JPH01220430A

JPH01220430A - 常圧ｃｖｄ装置における膜の形成方法

Info

Publication number: JPH01220430A
Application number: JP4331288A
Authority: JP
Inventors: Hiroaki Takahashi; 裕明高橋
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1988-02-27
Filing date: 1988-02-27
Publication date: 1989-09-04

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は常圧ＣＶＤ装置における膜の形成方法に関する
ものである。

（従来の技術）従来、このような分野の技術としては、例えば、特開昭
６０−１２１７２１号に記載されるものがあった。

第４図は係る従来のＣＶＤ装置の一構成例を示すのであ
る。

この図に示すように、ＣＶＤｌＩ２を生成させるウェハ
１は未処理ウェハ収納部５．６のロード側アームによっ
て、２枚づつトレー（試料台）４に載せられる。このト
レー４は無限軌道で一定スピードで回り続ける。トレー
４上のウェハ１はヒーター（加熱部）３によって所定の
温度に昇温され、膜生成部２で反応ガスと酸素ガスによ
り成膜される。その成膜されたウェハ９はアンロード側
アーム７によって１−レー４より処理ウェハ収納部８に
納められるものであった。

（発明が解決しようとする課題）しかしながら、上記構成の装置では、トレーの形状変形
やウェハ下の異物等が膜厚や複合組成の濃度のバラツキ
の原因となり、かつ、ロード側アームやアンロード側ア
ームの搬送におけるパーティクル（塵埃）及びトレー上
に付着したＳｉＯ□の粉末等によるパーティクル（塵埃
）が問題となって来た。

本発明は、以上述べた膜厚や複合組成の濃度のバラツキ
及び塵埃の付着等の問題点を除去し、信頼性の高い膜を
形成させる常圧ＣＶＤ装置における膜の形成方法を提供
することを目的とする。

（課題を解決するための手段）本発明は、常圧ＣＶＤ装置における膜の形成方法におい
て、欠所を有するトレーの該欠所にウェハの表面が下向
きになるようにセントし、該ウェハの表面に膜を形成す
るようにしたものである。

（作用）本発明によれば、上記したように、ウェハの表面を下向
きにして膜を形成するように構成することで、装置内の
塵埃（トレー上やヘッドに付着したＳｉ０ｇ粉末等も含
む）や搬送時における塵埃の付着を防止することができ
る。また、ウェハが重力によって固定され、トレーの形
状及びウェハ下の異物による膜厚や複合組成の濃度のバ
ラツキ等が少なくなる。従って、均一で欠陥の少ない信
頼性の高い膜質を得ることができる。

（実施例）以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。

第１図は本発明の実施例を示す常圧ＣＶＤ装置の構成図
であり、第１図（ａ）はその常圧ＣＶＤ装置のウェハの
ロード側の構成図、第１図（ｂ）はその常圧ＣＶＤ装置
のウェハのアンロード側の構成図、第２図はその常圧Ｃ
ＶＤ装置のウェハのロード例の移載部の構成図、第３図
は本発明の常圧ＣＶＤ装置のトレーの構成図である。

図中、１１はウェハ、１２は反応部、１３は加熱部、１
４はトレー、１５は反応ガス流出部、１５ａは反応ガス
（酸素ガスを含む）、１６は未処理ウェハ収納部、１７
は処理ウェハ収納部、１日は搬送ベルト、１９はプーリ
、２０は移載部、２１はロード側アーム、２２は吸着部
、２３は真空パイプ、２４は支持部、２５は回転軸、２
６は固定部、２７はウェハのストッパ、３０はアンロー
ド側アームである。

図に示すように、未処理ウェハ収納部１６から１般送ベ
ルト１８で運ばれたウェハ１１は、第２図に示されるス
トッパ２７によって停止し、ロード側アーム２１の吸着
部２２で真空等によってウェハ１１をロード側アーム２
１に固定する。ロード側アームに吸着したウェハ１１は
ロード側アーム２１の１８０°回転によってトレー１４
上に表面が下になるように載置される。ここで、トレー
１４には、第３図のように、ウェハ１１より端部が２ｍ
ｍ程度小さい穴が開いている。

