JPH0122353B2 - - Google Patents

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JPH0122353B2
JPH0122353B2 JP55114623A JP11462380A JPH0122353B2 JP H0122353 B2 JPH0122353 B2 JP H0122353B2 JP 55114623 A JP55114623 A JP 55114623A JP 11462380 A JP11462380 A JP 11462380A JP H0122353 B2 JPH0122353 B2 JP H0122353B2
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plate
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Rautaabatsuha Rihiaruto
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Siemens Corp
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/001—Interlayers, transition pieces for metallurgical bonding of workpieces
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/001—Interlayers, transition pieces for metallurgical bonding of workpieces
    • B23K2035/008—Interlayers, transition pieces for metallurgical bonding of workpieces at least one of the workpieces being of silicium
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はスパツタリング装置のための冷却皿上
の円盤状または板状であるターゲツト材料の固定
方法に関する。
スパツタリング装置においては飛散されるべき
材料は円盤または板として水冷の皿上に備えられ
る。その水冷はスパツタリング装置におけるター
ゲツト材料のプラズマ放電の際において生ずる電
子による昇温を阻止しなければならない。良好な
冷却効果の達成のために冷却皿は多くは銅でつく
られている。しかし良好な冷却はターゲツト材料
と冷却皿の間に良好な熱接触が存在する時にだけ
保証される。
ターゲツト材料が軟ろう箔を用いて冷却皿と結
合されているターゲツトは知られている。多くは
ろう付できないターゲツト材料においては軟ろう
箔はごく僅かな付着能力を持つだけであるから、
ターゲツト材料は操作中にしばしば一部または完
全剥離する。
本発明は、実際的にすべての通例のターゲツト
と固着し良好な熱接触をもつて結合される方法を
提供することを目的とする。この目的は円盤状ま
たは板状であるターゲツト材料を銅、銅−ガラス
混合物または銀からなるろう付可能な層によつて
ターゲツト材料に適合した付着層を介してプラズ
マ噴射によりろう付可能に被覆し、つづいて冷却
皿と軟ろう付することによつて達せられる。この
方式で良好な付着だけでなく、良好な熱接触も保
証される。
円板状または板状であるターゲツト材料の上に
プラズマ噴射によつてターゲツト物質に適合した
付着層、中間層およびろう付可能な表面層を設け
るならば有効である。
この場合付着層か付加的中間層が同時に軟ろう
に対する拡散阻止体として役立つことができる。
この場合ろう付可能な表面層の層厚さがそれが軟
ろう中への拡散によつて無くなることがないほど
大きいことが重要である。
付着層およびろう付可能層の設置の後の円盤状
または板状であるターゲツト材料ならびにろう付
前の冷却皿を適当な軟ろうフラツクスの使用の下
でろう予備被覆することが望ましい。このように
ろう予備被覆されたターゲツト円盤またはターゲ
ツト板をそれからフラツクスなしに冷却皿とろう
付するが、再融解ろう付によるのが望ましい。
図に本発明に基づく方法によつてろう付された
二つのターゲツトが示され、そこにおいて第１図
ではターゲツトは円盤状を、第２図は板状を呈す
る。
符号１は冷却皿２の上にろうによつて固定され
ている任意の材料からなるターゲツト円盤を示
す。第２図はターゲツト板３を示し、それは方形
の冷却皿４にろう付されている。
第１図に示されたターゲツトの製作は、次のよ
うにターゲツト円盤１上にターゲツト材料に対応
して適合した付着層をプラズマ噴射によつて設け
ることが先行する。つづいてこの付着層の上に同
様にプラズマ噴射によつて、ターゲツト円盤１を
ろう付可能にするために銅、銅−ガラスまたは銀
層を設ける。プラズマ噴射層の設置の前に金属タ
ーゲツト材料の使用の際には円盤に結合部におい
てサンドブラストをかけ、適切に浄化する。付着
層とろう付可能層の設置の後にターゲツト円盤１
ならびに冷却皿２に適当な軟ろうフラツクスの使
用の下で予備ろう被覆をする。その後ターゲツト
円盤と冷却皿を浄化し、それによつてフラツクス
残渣を除去する。その後再融解ろう付によつてタ
ーゲツト円盤１を冷却皿２とフラツクスを使用し
ないでろう付する。
例えばアルミニウム、アルミニウム−けい素、
アルミニウム−タンタル、タンタル、クロム、モ
リブデンのようなろう付できない金属ターゲツト
材料の場合には、付着層としてニツケル、ニツケ
ル−クロム合金、中でも80／20％の組成のニツケ
ル−アルミニウム混合物、Ni−Al−Mo混合物、
アルミニウム青銅、モリブデン、タングステン、
アルミニウム、アルミニウム−けい素合金、亜
鉛、銅および銅−ガラス混合物がすぐれているこ
とがわかつた。付着層はこの場合同時に拡散阻止
体として役立つ。
ガラス、酸化物セラミツクスおよびけい素から
なるターゲツト材料が用いられるならば、付着層
