JPH01220151A - 情報記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は、レーザビームを用いて情報の記録・再生を
行なう情報記録媒体の製造方法に関する。

（従来の技術） レーザビームを用いて光学的に情報の記録・再生を行う
のに、基板上に形成された記録膜に、記録すべき情報に
対応させたパルス変調レーザご一ムを照射して局部的に
加熱を行なうことにより、ピットと称される孔部を形成
する情報記録媒体が知られている。

このような情報記録媒体は■記録密度が極めて高く大容
量化が可能であること、■情報の記録や再生を非接触で
行なうので記録媒体の摩耗がないこと、■高速アクセス
が可能であること、などの利点があり、いわゆる光ディ
スクや光カードに応用されている。なお、情報記録媒体
は情報のアクセスを可能とするため、基板に光学ヘッド
案内用の溝（グループ）を設けることから、基板材料と
しては光学的特性に優れグループ成形性の良い透明樹脂
材料が適している。

情報記録媒体は記録膜の材質によって種々の型に分けら
れる。ユーザが記録できる型の媒体は、光ビームの照射
により光学的性質が変化する記録膜を、透明な基板上に
形成したもので、再生方法はレーザビームを記録膜に向
は照射し、その反射光を検出して記録情報を読み出すの
が一般的である。

記録膜の材質として、カルコゲン化合物、有機色素、希
土類−遷移金属等が利用される。これ等の光学的変化を
利用した記録膜を透明樹脂基板上に形成し実用化されて
いるが、記録膜単層では充分な寿命を持つ材料は極めて
少なかった。

そこで、従来から記録膜上に有機樹脂のコーティングや
スパッタリングによるＳ！０２゜Ａβ２０３．ＡβＮ、
ＺｎＳ等の無機誘電体による保護膜が形成された。しか
しながら、依然として環境テスト等の加速劣化特性や、
高温高湿度履歴による記録膜の変質、記録・再生特性の
低下が現われ、これ等の改善が要望されている。

（発明が解決しようとする課題） この発明は、長寿命で耐環境性に優れしかも高感度を持
ち信頼性の高い情報記録媒体の製造方法を提供すること
を目的とする。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） レーザビームの照射により情報の記録・再生を行なう記
録膜を有する情報記録媒体の製造方法において、形成さ
れた記録膜の上に、Ｎ２ガスを主成分とする雰囲気中で
のＴｅターゲットの反応性スパッタリングにより保護膜
を堆積形成したことを特徴とする。

（作　用） この発明による情報記録媒体の製造方法は、上記のよう
な手段により、Ｎ２ガスを主成分とする雰囲気中でＴｅ
ターゲットとの反応性スパッタリングにより記録膜を形
成するようにしたので、保護膜（ＴＮ膜）形成により良
好な記録感度を維持しつつ長寿命で耐環境性に優れた情
報記録媒体を得ることができる。

（実施例） 以下、この発明による情報記録媒体の製造方法の実施例
を図面を参照し詳細に説明する。

第１図はこの発明を実施するためのスパッタリング装置
の構成図である。即ち、真空容器■には、混合ガス等が
供給されるガス導入口■及び図示しない真空ポンプに接
続された排気口■が設けられている。容器■内には一対
の金属ターゲット及び電極（へ）が設けられ、夫々端子
■を介して図示しない直流（ＤＣ）電源に接続される。

また、容器（ト）内の前記電極（へ）に対向する位置に
基板０が設置される対向電極■が設けられている。

基板０は１３０＃φ、厚さ１．２．のポリカーボネイト
、ポリメチルメタアクリレートあるいはエポキシ等の透
明樹脂材料からなり、基板表面には図示しないが８００
オングストロ一ム程度の深さに記録・再生用案内溝（グ
ループ）が予め形成されている。

記録膜の形成手順は、まず真空容器（ト）の内部を排気
口■を通して２　Ｘ　１Ｏ−６ＴＯｒｒ程度まで排気し
た後、ガス導入口■より炭化水素（ＣＨ４）ガス及びＡ
ｒガスとの混合ガスを導入する。ＣＨ４ガスとＡｒガス
の混合容積量は夫々ｌ０３ＣＣ）ｉとし、容積比を例え
ば１：１の割合とする。そこで、容器内ガス圧力を５　
ｘ　１Ｏ−３Ｔｏｒｒとした後に、ターゲット（ハ）と
対向電極■との間に例えば０１５ＡのＤＣ電力を供給し
反応性スパッタリングを行う。この結果、基板（６）上
に記録膜が堆積形成されて情報記録媒体が作製される。

