JPH01225772A - イオンビームスパッタ装置 - Google Patents
イオンビームスパッタ装置Info
- Publication number
- JPH01225772A JPH01225772A JP4965888A JP4965888A JPH01225772A JP H01225772 A JPH01225772 A JP H01225772A JP 4965888 A JP4965888 A JP 4965888A JP 4965888 A JP4965888 A JP 4965888A JP H01225772 A JPH01225772 A JP H01225772A
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- JP
- Japan
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- substrate
- ion beam
- target
- gun
- cleaning
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は基板を洗浄するためのクリーニング用ガンと
ターゲットからのスパッタ粒子を上記基板に堆積するた
めの膜堆積用ガンとを有するイオンビームスパッタ装置
に関するものである。
ターゲットからのスパッタ粒子を上記基板に堆積するた
めの膜堆積用ガンとを有するイオンビームスパッタ装置
に関するものである。
第３図は従来のイオンビームスパッタ装置を示す概略図
である。図において、８は真空チャンバ、９は真空チャ
ンバ８に接続された排気系、１は真空チャンバ８に設け
られたクリーニング用ガン、３は真空チャンバ８に設け
られた膜堆積用ガン、５は真空チャンバ８内に設けられ
たターゲット、６は真空チャンバ８内に設けられた基板
、７は基板６の近傍に設けられた開閉可能なシャッタ板
で、シャッタ板７は基板６とほぼ平行である。
である。図において、８は真空チャンバ、９は真空チャ
ンバ８に接続された排気系、１は真空チャンバ８に設け
られたクリーニング用ガン、３は真空チャンバ８に設け
られた膜堆積用ガン、５は真空チャンバ８内に設けられ
たターゲット、６は真空チャンバ８内に設けられた基板
、７は基板６の近傍に設けられた開閉可能なシャッタ板
で、シャッタ板７は基板６とほぼ平行である。
このイオンビームスパッタ装置によって基板６にスパッ
タ膜を堆積する場合について説明する。
タ膜を堆積する場合について説明する。
まず、排気系９を作動させ、真空チャンバ８内を十分に
排気したのち、Ａｒガスなどの作動ガスをクリーニング
用ガン１、膜堆積用ガン３に導入する。つぎに、シャッ
タ板７を閉じた状態とし、膜堆積用ガン３からイオンビ
ーム４を照射することにより、ターゲット５の表面を洗
浄する。つぎに、膜堆積用ガン３を停止し、シャッタ板
７を開き、クリーニング用ガン１からイオンビーム２を
照射して、基板６の表面を洗浄する。つぎに、クリーニ
ング用ガン１を停止し、膜堆積用ガン３からイオンビー
ム４を照射することにより、ターゲット５をスパッタす
れば、ターゲット５からのスパッタ粒子が基板６に堆積
する。
排気したのち、Ａｒガスなどの作動ガスをクリーニング
用ガン１、膜堆積用ガン３に導入する。つぎに、シャッ
タ板７を閉じた状態とし、膜堆積用ガン３からイオンビ
ーム４を照射することにより、ターゲット５の表面を洗
浄する。つぎに、膜堆積用ガン３を停止し、シャッタ板
７を開き、クリーニング用ガン１からイオンビーム２を
照射して、基板６の表面を洗浄する。つぎに、クリーニ
ング用ガン１を停止し、膜堆積用ガン３からイオンビー
ム４を照射することにより、ターゲット５をスパッタす
れば、ターゲット５からのスパッタ粒子が基板６に堆積
する。
しかし、このようなイオンビームスパッタ装置において
は、クリーニング用ガン１からイオンビーム２を照射し
て、基板６の表面を洗浄する際に、基板６からのスパッ
タ粒子がターゲット５に堆積し、ターゲット５の表面を
汚染するおそれがある。
は、クリーニング用ガン１からイオンビーム２を照射し
て、基板６の表面を洗浄する際に、基板６からのスパッ
タ粒子がターゲット５に堆積し、ターゲット５の表面を
汚染するおそれがある。
一方、基板６かへのスパッタ粒子がターゲット５に堆積
しないように調整しながら、基板６の表面を洗浄したと
きには、基板６の表面の洗浄を十分に行なうことができ
ない。このため、清浄な基板６上に清浄なスパッタ膜を
堆積することができない。
しないように調整しながら、基板６の表面を洗浄したと
きには、基板６の表面の洗浄を十分に行なうことができ
ない。このため、清浄な基板６上に清浄なスパッタ膜を
堆積することができない。
この発明は上述の課題を解決するためになされたもので
、清浄な基板上に清浄なスパッタ膜を堆積することがで
きるイオンビームスパッタ装置を提供することを目的と
する。
、清浄な基板上に清浄なスパッタ膜を堆積することがで
きるイオンビームスパッタ装置を提供することを目的と
する。
この目的を達成するため、この発明においては、基板を
洗浄するためのクリーニング用ガンとターゲットからの
スパッタ粒子を上記基板に堆積するための膜堆積用ガン
とを有するイオンビームスパッタ装置において、上記基
板と上記ターゲットとの間に、上記基板、上記ターゲッ
トよりも大きいシャッタ板を、上記クリーニング用ガン