としてアルミニウム、アルミニウム−けい素合金
または亜鉛を用いるのが望ましい。ターゲツト材
料として黒鉛を用いる場合は、タングステンから
なる付着層を用いるのが有効である。ろう付可能
な表面層はどの場合にも約30ないし100μｍの層
厚さを持つ銅、銅−ガラス混合物または銀から成
る。
本発明に基づく方法によりしかし例えば金、
銀、パラジウム、白金および硬ろうのように軟ろ
うに対し強い溶解度を有し従つてろう付作業の間
に軟ろうと合金してその組成が変化する直接ろう
付可能のターゲツト材料も固定することもでき
る。プラズマ噴射された付着層もしくは別の中間
層はこれらの材料の場合には特に良好な結合の目
的だけでなくて、その上になおターゲツト材料の
軟ろうとの合金を阻止する拡散阻止体として作用
する。付着層としてニツケル、ニツケル−クロム
合金、中でも80／20％の組成のニツケル−アルミ
ニウム混合物、Ni−Al−Mo混合物、アルミニウ
ム青銅、モリブデン、タングステン、アルミニウ
ム、アルミニウム−けい素合金、亜鉛、銅および
銅−ガラス混合物が用いられ、それが同時に軟ろ
うに対して拡散阻止体として役立つか、又は拡散
阻止体としてこれらの材料の一つを適当な付着層
の上に中間層として噴射する。ろう付可能な表面
層はどの場合にも約30ないし100μｍの層厚さを
もつ銅、銅−ガラス混合物または銀から成る。
ろう付可能の層の比較的大きな層厚さは、それ
が軟ろう中への拡散によつて溶けてなくならない
ことを保証する。それによつて操作の際にろうの
融解点の近くまでのターゲツトの熱的過負荷が、
ろう付部が全体または一部分離れることなしに長
い時間にわたつても可能である。
【図面の簡単な説明】
第１図、第２図はそれぞれ本発明による方法の
実施の対象の一例であるターゲツトの固定状態を
示す斜視図である。 １，３…ターゲツト、２，４…冷却皿。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ ターゲツト円盤またはターゲツト板１，３に
    ターゲツト材料に適合した付着層が設けられ、続
    いて銅、銅−ガラス混合物または銀から成る約30
    ないし100μｍの厚さのろう付可能な被覆層がプ
    ラズマ溶射により設けられ、このようにして被覆
    されたターゲツト円盤またはターゲツト板１，３
    および冷却皿２，４が相互に別々にろう予備被覆
    され、続いてフラツクスを使用せずに軟ろうによ
    り相互に結合されることを特徴とするスパツタリ
    ング装置のための冷却皿上の円盤状または板状で
    あるターゲツト材料の固定方法。 ２ ターゲツト円盤またはターゲツト板１，３お
    よび冷却皿２，４は再融解ろう付によつて相互に
    結合されることを特徴とする特許請求の範囲第１
    項記載の方法。 ３ ターゲツト材料に適合した付着層は同様にプ
    ラズマ溶射によりターゲツト円盤またはターゲツ
    ト板１，３上に設けられることを特徴とする特許
    請求の範囲第１項または第２項記載の方法。 ４ ガラス、酸化物セラミツクスおよびけい素か
    らなるターゲツト円盤またはターゲツト板１，３
    の場合に付着層としてアルミニウム、アルミニウ
    ム−けい素合金、銅、銅−ガラス混合物、亜鉛、
    タングステン、アルミニウム青銅またはモリブデ
    ンを用いることを特徴とする特許請求の範囲第１
    項ないし第３項のいずれかに記載の方法。 ５ ターゲツト円盤またはターゲツト板１，３に
    ターゲツト材料に適合した付着層が設けられ、該
    付着層の形成後中間層が同様にプラズマ溶射によ
    り形成され、続いて銅、銅−ガラス混合物または
    銀から成る約30ないし100μｍの厚さのろう付可
    能な被覆層がプラズマ溶射により設けられ、この
    ようにして被覆されたターゲツト円盤またはター
    ゲツト板１，３および冷却皿２，４が相互に別々
    にろう予備被覆され、続いてフラツクスを使用せ
    ずに軟ろうにより相互に結合されることを特徴と
    するスパツタリング装置のための冷却皿上の円盤
    状または板状であるターゲツト材料の固定方法。 ６ 金属のターゲツト円盤またはターゲツト板
    １，３の際に付着層または付着層上に設けられた
    中間層としてニツケル、ニツケル−クロム合金、
    ニツケル−アルミニウム混合物、ニツケル−アル
    ミニウム−モリブデン混合物、アルミニウム青
    銅、モリブデン、タングステン、アルミニウム、
    アルミニウム−けい素合金、亜鉛、銅および銅−
    ガラス混合物が用いられること特徴とする特許請
    求の範囲第５項記載の方法。 ７ ターゲツト円盤またはターゲツト板１，３と
    して黒鉛を用いる場合に付着層としてタングステ
    ンを用い、付着層上にニツケル、ニツケル−アル
    ミニウム混合物、ニツケル−アルミニウム−モリ
    ブデン混合物、アルミニウム青銅、アルミニウ
    ム、またはアルミニウム−けい素合金からなる中
    間層が拡散阻止体として設けられることを特徴と
    する特許請求の範囲第５項または第６項記載の方
    法。
JP11462380A 1979-08-21 1980-08-20 Fixing of target material Granted JPS5633476A (en)

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JPS5633476A JPS5633476A (en) 1981-04-03
JPH0122353B2 true JPH0122353B2 (ja) 1989-04-26

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EP (1) EP0024355B1 (ja)
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