JPH01224242A - 電子線着色防止ガラス - Google Patents
電子線着色防止ガラスInfo
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- JPH01224242A JPH01224242A JP4851088A JP4851088A JPH01224242A JP H01224242 A JPH01224242 A JP H01224242A JP 4851088 A JP4851088 A JP 4851088A JP 4851088 A JP4851088 A JP 4851088A JP H01224242 A JPH01224242 A JP H01224242A
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は電子線着色防止ガラスに係り、特に平板テレビ
や陰極線管（ＣＲＴ）のデイスプレィ前面パネルの如き
、電子線が照射されるデイスプレィ前面パネル等に用い
るに好適な電子線による着色を防止したガラスに関する
。
や陰極線管（ＣＲＴ）のデイスプレィ前面パネルの如き
、電子線が照射されるデイスプレィ前面パネル等に用い
るに好適な電子線による着色を防止したガラスに関する
。
［従来の技術］
一般に、ＣＲＴ等の電子線が照射されるガラスには、電
子線による着色を低減するために、予めアルカリ成分で
あるＫとＮａをほぼｌ：１のモル比になるように、かつ
、若干のＬｉを添加したガラス組成のガラスを溶解して
用いたり、また、通常のソーダ・ライム・シリカガラス
板の電子線の照射される表面層のＮａをＫにイオン交換
し、Ｎａ、にのバランスを取ることにより電子線による
着色を低減する処理を行なったものが用いられてきた。
子線による着色を低減するために、予めアルカリ成分で
あるＫとＮａをほぼｌ：１のモル比になるように、かつ
、若干のＬｉを添加したガラス組成のガラスを溶解して
用いたり、また、通常のソーダ・ライム・シリカガラス
板の電子線の照射される表面層のＮａをＫにイオン交換
し、Ｎａ、にのバランスを取ることにより電子線による
着色を低減する処理を行なったものが用いられてきた。
［発明が解決しようとする課題］
これら従来の方法では、電子線のビーム電流密度が３５
μＡ ／ ｃ ｍ’と高くなると、電子線による着色を
十分低減することができず、デイスプレィの輝度劣化等
の問題をひきおこしていた。
μＡ ／ ｃ ｍ’と高くなると、電子線による着色を
十分低減することができず、デイスプレィの輝度劣化等
の問題をひきおこしていた。
本発明は、このような従来の問題点を解決し、高い電流
密度の電子ビームで長時間照射されても、電子線による
着色が殆ど無い耐電子線着色性に優れた電子線着色防止
ガラスを提供することを目的とする。
密度の電子ビームで長時間照射されても、電子線による
着色が殆ど無い耐電子線着色性に優れた電子線着色防止
ガラスを提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明の第１の発明に係る電子線着色防止ガラスは、厚
さ１μｍ以上の、実質的に５ｉ０２及び／又はＺ ｒ０
２よりなる被膜を有することを特徴とする。
さ１μｍ以上の、実質的に５ｉ０２及び／又はＺ ｒ０
２よりなる被膜を有することを特徴とする。
本発明の第２の発明に係る電子線着色防止ガラスは、下
地が板ガラス組成であって、表面のアルカリがイオン交
換処理されてＮａ／（Ｎａ＋Ｋ）が０．４〜０．６５（
モル比）とされている板ガラス表面に、厚さ０．３〜６
μｍの実質的に５ｉ０２及び／又はＺｒＯ２よりなる被
膜を有することを特徴とする。
地が板ガラス組成であって、表面のアルカリがイオン交
換処理されてＮａ／（Ｎａ＋Ｋ）が０．４〜０．６５（
モル比）とされている板ガラス表面に、厚さ０．３〜６
μｍの実質的に５ｉ０２及び／又はＺｒＯ２よりなる被
膜を有することを特徴とする。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の第１の発明に係る電子線着色防止ガラ
