せしめた残部がTiB2を主成分とした薄
膜磁気ヘッド用基板材料。 【効果】磁気ヘッド用基板材料として適したもので摺動
性、耐摩耗性、破壊靭性に優れ、電気的性質としても比
抵抗が小さく摩擦帯電性も小さい。
２０〜６５％含有せしめた残部がTiB2を主成分とした薄
膜磁気ヘッド用基板材料。 【効果】磁気ヘッド用基板材料として適したもので摺動
性、耐摩耗性、破壊靭性に優れ、電気的性質としても比
抵抗が小さく摩擦帯電性も小さい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、耐久性、耐摩耗性に優
れた磁気ヘッド基板材料に関するものである。
れた磁気ヘッド基板材料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年磁気ディスク装置の分野において増
大する高記録密度化の要請に応えるため、磁気ヘッド特
に薄膜磁気ヘッドが急速に普及しつつある。薄膜磁気ヘ
ッドは基板となるセラミックス製スライダーの後端面に
磁気信号の記録再生を行う薄膜素子が形成された構造を
有しており、スライダーが磁気ディスクの高速回転（２
０〜４０ｍ／ｓ）によって発生する空気層流に乗って磁
気ディスク面上にわずかに浮上（０．２〜４μｍ）する
ことを利用し磁気ディスクに対して記録の書き込み、読
み取りを行う機能を有する。したがってスライダーは磁
気ディスク回転の起動、停止時は十分な空気層流が得ら
れないため必ず磁気ディスクと摺動し、いわゆるコンタ
クト・スタート・ストップ（ＣＳＳ）動作を行う。さら
にスライダーは定常浮上中であっても振動や塵埃の介入
などの外的要因によって浮上高さや浮上姿勢が乱れるこ
とが避けられない。
大する高記録密度化の要請に応えるため、磁気ヘッド特
に薄膜磁気ヘッドが急速に普及しつつある。薄膜磁気ヘ
ッドは基板となるセラミックス製スライダーの後端面に
磁気信号の記録再生を行う薄膜素子が形成された構造を
有しており、スライダーが磁気ディスクの高速回転（２
０〜４０ｍ／ｓ）によって発生する空気層流に乗って磁
気ディスク面上にわずかに浮上（０．２〜４μｍ）する
ことを利用し磁気ディスクに対して記録の書き込み、読
み取りを行う機能を有する。したがってスライダーは磁
気ディスク回転の起動、停止時は十分な空気層流が得ら
れないため必ず磁気ディスクと摺動し、いわゆるコンタ
クト・スタート・ストップ（ＣＳＳ）動作を行う。さら
にスライダーは定常浮上中であっても振動や塵埃の介入
などの外的要因によって浮上高さや浮上姿勢が乱れるこ
とが避けられない。
【０００３】記録密度を大きくするために浮上高さは一
層小さくなりつつあるため、このような乱れによりスラ
イダーが高速回転中の磁気ディスクと衝突する回数がま
すます増大してきている。
層小さくなりつつあるため、このような乱れによりスラ
イダーが高速回転中の磁気ディスクと衝突する回数がま
すます増大してきている。
【０００４】これらのことからＣＳＳ性能を向上させる
ためには、磁気ヘッドのスライダーの摺動性を高めるこ
とが重要である。更にスライダーの表面が平滑で気孔が
存在しないこと、耐摩耗性が良いことが必要である。
ためには、磁気ヘッドのスライダーの摺動性を高めるこ
とが重要である。更にスライダーの表面が平滑で気孔が
存在しないこと、耐摩耗性が良いことが必要である。
【０００５】又磁気ヘッドは上に述べた如く、磁気ディ
スクと接触摺動する時に摩擦帯電する。この帯電量が過
度に大きくなると磁気トランスジューサーの信号巻線に
ノイズが発生したり、磁気ヘッドの浮上量が変わったり
する恐れがある。そこで摩擦帯電のできるだけ生じない
材料で磁気ヘッドのスライダーを構成することが望まし
い。
スクと接触摺動する時に摩擦帯電する。この帯電量が過
