JPH01212219A - 酸化物超伝導薄膜の製造方法 - Google Patents
酸化物超伝導薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH01212219A JPH01212219A JP63048963A JP4896388A JPH01212219A JP H01212219 A JPH01212219 A JP H01212219A JP 63048963 A JP63048963 A JP 63048963A JP 4896388 A JP4896388 A JP 4896388A JP H01212219 A JPH01212219 A JP H01212219A
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- JP
- Japan
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- thin film
- temperature
- superconducting thin
- oxide superconducting
- manufacturing
- Prior art date
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- Pending
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、酸化物超伝導薄膜の製造方法に関し、更に詳
しくは、液体窒素の沸点である77Kを超える臨界温度
(ゼロ抵抗温度)を持つ酸化物超伝導薄膜の製造方法に
関する。
しくは、液体窒素の沸点である77Kを超える臨界温度
(ゼロ抵抗温度)を持つ酸化物超伝導薄膜の製造方法に
関する。
発明の背景
高い臨界温度を示す酸化物伝導材料については、室温近
くで超伝導現象を示す材料の創製の対する研究と同時に
、実用化を0指した応用研究が活発に行なわれている。
くで超伝導現象を示す材料の創製の対する研究と同時に
、実用化を0指した応用研究が活発に行なわれている。
高温超伝導材料の利用形態として、焼結体と薄膜が考え
られ、中でも超伝導薄膜は、エレクトロニクスデバイス
などへの応用が期待されている。
られ、中でも超伝導薄膜は、エレクトロニクスデバイス
などへの応用が期待されている。
酸化物超伝導薄膜は、従来スパッタ法、蒸着法、スクリ
ーン印刷法などで形成されている。酸化物薄膜の形成方
法としては、液相熱分解法も知られており、この方法は
、装置が簡単であり、大面積。
ーン印刷法などで形成されている。酸化物薄膜の形成方
法としては、液相熱分解法も知られており、この方法は
、装置が簡単であり、大面積。
複雑な形状のものに均一に成膜することができるなど利
点を持ち、超伝導薄膜合成法として非常に有望である。
点を持ち、超伝導薄膜合成法として非常に有望である。
液相熱分解法を採用した酸化物超伝導薄膜の形成は、熊
谷らにより、Chemistry Letters。
谷らにより、Chemistry Letters。
1645−1646 (1987)に報告されているが
、得られた酸化物超伝導薄膜の臨界温度(ゼロ抵抗温度
)は液体窒素の沸点より低い。
、得られた酸化物超伝導薄膜の臨界温度(ゼロ抵抗温度
)は液体窒素の沸点より低い。
発明の目的
本発明の目的は、液体窒素の沸点77Kを越える臨界温
度(ゼロ抵抗温度)を持ち、しかも臨界電流密度が大き
い高温酸化物超伝導薄膜を有利に製造できる方法を提供
することにある。
度(ゼロ抵抗温度)を持ち、しかも臨界電流密度が大き
い高温酸化物超伝導薄膜を有利に製造できる方法を提供
することにある。
発明の構成
上記目、的は、希土類金属、バリウムおよび/またはス
トロンチウム、並びに銅の各金属塩を含む溶液を、基材
に塗布し、酸素含有雰囲気中、850〜930℃の温度
で熱処理し、次いで酸素雰囲気中徐冷することを特徴と
する酸化物超伝導薄膜の製造方法により達成される。
トロンチウム、並びに銅の各金属塩を含む溶液を、基材