スの一実施例を示す断面図である。
スの一実施例を示す断面図である。
図示の如く本発明の第１の発明に係る電子線着色防止ガ
ラス１は、ガラス板２の電子線が照射される表面に、実
質的にＳｉＯ２及び／又はＺｒＯ２よりなる、厚さ１μ
ｍ以上の被膜３を有するものである。
ラス１は、ガラス板２の電子線が照射される表面に、実
質的にＳｉＯ２及び／又はＺｒＯ２よりなる、厚さ１μ
ｍ以上の被膜３を有するものである。
被膜３を形成するガラス板２としては、通常のＴＶガラ
スやフロートガラス等を用いることができる。ＴＶガラ
ス、ソーダ・ライム・シリカガラス（フロートガラス）
の組成は下記第１表及び第２表に示す通りである。
スやフロートガラス等を用いることができる。ＴＶガラ
ス、ソーダ・ライム・シリカガラス（フロートガラス）
の組成は下記第１表及び第２表に示す通りである。
第２表 ソーダ・ライム・シリカガラス組成（重量％）
なお一般に、高い加速電圧で高電流密度を付加された場
合は、Ｘ線の放射が発生するので、基板とするガラスと
しては、ＰｂＯ，ＳｒＯ。
合は、Ｘ線の放射が発生するので、基板とするガラスと
しては、ＰｂＯ，ＳｒＯ。
Ｂａｄ、ＺｒＯ２を各々０〜３０重量％の範囲で含有し
、かつ、これらの合計量が３０重量％以下であり、５ｉ
０２を５０重量％以上含有するガラスのような、Ｘ線遮
蔽効果のあるガラスを用いると、着色防止と共にＸ線遮
蔽効果を付与することができる。
、かつ、これらの合計量が３０重量％以下であり、５ｉ
０２を５０重量％以上含有するガラスのような、Ｘ線遮
蔽効果のあるガラスを用いると、着色防止と共にＸ線遮
蔽効果を付与することができる。
基板とするガラス板組成は、表面の被膜との熱膨張差を
極力少なくするように適宜選定するのが有利である。
極力少なくするように適宜選定するのが有利である。
このようなガラス板２の表面に形成する被膜３は、実質
的に５ｉ０２及び／又はＺｒＯ２よりなるものである。
的に５ｉ０２及び／又はＺｒＯ２よりなるものである。
この被膜３中には、電子線により容易に着色する着色源
となるアルカリは２重量％以下、好ましくは実質的に含
有されていないことが重要である。同様に、やはり着色
源であるｐｂｏ又はＳｎＯ２についても、各々０．５重
量％以下、好ましくは実質的に含有されていないことが
重要である。
となるアルカリは２重量％以下、好ましくは実質的に含
有されていないことが重要である。同様に、やはり着色
源であるｐｂｏ又はＳｎＯ２についても、各々０．５重
量％以下、好ましくは実質的に含有されていないことが
重要である。
このような実質的にＳｉＯ２及び／又はＺｒＯ２よりな
る被膜３の膜厚は、照射される電子ビームの加速電圧に
応じて、Ｔｈｏｍｓｏｎ−Ｗｉｄｄｉｎｇｔｏｎの法則
で推定される電子ビームの到達深さで決定される。通常
、電子ビームは７〜３０ＫＶの加速電圧で使用されるこ
とから、１−μｍ以上、好ましくは１．１〜３．０μｍ
とされる。被膜３の厚さが１μｍ未満では電流密度が３
５μＡ ／ ｃ ｒｄのように高い場合に、十分な着色
防止効果を得ることができず、また３、０μｍを超える
ような厚い被膜は通常の使用条件では必要とされず、膜
形成の効率面から不経済である上に、被膜のひび割れ等
の問題を生じるおそれがある。
る被膜３の膜厚は、照射される電子ビームの加速電圧に
応じて、Ｔｈｏｍｓｏｎ−Ｗｉｄｄｉｎｇｔｏｎの法則
で推定される電子ビームの到達深さで決定される。通常
、電子ビームは７〜３０ＫＶの加速電圧で使用されるこ
とから、１−μｍ以上、好ましくは１．１〜３．０μｍ
とされる。被膜３の厚さが１μｍ未満では電流密度が３
５μＡ ／ ｃ ｒｄのように高い場合に、十分な着色
防止効果を得ることができず、また３、０μｍを超える
ような厚い被膜は通常の使用条件では必要とされず、膜
形成の効率面から不経済である上に、被膜のひび割れ等
の問題を生じるおそれがある。
一方、本発明の第２の発明に係る電子線着色防止ガラス
ＩＡは第２図に示す如く、表面層２ａがイオン交換処理
されてＮａ／（Ｎａ＋Ｋ）が０．４〜０．６５（モル比
）、好ましくは０． ５（モル比）とされた板ガラス２