度に大きくなると磁気トランスジューサーの信号巻線に
ノイズが発生したり、磁気ヘッドの浮上量が変わったり
する恐れがある。そこで摩擦帯電のできるだけ生じない
材料で磁気ヘッドのスライダーを構成することが望まし
い。
【０００６】更に磁気ヘッドのスライダーは例えば特開
昭５５−１６３６６５号に示されているように極めて複
雑な構造をしているのであるが、このような複雑な構造
の磁気ヘッドを生産性良く作るには、スライダー構成材
が機械加工性に優れていることが必要である。即ち加工
時の切削抵抗の少ないことや切削ブレード等への目づま
りのないことやクラックやチッピングの生じないことが
重要である。
昭５５−１６３６６５号に示されているように極めて複
雑な構造をしているのであるが、このような複雑な構造
の磁気ヘッドを生産性良く作るには、スライダー構成材
が機械加工性に優れていることが必要である。即ち加工
時の切削抵抗の少ないことや切削ブレード等への目づま
りのないことやクラックやチッピングの生じないことが
重要である。
【０００７】従来のスライダー材料としては薄膜素子の
形成性が良好な点からAl2O3系セラミックが広く知られ
ており、改良提案も多い。例えば特開昭６１−１５８８
６２号、特開昭６０−２３１３０８号、特開昭６０−１
８３７０９号及び特開昭６０−１７９９２３号等に示さ
れたものがある。
形成性が良好な点からAl2O3系セラミックが広く知られ
ており、改良提案も多い。例えば特開昭６１−１５８８
６２号、特開昭６０−２３１３０８号、特開昭６０−１
８３７０９号及び特開昭６０−１７９９２３号等に示さ
れたものがある。
【０００８】これらはいずれも Al2O3−TiC とその他の
添加粒子からなっており、耐摩耗性や加工性の向上が図
られている。又一方 ZrO2 系を主成分としたスライダー
材料が例えば特開昭６０−１７１６１７号、特開昭６３
−２７８３１２号、特開昭６０−６６４０４号等に多く
示され、摺動特性が良好であるスライダーが提案されて
いる。
添加粒子からなっており、耐摩耗性や加工性の向上が図
られている。又一方 ZrO2 系を主成分としたスライダー
材料が例えば特開昭６０−１７１６１７号、特開昭６３
−２７８３１２号、特開昭６０−６６４０４号等に多く
示され、摺動特性が良好であるスライダーが提案されて
いる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の A
l2O3ーTiC からなるスライダーは、機械加工性や耐摩耗
性に優れるものの高精度の複雑な形状のスライダーを加
工する時クラックやチッピングも少なくなく加工歩留を
落としており、より破壊靭性、摺動特性の向上が強く望
まれている。
l2O3ーTiC からなるスライダーは、機械加工性や耐摩耗
性に優れるものの高精度の複雑な形状のスライダーを加
工する時クラックやチッピングも少なくなく加工歩留を
落としており、より破壊靭性、摺動特性の向上が強く望
まれている。
【００１０】又 ZrO2 を主成分としたスライダーは Al2
O3−TiC と比べ摺動特性に優れているが、耐摩耗性や加
工性は劣るとされている。このように種々のスライダー
材料が提案されているが、摺動特性、耐摩耗性、破壊靭
性の高い機械加工性に優れた材料が強く望まれている。
O3−TiC と比べ摺動特性に優れているが、耐摩耗性や加
工性は劣るとされている。このように種々のスライダー
材料が提案されているが、摺動特性、耐摩耗性、破壊靭
性の高い機械加工性に優れた材料が強く望まれている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は前述の問題点を
解決すべくなされたものであり、TiB2を主成分とし、少
