JPH01215976A - 自己診断機能を具備したスパッタリング装置 - Google Patents
自己診断機能を具備したスパッタリング装置Info
- Publication number
- JPH01215976A JPH01215976A JP3957588A JP3957588A JPH01215976A JP H01215976 A JPH01215976 A JP H01215976A JP 3957588 A JP3957588 A JP 3957588A JP 3957588 A JP3957588 A JP 3957588A JP H01215976 A JPH01215976 A JP H01215976A
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- Japan
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- vacuum
- chamber
- sputtering
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
コンピュータにより自己診断を行なうスパッタリング装
置に関し、 形成される膜の膜質のバラツキを防止することを目的と
し、 スパッターチャンバーの真空度の経時変化を連続的に追
跡する圧力測定装置と、該圧力測定装置からのデータを
収集し、解析を行ない、設定基準値と比較判定を行なう
コンピュータと、該コンピュータの判定が不良の場合に
警告又は表示を行なうアラーム又は表示装置とを具備し
て構成する。
置に関し、 形成される膜の膜質のバラツキを防止することを目的と
し、 スパッターチャンバーの真空度の経時変化を連続的に追
跡する圧力測定装置と、該圧力測定装置からのデータを
収集し、解析を行ない、設定基準値と比較判定を行なう
コンピュータと、該コンピュータの判定が不良の場合に
警告又は表示を行なうアラーム又は表示装置とを具備し
て構成する。
本発明はコンピュータにより自己診断を行なうスパッタ
リング装置に関する。
リング装置に関する。
従来のスパッタリング技術は、特に半導体素子製造ライ
ンの金属薄膜形成プロセスにおいて所望の仕様を実現す
るのに多用されている。半導体素子製造ラインでスパッ
タ装置を用いる場合には２４時間稼動で無人運転できる
事が望ましく、装置状態の安定性が必要とされる。
ンの金属薄膜形成プロセスにおいて所望の仕様を実現す
るのに多用されている。半導体素子製造ラインでスパッ
タ装置を用いる場合には２４時間稼動で無人運転できる
事が望ましく、装置状態の安定性が必要とされる。
第５図は従来のスパンクリング装置を示す図である。こ
れは真空容器１の中に対向電極２及び３が設けられたも
ので、一方の電極２に薄膜が形成される基板４を載置し
、他方の電極３に薄膜となる材料のターゲット５を取り
付け、真空容器１の中に１０−３〜１０−’ｔｏｒｒの
Ａｒガス等を導入し、対向電極２，３間に高周波電力（
又は直流）を印加することにより基板４の表面にターゲ
ット材料の薄膜を形成することができるようになってい
る。
れは真空容器１の中に対向電極２及び３が設けられたも
ので、一方の電極２に薄膜が形成される基板４を載置し
、他方の電極３に薄膜となる材料のターゲット５を取り
付け、真空容器１の中に１０−３〜１０−’ｔｏｒｒの
Ａｒガス等を導入し、対向電極２，３間に高周波電力（
又は直流）を印加することにより基板４の表面にターゲ
ット材料の薄膜を形成することができるようになってい
る。
上記従来のスパッタリング装置では、外部リーク或いは
内部からの脱ガスをできるだけ抑え、高真空を維持しな
いと形成される薄膜の薄質が劣化することが知られてい
る。ところが上記従来の装置では装置状況の診断は装置
の自動機能としては準備されていないため、作業者が適
宜行ない判断していることが多く、作業者の熟練度ある
いは勘に頼っている。このため膜質のバラツキが大きく
なるという問題があった。
内部からの脱ガスをできるだけ抑え、高真空を維持しな
いと形成される薄膜の薄質が劣化することが知られてい
る。ところが上記従来の装置では装置状況の診断は装置
の自動機能としては準備されていないため、作業者が適
宜行ない判断していることが多く、作業者の熟練度ある
いは勘に頼っている。このため膜質のバラツキが大きく
なるという問題があった。
本発明は上記問題点に鑑み、形成される膜質のバラツキ
を防止できる自己診断機能を具備したスパッタリング装
置を提供することを目的とするものである。
を防止できる自己診断機能を具備したスパッタリング装
置を提供することを目的とするものである。
