JPH0121528Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0121528Y2 JPH0121528Y2 JP1983021712U JP2171283U JPH0121528Y2 JP H0121528 Y2 JPH0121528 Y2 JP H0121528Y2 JP 1983021712 U JP1983021712 U JP 1983021712U JP 2171283 U JP2171283 U JP 2171283U JP H0121528 Y2 JPH0121528 Y2 JP H0121528Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- external output
- output terminal
- insulating layer
- resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Adjustable Resistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
本考案はステレオ等に使用される連動形可変抵
抗器の可変抵抗素子に関するものである。
抗器の可変抵抗素子に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来のこの種可変抵抗素子を第１図により説明
する。図において、１は絶縁基板、２ａ，２ｂは
基板１上に同心円状に配置された抵抗体、３ａ，
３ｂは抵抗体２ａ，２ｂの内外に同心円状に配置
された集電体、４ａは集電体３ｂの端部に接続さ
れた第１の導電体、４ｂは集電体３ｂの下に絶縁
層（図示せず）を介して設けられ上記抵抗体２ａ
の中間点（図示せず）と接続された第２の導電
体、４ｃは抵抗体２ａ，２ｂの一端部に接続され
共通導電体となる第３の導電体、４ｄは上記集電
体３ａの下に絶縁層（図示せず）を介して設けら
れ上記抵抗体２ｂの中間点（図示せず）と接続さ
れた第４の導電体、４ｅは上記集電体３ａの端部
に接続された第５の導電体、４ｆは上記抵抗体２
ｂのもう一方の端部に接続された第６の導電体、
４ｇは上記抵抗体２ａのもう一方の端部に接続さ
れた第７の導電体であり、５ａ〜５ｇは上記導電
体４ａ〜４ｇのそれぞれに接続された外部取出端
子であり、これらによつて可変抵抗素子は構成さ
れている。
する。図において、１は絶縁基板、２ａ，２ｂは
基板１上に同心円状に配置された抵抗体、３ａ，
３ｂは抵抗体２ａ，２ｂの内外に同心円状に配置
された集電体、４ａは集電体３ｂの端部に接続さ
れた第１の導電体、４ｂは集電体３ｂの下に絶縁
層（図示せず）を介して設けられ上記抵抗体２ａ
の中間点（図示せず）と接続された第２の導電
体、４ｃは抵抗体２ａ，２ｂの一端部に接続され
共通導電体となる第３の導電体、４ｄは上記集電
体３ａの下に絶縁層（図示せず）を介して設けら
れ上記抵抗体２ｂの中間点（図示せず）と接続さ
れた第４の導電体、４ｅは上記集電体３ａの端部
に接続された第５の導電体、４ｆは上記抵抗体２
ｂのもう一方の端部に接続された第６の導電体、
４ｇは上記抵抗体２ａのもう一方の端部に接続さ
れた第７の導電体であり、５ａ〜５ｇは上記導電
体４ａ〜４ｇのそれぞれに接続された外部取出端
子であり、これらによつて可変抵抗素子は構成さ
れている。
今、外部取出端子５ｃを共通端子として外部取
出端子５ｆ，５ｇに別々の信号電圧を印加する
と、抵抗体２ａ，２ｂにそれぞれの信号電流が流
れ、第３の導電体４ｃにおいて合流する。この
時、第３の導電体４ｃの抵抗値がゼロであれば、
この点において電圧が発生することはないが、こ
の第３の導電体４ｃの抵抗値（抵抗値２ａ，２ｂ
に比べて微小ではあるが）によつて上記２つの合
成電圧が発生し、これが信号のそれぞれに対する
信号の漏れとなり、クロストーク特性を劣化させ
る要因となつていた。この問題点を解決するため
に第３の導電体４ｃを２つに分割し、外部取出端
子５ｃとの接続点において合流させる構造も提案
されているが、スペースが大きくとれないために
分割された第３の導電体のそれぞれの抵抗値が増
大し（巾が狭くなるため）、最大減衰量が劣化す
る問題点を有するものであつた。