なくとも正方晶 ZrO2 を含む ZrO2 相を２０〜６５重量
％含むことを特徴とする磁気ヘッド特に薄膜磁気ヘッド
用基板材料を提供するものである。
解決すべくなされたものであり、TiB2を主成分とし、少
なくとも正方晶 ZrO2 を含む ZrO2 相を２０〜６５重量
％含むことを特徴とする磁気ヘッド特に薄膜磁気ヘッド
用基板材料を提供するものである。
【００１２】本発明は耐摩耗性、高硬度、導電性のTiB2
を主構成相とし、摺動特性、破壊靭性の優れた単斜晶と
正方晶の ZrO2 が共存して、または正方晶 ZrO2 が分散
強化した焼結体からなる摺動特性、耐摩耗性、機械加工
性に優れた基板材料を得ることができる。
を主構成相とし、摺動特性、破壊靭性の優れた単斜晶と
正方晶の ZrO2 が共存して、または正方晶 ZrO2 が分散
強化した焼結体からなる摺動特性、耐摩耗性、機械加工
性に優れた基板材料を得ることができる。
【００１３】本発明において主成分である少なくとも正
方晶 ZrO2 を含む ZrO2 相と TiB2は重量％（以下同
じ）で前者が２０〜６５％、後者が残部の割合である。
これらの限定理由は ZrO2 相が多すぎると比抵抗が高く
なり帯電性も高くなり、又粒界層に生成する硼化チタニ
ウムジルコニウム固溶体の生成が少なくなるとともにZr
O2の結晶成長が起こりやすくなるため破壊靭性が低下す
る等のためであり、少なすぎても TiB2 が高硬度、難焼
結性であり焼結しにくくなるとともに、単斜晶ZrO2を正
方晶 ZrO2 と共存させて用いた場合転移に伴なう体積変
化により亀裂が生成し、又 Y2O3 や MgOで部分安定化し
た正方晶 ZrO2 のみを用いた場合では破壊靭性の向上に
は効果が少ないからである。望ましい割合は前者が３０
〜６０％、残部が TiB2 である。
方晶 ZrO2 を含む ZrO2 相と TiB2は重量％（以下同
じ）で前者が２０〜６５％、後者が残部の割合である。
これらの限定理由は ZrO2 相が多すぎると比抵抗が高く
なり帯電性も高くなり、又粒界層に生成する硼化チタニ
ウムジルコニウム固溶体の生成が少なくなるとともにZr
O2の結晶成長が起こりやすくなるため破壊靭性が低下す
る等のためであり、少なすぎても TiB2 が高硬度、難焼
結性であり焼結しにくくなるとともに、単斜晶ZrO2を正
方晶 ZrO2 と共存させて用いた場合転移に伴なう体積変
化により亀裂が生成し、又 Y2O3 や MgOで部分安定化し
た正方晶 ZrO2 のみを用いた場合では破壊靭性の向上に
は効果が少ないからである。望ましい割合は前者が３０
〜６０％、残部が TiB2 である。
【００１４】本発明の分散強化相である ZrO2 は、少な
くとも正方晶 ZrO2 特に Y2O3 又はMgO が３〜７％固溶
した正方晶 ZrO2 とする必要がある。単斜晶 ZrO2 を共
存する場合は Y2O3 や MgOで固溶されていない粉末であ
り、TiB2との合量に対して２０％以下では単斜晶から正
方晶への転移が少ないため、亀裂の発生が起こり焼結体
が取れなくなるため好ましくなく、６５％以上では粒界
層に生成する硼化ジルコニウムチタニウム固溶体の生成
が少なくなり ZrO2 の粒生成が著しくなるため好ましく
ない。
くとも正方晶 ZrO2 特に Y2O3 又はMgO が３〜７％固溶
した正方晶 ZrO2 とする必要がある。単斜晶 ZrO2 を共
存する場合は Y2O3 や MgOで固溶されていない粉末であ
り、TiB2との合量に対して２０％以下では単斜晶から正
方晶への転移が少ないため、亀裂の発生が起こり焼結体
が取れなくなるため好ましくなく、６５％以上では粒界
層に生成する硼化ジルコニウムチタニウム固溶体の生成
が少なくなり ZrO2 の粒生成が著しくなるため好ましく
