JPH036053A - トリミング抵抗およびその抵抗値の調整方法 - Google Patents
トリミング抵抗およびその抵抗値の調整方法Info
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- JPH036053A JPH036053A JP1141441A JP14144189A JPH036053A JP H036053 A JPH036053 A JP H036053A JP 1141441 A JP1141441 A JP 1141441A JP 14144189 A JP14144189 A JP 14144189A JP H036053 A JPH036053 A JP H036053A
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- JP
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- electrode
- resistance
- resistance value
- trimming
- layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、半導体集積回路内に設けられるトリミング抵
抗およびその抵抗値の調整（以下、トリミングという）
方法に関する。
抗およびその抵抗値の調整（以下、トリミングという）
方法に関する。
〈従来技術〉
従来の半導体集積回路の回路特性が回路中の抵抗値によ
って決まる場合（例えば、アナログ・デジタル変換器の
場合）、高精度の抵抗が必要であるため、抵抗値のトリ
ミングが必要とされている。
って決まる場合（例えば、アナログ・デジタル変換器の
場合）、高精度の抵抗が必要であるため、抵抗値のトリ
ミングが必要とされている。
従来のトリミング抵抗において、トリミングを行なう抵
抗部は第５図のように構成されている。
抗部は第５図のように構成されている。
第５図において、１，２．３は夫々抵抗値ＲＩＲ２，Ｒ
３の抵抗層、４．５は抵抗層１，２．３の一側接続点６
，７．８と接続する第一電極、９．１０は抵抗層１，２
．３の他側接続点１１．１２．１３と接続する第二電極
、１４はツェナーダイオード１５のＰ＋型層１６に接続
する第一電極４のパッド、１７はツェナーダイオード１
５のＮ＋型層１８およびツェナーダイオード１９のＰ４
型層２０に接続する第二電極１０のパッド、２１はツェ
ナーダイオード１９のＮ＋型層２２に接続する第一電極
５のパッド、２３．２４はツェナーダイオード１５．１
９のＰ１型層１６．２０の接続点、２５．２６はツェナ
ーダイオード＋ ５．１９のＮ＋型層１８２２の接続点
を示している。
３の抵抗層、４．５は抵抗層１，２．３の一側接続点６
，７．８と接続する第一電極、９．１０は抵抗層１，２
．３の他側接続点１１．１２．１３と接続する第二電極
、１４はツェナーダイオード１５のＰ＋型層１６に接続
する第一電極４のパッド、１７はツェナーダイオード１
５のＮ＋型層１８およびツェナーダイオード１９のＰ４
型層２０に接続する第二電極１０のパッド、２１はツェ
ナーダイオード１９のＮ＋型層２２に接続する第一電極
５のパッド、２３．２４はツェナーダイオード１５．１
９のＰ１型層１６．２０の接続点、２５．２６はツェナ
ーダイオード＋ ５．１９のＮ＋型層１８２２の接続点
を示している。
そして、トリミングを行なう際は、例えば、〜抵抗層１
．２．３の直列抵抗の値が回路特性から要求される抵抗
値よりＲ２分だけ大きい場合、パッド１４．１７に過大
の電流を流し、ツェナーダイオード１５の接合を破壊し
短絡することによりＲ２をＯにして所望の抵抗値を得る
。
．２．３の直列抵抗の値が回路特性から要求される抵抗
値よりＲ２分だけ大きい場合、パッド１４．１７に過大
の電流を流し、ツェナーダイオード１５の接合を破壊し
短絡することによりＲ２をＯにして所望の抵抗値を得る
。
〈 発明が解決しようとする課題 〉
しかし、上記従来技術では、ツェナーダイオードの接合
の破壊の際、完全な接合破壊にならず、トリミング後に
パッドとツェナーダイオードとの接合の耐圧が回復した
り、ツェナーダイオードとの接合破壊時のサージ電流に
より半導体集積回路に損傷を与えたりする場合がある。
の破壊の際、完全な接合破壊にならず、トリミング後に
パッドとツェナーダイオードとの接合の耐圧が回復した
り、ツェナーダイオードとの接合破壊時のサージ電流に
より半導体集積回路に損傷を与えたりする場合がある。