Ａの、電子線が照射される表面に、上述のような実質的
に５ｉ０２及び／又はＺｒＯ２よりなる被膜３を０．３
〜６μｍの厚さに形成したものである。
ＩＡは第２図に示す如く、表面層２ａがイオン交換処理
されてＮａ／（Ｎａ＋Ｋ）が０．４〜０．６５（モル比
）、好ましくは０． ５（モル比）とされた板ガラス２
Ａの、電子線が照射される表面に、上述のような実質的
に５ｉ０２及び／又はＺｒＯ２よりなる被膜３を０．３
〜６μｍの厚さに形成したものである。
即ち、第２の発明の電子線着色防止ガラスＩＡにおいて
は、基板となる通常のＴＶガラス又はソーダ・ライム・
シリカガラス組成の板ガラス２Ａの表面層２ａのＮａを
Ｋでイオン交換処理し、Ｎａ／（Ｎａ＋Ｋ）（モル比）
が０．４〜０．６５となるようにして、耐電子線着色性
が付与されているため、被膜３の厚さを第１の発明に係
る電子線着色防止ガラスの被膜よりも薄くすることがで
きる。
は、基板となる通常のＴＶガラス又はソーダ・ライム・
シリカガラス組成の板ガラス２Ａの表面層２ａのＮａを
Ｋでイオン交換処理し、Ｎａ／（Ｎａ＋Ｋ）（モル比）
が０．４〜０．６５となるようにして、耐電子線着色性
が付与されているため、被膜３の厚さを第１の発明に係
る電子線着色防止ガラスの被膜よりも薄くすることがで
きる。
第２の発明において、被膜３の厚さ及びイオン交換処理
される表面層２ａの厚さは、前述の電子ビームの到達深
さで決定される。通常の被膜３を０．３〜６μｍの厚さ
で形成する場合、イオン交換処理されるガラス表面層２
ａの厚さ（Ｋイオンが到達する深さ）は、着色防止効果
及びイオン交換処理効率の面から、０．６〜１５μｍ程
度とするのが好ましい。なお、第２の発明においても、
被膜３の厚さは、薄過ぎると着色防止効果が十分でなく
、厚過ぎるとひび割れの問題がある上に、経済的にも不
利である。
される表面層２ａの厚さは、前述の電子ビームの到達深
さで決定される。通常の被膜３を０．３〜６μｍの厚さ
で形成する場合、イオン交換処理されるガラス表面層２
ａの厚さ（Ｋイオンが到達する深さ）は、着色防止効果
及びイオン交換処理効率の面から、０．６〜１５μｍ程
度とするのが好ましい。なお、第２の発明においても、
被膜３の厚さは、薄過ぎると着色防止効果が十分でなく
、厚過ぎるとひび割れの問題がある上に、経済的にも不
利である。
このようなイオン交換処理は、通常のソーダ・ライム・
シリカガラス板等をＫＮＯ３溶液に浸漬するなどの方法
により、容易に実施することができる。
シリカガラス板等をＫＮＯ３溶液に浸漬するなどの方法
により、容易に実施することができる。
また、本発明において、実質的にＳｉＯ２及び／又はＺ
ｒＯ２よりなる被膜３を形成する方法としては、Ｓｉｏ
２の過飽和状態となった珪弗化水素酸を含む処理液ある
いは、これに更にＺｒＯ２を含む処理液に、イオン交換
処理されたあるいはされていなしζガラス板を浸漬して
被膜を析出させる析出法又はゾル−ゲル法等を採用する
ことができる。特に、被膜の厚さを１μｍ以上と厚く形
成する場合には、ゾル−ゲル法が好適である。
ｒＯ２よりなる被膜３を形成する方法としては、Ｓｉｏ
２の過飽和状態となった珪弗化水素酸を含む処理液ある
いは、これに更にＺｒＯ２を含む処理液に、イオン交換
処理されたあるいはされていなしζガラス板を浸漬して
被膜を析出させる析出法又はゾル−ゲル法等を採用する
ことができる。特に、被膜の厚さを１μｍ以上と厚く形
成する場合には、ゾル−ゲル法が好適である。
［作 用］
実質的にＳｉＯ２及び／又はＺｒＯ２よりなる被膜は、
電子線による着色原因物質を実質的に含まず、電子線遮
蔽、減衰効果が高い。そして、電子線が高い加速電圧で
透過した場合であっても、基板ガラスの着色を防止ない
し低減することができる。しかも、５ｉ０２及び／又は
ＺｒＯ２よりなる被膜は、透明性、基板ガラスとの接着
性にも優れ、膜形成も容易で膜形成効率が高い。
電子線による着色原因物質を実質的に含まず、電子線遮
蔽、減衰効果が高い。そして、電子線が高い加速電圧で
透過した場合であっても、基板ガラスの着色を防止ない