ない。
【００１５】又正方晶 ZrO2 の場合には ZrO2 中に Y2O
3 又は MgOが３％より少ないと単斜晶ZrO2が増加し焼結
体冷却中にマイクロクラックが発生し機械的強度が著し
く低下し、７％より多いと立方晶 ZrO2 が増加して強
度、破壊靭性が低下するため好ましくない。
3 又は MgOが３％より少ないと単斜晶ZrO2が増加し焼結
体冷却中にマイクロクラックが発生し機械的強度が著し
く低下し、７％より多いと立方晶 ZrO2 が増加して強
度、破壊靭性が低下するため好ましくない。
【００１６】本発明は主成分である TiB2 と分散強化材
である少なくとも正方晶の ZrO2 およびこれと単斜晶 Z
rO2 の共存した相及び粒界層が TiB2 と ZrO2 との反応
により生成する硼化ジルコニウムチタニウム固溶体で構
成されるが、これらの構成相の結晶粒径は２μｍ以下で
あることが望ましく、２μｍ以下にすることによって強
度、破壊靭性が向上し機械加工性やチッピングを小さく
することができる。
である少なくとも正方晶の ZrO2 およびこれと単斜晶 Z
rO2 の共存した相及び粒界層が TiB2 と ZrO2 との反応
により生成する硼化ジルコニウムチタニウム固溶体で構
成されるが、これらの構成相の結晶粒径は２μｍ以下で
あることが望ましく、２μｍ以下にすることによって強
度、破壊靭性が向上し機械加工性やチッピングを小さく
することができる。
【００１７】本発明においてはより結晶粒径を小さくす
るため、用いる原料の粒度を細かくし、平均粒径が０．
１μｍ以下が必要で、０．１μｍを超えると焼結して生
成する結晶粒が大きくなり、基板の表面の平滑性が低下
するので好ましくない。
るため、用いる原料の粒度を細かくし、平均粒径が０．
１μｍ以下が必要で、０．１μｍを超えると焼結して生
成する結晶粒が大きくなり、基板の表面の平滑性が低下
するので好ましくない。
【００１８】又不純物としては少量の他の成分が存在し
ても構わないが、０．５％以下特には０．１％以下にす
ることが望ましい。
ても構わないが、０．５％以下特には０．１％以下にす
ることが望ましい。
【００１９】本発明は以上の構成によりなるが、本発明
の焼結体を製造するには０．１μｍ以下の TiB2 粉末、
単斜晶 ZrO2 粉末又は Y2O3 又は MgOで固溶された正方
晶ZrO2粉末を所定の混合割合で配合し十分混合粉砕して
乾燥し、ホットプレスを使用して焼結体を得ることがで
きる。又上記の混合粉末に少量のバインダーを添加して
スプレイドライヤーにて造粒し、この造粒物をＣＩＰに
より成形し、真空又は非酸化雰囲気中で常圧焼結や予備
焼成ＨＩＰ（Sinter−ＨＩＰ）やカプセルＨＩＰ（カプ
セル中に封入）しても同様の効果が得られる。
の焼結体を製造するには０．１μｍ以下の TiB2 粉末、
単斜晶 ZrO2 粉末又は Y2O3 又は MgOで固溶された正方
晶ZrO2粉末を所定の混合割合で配合し十分混合粉砕して
乾燥し、ホットプレスを使用して焼結体を得ることがで
きる。又上記の混合粉末に少量のバインダーを添加して
スプレイドライヤーにて造粒し、この造粒物をＣＩＰに
より成形し、真空又は非酸化雰囲気中で常圧焼結や予備
焼成ＨＩＰ（Sinter−ＨＩＰ）やカプセルＨＩＰ（カプ
セル中に封入）しても同様の効果が得られる。
【００２０】このホットプレスを行う場合の焼結温度は
得られるセラミックスの性能を大きく左右するため１５
００〜１７００℃が好ましく、焼結温度が１５００℃以
下では密度が低く緻密な焼結体は得られず、１７００℃
を超えると構成相であるTiB2や単斜晶及び正方晶ZrO2の
共存相の粒成長が著しくなるので好ましくない。
得られるセラミックスの性能を大きく左右するため１５