上記目的は、スパッターチャンバー１０の真空度の経時
変化を連続的に追跡する圧力測定装置２８と、該圧力測
定装置２８からのデータを収集し、解析を行ない、設定
基準と比較判定を行なうコンピュータ２９と、該コンピ
ュータ２９の判定が不良の場合に警告又は表示を行なう
アラーム又は表示装置３０とを具備して構成されたこと
を特徴とする自己診断機能を具備したスパッタリング装
置によって達成される。
変化を連続的に追跡する圧力測定装置２８と、該圧力測
定装置２８からのデータを収集し、解析を行ない、設定
基準と比較判定を行なうコンピュータ２９と、該コンピ
ュータ２９の判定が不良の場合に警告又は表示を行なう
アラーム又は表示装置３０とを具備して構成されたこと
を特徴とする自己診断機能を具備したスパッタリング装
置によって達成される。
スパッターチャンバー内の真空度を連続的に追跡し、そ
のデータをコンピュータで収集解析し設定基準値と比較
判定することにより装置の状況の診断を自動的に行なう
ことができる。
のデータをコンピュータで収集解析し設定基準値と比較
判定することにより装置の状況の診断を自動的に行なう
ことができる。
第１図は本発明の実施例を示す図である。
本実施例は同図に示すように、スパッターチャンバー１
０は、その前後を仕切弁１１．１２を介して準備室１３
．１４に接続されており、各準備室１３．１４及びスパ
ッターチャンバー１０内にはウェハー１５を搬送するた
めのベルト搬送装置１６・１７．１８が設けられ、また
各室はそれぞれバルブ１９ 、２０ 。
０は、その前後を仕切弁１１．１２を介して準備室１３
．１４に接続されており、各準備室１３．１４及びスパ
ッターチャンバー１０内にはウェハー１５を搬送するた
めのベルト搬送装置１６・１７．１８が設けられ、また
各室はそれぞれバルブ１９ 、２０ 。
２１を有する排気管２２，２３．２４により真空ポンプ
に接続され真空状態にすることができるようになってい
る。またスパッターチャンバー１０内にはシャッター駆
動軸２５により駆動されるシャッター２６と、該シャッ
ター２６を挟んで対向電極が設けられ、一方の電極にタ
ーゲット２７が、他方の電極にウェハー１５′が取付け
られるようになっている。またこのスパッターチャンバ
ー１０には該チャンバー内の真空度を測定する圧力測定
装置２８が取付けられ、さらに該圧力測定装置２８に接
続して、そのデータを収集・解析し、設定基準値と比較
判定を行なうコンピュータ２９と、該コンピュータの判
定が不良の場合に警告又は表示を行なうアラーム又は表
示装置３０が接続されている。
に接続され真空状態にすることができるようになってい
る。またスパッターチャンバー１０内にはシャッター駆
動軸２５により駆動されるシャッター２６と、該シャッ
ター２６を挟んで対向電極が設けられ、一方の電極にタ
ーゲット２７が、他方の電極にウェハー１５′が取付け
られるようになっている。またこのスパッターチャンバ
ー１０には該チャンバー内の真空度を測定する圧力測定
装置２８が取付けられ、さらに該圧力測定装置２８に接
続して、そのデータを収集・解析し、設定基準値と比較
判定を行なうコンピュータ２９と、該コンピュータの判
定が不良の場合に警告又は表示を行なうアラーム又は表
示装置３０が接続されている。
このように構成された本実施例は次のような到達真空度
測定モード、クランプモード、駆動部からのリークチエ
ツクモードの３つの自己診断機能を有する。
測定モード、クランプモード、駆動部からのリークチエ
ツクモードの３つの自己診断機能を有する。
到達真空度測定モードはターゲット交換或いは故障修理
等でシール部品（０’Ｊング）を交換したりした時に用
いるもので、第２図に示すようにチャンバー大気開放後
排気を始めてからのチャンバー真空度の時間経過を追跡
し、例えば曲線Ａ、Ｂの如くデータを収集する。そして
到達真空度が設定時間（例えば１時間）に予め設定した
基準値（例えば３． ＯＸ Ｉ Ｑ−７ｔｏｒｒ）に達
しない曲線Ｂの如き場合にはアラームを出す。この到達
真空度が悪いのは真空ポンプの排気能力に対して無視で
きない程大きな外部リークがあるためである。
等でシール部品（０’Ｊング）を交換したりした時に用
いるもので、第２図に示すようにチャンバー大気開放後
排気を始めてからのチャンバー真空度の時間経過を追跡
し、例えば曲線Ａ、Ｂの如くデータを収集する。そして
到達真空度が設定時間（例えば１時間）に予め設定した
基準値（例えば３． ＯＸ Ｉ Ｑ−７ｔｏｒｒ）に達
しない曲線Ｂの如き場合にはアラームを出す。この到達
真空度が悪いのは真空ポンプの排気能力に対して無視で
きない程大きな外部リークがあるためである。
次のクランプモードは、チャンバー内部からの脱ガス或