し低減することができる。しかも、５ｉ０２及び／又は
ＺｒＯ２よりなる被膜は、透明性、基板ガラスとの接着
性にも優れ、膜形成も容易で膜形成効率が高い。
従って、このような実質的にＳｉＯ２及び／又はＺ ｒ
０２よりなる被膜を１μｍ以上の厚さに形成することに
より、電子線を効果的に遮蔽し、電子線による基板ガラ
スの着色を有効に防止することができる。
０２よりなる被膜を１μｍ以上の厚さに形成することに
より、電子線を効果的に遮蔽し、電子線による基板ガラ
スの着色を有効に防止することができる。
一方、基板ガラスの表面が、イオン交換処理により、Ｎ
ａ／ （Ｎａ＋Ｋ）Ｃモル比）が０．４〜０．６５とさ
れた耐電子線着色ガラスである場合には、このような実
質的にＳｉＯ２及び／又はＺ ｒｏ２よりなる被膜が０
．３μｍ以上という電子線到達深さより薄いもうであっ
ても、被膜の減衰効果により高電流密度の電子線強度も
有効に低減されるため、電子線による着色は確実に防止
される。
ａ／ （Ｎａ＋Ｋ）Ｃモル比）が０．４〜０．６５とさ
れた耐電子線着色ガラスである場合には、このような実
質的にＳｉＯ２及び／又はＺ ｒｏ２よりなる被膜が０
．３μｍ以上という電子線到達深さより薄いもうであっ
ても、被膜の減衰効果により高電流密度の電子線強度も
有効に低減されるため、電子線による着色は確実に防止
される。
［実施例］
以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明をより具体的
に説明する。
に説明する。
実施例１
第３表に示す組成（分析値）のソーダ・ライム・シリカ
ガラス板をＫＮＯ３溶液中でイオン交換し、表面層（厚
さ１１．５μｍ）でＮａとＫのモル比を約１＝１にした
ガラス板を製造した。次いで、このガラス板を常温の５
ｉ０２を飽和した珪弗化水素酸水溶液に約２４時間浸漬
し、約１μｍ厚さのＳｉＯ２膜を形成した。
ガラス板をＫＮＯ３溶液中でイオン交換し、表面層（厚
さ１１．５μｍ）でＮａとＫのモル比を約１＝１にした
ガラス板を製造した。次いで、このガラス板を常温の５
ｉ０２を飽和した珪弗化水素酸水溶液に約２４時間浸漬
し、約１μｍ厚さのＳｉＯ２膜を形成した。
得られたガラス板に、耐電防止のためにアルミニウムを
約５００大黒着し、その後、約３５μＡ／ ｃ ｎｉ’
電流密度の電子ビームを、約１０ＫＶの加速電圧で照射
した。
約５００大黒着し、その後、約３５μＡ／ ｃ ｎｉ’
電流密度の電子ビームを、約１０ＫＶの加速電圧で照射
した。
５０時間照射後の４００ｎｍの光線の透過率の変化を第
４表に示す。
４表に示す。
実施例２
実施例１と同様にしてイオン交換処理したガラス板を、
体積百分率でテトラエトキシシラン（ＴＥ０１ ［Ｓ
ｉ （ＯＣ２Ｈ５）４ ］ ）４３部、エタノール４３
部、水１４部からなる溶液の中に、数回浸漬し、ディッ
ピング法で５ｉ０２膜を付け、乾燥、焼き付けし約０．
３μｍのＳｉＯ２膜を形成した。
体積百分率でテトラエトキシシラン（ＴＥ０１ ［Ｓ
ｉ （ＯＣ２Ｈ５）４ ］ ）４３部、エタノール４３
部、水１４部からなる溶液の中に、数回浸漬し、ディッ
ピング法で５ｉ０２膜を付け、乾燥、焼き付けし約０．
３μｍのＳｉＯ２膜を形成した。
得られたガラス板について、実施例１と同様にして照射
試験を行ない、透過率の変化を調べ、結果を第４表に示
した。
試験を行ない、透過率の変化を調べ、結果を第４表に示
した。
比較例１．２
比較のため、第３表に示すソーダ・ライム・シリカガラ
ス板（比較例１）及び後掲の第５表に示すＴＶガラス板
（比較例２）について、実施例１と同様に試験を行なっ
た場合の結果を第４表に併記する。
ス板（比較例１）及び後掲の第５表に示すＴＶガラス板
（比較例２）について、実施例１と同様に試験を行なっ
た場合の結果を第４表に併記する。
第 ４ 表
実施例３
シリカゲルをＯ，ＩＮの塩酸中でゾル状態にし、これに
超微粉のＳｉＯ２を体積分率で約２０部添加し、均一に
混合した。この溶液をスピンコード法で、第５表に示す
組成（分析値）のＴＶガラス板（ＣＲＴのフェースプレ
ート用ガラス板）にコーティングし、乾燥、焼付けして
、約６μｍの５ｉ０２膜を形成した。
