JPH01218035A - 半導体装置の検査方法 - Google Patents
半導体装置の検査方法Info
- Publication number
- JPH01218035A JPH01218035A JP4385388A JP4385388A JPH01218035A JP H01218035 A JPH01218035 A JP H01218035A JP 4385388 A JP4385388 A JP 4385388A JP 4385388 A JP4385388 A JP 4385388A JP H01218035 A JPH01218035 A JP H01218035A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置の検査方法に関する。
（従来の技術）
一般に、半導体装置は、以下のような工程により製造さ
れる。
れる。
すなわち、まず半導体ウェハ上に精密写真転写技術等に
より多数の半導体チップを形成し、この後、個々の半導
体チップに切断する。そして、この半導体チップをリー
ドを有する基体、例えばリードフレームに配置し、半導
体チップの電極パッドとリードフレームのリードとを例
えばワイヤボンディング等によって接続する。しかる後
、例えばモールド等により半導体チップの保護体を形成
し、半導体装置を得る。なお、例えばＴＡＢ（ｔａｐｅ
ａｕｔｏｍａｔｅｄ ｂｏｎｄｌｎｇ）等により基板
上に半導体チップを実装した半導体装置もある。
より多数の半導体チップを形成し、この後、個々の半導
体チップに切断する。そして、この半導体チップをリー
ドを有する基体、例えばリードフレームに配置し、半導
体チップの電極パッドとリードフレームのリードとを例
えばワイヤボンディング等によって接続する。しかる後
、例えばモールド等により半導体チップの保護体を形成
し、半導体装置を得る。なお、例えばＴＡＢ（ｔａｐｅ
ａｕｔｏｍａｔｅｄ ｂｏｎｄｌｎｇ）等により基板
上に半導体チップを実装した半導体装置もある。
そして、一般に上述のような半導体装置の製造工程では
、半導体ウェハの状態でのプローブ装置を用いた検査と
、ハンドラあるいは基板検査装置等を用いた完成品の半
導体装置の検査が行われている。
、半導体ウェハの状態でのプローブ装置を用いた検査と
、ハンドラあるいは基板検査装置等を用いた完成品の半
導体装置の検査が行われている。
また、本発明者等は、完成品の半導体装置を、トレイ上
に配置°して検査する方法を、特願昭６１−２９９６４
６、特願昭６２−１５８９２４等で提案している。
に配置°して検査する方法を、特願昭６１−２９９６４
６、特願昭６２−１５８９２４等で提案している。
（発明が解決しようとする課８）
上述のように従来は、半導体ウェハの状態および完成品
の半導体装置の検査を行っている。したがって、例えば
ワイヤボンディングの不良等、半導体ウェハの状態での
検査後に生じた不良は、完成後でなければ発見すること
ができず、生産性の低下を招くという問題があった。
の半導体装置の検査を行っている。したがって、例えば
ワイヤボンディングの不良等、半導体ウェハの状態での
検査後に生じた不良は、完成後でなければ発見すること
ができず、生産性の低下を招くという問題があった。
また、完成品の状態での検査では、完成品のリード部分
が曲ってしまうために、モールドによる製品不良の割合
が少ない割に、連続的に検査するハンドラにおいて生産
がとどこおる問題があった。
が曲ってしまうために、モールドによる製品不良の割合
が少ない割に、連続的に検査するハンドラにおいて生産
がとどこおる問題があった。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、半導体チップの電極パッドと基体のリードとを接続し
た状態の半完成品の半導体装置を、効率良く検査するこ
とができ、従来に較べて生産性の向上を図ることのでき
る半導体装置の検査方法を提供しようとするものである
。
、半導体チップの電極パッドと基体のリードとを接続し
た状態の半完成品の半導体装置を、効率良く検査するこ
とができ、従来に較べて生産性の向上を図ることのでき
る半導体装置の検査方法を提供しようとするものである
。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
すなわち本発明は、半導体チップの電極パッドと基体の
リードとを接続した状態の半完成品の半導体装置を位置
決め機構を有するトレイ上に複数配置し、この後前記ト
レイを搬送、位置決めし、しかる後前記リードに探針を
接触させて前記半完成品の半導体装置の電気的な検査を
行うことを特徴とする。
リードとを接続した状態の半完成品の半導体装置を位置
決め機構を有するトレイ上に複数配置し、この後前記ト
レイを搬送、位置決めし、しかる後前記リードに探針を
接触させて前記半完成品の半導体装置の電気的な検査を