に塗布し、酸素含有雰囲気中、850〜930℃の温度
で熱処理し、次いで酸素雰囲気中徐冷することを特徴と
する酸化物超伝導薄膜の製造方法により達成される。
本発明の好ましい態様では、金属塩溶液を塗布した基材
を、熱処理前に、400〜600℃の温度で焼成する。
を、熱処理前に、400〜600℃の温度で焼成する。
希土類金属としては、イツトリウム、ランタノイド元素
、およびこれらの混合物などが例示できる。
、およびこれらの混合物などが例示できる。
希土類金属、バリウムおよび/またはストロンチウム、
並びに銅の金属塩としては、有機酸塩(たとえば、ナフ
テン酸塩、カプリル酸塩、ステアリン酸塩)、キレート
錯体(たとえば、アセチルアセトン錯塩)、アルコキシ
ド(たとえば、メチレート、エチラート、イソプロピレ
ート)が好ましく用いられる。
並びに銅の金属塩としては、有機酸塩(たとえば、ナフ
テン酸塩、カプリル酸塩、ステアリン酸塩)、キレート
錯体(たとえば、アセチルアセトン錯塩)、アルコキシ
ド(たとえば、メチレート、エチラート、イソプロピレ
ート)が好ましく用いられる。
溶液中の各金属塩の濃度は、得られる超伝導酸化物の組
成に合わせて調整される。一般に、全金属成分濃度は、
6.5重量%以下に調整されるが、この範囲に限定され
ることはない。
成に合わせて調整される。一般に、全金属成分濃度は、
6.5重量%以下に調整されるが、この範囲に限定され
ることはない。
溶媒としては、アルコール(たとえば、エタノール、イ
ソプロパツール)、芳香族化合物(たとえば、ベンゼン
、トルエン、キシレン)、シクロヘキサン、ターペン、
灯油、酢酸ブチル、クロロホルム、エーテル、ケトンな
どが例示できる。
ソプロパツール)、芳香族化合物(たとえば、ベンゼン
、トルエン、キシレン)、シクロヘキサン、ターペン、
灯油、酢酸ブチル、クロロホルム、エーテル、ケトンな
どが例示できる。
基材の種類は問わないが、イツトリウム安定化ジルコニ
ア(YSZ)が好ましい。
ア(YSZ)が好ましい。
本発明の製造方法では、基材を上記のような金属塩溶液
を基材に塗布する。好ましくは、溶液を塗布した基材を
、酸素含有雰囲気(たとえば、空気、酸素/不活性ガス
混合物)または不活性気体(窒素、ヘリウム、アルゴン
など)中、400〜600℃の温度で焼成する。この焼
成の初期段階を不活性気体中で行うと、より臨界電流密
度の大きい酸化物超伝導薄膜が得られる。
を基材に塗布する。好ましくは、溶液を塗布した基材を
、酸素含有雰囲気(たとえば、空気、酸素/不活性ガス
混合物)または不活性気体(窒素、ヘリウム、アルゴン
など)中、400〜600℃の温度で焼成する。この焼
成の初期段階を不活性気体中で行うと、より臨界電流密
度の大きい酸化物超伝導薄膜が得られる。
−回の塗布および焼成によって所望の膜厚が得られない
場合には、塗布および焼成の工程を2回またはそれ以上
繰り返して、所定の厚さの薄膜を得ることができる。塗
膜の厚さは、1.5μ度を越えるのが好ましい。
場合には、塗布および焼成の工程を2回またはそれ以上
繰り返して、所定の厚さの薄膜を得ることができる。塗
膜の厚さは、1.5μ度を越えるのが好ましい。
焼成後、金属酸化物薄膜が塗布された基材を、酸素含有
雰囲気、特に純酸素気流中、850〜930℃、好まし
くは870〜920℃の温度で熱処理する。熱処理時間
は、通常3〜30時間である。好ましくは、酸素含有雰
囲気中で焼成を行った場合には4.5〜8.5時間であ
り、不活性気体雰囲気中′で初期焼成を行った場合には
12〜30時間である。
雰囲気、特に純酸素気流中、850〜930℃、好まし
くは870〜920℃の温度で熱処理する。熱処理時間
は、通常3〜30時間である。好ましくは、酸素含有雰
囲気中で焼成を行った場合には4.5〜8.5時間であ
り、不活性気体雰囲気中′で初期焼成を行った場合には
12〜30時間である。
熱処理後、基材を、酸素気流中、400℃以下の温度に
徐冷する。
徐冷する。
本発明の製造方法によれば、窒素の沸点77に以上の臨
