JPH0121539B2 - - Google Patents
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- JPH0121539B2 JPH0121539B2 JP15797881A JP15797881A JPH0121539B2 JP H0121539 B2 JPH0121539 B2 JP H0121539B2 JP 15797881 A JP15797881 A JP 15797881A JP 15797881 A JP15797881 A JP 15797881A JP H0121539 B2 JPH0121539 B2 JP H0121539B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- magnetic recording
- ferromagnetic
- magnetic
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
本発明は基材面上に強磁性金属が蒸着されるこ
とにより形成された磁気記録媒体に関する。 従来磁気記録媒体としては酸化鉄、酸化クロム
等の斜状磁性粉あるいは超微粉末を樹脂バインダ
ー中に分散し、これを非磁性基材上に塗布した磁
気記録媒体が広く用いられてきた。これらの磁気
記録媒体では、保磁力を高くすることにより高域
における周波数特性を向上させることができる
が、保磁力をあまし上げすぎると低域における周
波数特性が低下する傾向にあり、上記従来の塗布
型の磁気記録媒体では保磁力を高めずに周波数特
性を向上させることについてはいまだ満足すべき
ものはえられていない。また最近、樹脂バインダ
ーを使用しない、磁性層が強磁性体からなる薄膜
蒸着型の磁気記録媒体が湿式メツキ、真空蒸着
法、スパツタリング法、イオンプレーデイング法
等の薄膜形成法を用いて精力的に研究開発され一
部は実用に供されている。 しかしながら、上記各薄膜形成法によつて得ら
れる磁気記録媒体はそれぞれに欠点があり、実用
上、種々の問題点を有していた。 即ち湿式メツキによつて形成された薄膜型磁気
記録媒体では溶液の不均一性に起因する膜品質及
び磁気特性上のバラツキ、不均一性などの難点を
有していた。 又、湿式メツキ法及び真空蒸着法によつて形成
された磁気記録媒体では磁性層と基材との密着強
度が極めて低いために記録再生時において磁気ヘ
ツドとの接触走査による機械的摩擦によつて磁性
層が剥離したり、摩減損傷等を生じやすいという
欠点があり、その周波数特性も従来の塗布型の磁
気記録媒体と比較しても良好なものは得られてい
ない。 又、スパツタリング法及び従来提案されてきた
イオンプレーテイング法によつて形成された薄膜
型の磁気記録媒体は磁性層と基材との密着強度は
改善されるものの、これらの方法においては10-3
トール以上の低真空中での直流グロー放電又は高
周波プラズマを利用して薄膜形成がなされるた
め、残留ガスの取込みや不純物の混入などによつ
て、強磁性体薄膜層の結晶性に悪影響を及ぼし角
形比が小さくなるなど磁気特性上に欠点があつ
た。 又、放電状態の不均一性に起因する膜品質及び
磁気特性などの不均一性などの難点を有してい
た。 本発明は上記の如き従来の磁気記録媒体の欠点
にかんがみ、基材面に対する密着強度が良好であ
ると共に周波数特性にもすぐれた薄膜蒸着型の磁
気記録媒体を提供することを目的としてなされた
ものであり、その要旨は、高真空下において、非
磁性材料からなる基材の表面に、該表面の法線に
対し40〜75゜の入射角で強磁性体のイオン化蒸発
粒子を射突させることにより形成きれた強磁性体
薄膜上に、法線に対し80゜以上の入射角で強磁性
体のイオン化蒸発粒子を射突させることにより強
磁性体薄膜が形成されてなる磁気記録媒体に存す
る。 本発明に於て使用される非磁性体材料からなる
基材とは、ポリ塩化ビニル、ポリフツ化ビニル、
酢酸セルロース、ポリエチレンテレフタレート、
ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポ
リプロピレン、ポリカーボネート、ポリイミド、