行うことを特徴とする。
（作 用）
上記構成の本発明の半導体装置の検査方法では、半導体
チップの電極パッドと基体のリードとを接続した状態の
半完成品の半導体装置、例えばモールド前のリードフレ
ーム状態の半導体装置を、位置決め機構を有するトレイ
上に複数配置し、このトレイを搬送、位置決めし、リー
ドに探針を接触させて、半完成品の半導体装置の電気的
な検査を行う。
チップの電極パッドと基体のリードとを接続した状態の
半完成品の半導体装置、例えばモールド前のリードフレ
ーム状態の半導体装置を、位置決め機構を有するトレイ
上に複数配置し、このトレイを搬送、位置決めし、リー
ドに探針を接触させて、半完成品の半導体装置の電気的
な検査を行う。
したがって、例えばワイヤボンディングの不良等、半導
体ウェハの状態での検査後に生じた不良をモールド前に
発見することができ、従来に較べて生産性の向上を図る
ことができる。また、トレイ上に半完成品の半導体装置
を複数配置するので、例えば大型基板用プローブ装置等
を用いて効率良く検査することができる。
体ウェハの状態での検査後に生じた不良をモールド前に
発見することができ、従来に較べて生産性の向上を図る
ことができる。また、トレイ上に半完成品の半導体装置
を複数配置するので、例えば大型基板用プローブ装置等
を用いて効率良く検査することができる。
さらに、リード曲りのための検査の停止を防ぐことがで
き、生産性の向上が得られる。
き、生産性の向上が得られる。
（実施例）
以下本発明の半導体装置の検査方法の実施例を図面を参
照して説明する。
照して説明する。
例えば矩形の板状に形成されたトレイ１は、絶縁材料か
らなり、所定サイズ例えば大型基板用プローブ装置によ
って検査可能な基板と同等なサイズとされており、この
トレイ１には、複数の凹部２が列設されている。
らなり、所定サイズ例えば大型基板用プローブ装置によ
って検査可能な基板と同等なサイズとされており、この
トレイ１には、複数の凹部２が列設されている。
これらの凹部２は、半導体チップの電極パッドと基体の
リードとを接続した状態の半完成品の半導体装置、例え
ばリードフレーム３ａのリードと半導体チップ３ｂの電
極パッドとをワイヤー３０によってボンディングした状
態の半完成品の半導体装置３を収容するとともに、この
リードフレーム状態の半導体装置３を所定精度、例えば
大型基板用プローブ装置でリードに探針を接触可能な精
度に位置決めすることができるよう構成されている。
リードとを接続した状態の半完成品の半導体装置、例え
ばリードフレーム３ａのリードと半導体チップ３ｂの電
極パッドとをワイヤー３０によってボンディングした状
態の半完成品の半導体装置３を収容するとともに、この
リードフレーム状態の半導体装置３を所定精度、例えば
大型基板用プローブ装置でリードに探針を接触可能な精
度に位置決めすることができるよう構成されている。
そして、上記トレイ１の各凹部２に、半完成品の半導体
装置３を配置し、例えば大型基板用プローブ装置を用い
て、搬送、位置決めし、第２図に示すように、リードフ
レーム３ａのリードに探針４を接触させて、半完成品の
半導体装置３の電気的な検査を行う。
装置３を配置し、例えば大型基板用プローブ装置を用い
て、搬送、位置決めし、第２図に示すように、リードフ
レーム３ａのリードに探針４を接触させて、半完成品の
半導体装置３の電気的な検査を行う。
したがって、例えばワイヤボンディングの不良等、半導
体ウェハの状態での検査後に生じた不良をモー”ルビ前
に発見することができ、従来に較べて生産性の向上を図
ることができる。また、トレイ１上に半完成品の半導体
装置３を複数配置し、大型基板用プローブ装置を用いて
検査を行うので、特別な検査装置を必要とすることなく
、効率良く検査することができる。
体ウェハの状態での検査後に生じた不良をモー”ルビ前
に発見することができ、従来に較べて生産性の向上を図
ることができる。また、トレイ１上に半完成品の半導体
装置３を複数配置し、大型基板用プローブ装置を用いて
検査を行うので、特別な検査装置を必要とすることなく
、効率良く検査することができる。
なお、上記実施例では、リードフレーム３ａのリードと
半導体チップ３ｂの電極パッドとをワイヤー３Ｃによっ
てボンディングした状態の半完成品の半導体装置３につ
いて説明したが、その他の半完成品の半導体装置、例え
ばＴＡＢによってボンディングを行い、テープを切断し
た後の半完成品の半導体装置、あるいは基板上に直接半
導体チツブを搭載したＣ ＯＢ （ｃｈｌｐ ｏｎ ｂ
ｏａｒｄ ）の半完成品の半導体装置等でも同様にして
検査することができる。また、ＣＯＢの半完成品の半導
体装置の検査を行う場合、基板の大きさによっては、ト
レイ１を使用せずに検査することも可能である。
半導体チップ３ｂの電極パッドとをワイヤー３Ｃによっ
てボンディングした状態の半完成品の半導体装置３につ