いは微小リークがあっても到達真空度の良し悪しで判断
できないために用いるもので、このためにはチャンバー
１０のバルブ２０を閉じてクランプ状態とし、第３図に
示すようにチャンバー内真空度の時間変化を追跡し曲線
Ｃ２Ｄの如くデータを収集する。そして真空度が設定時
間（例えば３分）内に基準値（例えば３ Ｘ １０−５
ｔｏｒｒ）を越えた曲線りの如き場合はアラームを出す
。なおこのクランプモードは、「チャンバー内部の焼出
し」或いは［ダミーウェハーへの膜付は作業」の何れか
によりチャンバー内部の脱ガスを促進させた後行なって
も良い。
いは微小リークがあっても到達真空度の良し悪しで判断
できないために用いるもので、このためにはチャンバー
１０のバルブ２０を閉じてクランプ状態とし、第３図に
示すようにチャンバー内真空度の時間変化を追跡し曲線
Ｃ２Ｄの如くデータを収集する。そして真空度が設定時
間（例えば３分）内に基準値（例えば３ Ｘ １０−５
ｔｏｒｒ）を越えた曲線りの如き場合はアラームを出す
。なおこのクランプモードは、「チャンバー内部の焼出
し」或いは［ダミーウェハーへの膜付は作業」の何れか
によりチャンバー内部の脱ガスを促進させた後行なって
も良い。
次に駆動部からのリークチエツクモードは、仕切弁１１
・１２、ウェハー搬送ベルト駆動部、シャッタ駆動部等
の真空シールされた駆動部が１０００〜１０００（１回
の繰返し動作で劣化を生じリークの恐れがある場合に用
いるもので、上記のリークを発見するために前述のクラ
ンプテストと同じくチャンバー排気用のバルブ２０を閉
じた状態で上記の駆動ンール部の動作を数度行ないチャ
ンバー内真空度の時間的変化を測定して第４図の如き曲
線Ｅ。
・１２、ウェハー搬送ベルト駆動部、シャッタ駆動部等
の真空シールされた駆動部が１０００〜１０００（１回
の繰返し動作で劣化を生じリークの恐れがある場合に用
いるもので、上記のリークを発見するために前述のクラ
ンプテストと同じくチャンバー排気用のバルブ２０を閉
じた状態で上記の駆動ンール部の動作を数度行ないチャ
ンバー内真空度の時間的変化を測定して第４図の如き曲
線Ｅ。
Ｆを得る。リークがない場合は曲線Ｅの如く曲線はなめ
らかであるが、リークがあれば曲線Ｆの如く瞬間的な変
化があり、これによりリークの有無を判断するのである
。
らかであるが、リークがあれば曲線Ｆの如く瞬間的な変
化があり、これによりリークの有無を判断するのである
。
以上の如く本実施例によれば３つのチエツクモードによ
りスパック−装置の自己チエツクを行なうことができ形
成される膜の膜質のバラツキを防止することができる。
りスパック−装置の自己チエツクを行なうことができ形
成される膜の膜質のバラツキを防止することができる。
以上説明したように本発明によれば、スパック−装置の
真空管理が作業者の熟練度、勘等に依らずに行なえるた
め、管理が標準化され、成膜される膜の膜質のバラツキ
を小さくすることができる。
真空管理が作業者の熟練度、勘等に依らずに行なえるた
め、管理が標準化され、成膜される膜の膜質のバラツキ
を小さくすることができる。
又作業者が従来管理に要した時間で別の仕事を行なえる
ため時間の有効利用が図れる。
ため時間の有効利用が図れる。
第１図は本発明の実施例を示す図、
第２図は到達真空度の具体例を示す図、第３図はクラン
プテストの具体例を示す図、く８） 第４図は駆動部動作時のリークの具体例を示す図、 第５図は従来のスパッター装置を示す図である。 図において、 １０はスパッターチャンバー、 １１．１２は仕切弁、 １３．１４は準備室、 １５．１５’はウェハー、 １６．１７．１８はベルト搬送装置、 １９．２０．２１はバルブ、 ２２．２３．２４は排気管、 ２５はシャッター駆動軸、 ２６はシャッター、 ２７はターゲット、 ２８は圧力測定装置、 ２９はコンピュータ、 ３０はアラーム又は表示装置 を示す。 排気時間（分） 到達真空度の具体例を示す図 第２図 クランプ時間（分） クランノテストの具体例を示す図 第３図
プテストの具体例を示す図、く８） 第４図は駆動部動作時のリークの具体例を示す図、 第５図は従来のスパッター装置を示す図である。 図において、 １０はスパッターチャンバー、 １１．１２は仕切弁、 １３．１４は準備室、 １５．１５’はウェハー、 １６．１７．１８はベルト搬送装置、 １９．２０．２１はバルブ、 ２２．２３．２４は排気管、 ２５はシャッター駆動軸、 ２６はシャッター、 ２７はターゲット、 ２８は圧力測定装置、 ２９はコンピュータ、 ３０はアラーム又は表示装置 を示す。 排気時間（分） 到達真空度の具体例を示す図 第２図 クランプ時間（分） クランノテストの具体例を示す図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、スパッターチャンバー（１０）の真空度の経時変化
