JPH01211987A - 半導体レーザ駆動回路 - Google Patents

半導体レーザ駆動回路

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Publication number
JPH01211987A
JPH01211987A JP3668588A JP3668588A JPH01211987A JP H01211987 A JPH01211987 A JP H01211987A JP 3668588 A JP3668588 A JP 3668588A JP 3668588 A JP3668588 A JP 3668588A JP H01211987 A JPH01211987 A JP H01211987A
Authority
JP
Japan
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comparator
output
circuit
reference voltage
forward voltage
Prior art date
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Pending
Application number
JP3668588A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsuhiro Horikawa
堀川 満広
Michio Yanagisawa
通雄 柳澤
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH01211987A publication Critical patent/JPH01211987A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/06825Protecting the laser, e.g. during switch-on/off, detection of malfunctioning or degradation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、半導体レーザ駆動回路に関する。
[従来の技術] 従来のLD駆動回路におけるLDの保護回路は、LDに
対する過電流対策としてはLDを駆動するために電源(
Ve)とLDの負荷抵抗の値(Rs)でLDを流れる最
大電流(I LD IIAX)を規定するのが一般的で
あった。
ここで、 I LD 11GIX< V e/ Rsが成り立つ。
一般的には、LDの寿命を考慮してI LD MAMは
LD小出力絶対最大定格LD出力の80%以下になるよ
うにする。
[発明が解決しようとする課題] しかし、前述の従来技術ではLDの特性の経時変化等の
理由によって、所望のLD小出力得られなくなるとか、
またこれを解決しようとすると前述のRsを交換しなく
てはならないという問題点を有する。そこで本発明はこ
のような問題点を解決するもので、その目的とするとこ
ろはLDの最大出力を自由にかつ簡単に設定することが
でき、また信頼性の高いLD−ei!護回路を有するL
D駆動回路を提供するところにある。
[課題を解決するための手段] 本発明のLD駆動回路は、 a)LDの順方向電圧を検出する回路と、b)LDの最
大出力光量を設定するための基準電圧を発生する回路と
、 C)該基準電圧とLDの順方向電圧を比較してその大小
によって出力論理レベルが変化するコンパレータと、 d)該コンパレータから基準電圧の絶対値よりLDの順
方向電圧の絶対値が大きいことを示す信号が出力された
場合にはLDのカソードとアノード間を短絡する回路か
らなるLD保護回路を有すること、また前記コンパレー
タがヒステリシスをもつことを特徴とする。
[実施例コ 第1図は本発明の実施例におけるLD駆動回路のブロッ
ク図である。第1図6がLDである。本実施例ではLD
のカソードはGND (アース)に短絡しているので、
LDのアノードの電圧がLDの順方向電圧に等しい。こ
の値を第1図11の基準電圧発生回路の出力と第1図7
のコンパレータで比較する。
本実施例ではコンパレータの機能にヒステリシスをもた
せである。
コンパレータのしきい値の上限、下限は例えば以下のよ
うに決められる。
まずLDの最大出力P、、8を規定し、それに対応する
LDの順方向電圧VFsaxを得る。この値は、LDの
光出力−順電流特性および順電流−順電圧特性から容易
に得ることができる。そしてこのVF、。8を基準電圧
発生回路で発生し、第1図8の抵抗に接続する。
また一般にLD駆動回結はLDの光出力を一定に保つA
PC(オートマチ・ンク拳パワーΦコントロール)の機
能を有する。本実施例ではこのAPCの精度を1%とし
たから、Pmaxも1%の精度で制御される。
そこで、101.IP、、、/100および98゜9 
P、、、/ 100のLD光出力に対応するLDの順方
向電圧をそれぞれVF Hlghs  Vp Loおと
してこれらをコンパレータのしきい値の上限、下限とし
た。
具体的には、第1図8.9およびlOの抵抗値をそれぞ
れR1、R1,R2とした時、コンパレータの出力なH
またはLと表して、 VF H+ah=vFwax + R1(H−VF @
@X) / (R1+R2) VF Lo、4=VF −−−−R1(L  Vp −
ax) / (R1+R2) となる。
本実施例の場合、コンパレータはTTL出力になってお
り、検出されるLDの順方向電圧VFが■Lollより
大きくなるとコンパレータ出力はLどなる。
そして第1図12のアナログスイッチがオンになりLD
のアノードとカソードが短絡する。
[発明の効果] 以上述べたように本発明によれば、LD駆動回路に a)LDの順方向電圧を検出する回路と、b)LDの最
大出力光量を設定するための基準電圧を発生する回路と
、 C)該基準電圧とLDの順方向電圧を比較してその大小
によって出力論理レベルが変化するコンパレータと、 d)該コンパレータから基準電圧の絶対値よりLDの順
方向電圧の絶対値が大きいことを示す信号が出力された
場合にはLDのカソードとアノード間を短絡する回路か
らなるLD保護回路が付加されているため、LDの最大
出力を自由にかつ簡単に設定することが可能となり、ま
た回路の信頼性も向上する。また前記コンパレータがヒ
ステリシスをもつため、コンパレータのしきい値近傍で
LDが点滅するようなこともない。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明による実施例を示すLD駆動回路ブロ
ック図。 1・・・APC(オートマチックパワーコントロール)
回路 2・・・基準電源 3・・・負荷抵抗 4・・・オペアンプ 5・・・PD(ホトダイオード) 6・・・LD(半導体レーザ) 7・・Φコンパレータ 8、 9. 10・・・抵抗 11・・・基準電圧発生回路 以上 ρ 第1図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)半導体レーザ(以下LDと呼ぶ)を駆動する回路に
    おいて、 a)LDの順方向電圧を検出する回路と、 b)LDの最大出力光量を設定するための基準電圧を発
    生する回路と、 c)該基準電圧とLDの順方向電圧を比較してその大小
    によって出力論理レベルが変化するコンパレータと、 d)該コンパレータから基準電圧よりLDの順方向電圧
    の絶対値が大きいことを示す信号が出力された場合には
    LDのカソードとアノード間を短絡する回路からなる、
    LD保護回路を有することを特徴とするLD駆動回路。 2)前記コンパレータがヒステリシスをもつことを特徴
    とする第1項記載の半導体レーザ駆動回路。
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