ポリエーテルサルフオン、ポリパラパン酸等の高
分子材料、アルミニウム、銅、銅−亜鉛合金等の
非磁性金属材料、焼結体、磁器、陶器、ガラスな
どのセラミツク材料などが用いられる。本発明に
於て、上記非磁性材料からなる基材の形状は、磁
気記録媒体の使用方法によつて適宜定められれば
よく、例えば、テープ、フイルム、デイスク、ド
ラム等の形状で使用される。 又、本発明における強磁性体としては、鉄、コ
バルト及びニツケルやこれらの金属の１種以上を
含有する合金ないしは混合物が用いられる。以下
本発明の磁気記録媒体及びその製造方法について
説明する。 第１図は本発明における入射角を説明するため
の説明図であり、基材１の表面に入射する強磁性
体のイオン化蒸発粒子の入射方向を示す方向線２
の、基材１の表面の法線３となす角度がθで示さ
れている。 第２図は本発明磁気記録媒体の断面図であり、
基材１の表面に、高真空下において該表面の法線
に対し40〜75゜の入射角で、強磁体のイオン化蒸
発粒子を射突させることにより形成された第１層
目の強磁性体薄膜４及び該薄膜４の表面に同じく
高真空下において法線に対し80゜以上の入射角で
強磁性体のイオン化蒸発粒子を射突させることに
より形成された第２層目の強磁性体薄膜５が設け
られてなるものである。 第３図は本発明に係る磁気記録媒体を製造する
ための装置の一例を示す模視図である。 真空槽６内は排気口７に連結される排気系装置
（油回転ポンプ、油拡散ポンプ等で構成されてい
るが図示されていない）によつて、１×10-8トー
ルまで高真空に排気することができるようになさ
れている。 真空槽６内には、蒸着イオン源１１、フイルム
状基材１その供給ロール８と巻取りロール９、
（但しロール駆動装置は図示されていない）及び
イオン加速電極１０が設置されている。 蒸着イオン源１１は蒸気発生部１２と、蒸気イ
オン化部１７により構成されている。 蒸気発生部１２は、開放型のルツボ１３と、熱
電子放出用フイラメント１５及び電界制御のため
のガード１６とで構成されている。 蒸気イオン化部１７は、熱電子放出用フイラメ
ント１８と、放出された電子を電界加速する網状
電極１９及び電界制御のためのガード２０とによ
り構成されている。 更に第３図に於ては、本装置を動作させるため
の真空槽６外に設置された電源２１〜２５とその
回路が示されている。 次に上述の装置により本発明の磁気記録媒体を
製造する場合につき、その動作を説明する。 先ず、第３図に示したように、ポリエチレンテ
レフタレートフイルムの如き非磁性基材１の巻か
れた供給ロール８を設置し、該基材１を巻取ロー
ル９に巻き取られるように配置する。 蒸着イオン源１１のルツボ１３内に、強磁性体
薄膜を形成し得る材料１４を供給する。 次いで、排気口７から排気系装置によつて真空
槽６内を８×10-4トールから10-8トール（通常
は、10-5トールから10-6トール）の高真空に排気
するが、この時フイルム状基材１の表面に存在す
る吸着物及び供給ロール８中に巻き込まれている
空気を脱気するため巻き取り、巻き戻しをする事
が好ましい。 真空槽内の真空度が一定になつたところで、電
源２１〜２５を入れる。 ルツボ１３を加熱するには、電源２２により、
フイラメント１５を通電加熱せしめ熱電子を放出
させ、かつ該フイラメント１５及びガード１６に
電源２１により負の直流電圧を印加し、ルツボ１
３を接地することにより、該放出電子を電界加速
させてルツボ１３をポンパートすることで加熱す
る。 加熱された蒸発源材料１４は、その加熱温度に
応じた蒸気圧で蒸発し、蒸発粒子は蒸気イオン化
部１７に達する。 蒸気イオン化部１７にて該蒸発粒子をイオン化
するには、電源２３によりフイラメント１８を通
電加熱せしめて、熱電子を放出させ、かつ該フイ
ラメント１８及びガード２０に電源２４により負
の直流電圧を印加し、網状電極１９を接地するこ
とで該放出電子を電界加速し、上記蒸発粒子に衝
突せしめて蒸発粒子の一部をイオン化する。 イオン化されたイオン化蒸発粒子は正の荷電状
態にあるので、これを電源２５によりイオン加速
電極１０に接地されたルツボ１３に対し負の直流