を連続的に追跡する圧力測定装置（２８）と、該圧力測
定装置（２８）からのデータを収集し、解析を行ない、
設定基準値と比較判定を行なうコンピュータ（２９）と
、 該コンピュータ（２９）の判定が不良の場合に警告又は
表示を行なうアラーム又は表示装置（３０）とを具備し
て構成されたことを 特徴とする自己診断機能を具備したスパッタリング装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3957588A JPH01215976A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 自己診断機能を具備したスパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3957588A JPH01215976A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 自己診断機能を具備したスパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01215976A true JPH01215976A (ja) | 1989-08-29 |
Family
ID=12556877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3957588A Pending JPH01215976A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 自己診断機能を具備したスパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01215976A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04137523A (ja) * | 1990-09-27 | 1992-05-12 | Shimadzu Corp | 薄膜形成装置 |
| JPH06346234A (ja) * | 1993-06-08 | 1994-12-20 | Anelva Corp | スパッタリング装置 |
| JP2017166032A (ja) * | 2016-03-17 | 2017-09-21 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
| CN116200707A (zh) * | 2023-05-04 | 2023-06-02 | 粤芯半导体技术股份有限公司 | 半导体钴硅化物膜层的制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62238361A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-10-19 | ジヨン・エ−・リレ− | 自動重合フイルムコ−テイングのための方法及び装置 |
-
1988
- 1988-02-24 JP JP3957588A patent/JPH01215976A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62238361A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-10-19 | ジヨン・エ−・リレ− | 自動重合フイルムコ−テイングのための方法及び装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04137523A (ja) * | 1990-09-27 | 1992-05-12 | Shimadzu Corp | 薄膜形成装置 |
| JPH06346234A (ja) * | 1993-06-08 | 1994-12-20 | Anelva Corp | スパッタリング装置 |
| JP2017166032A (ja) * | 2016-03-17 | 2017-09-21 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
| CN116200707A (zh) * | 2023-05-04 | 2023-06-02 | 粤芯半导体技术股份有限公司 | 半导体钴硅化物膜层的制备方法 |
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