そこで、本発明は、上記課題に鑑み、半導体集積回路に
おける抵抗値のトリミングを精度良く、かつ半導体集積
回路への損傷を少なくできるトリミング抵抗およびその
抵抗値のトリミング方法の提供を目的とする。
おける抵抗値のトリミングを精度良く、かつ半導体集積
回路への損傷を少なくできるトリミング抵抗およびその
抵抗値のトリミング方法の提供を目的とする。
く 課題を解決ずろた島の手段 〉
本発明請求項１による課題解決手段は、第２図（ａＸｂ
）の如く、低抗層３０．３１．３２の一側接続点３３，
３４．３５に接続される短絡用第一電極３６．３７と、
抵抗層３０．３１．３２の他側接続点３８．３９．４０
に接続される短絡用第二電極４１゜４２とを電気的に絶
縁可能な範囲まで近接して配し、第一電極３６．３７と
第二電極４１．４−２とを導電体４７により接続して抵
抗層３０．３１．３２を短絡させ抵抗値の調整を行なう
ものである。
）の如く、低抗層３０．３１．３２の一側接続点３３，
３４．３５に接続される短絡用第一電極３６．３７と、
抵抗層３０．３１．３２の他側接続点３８．３９．４０
に接続される短絡用第二電極４１゜４２とを電気的に絶
縁可能な範囲まで近接して配し、第一電極３６．３７と
第二電極４１．４−２とを導電体４７により接続して抵
抗層３０．３１．３２を短絡させ抵抗値の調整を行なう
ものである。
また、本発明請求項２による課題解決手段は、第１．３
．４図の如く、半導体集積回路内に設けられ抵抗層３０
．３１．３２および電極３６，３７，４１．４２とから
成るトリミング抵抗であって、抵抗層３０．３１．３２
の一側接続点３３，３４．３５を接続する短絡用第一電
極３６．３７と、抵抗層３０．３１．３２の他側接続点
３８，３９，４ Ｑを接続する短絡用第二電極４１．４
２とを備え、該第一電極３６．３７および第二電極４１
．４２が電気的に絶縁可能な範囲まで接近して配された
ものである。
．４図の如く、半導体集積回路内に設けられ抵抗層３０
．３１．３２および電極３６，３７，４１．４２とから
成るトリミング抵抗であって、抵抗層３０．３１．３２
の一側接続点３３，３４．３５を接続する短絡用第一電
極３６．３７と、抵抗層３０．３１．３２の他側接続点
３８，３９，４ Ｑを接続する短絡用第二電極４１．４
２とを備え、該第一電極３６．３７および第二電極４１
．４２が電気的に絶縁可能な範囲まで接近して配された
ものである。
〈作用〉
上記課題解決手段において、例えば、抵抗層３０．３１
．３２の直列抵抗の値が回路特性から要求される抵抗値
上りＲ２だけ大きい場合、第一電極３６および第二電極
４２の両方にわたって導電体４７を接続する。
．３２の直列抵抗の値が回路特性から要求される抵抗値
上りＲ２だけ大きい場合、第一電極３６および第二電極
４２の両方にわたって導電体４７を接続する。
そうすると、抵抗層３１を短絡することになり、抵抗値
Ｒ２分だけ小さくなりトリミング調整が完了する。
Ｒ２分だけ小さくなりトリミング調整が完了する。
また、抵抗層３０，３１．３２の直列抵抗の値が回路特
性から要求される抵抗値上りＲ２，Ｒ３だけ大きい場合
、第一電極３６、第二電極４２の他に第一電極３７およ
び第二電極４２も導電体４７を接続すれば、抵抗層３１
．３２が短絡し抵抗値Ｒ２，Ｒ３分だけ小さくなりトリ
ミング調整か完了する。
性から要求される抵抗値上りＲ２，Ｒ３だけ大きい場合
、第一電極３６、第二電極４２の他に第一電極３７およ
び第二電極４２も導電体４７を接続すれば、抵抗層３１
．３２が短絡し抵抗値Ｒ２，Ｒ３分だけ小さくなりトリ
ミング調整か完了する。
このように、第一電極３６．３７と第二電極４２との両
方にわたって導電体４７を接続してトリミング調整を要
する抵抗層３１．３２を短絡させることにより、抵抗値
のトリミング時に従来のように半導体集積回路に過大の
電流を流す必要がなくなり、半導体集積回路に損傷を与
えないで済む。
方にわたって導電体４７を接続してトリミング調整を要
する抵抗層３１．３２を短絡させることにより、抵抗値
のトリミング時に従来のように半導体集積回路に過大の
電流を流す必要がなくなり、半導体集積回路に損傷を与
えないで済む。
さらに、短絡すべき抵抗層を完全に短絡させることがで
きるため、抵抗値のトリミングを精度良く行なうことが
できる。
きるため、抵抗値のトリミングを精度良く行なうことが
できる。
〈実施例〉
以下、本発明の実施例について図面により説明する。
［第一実施例］
まず、本発明の第一実施例を第１図ないし第２図（ａ）
（ｂ）に基づいて説明する。
（ｂ）に基づいて説明する。