電圧を印加することで、これを加速し、高運動エ
ネルギーを付与する。 かくして電界加速されたイオン化蒸発粒子は、
基材１表面に射突し、薄膜の形成がなされるので
ある。 なお、蒸気イオン化部１７でイオン化されなか
つた蒸発粒子はイオン加速電極１０によつて電界
加速されることはないが、蒸発時に付与された運
動エネルギーによつて飛翔して基材１の表面に射
突し、前記イオン化蒸発粒子と共に蒸着して薄膜
を形成する。 なお、蒸気イオン化部１７における動作条件と
しては、蒸発粒子をイオン化するための電子電流
が30ｍＡ以上であることが好ましく、又イオン化
蒸発粒子によるイオン電流密度が1μA／cm2以上と
なるようにするのが好ましい。 しかして本発明磁気記録媒体は、上記蒸着時に
おけるイオン化蒸発粒子の入射角が基材１の法線
に対し40〜75゜の角度で第１層の蒸着が行われ、
次いで上記法線に対し80゜以上の入射角で第２層
の蒸着が行われたものであり、この様な異なつた
入射角で強磁性体薄膜が形成されることにより、
磁気記録媒体としての磁気的特性がすぐれたもの
となるのである。 そして上記第１層と第２層との強磁性体薄膜の
厚さとしては第２層の厚さが第１層の厚さの1/3
以下とくに1/6〜1/3であるのが好ましく、又、こ
れらの合計の厚さは1000〜2500Åであるのが好ま
しい。 本発明の磁気記録媒体は上述の通り、その強磁
性体薄膜が特定の異なつた入射角で強磁性体のイ
オン化蒸発粒子を射突させることにより形成され
た二層の薄膜から構成されたものであるので、す
ぐれた周波数特性、とくに低周波領域と高周波領
域とで出力の差が少ない好ましい特性を有するも
のである。さらに該強磁性体薄膜は、高真空下に
おいてイオン化蒸発粒子を電界加速して基材に射
突させることにより形成されているので、基材と
の密着強度が大であり、磁気記録媒体として耐摩
耗性、耐ヘツドクラツシ性等にすぐれ、又、直流
グロー放電、高周波プラズマ法等による10-3トー
ルかそれ以上の圧力下での低真空中で形成された
薄膜の様に残留ガスの取り込みや不純物の混入な
どによる結晶性不良にもとづく欠点がなく、角形
比や薄膜の均一性にすぐれたものである。 以下本発明を実施例にもとづいて説明する。 実施例 １ 高純度コバルト金属塊（純度99.99％）10ｇを
第３図に示した高真空イオンプレーテイング蒸着
装置のルツボ１３に入れ、該装置を作動させて厚
み10μのポリエチレンテレフタレートの基材上に
下記の条件でコバルト薄膜層の蒸着を行ない磁気
記録媒体を作成した。
とにより形成された磁気記録媒体に関する。 従来磁気記録媒体としては酸化鉄、酸化クロム
等の斜状磁性粉あるいは超微粉末を樹脂バインダ
ー中に分散し、これを非磁性基材上に塗布した磁
気記録媒体が広く用いられてきた。これらの磁気
記録媒体では、保磁力を高くすることにより高域
における周波数特性を向上させることができる
が、保磁力をあまし上げすぎると低域における周
波数特性が低下する傾向にあり、上記従来の塗布
型の磁気記録媒体では保磁力を高めずに周波数特
性を向上させることについてはいまだ満足すべき
ものはえられていない。また最近、樹脂バインダ
ーを使用しない、磁性層が強磁性体からなる薄膜
蒸着型の磁気記録媒体が湿式メツキ、真空蒸着
法、スパツタリング法、イオンプレーデイング法
等の薄膜形成法を用いて精力的に研究開発され一
部は実用に供されている。 しかしながら、上記各薄膜形成法によつて得ら
れる磁気記録媒体はそれぞれに欠点があり、実用
上、種々の問題点を有していた。 即ち湿式メツキによつて形成された薄膜型磁気
記録媒体では溶液の不均一性に起因する膜品質及
び磁気特性上のバラツキ、不均一性などの難点を
有していた。 又、湿式メツキ法及び真空蒸着法によつて形成
された磁気記録媒体では磁性層と基材との密着強
度が極めて低いために記録再生時において磁気ヘ
ツドとの接触走査による機械的摩擦によつて磁性
層が剥離したり、摩減損傷等を生じやすいという
欠点があり、その周波数特性も従来の塗布型の磁
気記録媒体と比較しても良好なものは得られてい
ない。 又、スパツタリング法及び従来提案されてきた
イオンプレーテイング法によつて形成された薄膜