いて説明したが、その他の半完成品の半導体装置、例え
ばＴＡＢによってボンディングを行い、テープを切断し
た後の半完成品の半導体装置、あるいは基板上に直接半
導体チツブを搭載したＣ ＯＢ （ｃｈｌｐ ｏｎ ｂ
ｏａｒｄ ）の半完成品の半導体装置等でも同様にして
検査することができる。また、ＣＯＢの半完成品の半導
体装置の検査を行う場合、基板の大きさによっては、ト
レイ１を使用せずに検査することも可能である。
さらに、トレイ内にモールドされた完成品を設置して完
成品検査も行うことができる。
成品検査も行うことができる。
［発明の効果］
上述のように、本発明の半導体装置の検査方法では、半
導体チップの電極パッドと基体のリードとを接続した状
態の半完成品の半導体装置を、効率良く検査することが
でき、従来に較べて生産性の向上を図ることができる。
導体チップの電極パッドと基体のリードとを接続した状
態の半完成品の半導体装置を、効率良く検査することが
でき、従来に較べて生産性の向上を図ることができる。
第１図は本発明の一実施例の半導体装置の検査方法を説
明するためのトレイの平面図、第２図は第１図のトレイ
上に半完成品の半導体装置を配置して探針を接触させた
状態を示す側面図である。 １・・・・・・トレイ、２・・・・・・凹部、３・・・
・・・半完成品の半導体装置。 筒１ ワ 驚２２
明するためのトレイの平面図、第２図は第１図のトレイ
上に半完成品の半導体装置を配置して探針を接触させた
状態を示す側面図である。 １・・・・・・トレイ、２・・・・・・凹部、３・・・
・・・半完成品の半導体装置。 筒１ ワ 驚２２
Claims (1)
- （１）半導体チップの電極パッドと基体のリードとを接
続した状態の半完成品の半導体装置を位置決め機構を有
するトレイ上に複数配置し、この後前記トレイを搬送、
位置決めし、しかる後前記リードに探針を接触させて前
記半完成品の半導体装置の電気的な検査を行うことを特
徴とする半導体装置の検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63043853A JPH07107911B2 (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 半導体装置の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63043853A JPH07107911B2 (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 半導体装置の検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01218035A true JPH01218035A (ja) | 1989-08-31 |
| JPH07107911B2 JPH07107911B2 (ja) | 1995-11-15 |
Family
ID=12675270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63043853A Expired - Lifetime JPH07107911B2 (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 半導体装置の検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07107911B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5335407U (ja) * | 1976-09-01 | 1978-03-28 | ||
| JPS62147741A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-07-01 | Nec Corp | 半導体素子の選別用基板および半導体素子の選別方法 |
-
1988
- 1988-02-26 JP JP63043853A patent/JPH07107911B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5335407U (ja) * | 1976-09-01 | 1978-03-28 | ||
| JPS62147741A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-07-01 | Nec Corp | 半導体素子の選別用基板および半導体素子の選別方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07107911B2 (ja) | 1995-11-15 |
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