第１図は本発明第一実施例のトリミング抵抗の平面図、
第２図（ａ）はトリミングを施した状態を示す要部拡大
平面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）のＡ−Ａ断面図で
ある。
第２図（ａ）はトリミングを施した状態を示す要部拡大
平面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）のＡ−Ａ断面図で
ある。
第１図の如く、本実施例のトリミング抵抗は、半導体集
積回路内に設けられ抵抗層３０，３１．３２および電極
３６．３７．４２とから成り、抵抗層３０ ３１．３２
の一側接続点３３，３４．３５を互いに接続する短絡用
第一電極３６．３７と、抵抗層３１．３２の他側接続点
３８，３９．４０を互いに接続する短絡用第二電極４２
とを備え、該第一電極３６．３７および第二電極４２か
電気的に絶縁可能な範囲（例えば、５μｍ）まで接近し
て配されたものである。
積回路内に設けられ抵抗層３０，３１．３２および電極
３６．３７．４２とから成り、抵抗層３０ ３１．３２
の一側接続点３３，３４．３５を互いに接続する短絡用
第一電極３６．３７と、抵抗層３１．３２の他側接続点
３８，３９．４０を互いに接続する短絡用第二電極４２
とを備え、該第一電極３６．３７および第二電極４２か
電気的に絶縁可能な範囲（例えば、５μｍ）まで接近し
て配されたものである。
前記電極３６．３７．４２は、金属製であり、前記抵抗
層３０．３１．３２を夫々直列に接続する配線４３．４
４．４６と、該配線４３，４４．４６から延設され抵抗
層３１．３２の短絡時に導電体４７により接続される略
り字形のポンディングパッド４８ ４９ ５０ ５１と
から構成されている。
層３０．３１．３２を夫々直列に接続する配線４３．４
４．４６と、該配線４３，４４．４６から延設され抵抗
層３１．３２の短絡時に導電体４７により接続される略
り字形のポンディングパッド４８ ４９ ５０ ５１と
から構成されている。
そして、該パッド４．８．５０およびパッド４９゜５１
間の距離は、電気的に絶縁可能な範囲で近接して配置さ
れている。
間の距離は、電気的に絶縁可能な範囲で近接して配置さ
れている。
なお、第１図中、４５は抵抗層３０の他側接続点３８と
接続する金属配線である。
接続する金属配線である。
次に、上記トリミング抵抗の抵抗値のトリミング方法を
第２図（ａ）（ｂ）に基づいて説明する。
第２図（ａ）（ｂ）に基づいて説明する。
例えば、抵抗層３０．３１．３２の直列抵抗の値が回路
特性から要求される抵抗値上りＲ２だけ大きい場合、第
２図（ａＸｂ）の如く、パッド４８，５０の両方にわた
って導電体（ワイヤーボンディングの金ボール）４７を
接続する。ただし、パッド４９．５１には導電体４７を
接続せず絶縁状態を保つ。
特性から要求される抵抗値上りＲ２だけ大きい場合、第
２図（ａＸｂ）の如く、パッド４８，５０の両方にわた
って導電体（ワイヤーボンディングの金ボール）４７を
接続する。ただし、パッド４９．５１には導電体４７を
接続せず絶縁状態を保つ。
そうすると、抵抗層３Ｉを短絡ずことになり、抵抗値Ｒ
２分だけ小さくなりトリミング調整が完了する。
２分だけ小さくなりトリミング調整が完了する。
また、抵抗層３０，３１．３２の直列抵抗の値が回路特
性から要求される抵抗値よりＩｔ、 ２ 、Ｒ３だけ大
きい場合、バット４８．５０の他にパッド４９．５１も
導電体４７を接続すれば、抵抗層３１３２が短絡し抵抗
値Ｒ２，Ｒ３分だけ小さくなりトリミング調整が完了す
る。
性から要求される抵抗値よりＩｔ、 ２ 、Ｒ３だけ大
きい場合、バット４８．５０の他にパッド４９．５１も
導電体４７を接続すれば、抵抗層３１３２が短絡し抵抗
値Ｒ２，Ｒ３分だけ小さくなりトリミング調整が完了す
る。
このように、第一電極３６．３７と第二電極４２との両
方にわたって導電体４７を接続してトリミング調整を要
する抵抗層３１．３２を短絡させることにより、抵抗値
のトリミング時に従来のように半導体集積回路に過大の
電流を流す必要がなくなり、半導体集積回路に損傷を与
えないで済む。
方にわたって導電体４７を接続してトリミング調整を要
する抵抗層３１．３２を短絡させることにより、抵抗値
のトリミング時に従来のように半導体集積回路に過大の
電流を流す必要がなくなり、半導体集積回路に損傷を与
えないで済む。
さらに、短絡すべき抵抗層を完全に短絡させることがで
きるため、抵抗値のトリミングを精度良く行なうことか
できる。
きるため、抵抗値のトリミングを精度良く行なうことか
できる。