００〜１７００℃が好ましく、焼結温度が１５００℃以
下では密度が低く緻密な焼結体は得られず、１７００℃
を超えると構成相であるTiB2や単斜晶及び正方晶ZrO2の
共存相の粒成長が著しくなるので好ましくない。
【００２１】
【作用】本発明においては導電性、高硬度、耐摩耗性の
TiB2 を主成分とし、摺動特性、破壊靭性の優れた正方
晶の ZrO2 またはこれに単斜晶 ZrO2 が共存して分散強
化した焼結体からなり、さらに粒界層が TiB2 と ZrO2
との反応によって生成する硼化ジルコニウムチタニウム
固溶体（ZrTi)B2 により構成相の粒成長を抑制し気孔の
ない緻密な微細組織に形成したものであって、これらの
相互作用によって最適化されたものは薄膜磁気ヘッド用
基板材料としての摺動特性、耐摩耗性、機械加工性に優
れた特性を呈するものと考えられる。
TiB2 を主成分とし、摺動特性、破壊靭性の優れた正方
晶の ZrO2 またはこれに単斜晶 ZrO2 が共存して分散強
化した焼結体からなり、さらに粒界層が TiB2 と ZrO2
との反応によって生成する硼化ジルコニウムチタニウム
固溶体（ZrTi)B2 により構成相の粒成長を抑制し気孔の
ない緻密な微細組織に形成したものであって、これらの
相互作用によって最適化されたものは薄膜磁気ヘッド用
基板材料としての摺動特性、耐摩耗性、機械加工性に優
れた特性を呈するものと考えられる。
【００２２】
【実施例】以下本発明を実施例に基づいて説明する。原
料として TiB2 粉末（純度９９％、平均粒径０．１μｍ
以下）と単斜晶ZrO2粉末（純度９９％、平均粒径０．０
３μｍ）又は Y2O3 又は MgOを３〜７％固溶させた正方
晶 ZrO2 粉末（純度９９％、平均粒径０．０３μｍ）を
所定の割合にて配合し、ボールミルにてエタノール溶媒
を用い ZrO2 ボール（部分安定化ZrO2ボール）で１０時
間混合粉砕した。この混合粉末をエバポレーターで乾燥
し、エタノールを抽出し乾燥して軽く解砕した。
料として TiB2 粉末（純度９９％、平均粒径０．１μｍ
以下）と単斜晶ZrO2粉末（純度９９％、平均粒径０．０
３μｍ）又は Y2O3 又は MgOを３〜７％固溶させた正方
晶 ZrO2 粉末（純度９９％、平均粒径０．０３μｍ）を
所定の割合にて配合し、ボールミルにてエタノール溶媒
を用い ZrO2 ボール（部分安定化ZrO2ボール）で１０時
間混合粉砕した。この混合粉末をエバポレーターで乾燥
し、エタノールを抽出し乾燥して軽く解砕した。
【００２３】この粉末をホットプレスの黒鉛鋳型内に充
填し圧力３５０ｋｇ／ｃｍ2 、温度はそれぞれ１５００
〜１７００℃、Ar雰囲気下で１時間ホットプレスし、６
０ｍｍφ×厚み５ｍｍの焼結体を得た。
填し圧力３５０ｋｇ／ｃｍ2 、温度はそれぞれ１５００
〜１７００℃、Ar雰囲気下で１時間ホットプレスし、６
０ｍｍφ×厚み５ｍｍの焼結体を得た。
【００２４】焼結体の物性として密度はアルキメデス法
により測定し、理論密度を除して相対密度を求め、曲げ
強度は JIS R 1601 「ファインセラミックスの曲げ試験
法」に従って測定した。
により測定し、理論密度を除して相対密度を求め、曲げ
強度は JIS R 1601 「ファインセラミックスの曲げ試験
法」に従って測定した。
【００２５】又破壊靭性はＳＥＰＢ法（ Single Edge P
re-Cracked Beam 法）により測定した。即ち JIS R 160
1 に準拠した試料を用意しビッカース圧子圧入により圧
痕をつけた後、予亀裂を入れるための荷重を加え、イヤ
ホンでポップイン（ Pop-in）を検知した。続いて予亀
裂長さを測定するために着色を行い、そして曲げ試験を
行って破断荷重を測定した。破断試料の予亀裂長さを測