なあ、基板θは１８ｒｐｍの速度で回転させ、堆積膜の
均一化を計っている。

次に、スパッタガス導入口■のＣ１−（４とＡｒガスの
供給を止め、これに代えてＮ２とＡｒとの混合ガスを導
入口■から供給する。スパッタリング圧力を５　ｘ　１
Ｏ−３Ｔｏｒｒを保持し、基板０を１８ｐｐｍ回転させ
た状態で、電源から０．３Ａの電力を印加し、第２図に
示すように、記録膜（６１）上にＴＮ膜保護層（６２）
を形成した。

［実施例−１］ 金属ターゲット（イ）にＴｅを使用する。基板０上に記
録膜を堆積させるのに、まずＣＨ４ガスとＡｒガスとの
容積比が１：１からなる総量２０３ＣＣ１（の混合ガス
を導入する。このようにして、スパッタリングを行った
結果、３０秒間で５０ｎｍの厚さの記録膜を得ることが
できた。なお、この間、容器内のスパッタリング圧力は
５　Ｘ　１Ｏ−３ＴＯｒｒに維持する。

また、記録膜の厚さは１０〜１１００ｎ程度が適当であ
る。

次に、スパッタガス導入口■からＣＨ４とＡｒガスの供
給を止め、これに代えてＮ２−１０％とＡｒとの混合ガ
スを導入口■から供給する。スパッタリング圧力を５　
ｘ　１０−３　Ｔｏｒｒを保持し、基板θを１８ｐｐｍ
回転させた状態で、電源から０．３Ａの電力を印加し、
約１分間後に約１０ｎｍのＴＮ膜保護層（６２）を形成
した。保護層の厚さは５〜５０ｎｍ程度が適当で、好ま
しくは７〜１４ｎｍである。

このようにして得た情報記録媒体を８０’Ｃ−８５％Ｒ
Ｈの高温高湿度槽内で加速劣化試験による環境テストを
行った。その後、波長（λ）が８３０ｎｍのレーザ光に
よる光透過率（Ｔ／Ｔｏ）の状態を調べた結果、第３図
に）に示すように、Ｎ２ガスによるＴＮ膜保護層を形成
しない従来の特性■と比較し、４０００時間後も変化せ
ず良好な記録媒体が得られたことが分る。なお、第３図
（Ｃ）に示す特性曲線は保護膜を形成しないＴｅ単層の
場合を示す。

更に、８０’Ｃ−８５％ＲＨの環境テストで２０００時
間経過後の媒体の記録しきい値電力に対する再生出力の
キャリアノイズ比との関係を評価した。その結果、第４
図に示すように、ＴＮ膜保護層のない従来例０と比較し
特性曲線（Ｄ）のように良好な結果が得られた。また、
この発明方法によるＴＮ膜保護層（６２）のみを３ｉ無
反射板に１１００ｎ形成し、８０’Ｃ−８５％Ｒｌ−１
の高温高湿度槽内で２０００時間経過後のＸ線回折結果
を第５図に示した。図は横軸に回折角度（２θ）を、縦
軸にＸ線放射強度を示したものでおるが、ＴＮ膜保護層
はテスト前のアモルファス状態０からテスト後に一部酸
化して、ＴｅＯ２とＴｅを含む結晶質状態０に変化して
いることを示し、記録媒体としての耐久性が増している
ことを示している。

［実施例−２］ 実施例−１と同様な工程のもとで、ＩｎターゲットをＣ
Ｈ４，Ａｒ及び０２混合ガス中で反応性スパッタリング
を行い、記録膜（ＪＤを５０ｎｍの厚さに堆積形成した
。その後、ＴｅターゲットをＮ２とＡｒとの混合ガス中
で同じく反応性スパッタリングによりＴＮ膜保護層を堆
積形成した。

形成した記録媒体の加速劣化特性とＣＮＲ特性とを夫々
評価した結果、夫々第３図、第４図に示す実施例−１と
同様な特性が得られた。

［発明の効果］ 以上説明のように、この発明の製造方法によれば、ＴＮ
膜保護層の形成により耐環境性に優れ長寿命で、記録・
再生特性の優れた情報記録媒体を提供することができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係る情報記録媒体の製造に使用する
反応性スパッタリング装置の構造を示す概要図、第２図
はこの発明による製造方法によって作製された情報記録
媒体の断面模式図、第３図ないし第５図はいずれもこの
発明による製造方法によって作製された情報記録媒体の
特性を示す図で、耐環境テストにおける光透過率特性図
（第３図）、記録しきい値電力に対するキャリアノイズ
比特性図（第４図）及びＸ線回折特性図（第５図）でお
る。 ■・・・真空容器 （２）・・・ガス導入口 ０）・・・金属ターゲット及び電極 ■・・・基板

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. レーザビームの照射により情報の記録・再生を行なう記
   録膜を有する情報記録媒体の製造方法において、形成さ
   れた記録膜の上に、Ｎ＿２ガスを主成分とする雰囲気中
   でのＴｅターゲットの反応性スパッタリングにより保護
   膜を堆積形成したことを特徴とする情報記録媒体の製造
   方法。