つまり、ウェハ１１が下方へ落ちないように、段部１４
ａが形成されると共に、下方からは成膜のための反応ガ
ス１５ａが作用する穴１４ｂが形成される。

なお、ウェハ１１のオリフラの位置は予め未処理ウェハ
収納部１６において決めておく、また、穴１４ｂに代え
て、トレーの一方の側を開放して、凹所を形成して、そ
こにウェハを保持するなど種々の変形が可能であり、要
するにトレーにはガスが作用する欠所が設けられるをも
って足りる。

また、ウェハ１１を！Ｉｌ置したトレー１４は一定スピ
ードで反応部１２の方へ運ばれる。ウェハ１１は加熱部
１３によって所定の温度に昇温される。加熱方法として
はハロゲンランプ等で加熱するとウェハに直接触れずに
すみ、また、加熱部１３を構成するのが容易であり望ま
しい、所定温度に加熱されたウェハは、反応ガス流出部
１５から出た反応ガス（＃ｉ素ガスも含む）１５ａによ
って成膜される。成膜されたウェハ１１はロード側アー
ムと同一の方法でアンロード側アーム３０によってウェ
ハ１１の表面を上にして搬送ベルト１８によって搬送さ
れ、処理ウェハ収納部１７に納められる。

なお、ウェハ表面を下向きにすると、ウェハ表面を上向
きにした時に比べ、若干、膜成長時間が長くなる。その
ために、反応時間を長くする必要があり、その場合、ウ
ェハの搬送スピードを遅くするか、反応領域を長くする
ように構成するのが望ましい。

また、ウェハの表面を下向きにする手段としては、上記
ロード側アームに代えて、予め未処理ウェハ収納部１６
にウェハの表面を下向きにして収納しておき、これを搬
送ロボットによってウェハをそのままの向きでトレーに
移載するようにしてもよい、更に、アンロード側におい
ても同様の搬送ロボットによる移載方式を採用すること
ができる。

なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。

（発明の効果）以上、詳細に説明したように、本発明によれば、ウェハ
の表面を下にして、膜の形成を行うようにすることによ
り、装置内の塵埃（トレー上やヘッドに付着した５４０
ｇ粉末等も含む）や搬送時における塵埃を防止すること
ができる。また、ウェハが重力によって固定され、トレ
ーの形状及びウェハ下の異物による膜厚や複合組成の濃
度のバラツキ等が少なくなる。従って、均一で欠陥の少
ない信鎖性の高い常圧ＣＶＤ装置における膜質を得るこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は本発明の常圧ＣＶＤ装置のウェハのロー
ド側の構成図、第１図（ｂ）はその常圧ＣｖＤ装置のウ
ェハのアンロード側の構成図、第２図はその常圧ＣＶＤ
装置のウェハのロード側の移載部の構成図、第３図は本
発明の常圧ＣＶＤ装置のトレーの構成図、第４図は従来
の常圧ＣＶＤ装置の全体構成図である。１１・・・ウェハ、１２・・・反応部、１３・・・加熱
部、１４・・・トレー、１４ａ・・・段部、１４ｂ・・
・穴、１５・・・反応ガス流出部、１５ａ・・・反応ガ
ス、１６・・・未処理ウェハ収納部、１７・・・処理ウ
ェハ収納部、１８・・・搬送ベルト、１９・・・プーリ
、２０・・・移載部、２１・・・ロード側アーム、２２
・・・吸着部、２３・・・真空バイブｖ２４・・・支持
部、２５・・・回転軸、２６・・・固定部、２７・・・
ウェハのストッパ、３０・・・アンロード側アーム。特許出願人　沖電気工業株式会社

Claims

【特許請求の範囲】（ａ）欠所を有するトレーの該欠所にウェハの表面が下
向きになるようにセットし、（ｂ）その状態で該ウェハの表面に膜を形成するように
したことを特徴とする常圧ＣＶＤ装置における膜の形成
方法。