定した後、破壊靭性の算出式により破壊靭性を求めた。
re-Cracked Beam 法）により測定した。即ち JIS R 160
1 に準拠した試料を用意しビッカース圧子圧入により圧
痕をつけた後、予亀裂を入れるための荷重を加え、イヤ
ホンでポップイン（ Pop-in）を検知した。続いて予亀
裂長さを測定するために着色を行い、そして曲げ試験を
行って破断荷重を測定した。破断試料の予亀裂長さを測
定した後、破壊靭性の算出式により破壊靭性を求めた。
【００２６】ビッカース硬度は曲げ試験片の鏡面研磨面
を用い荷重３００ｇにてビッカース硬度計により測定し
た。比抵抗の測定は曲げ試験片を用い、４端子法にて測
定した。
を用い荷重３００ｇにてビッカース硬度計により測定し
た。比抵抗の測定は曲げ試験片を用い、４端子法にて測
定した。
【００２７】上記と同様な方法にて製作した６０ｍｍφ
×厚み５ｍｍの焼結体で磁気ヘッドスライダーとしての
評価試験を行った。
×厚み５ｍｍの焼結体で磁気ヘッドスライダーとしての
評価試験を行った。
【００２８】得られた焼結体を鏡面研磨してダイヤモン
ド切断砥石で切断し、角部の微細なチッピングを顕微鏡
にて観察することにより行った。このチッピング試験は
幅０．２８ｍｍ及び直径５２ｍｍのレジノイド砥石（３
０μｍのダイヤ砥粒を有するカッター）を用い、切込み
０．３ｍｍ，送り量５ｍｍ／ｓｅｃで実施した。チッピ
ング深さが２μｍを超えない場合実質的にスライダー品
質に影響を及ぼさず満足すべき品質を維持するもので、
これを○で示し、２μｍを超える場合は△及び著しいチ
ッピングの場合は×として示した。
ド切断砥石で切断し、角部の微細なチッピングを顕微鏡
にて観察することにより行った。このチッピング試験は
幅０．２８ｍｍ及び直径５２ｍｍのレジノイド砥石（３
０μｍのダイヤ砥粒を有するカッター）を用い、切込み
０．３ｍｍ，送り量５ｍｍ／ｓｅｃで実施した。チッピ
ング深さが２μｍを超えない場合実質的にスライダー品
質に影響を及ぼさず満足すべき品質を維持するもので、
これを○で示し、２μｍを超える場合は△及び著しいチ
ッピングの場合は×として示した。
【００２９】又 摺動性及び耐摩耗性は焼結体から実際
の薄膜磁気ヘッド形状に切り出し、磁気ディスクと接触
させてディスクを回転させるＣＳＳ試験により特性を評
価した。
の薄膜磁気ヘッド形状に切り出し、磁気ディスクと接触
させてディスクを回転させるＣＳＳ試験により特性を評
価した。
【００３０】摺動性はディスクとヘッドのＣＳＳ試験に
より摩擦係数を求め、摩擦係数が０．５より小さいもの
を○で示し、摩擦係数が０．５より大きいものは△及び
著しく大きい場合は×として示した。耐摩耗性はＣＳＳ
試験を１００００回繰返し、磁気ヘッドスライダーの摺
動面の傷の有無について評価した。比較例として Al2O3
−TiC ３０％基板と Y2O3 ５．２％で部分安定化された
ZrO2−TiC ３０％基板を用いて比較した。それぞれの結
果を表１、表２に示した。
より摩擦係数を求め、摩擦係数が０．５より小さいもの
を○で示し、摩擦係数が０．５より大きいものは△及び
著しく大きい場合は×として示した。耐摩耗性はＣＳＳ
試験を１００００回繰返し、磁気ヘッドスライダーの摺
動面の傷の有無について評価した。比較例として Al2O3
−TiC ３０％基板と Y2O3 ５．２％で部分安定化された
ZrO2−TiC ３０％基板を用いて比較した。それぞれの結
果を表１、表２に示した。
【００３１】表１、表２の結果から示されるように本発
明は高密度で比抵抗が小さく、硬度、曲げ強度も高く、
特に破壊靭性は Al2O3−３０％TiC 基板に比べる２〜
２．５倍、ZrO2（ Y2O3 ５．２％部分安定化）−３０％
TiC基板と比べて約１．３倍程度向上している。曲げ強