界温度(ゼロ抵抗温度)を持つ酸化物超伝導薄膜を再現
性よく、かつ効率的に得ることができる。
界温度(ゼロ抵抗温度)を持つ酸化物超伝導薄膜を再現
性よく、かつ効率的に得ることができる。
寒貴桝
以下に実施例を示し、本発明をより詳しく説明する。
実施例1〜3および比較例1〜3
[薄膜合成]
酸化物超伝導薄膜の合成は、溶液調製一基板への塗布→
熱処理の手順で行った。
熱処理の手順で行った。
出発原料としてイツトリウム、バリウムおよび銅それぞ
れのナフテン酸金属塩を用いた。原子比がY :Ba:
Cu= 1 :2 :3となるように金属塩を混合し、
これをターペンで希釈して金属成分濃度6重量%の溶液
を調製した。
れのナフテン酸金属塩を用いた。原子比がY :Ba:
Cu= 1 :2 :3となるように金属塩を混合し、
これをターペンで希釈して金属成分濃度6重量%の溶液
を調製した。
この溶液をデイプコーティング法によりYSZ基板に塗
布(引き上げ速度8 、7 am/分)した後、大気中
500℃で焼成した。所定の膜厚になるまで塗布−焼成
を繰り返し、さらに、酸素気流中、800℃(比較例1
)、900°C(実施例1〜3および比較例2)または
950°C(比較例3)で所定時間熱処理した後、20
0℃まで炉冷することにより、超伝導薄膜を合成した。
布(引き上げ速度8 、7 am/分)した後、大気中
500℃で焼成した。所定の膜厚になるまで塗布−焼成
を繰り返し、さらに、酸素気流中、800℃(比較例1
)、900°C(実施例1〜3および比較例2)または
950°C(比較例3)で所定時間熱処理した後、20
0℃まで炉冷することにより、超伝導薄膜を合成した。
各実施例における膜厚(表面膜差計により測定)および
熱処理時間を第1表に示す。
熱処理時間を第1表に示す。
[測定コ
得られた薄膜試料を液体窒素を冷媒として冷却し、電気
抵抗の温度依存性および臨界温度を求めた。
抵抗の温度依存性および臨界温度を求めた。
抵抗測定は、端子を銀ペーストで接着し、直流4端子法
により行ったー。温度はCA熱電対により測定した。
により行ったー。温度はCA熱電対により測定した。
臨界温度以上での抵抗の温度依存性については、温度が
下がるにつれて電気抵抗が上がる「半導体的挙動」、電
気抵抗が下がる「金属的挙動」、および温度によって電
気抵抗が変わらない「はぼ−定の挙動」に分類される。
下がるにつれて電気抵抗が上がる「半導体的挙動」、電
気抵抗が下がる「金属的挙動」、および温度によって電
気抵抗が変わらない「はぼ−定の挙動」に分類される。
超伝導に転移する臨界温度としては、温度を下げていく
と抵抗がこれらの挙動からはずれて急激に下がり始める
オンセット温度T onsetと、抵抗が完全にゼロに
なるゼロ抵抗温度T zeroを第1表に示した。
と抵抗がこれらの挙動からはずれて急激に下がり始める
オンセット温度T onsetと、抵抗が完全にゼロに
なるゼロ抵抗温度T zeroを第1表に示した。
この表の結果より明らかなように、抵抗の温度依存性と
臨界温度の間には強い相関関係が存在する。すなわち7
7に以上のゼロ抵抗温度を示すのは抵抗が金属的かある
いは一定の挙動を示す場合のみである。この場合の抵抗
変化を、273Kにおける抵抗値R79,との比R/R
t、aとして第1図に示す。図中、○は実施例1の結果
を、口は実施例2の結果を、△は実施例3の結果を示す
。
臨界温度の間には強い相関関係が存在する。すなわち7
7に以上のゼロ抵抗温度を示すのは抵抗が金属的かある
いは一定の挙動を示す場合のみである。この場合の抵抗
変化を、273Kにおける抵抗値R79,との比R/R
t、aとして第1図に示す。図中、○は実施例1の結果
を、口は実施例2の結果を、△は実施例3の結果を示す
。
実施例4
初期焼成を窒素雰囲気中で行い、熱処理を900℃で1
6.5時間行う以外は実施例1と同様の方法で、酸化物
超伝導薄膜を形成した。0℃での抵抗率および臨界電流
密度を第2表に示す。
6.5時間行う以外は実施例1と同様の方法で、酸化物
超伝導薄膜を形成した。0℃での抵抗率および臨界電流
密度を第2表に示す。