型の磁気記録媒体は磁性層と基材との密着強度は
改善されるものの、これらの方法においては10-3
トール以上の低真空中での直流グロー放電又は高
周波プラズマを利用して薄膜形成がなされるた
め、残留ガスの取込みや不純物の混入などによつ
て、強磁性体薄膜層の結晶性に悪影響を及ぼし角
形比が小さくなるなど磁気特性上に欠点があつ
た。 又、放電状態の不均一性に起因する膜品質及び
磁気特性などの不均一性などの難点を有してい
た。 本発明は上記の如き従来の磁気記録媒体の欠点
にかんがみ、基材面に対する密着強度が良好であ
ると共に周波数特性にもすぐれた薄膜蒸着型の磁
気記録媒体を提供することを目的としてなされた
ものであり、その要旨は、高真空下において、非
磁性材料からなる基材の表面に、該表面の法線に
対し40〜75゜の入射角で強磁性体のイオン化蒸発
粒子を射突させることにより形成きれた強磁性体
薄膜上に、法線に対し80゜以上の入射角で強磁性
体のイオン化蒸発粒子を射突させることにより強
磁性体薄膜が形成されてなる磁気記録媒体に存す
る。 本発明に於て使用される非磁性体材料からなる
基材とは、ポリ塩化ビニル、ポリフツ化ビニル、
酢酸セルロース、ポリエチレンテレフタレート、
ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポ
リプロピレン、ポリカーボネート、ポリイミド、
ポリエーテルサルフオン、ポリパラパン酸等の高
分子材料、アルミニウム、銅、銅−亜鉛合金等の
非磁性金属材料、焼結体、磁器、陶器、ガラスな
どのセラミツク材料などが用いられる。本発明に
於て、上記非磁性材料からなる基材の形状は、磁
気記録媒体の使用方法によつて適宜定められれば
よく、例えば、テープ、フイルム、デイスク、ド
ラム等の形状で使用される。 又、本発明における強磁性体としては、鉄、コ
バルト及びニツケルやこれらの金属の１種以上を
含有する合金ないしは混合物が用いられる。以下
本発明の磁気記録媒体及びその製造方法について
説明する。 第１図は本発明における入射角を説明するため
の説明図であり、基材１の表面に入射する強磁性
体のイオン化蒸発粒子の入射方向を示す方向線２
の、基材１の表面の法線３となす角度がθで示さ
れている。 第２図は本発明磁気記録媒体の断面図であり、
基材１の表面に、高真空下において該表面の法線
に対し40〜75゜の入射角で、強磁体のイオン化蒸
発粒子を射突させることにより形成された第１層
目の強磁性体薄膜４及び該薄膜４の表面に同じく
高真空下において法線に対し80゜以上の入射角で
強磁性体のイオン化蒸発粒子を射突させることに
より形成された第２層目の強磁性体薄膜５が設け
られてなるものである。 第３図は本発明に係る磁気記録媒体を製造する
ための装置の一例を示す模視図である。 真空槽６内は排気口７に連結される排気系装置
（油回転ポンプ、油拡散ポンプ等で構成されてい
るが図示されていない）によつて、１×10-8トー
ルまで高真空に排気することができるようになさ
れている。 真空槽６内には、蒸着イオン源１１、フイルム
状基材１その供給ロール８と巻取りロール９、
（但しロール駆動装置は図示されていない）及び
イオン加速電極１０が設置されている。 蒸着イオン源１１は蒸気発生部１２と、蒸気イ
オン化部１７により構成されている。 蒸気発生部１２は、開放型のルツボ１３と、熱
電子放出用フイラメント１５及び電界制御のため
のガード１６とで構成されている。 蒸気イオン化部１７は、熱電子放出用フイラメ
ント１８と、放出された電子を電界加速する網状
電極１９及び電界制御のためのガード２０とによ
り構成されている。 更に第３図に於ては、本装置を動作させるため
の真空槽６外に設置された電源２１〜２５とその
回路が示されている。 次に上述の装置により本発明の磁気記録媒体を
製造する場合につき、その動作を説明する。 先ず、第３図に示したように、ポリエチレンテ
レフタレートフイルムの如き非磁性基材１の巻か
れた供給ロール８を設置し、該基材１を巻取ロー
ル９に巻き取られるように配置する。 蒸着イオン源１１のルツボ１３内に、強磁性体
薄膜を形成し得る材料１４を供給する。 次いで、排気口７から排気系装置によつて真空