度は磁気ヘッドスライダーとして問題のない強度を示し
ている。
明は高密度で比抵抗が小さく、硬度、曲げ強度も高く、
特に破壊靭性は Al2O3−３０％TiC 基板に比べる２〜
２．５倍、ZrO2（ Y2O3 ５．２％部分安定化）−３０％
TiC基板と比べて約１．３倍程度向上している。曲げ強
度は磁気ヘッドスライダーとして問題のない強度を示し
ている。
【００３２】磁気ヘッドスライダーとしての評価では鏡
面研磨した場合の気孔はほとんど観察できず、耐チッピ
ング性、耐摩耗性、摺動特性は比較例と比べて優れてお
り、スライダーとして最適なものである。
面研磨した場合の気孔はほとんど観察できず、耐チッピ
ング性、耐摩耗性、摺動特性は比較例と比べて優れてお
り、スライダーとして最適なものである。
【００３３】
【表１】
【００３４】
【表２】
【００３５】
【発明の効果】本発明の磁気ヘッド基板は、耐摩耗性、
導電性高強度のTiB2を主構成相とし、摺動特性に優れた
高靭性の正方晶のZrO2にて分散強化した緻密な焼結体で
あって、摺動特性、耐摩耗性、機械加工性に優れ、且つ
比抵抗が小さく摩擦帯電性が小さい高熱伝導率の優れた
技術的長所を有するものである。
導電性高強度のTiB2を主構成相とし、摺動特性に優れた
高靭性の正方晶のZrO2にて分散強化した緻密な焼結体で
あって、摺動特性、耐摩耗性、機械加工性に優れ、且つ
比抵抗が小さく摩擦帯電性が小さい高熱伝導率の優れた
技術的長所を有するものである。
Claims (3)
- 【請求項１】TiB2を主成分とし、少くとも正方晶 ZrO2
を含む ZrO2 を２０〜６５重量％含むことを特徴とする
磁気ヘッド用基板材料。 - 【請求項２】請求項１において正方晶 ZrO2 は ZrO2中
に３〜７重量％の Y2O3 又は MgOを含有するものである
磁気ヘッド用基板材料。 - 【請求項３】請求項１において構成相が硼化チタニウ
ム、単斜晶及び正方晶 ZrO2 で粒界層が硼化チタニウム
ジルコニウム固溶体からなる磁気ヘッド用基板材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3307069A JPH05120635A (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 磁気ヘツド用基板材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3307069A JPH05120635A (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 磁気ヘツド用基板材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05120635A true JPH05120635A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17964672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3307069A Withdrawn JPH05120635A (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 磁気ヘツド用基板材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05120635A (ja) |
-
1991
- 1991-10-25 JP JP3307069A patent/JPH05120635A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990107 |