第2表
発明の効果
本発明の製造方法によれば、臨界温度(ゼロ抵抗温度)
が液体窒素の沸点をこえる酸化物超伝導薄膜が得られる
。
が液体窒素の沸点をこえる酸化物超伝導薄膜が得られる
。
また、本発明においては、薄膜形成の過程を2つの過程
、すなわち比較的低温での焼成過程(原料の熱分解過程
)と比較的高温での熱処理(結晶化・結晶成長過程)と
に別けて行っている。それ故、薄膜形成において薄膜の
ひび割れが無く、基材と酸化物薄膜との密着性に優れた
製品を得ることができる。
、すなわち比較的低温での焼成過程(原料の熱分解過程
)と比較的高温での熱処理(結晶化・結晶成長過程)と
に別けて行っている。それ故、薄膜形成において薄膜の
ひび割れが無く、基材と酸化物薄膜との密着性に優れた
製品を得ることができる。
更に、比較的低温での焼成の初期過程を不活性気体雰囲
気中で行うと、酸化物薄膜の臨界電流密度が向上する。
気中で行うと、酸化物薄膜の臨界電流密度が向上する。
第1図は、実施例1〜3で得られた酸化物超伝導薄膜の
抵抗変化を示すグラフである。
抵抗変化を示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、希土類金属またはビスマス、バリウム、カルシウム
およびストロンチウムから成る群から選ばれた少なくと
も1種の金属元素、並びに銅の各金属塩を含む溶液を、
基材に塗布し、酸素含有雰囲気中、850〜930℃の
温度で熱処理し、次いで酸素雰囲気中徐冷することを特
徴とする酸化物超伝導薄膜の製造方法。 2、金属塩溶液を塗布した基材を、酸素含有雰囲気中、
400〜600℃の温度で焼成した後、熱処理する特許
請求の範囲第1項記載の酸化物超伝導薄膜の製造方法。 3、金属塩溶液を塗布した基材を、ます不活性気体雰囲
気中、次いで酸素含有雰囲気中、400〜600℃の温
度で焼成した後、熱処理する特許請求の範囲第1項記載
の酸化物超伝導薄膜の製造方法。 4、希土類金属が、イットリウムである特許請求の範囲
第1項記載の製造方法。 5、溶液の塗布および400〜600℃での焼成を、1
.5μmを越える膜厚になるまで繰り返し行う特許請求
の範囲第2〜4項のいずれかに記載の製造方法。 6、850〜930℃での熱処理を3〜30時間行う特
許請求の範囲第1項記載の製造方法。 7、熱処理を純酸素気流中で行う特許請求の範囲第1項
または第6項記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63048963A JPH01212219A (ja) | 1987-10-15 | 1988-03-02 | 酸化物超伝導薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26220487 | 1987-10-15 | ||
| JP62-262204 | 1987-10-15 | ||
| JP63048963A JPH01212219A (ja) | 1987-10-15 | 1988-03-02 | 酸化物超伝導薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01212219A true JPH01212219A (ja) | 1989-08-25 |
Family
ID=26389310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63048963A Pending JPH01212219A (ja) | 1987-10-15 | 1988-03-02 | 酸化物超伝導薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01212219A (ja) |
-
1988
- 1988-03-02 JP JP63048963A patent/JPH01212219A/ja active Pending
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