［第二実施例］
次に、本発明の第二実施例を第３図に基づいて説明する
。
。
第３図は本発明第二実施例のトリミング抵抗のパッドの
拡大平面図である。
拡大平面図である。
図示の如く、本実施例のトリミング抵抗は、第一電極３
６．３７のパッド４８．４９に凹部５２か形成され、該
凹部５２に組み合う凸部５３が第二電極４２のパッド５
０．５１に形成され、該第一電極３６．３７および第二
電極４２が櫛形に設けられたものである。
６．３７のパッド４８．４９に凹部５２か形成され、該
凹部５２に組み合う凸部５３が第二電極４２のパッド５
０．５１に形成され、該第一電極３６．３７および第二
電極４２が櫛形に設けられたものである。
上記構成において、例えば、パッド４８．５０の両方に
わたって導電体４７を接続する際に導電体４７の位置合
わせ精度が問題となる場合には、パッド４８の凹部５２
とパッド５０の凸部５３とを電気的に絶縁可能な範囲ま
で近接して配して組み合わせることにより、導電体４７
の位置合わせが精度良く行なイつれる。
わたって導電体４７を接続する際に導電体４７の位置合
わせ精度が問題となる場合には、パッド４８の凹部５２
とパッド５０の凸部５３とを電気的に絶縁可能な範囲ま
で近接して配して組み合わせることにより、導電体４７
の位置合わせが精度良く行なイつれる。
このとき、パッド４８．５０の櫛形の歯に相当する部分
の幅は、導電体（金ボール）４７の直径よりも小さくす
る必要がある。
の幅は、導電体（金ボール）４７の直径よりも小さくす
る必要がある。
その他の構成および作用、効果は、第一実施例と同様で
ある。
ある。
また、パッド４８．４９．５０．５１を第４図に示す形
状にしても、同様な効果を得ることができる。
状にしても、同様な効果を得ることができる。
なお、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく
、本発明の範囲内で上記実施例に多くの修正および変更
を加え得ることは勿論である。
、本発明の範囲内で上記実施例に多くの修正および変更
を加え得ることは勿論である。
例えば、上記実施例では、抵抗層の数を三個、パッドの
数を四個としているが、この組み合わせを所望の抵抗値
精度や回路特性に合わせて増減させても良い。
数を四個としているが、この組み合わせを所望の抵抗値
精度や回路特性に合わせて増減させても良い。
まな、パッドに用いられる導電体４７には、金ボール以
外の導電性の物質なら何でも良く、さらに導電体４７の
成形方法についてもワイヤーボンディングに限らずイオ
ンビーム法、光ＣＶＤ法等を用いても良い。
外の導電性の物質なら何でも良く、さらに導電体４７の
成形方法についてもワイヤーボンディングに限らずイオ
ンビーム法、光ＣＶＤ法等を用いても良い。
〈発明の効果〉
以」二の説明から明らかな通り、本発明によると、抵抗
層の一側接続点を接続する第一電極と、抵抗層の他側接
続点を接続する第二電極とを電気的に絶縁可能な範囲ま
で近接して配しているので、抵抗値のトリミング時には
、第一電極と第二電極との両方にわたって導電体を接続
してトリミング調整を要する抵抗、留を短絡させること
ができる。
層の一側接続点を接続する第一電極と、抵抗層の他側接
続点を接続する第二電極とを電気的に絶縁可能な範囲ま
で近接して配しているので、抵抗値のトリミング時には
、第一電極と第二電極との両方にわたって導電体を接続
してトリミング調整を要する抵抗、留を短絡させること
ができる。
したがって、抵抗値のトリミング時に従来のように半導
体集積回路に過大の電流を流す必要がなくなり、半導体
集積回路に損傷を与えないで済む。
体集積回路に過大の電流を流す必要がなくなり、半導体
集積回路に損傷を与えないで済む。
さらに、短絡すべき抵抗層を完全に短絡させることがで
きるため、抵抗値のトリミングを精度良く行なうことが
できる。
きるため、抵抗値のトリミングを精度良く行なうことが
できる。
平面図、第２図（ａ）はトリミングを施した状態を示す
要部拡大平面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）のＡＡ断
面図、第３図は本発明第二実施例のトリミング抵抗のパ
ッドの拡大平面図、第４図は第３図に示した第二実施例
の変形例を示す図、第５図は従来のトリミング抵抗の平
面図である。 ３０．３１，３２：抵抗層、３３，３４，３５ニ一側接
続点、３６．３７ 第一電極、３９，４０：他側接続点
、４２：第二電極、４７：導電体、５２・凹部、５３：
凸部。 出 願 人 シャープ株式会社