超微粉のＳｉＯ２を体積分率で約２０部添加し、均一に
混合した。この溶液をスピンコード法で、第５表に示す
組成（分析値）のＴＶガラス板（ＣＲＴのフェースプレ
ート用ガラス板）にコーティングし、乾燥、焼付けして
、約６μｍの５ｉ０２膜を形成した。
得られたガラス板について、加速電圧を３０ＫＶとした
こと以外は、実施例１と同様にして照射試験を行い、透
過率の変化を調べ、結果を第６表に示した。
こと以外は、実施例１と同様にして照射試験を行い、透
過率の変化を調べ、結果を第６表に示した。
比較例３，４
比較のため、第３表に示すソーダ・ライム・シリカガラ
ス板（比較例３）及び第５表に示すＴＶガラス板（比較
例４）について実施例３と同様に試験を行なった場合の
結果を第６表に併記する。
ス板（比較例３）及び第５表に示すＴＶガラス板（比較
例４）について実施例３と同様に試験を行なった場合の
結果を第６表に併記する。
第 ６ 表
第４表及び第６表より、本発明の電子線着色防止ガラス
では、電子線着色による透過率低下が大幅に減少してい
ることがわかる。
では、電子線着色による透過率低下が大幅に減少してい
ることがわかる。
［発明の効果コ
以上詳述した通り、本発明の電子線着色防止ガラスは極
めて電子線の遮蔽ないし減衰効果の高い、実質的にＳｉ
Ｏ２及び／又はＺｒＯ２よりなる被膜を形成してなるも
のであって、従来の耐電子線着色ガラスでは強い着色が
避けられなかったような、高い電流密度の電子線を照射
しても、ガラスの着色を大幅に低減することができ、輝
度劣化等の問題を効果的に解決することができる。
めて電子線の遮蔽ないし減衰効果の高い、実質的にＳｉ
Ｏ２及び／又はＺｒＯ２よりなる被膜を形成してなるも
のであって、従来の耐電子線着色ガラスでは強い着色が
避けられなかったような、高い電流密度の電子線を照射
しても、ガラスの着色を大幅に低減することができ、輝
度劣化等の問題を効果的に解決することができる。
第１図及び第２図は本発明の一実施例に係る電子線着色
防止ガラスを示す断面図である。 １、ＩＡ・・・電子線着色防止ガラス、２．２Ａ・・・
ガラス板、 ３・・・被膜。 代理人 弁理士 重 野 剛
防止ガラスを示す断面図である。 １、ＩＡ・・・電子線着色防止ガラス、２．２Ａ・・・
ガラス板、 ３・・・被膜。 代理人 弁理士 重 野 剛
Claims (2)
- （１）厚さ１μｍ以上の、実質的にＳｉＯ＿２及び／又
はＺｒＯ＿２よりなる被膜を有することを特徴とする電
子線着色防止ガラス。 - （２）下地が板ガラス組成であって、表面のアルカリが
イオン交換処理されてＮａ／（Ｎａ＋Ｋ）が０．４〜０
．６５（モル比）とされている板ガラス表面に、厚さ０
．３〜６μｍの実質的にＳｉＯ＿２及び／又はＺｒＯ＿
２よりなる被膜を有することを特徴とする電子線着色防
止ガラス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63048510A JPH0686313B2 (ja) | 1988-03-01 | 1988-03-01 | 電子線着色防止ガラス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63048510A JPH0686313B2 (ja) | 1988-03-01 | 1988-03-01 | 電子線着色防止ガラス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01224242A true JPH01224242A (ja) | 1989-09-07 |
| JPH0686313B2 JPH0686313B2 (ja) | 1994-11-02 |
Family