槽６内を８×10-4トールから10-8トール（通常
は、10-5トールから10-6トール）の高真空に排気
するが、この時フイルム状基材１の表面に存在す
る吸着物及び供給ロール８中に巻き込まれている
空気を脱気するため巻き取り、巻き戻しをする事
が好ましい。 真空槽内の真空度が一定になつたところで、電
源２１〜２５を入れる。 ルツボ１３を加熱するには、電源２２により、
フイラメント１５を通電加熱せしめ熱電子を放出
させ、かつ該フイラメント１５及びガード１６に
電源２１により負の直流電圧を印加し、ルツボ１
３を接地することにより、該放出電子を電界加速
させてルツボ１３をポンパートすることで加熱す
る。 加熱された蒸発源材料１４は、その加熱温度に
応じた蒸気圧で蒸発し、蒸発粒子は蒸気イオン化
部１７に達する。 蒸気イオン化部１７にて該蒸発粒子をイオン化
するには、電源２３によりフイラメント１８を通
電加熱せしめて、熱電子を放出させ、かつ該フイ
ラメント１８及びガード２０に電源２４により負
の直流電圧を印加し、網状電極１９を接地するこ
とで該放出電子を電界加速し、上記蒸発粒子に衝
突せしめて蒸発粒子の一部をイオン化する。 イオン化されたイオン化蒸発粒子は正の荷電状
態にあるので、これを電源２５によりイオン加速
電極１０に接地されたルツボ１３に対し負の直流
電圧を印加することで、これを加速し、高運動エ
ネルギーを付与する。 かくして電界加速されたイオン化蒸発粒子は、
基材１表面に射突し、薄膜の形成がなされるので
ある。 なお、蒸気イオン化部１７でイオン化されなか
つた蒸発粒子はイオン加速電極１０によつて電界
加速されることはないが、蒸発時に付与された運
動エネルギーによつて飛翔して基材１の表面に射
突し、前記イオン化蒸発粒子と共に蒸着して薄膜
を形成する。 なお、蒸気イオン化部１７における動作条件と
しては、蒸発粒子をイオン化するための電子電流
が30ｍＡ以上であることが好ましく、又イオン化
蒸発粒子によるイオン電流密度が1μA／cm2以上と
なるようにするのが好ましい。 しかして本発明磁気記録媒体は、上記蒸着時に
おけるイオン化蒸発粒子の入射角が基材１の法線
に対し40〜75゜の角度で第１層の蒸着が行われ、
次いで上記法線に対し80゜以上の入射角で第２層
の蒸着が行われたものであり、この様な異なつた
入射角で強磁性体薄膜が形成されることにより、
磁気記録媒体としての磁気的特性がすぐれたもの
となるのである。 そして上記第１層と第２層との強磁性体薄膜の
厚さとしては第２層の厚さが第１層の厚さの1/3
以下とくに1/6〜1/3であるのが好ましく、又、こ
れらの合計の厚さは1000〜2500Åであるのが好ま
しい。 本発明の磁気記録媒体は上述の通り、その強磁
性体薄膜が特定の異なつた入射角で強磁性体のイ
オン化蒸発粒子を射突させることにより形成され
た二層の薄膜から構成されたものであるので、す
ぐれた周波数特性、とくに低周波領域と高周波領
域とで出力の差が少ない好ましい特性を有するも
のである。さらに該強磁性体薄膜は、高真空下に
おいてイオン化蒸発粒子を電界加速して基材に射
突させることにより形成されているので、基材と
の密着強度が大であり、磁気記録媒体として耐摩
耗性、耐ヘツドクラツシ性等にすぐれ、又、直流
グロー放電、高周波プラズマ法等による10-3トー
ルかそれ以上の圧力下での低真空中で形成された
薄膜の様に残留ガスの取り込みや不純物の混入な
どによる結晶性不良にもとづく欠点がなく、角形
比や薄膜の均一性にすぐれたものである。 以下本発明を実施例にもとづいて説明する。 実施例 １ 高純度コバルト金属塊（純度99.99％）10ｇを
第３図に示した高真空イオンプレーテイング蒸着
装置のルツボ１３に入れ、該装置を作動させて厚
み10μのポリエチレンテレフタレートの基材上に
下記の条件でコバルト薄膜層の蒸着を行ない磁気
記録媒体を作成した。
【表】
【表】
得られた磁気記録媒体の周波数特性についての
測定結果を第４図の曲線Ａに示す。又磁気特性に
ついては 保 磁 力 Hc＝720Oe 残留磁速密度 Br＝9300G 角 形 比 γ＝0.92 であつた。 比較例 １ 真空蒸着法により製造されたコバルトを主体と