要部拡大平面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）のＡＡ断
面図、第３図は本発明第二実施例のトリミング抵抗のパ
ッドの拡大平面図、第４図は第３図に示した第二実施例
の変形例を示す図、第５図は従来のトリミング抵抗の平
面図である。 ３０．３１，３２：抵抗層、３３，３４，３５ニ一側接
続点、３６．３７ 第一電極、３９，４０：他側接続点
、４２：第二電極、４７：導電体、５２・凹部、５３：
凸部。 出 願 人 シャープ株式会社
Claims (2)
- １． 抵抗層の一側接続点に接続される短絡用第一電極
と、抵抗層の他側接続点に接続される短絡用第二電極と
を電気的に絶縁可能な範囲まで近接して配し、第一電極
と第二電極とを導電体により接続して抵抗層を短絡させ
ることを特徴とするトリミング抵抗の抵抗値の調整方法
。 - ２． 半導体集積回路内に設けられ抵抗層および電極か
ら成るトリミング抵抗であつて、抵抗層の一側接続点を
接続する短絡用第一電極と、抵抗層の他側接続点を接続
する短絡用第二電極とを備え、該第一電極および第二電
極が電気的に絶縁可能な範囲まで接近して配されたこと
を特徴とするトリミング抵抗。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1141441A JPH036053A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | トリミング抵抗およびその抵抗値の調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1141441A JPH036053A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | トリミング抵抗およびその抵抗値の調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH036053A true JPH036053A (ja) | 1991-01-11 |
Family
ID=15292019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1141441A Pending JPH036053A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | トリミング抵抗およびその抵抗値の調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH036053A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9665752B2 (en) | 2008-12-23 | 2017-05-30 | Palodex Group Oy | Image plate readout device |
| US9770522B2 (en) | 2008-12-23 | 2017-09-26 | Palodex Group Oy | Cleaning system for an image plate readout device |
-
1989
- 1989-06-02 JP JP1141441A patent/JPH036053A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9665752B2 (en) | 2008-12-23 | 2017-05-30 | Palodex Group Oy | Image plate readout device |
| US9770522B2 (en) | 2008-12-23 | 2017-09-26 | Palodex Group Oy | Cleaning system for an image plate readout device |
| US10080535B2 (en) | 2008-12-23 | 2018-09-25 | Palodex Group Oy | Image plate readout device |
| US10688205B2 (en) | 2008-12-23 | 2020-06-23 | Palodex Group Oy | Cleaning system for an image plate readout device |
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