ID=12805370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63048510A Expired - Lifetime JPH0686313B2 (ja) | 1988-03-01 | 1988-03-01 | 電子線着色防止ガラス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0686313B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5420475A (en) * | 1990-02-26 | 1995-05-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Cathode-ray tube |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4411150Y1 (ja) * | 1965-08-02 | 1969-05-08 | ||
| US3504212A (en) * | 1967-03-20 | 1970-03-31 | Westinghouse Electric Corp | High contrast display device incorporating a light absorption and scattering layer |
| JPS5382444A (en) * | 1976-12-28 | 1978-07-20 | Seiko Epson Corp | Surface treating method of liquid crystal panel |
| JPS5664302A (en) * | 1979-10-29 | 1981-06-01 | Oosakafu | Antireflecting film |
| JPS6177644A (ja) * | 1984-09-22 | 1986-04-21 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 電子線着色を防止したガラス物品 |
| JPS62283846A (ja) * | 1986-06-02 | 1987-12-09 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 結晶化ガラス物品の製造方法 |
-
1988
- 1988-03-01 JP JP63048510A patent/JPH0686313B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4411150Y1 (ja) * | 1965-08-02 | 1969-05-08 | ||
| US3504212A (en) * | 1967-03-20 | 1970-03-31 | Westinghouse Electric Corp | High contrast display device incorporating a light absorption and scattering layer |
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| JPS6177644A (ja) * | 1984-09-22 | 1986-04-21 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 電子線着色を防止したガラス物品 |
| JPS62283846A (ja) * | 1986-06-02 | 1987-12-09 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 結晶化ガラス物品の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5420475A (en) * | 1990-02-26 | 1995-05-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Cathode-ray tube |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0686313B2 (ja) | 1994-11-02 |
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