する膜厚約2000Åの薄膜型磁気テープ市販品の周
波数特性は第４図の曲線Ｂに示される通りであつ
た。
測定結果を第４図の曲線Ａに示す。又磁気特性に
ついては 保 磁 力 Hc＝720Oe 残留磁速密度 Br＝9300G 角 形 比 γ＝0.92 であつた。 比較例 １ 真空蒸着法により製造されたコバルトを主体と
する膜厚約2000Åの薄膜型磁気テープ市販品の周
波数特性は第４図の曲線Ｂに示される通りであつ
た。
第１図は本発明における入射角を説明するため
の説明図、第２図は本発明磁気記録媒体の一例を
示す断面図、第３図は本発明磁気記録媒体を製造
するための装置の一例を示す模式図、第４図は実
施例１及び比較例１で測定された周波数特性曲線
を示すものである。 １……基材、２……入射方向を示す方向線、３
……法線に対する入射角、４……第１層目の強磁
性体薄膜、５……第２層目の強磁性体薄膜、６…
…真空槽、７……排気口、８……供給ロール、９
……巻取りロール、１０……イオン加速電極、１
１……蒸着イオン源、１２……蒸気発生部、１３
……ルツボ、１７……蒸気イオン化部、２１〜２
５……電源。
の説明図、第２図は本発明磁気記録媒体の一例を
示す断面図、第３図は本発明磁気記録媒体を製造
するための装置の一例を示す模式図、第４図は実
施例１及び比較例１で測定された周波数特性曲線
を示すものである。 １……基材、２……入射方向を示す方向線、３
……法線に対する入射角、４……第１層目の強磁
性体薄膜、５……第２層目の強磁性体薄膜、６…
…真空槽、７……排気口、８……供給ロール、９
……巻取りロール、１０……イオン加速電極、１
１……蒸着イオン源、１２……蒸気発生部、１３
……ルツボ、１７……蒸気イオン化部、２１〜２
５……電源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 高真空下において、非磁性材料からなる基材
の表面に、該表面の法線に対し40〜75゜の入射角
で強磁性体のイオン化蒸発粒子を射突させること
により形成された強磁性体薄膜上に、法線に対し
80゜以上の入射角で強磁性体のイオン化蒸発粒子
を射突させることにより強磁性体薄膜が形成され
てなる磁気記録媒体。 ２ 法線に対し80゜以上の入射角で形成された薄
膜層の厚さが、40〜75゜の入射角で形成された薄
膜層の厚さの1/3以下である第１項記載の磁気記
録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15797881A JPS5860428A (ja) | 1981-10-02 | 1981-10-02 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15797881A JPS5860428A (ja) | 1981-10-02 | 1981-10-02 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5860428A JPS5860428A (ja) | 1983-04-09 |
| JPH0121539B2 true JPH0121539B2 (ja) | 1989-04-21 |
Family
ID=15661572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15797881A Granted JPS5860428A (ja) | 1981-10-02 | 1981-10-02 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5860428A (ja) |
-
1981
- 1981-10-02 JP JP15797881A patent/JPS5860428A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5860428A (ja) | 1983-04-09 |
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