出端子５ｆ，５ｇに別々の信号電圧を印加する
と、抵抗体２ａ，２ｂにそれぞれの信号電流が流
れ、第３の導電体４ｃにおいて合流する。この
時、第３の導電体４ｃの抵抗値がゼロであれば、
この点において電圧が発生することはないが、こ
の第３の導電体４ｃの抵抗値（抵抗値２ａ，２ｂ
に比べて微小ではあるが）によつて上記２つの合
成電圧が発生し、これが信号のそれぞれに対する
信号の漏れとなり、クロストーク特性を劣化させ
る要因となつていた。この問題点を解決するため
に第３の導電体４ｃを２つに分割し、外部取出端
子５ｃとの接続点において合流させる構造も提案
されているが、スペースが大きくとれないために
分割された第３の導電体のそれぞれの抵抗値が増
大し（巾が狭くなるため）、最大減衰量が劣化す
る問題点を有するものであつた。
考案の目的
本考案は上記のような問題点を除去すべく創案
されたものであり、最大減衰量を劣化させること
なくクロストーク特性の劣化を防止した可変抵抗
素子を提供することを目的とする。
されたものであり、最大減衰量を劣化させること
なくクロストーク特性の劣化を防止した可変抵抗
素子を提供することを目的とする。
考案の構成
そこでこの目的を達成するために本考案の可変
抵抗素子は、同心円状に設けられた一対の抵抗体
及び一対の集電体と、それらのそれぞれに接続さ
れた導電体と、上記それぞれの導電体の他方の端
部に接続された外部取出端子と、上記一対の抵抗
体の一端側にそれぞれの導電体を絶縁層を介して
重ね合せて設けると共に、上記絶縁層を外部取出
端子付近まで設けて上記抵抗体の一端側のそれぞ
れの導電体を外部取出端子付近で直接重ね合せ、
このそれぞれの導電体の外部取出端子を共通の１
つの外部取出端子としてなるものである。この構
成によれば、抵抗体の共通導電体部分が少ないの
でクロストーク特性の劣化は防止されることとな
る。
抵抗素子は、同心円状に設けられた一対の抵抗体
及び一対の集電体と、それらのそれぞれに接続さ
れた導電体と、上記それぞれの導電体の他方の端
部に接続された外部取出端子と、上記一対の抵抗
体の一端側にそれぞれの導電体を絶縁層を介して
重ね合せて設けると共に、上記絶縁層を外部取出
端子付近まで設けて上記抵抗体の一端側のそれぞ
れの導電体を外部取出端子付近で直接重ね合せ、
このそれぞれの導電体の外部取出端子を共通の１
つの外部取出端子としてなるものである。この構
成によれば、抵抗体の共通導電体部分が少ないの
でクロストーク特性の劣化は防止されることとな
る。
実施例の説明
以下、本考案の一実施例について第２図と共に
上記と同一箇所には同一番号を付して説明する。
図において、４ｈは上記抵抗体２ａの端部に接続
され一端が上記外部取出端子５ｃに接続された導
電体、６は上記導電体４ｈ上に重ねて設けられた
絶縁層で、外部取出端子５ｃ付近まで導電体４ｈ
上を覆つている。４ｉは上記抵抗体２ｂの端部に
接続され一端が外部取出端子５ｃに接続された導
電体で、この導電体４ｉは上記絶縁層６上に重ね
合せて設けられており、外部取出端子５ｃ付近で
上記導電体４ｈに直接重ね合せられている。な
お、上記絶縁層６は上記抵抗体２ａ，２ｂ、集電
体３ａ，３ｂ上を摺動する刷子（図示せず）の摺
動軌跡外に設けられているのはもちろんである。
上記と同一箇所には同一番号を付して説明する。
図において、４ｈは上記抵抗体２ａの端部に接続
され一端が上記外部取出端子５ｃに接続された導
電体、６は上記導電体４ｈ上に重ねて設けられた
絶縁層で、外部取出端子５ｃ付近まで導電体４ｈ
上を覆つている。４ｉは上記抵抗体２ｂの端部に
接続され一端が外部取出端子５ｃに接続された導
電体で、この導電体４ｉは上記絶縁層６上に重ね
合せて設けられており、外部取出端子５ｃ付近で
上記導電体４ｈに直接重ね合せられている。な
お、上記絶縁層６は上記抵抗体２ａ，２ｂ、集電
体３ａ，３ｂ上を摺動する刷子（図示せず）の摺
動軌跡外に設けられているのはもちろんである。
考案の効果
以上のように構成された本考案の可変抵抗素子
は、抵抗体２ａ，２ｂの共通導電体部分が少ない
ので導電体４ｈ，４ｉに使用される材料および抵
抗体の抵抗値によるが、従来の可変抵抗素子では
クロストークが−88dB程度であつたものが、本
考案では−100dB程度に大きく改善されるもので
あり、導電体４ｈ，４ｉを絶縁層６を介して重ね
合せて設けているので、導電体４ｈ，４ｉの巾も
広く、減衰量の劣化もない可変抵抗素子の提供を
可能とした産業上有用なものである。
は、抵抗体２ａ，２ｂの共通導電体部分が少ない
ので導電体４ｈ，４ｉに使用される材料および抵
抗体の抵抗値によるが、従来の可変抵抗素子では
クロストークが−88dB程度であつたものが、本
考案では−100dB程度に大きく改善されるもので
あり、導電体４ｈ，４ｉを絶縁層６を介して重ね
合せて設けているので、導電体４ｈ，４ｉの巾も
広く、減衰量の劣化もない可変抵抗素子の提供を
可能とした産業上有用なものである。
第１図は従来の可変抵抗素子を示す要部上面
図、第２図は本考案に係る可変抵抗素子の一実施
例を示す要部上面図である。 ２ａ，２ｂ……抵抗体、３ａ，３ｂ……集電
体、４ａ，４ｂ，４ｄ，４ｅ，４ｆ，４ｇ，４
ｈ，４ｉ……導電体、５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，
５ｅ，５ｆ，５ｇ……外部取出端子、６……絶縁
層。
図、第２図は本考案に係る可変抵抗素子の一実施
例を示す要部上面図である。 ２ａ，２ｂ……抵抗体、３ａ，３ｂ……集電
体、４ａ，４ｂ，４ｄ，４ｅ，４ｆ，４ｇ，４
ｈ，４ｉ……導電体、５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，
５ｅ，５ｆ，５ｇ……外部取出端子、６……絶縁
層。
Claims (1)
- 同心円状に設けられた一対の抵抗体及び一対の
集電体と、それらのそれぞれに接続された導電体
と、上記それぞれの導電体の他方の端部に接続さ
れた外部取出端子と、上記一対の抵抗体の一端側
のそれぞれの導電体を絶縁層を介して重ね合せて
設けると共に、上記絶縁層を外部取出端子付近ま
で設けて上記それぞれの導電体を外部取出端子付
近で直接重ね合せ、このそれぞれの導電体の外部
取出端子を共通の１つの外部取出端子としてなる
可変抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2171283U JPS59127208U (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | 可変抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2171283U JPS59127208U (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | 可変抵抗素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59127208U JPS59127208U (ja) | 1984-08-27 |
| JPH0121528Y2 true JPH0121528Y2 (ja) | 1989-06-27 |
Family
ID=30152831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2171283U Granted JPS59127208U (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | 可変抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59127208U (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53107141U (ja) * | 1977-02-03 | 1978-08-28 | ||
| JPS5943684Y2 (ja) * | 1980-12-08 | 1984-12-26 | 帝国通信工業株式会社 | 同心２軸操作電子部品 |
-
1983
- 1983-02-16 JP JP2171283U patent/JPS59127208U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59127208U (ja) | 1984-08-27 |
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