、上記膜堆積用ガンから照射されるイオンビームとほぼ
平行に設ける。
洗浄するためのクリーニング用ガンとターゲットからの
スパッタ粒子を上記基板に堆積するための膜堆積用ガン
とを有するイオンビームスパッタ装置において、上記基
板と上記ターゲットとの間に、上記基板、上記ターゲッ
トよりも大きいシャッタ板を、上記クリーニング用ガン
、上記膜堆積用ガンから照射されるイオンビームとほぼ
平行に設ける。
このイオンビームスパッタ装置においては、シャッタ板
を閉じた状態として、膜堆積用ガンからイオンビームを
照射することにより、ターゲットの表面を洗浄すれば、
ターゲットからのスパッタ粒子のほとんどはシャッタ板
の表面に堆積するから、基板の表面が汚染されることが
なく、またシャッタ板を閉じた状態として、クリーニン
グ用ガンからイオンビームを照射して、基板の表面を洗
浄すれば、基板からのスパッタ粒子のほとんどはシャッ
タ板の表面に堆積するから、ターゲットの表面が汚染さ
れることはなく、シかも基板の表面を十分に洗浄するこ
とができる。
を閉じた状態として、膜堆積用ガンからイオンビームを
照射することにより、ターゲットの表面を洗浄すれば、
ターゲットからのスパッタ粒子のほとんどはシャッタ板
の表面に堆積するから、基板の表面が汚染されることが
なく、またシャッタ板を閉じた状態として、クリーニン
グ用ガンからイオンビームを照射して、基板の表面を洗
浄すれば、基板からのスパッタ粒子のほとんどはシャッ
タ板の表面に堆積するから、ターゲットの表面が汚染さ
れることはなく、シかも基板の表面を十分に洗浄するこ
とができる。
第１図はこの発明に係るイオンビームスパッタ装置を示
す概略図である。このイオンビームスパッタ装置におい
ては、クリーニング用ガン１から照射されるイオンビー
ム２と膜堆積用ガン３から照射されるイオンビーム４と
が平行になるように。
す概略図である。このイオンビームスパッタ装置におい
ては、クリーニング用ガン１から照射されるイオンビー
ム２と膜堆積用ガン３から照射されるイオンビーム４と
が平行になるように。
クリーニング用ガン１、膜堆積用ガン３が設けられてお
り、ターゲット５と基板６との間にシャッタ板１ｏが設
けられており、シャッタ板１ｏはターゲット５、基板６
よりも大きく、またシャッタ板１０はイオンビーム２．
４と平行に設けられている。
り、ターゲット５と基板６との間にシャッタ板１ｏが設
けられており、シャッタ板１ｏはターゲット５、基板６
よりも大きく、またシャッタ板１０はイオンビーム２．
４と平行に設けられている。
このイオンビームスパッタ装置によって基板６にスパッ
タ膜を堆積する場合について説明する。
タ膜を堆積する場合について説明する。
まず、排気系９を作動させ、真空チャンバ８内を十分に
排気したのち、Ａｒガスなどの作動ガスをクリーニング
用ガン１、膜堆積用ガン３に導入する。つぎに、シャッ
タ板１０を閉じた状態とし、膜堆積用ガン３からイオン
ビーム４を照射することにより、ターゲット５の表面を
洗浄する。この際には、ターゲット５からのスパッタ粒
子のほとんどはシャッタ板１ｏの表面に堆積し、基板６
には堆積しないので、基板６の表面が汚染されることは
ない。つぎに、膜堆積用ガン３を動作させた状態で、ク
リーニング用ガン１からイオンビーム２を照射して、基
板６の表面を洗浄する。この際には、基板６からのスパ
ッタ粒子のほとんどはシャッタ板１ｏの他の表面に堆積
し、ターゲット５には堆積しないので、ターゲット５の
表面が汚染されることはない。つぎに、クリーニング用
ガン１を停止し、シャッタ板１０を第１図紙面直角方向
に移動することにより、シャッタ板１０を開けば、ター
ゲット５からのスパッタ粒子が基板６上に堆積される。
排気したのち、Ａｒガスなどの作動ガスをクリーニング
用ガン１、膜堆積用ガン３に導入する。つぎに、シャッ
タ板１０を閉じた状態とし、膜堆積用ガン３からイオン
ビーム４を照射することにより、ターゲット５の表面を
洗浄する。この際には、ターゲット５からのスパッタ粒
子のほとんどはシャッタ板１ｏの表面に堆積し、基板６
には堆積しないので、基板６の表面が汚染されることは
ない。つぎに、膜堆積用ガン３を動作させた状態で、ク
リーニング用ガン１からイオンビーム２を照射して、基
板６の表面を洗浄する。この際には、基板６からのスパ
ッタ粒子のほとんどはシャッタ板１ｏの他の表面に堆積
し、ターゲット５には堆積しないので、ターゲット５の
表面が汚染されることはない。つぎに、クリーニング用
ガン１を停止し、シャッタ板１０を第１図紙面直角方向
に移動することにより、シャッタ板１０を開けば、ター
ゲット５からのスパッタ粒子が基板６上に堆積される。
このように、第１図に示したイオンビームスパッタ装置
においては、シャッタ板１０を閉じた状態として、ター
ゲット５の表面を洗浄すれば、基板６の表面が汚染され
ることがなく、またシャッタ板１０を閉じた状態として
、基板６の表面を洗浄すれば、ターゲット５の表面が汚
染されることはなく、しかも基板６の表面を十分に洗浄
することができるから、清浄な基板６上に清浄なスパッ
タ膜を堆積することができる。さらに、ターゲット５の
表面の洗浄、基板６の表面の洗浄を同時に行なうことが
できるので、膜形成に要する時間を短縮することができ
る。
においては、シャッタ板１０を閉じた状態として、ター
ゲット５の表面を洗浄すれば、基板６の表面が汚染され
ることがなく、またシャッタ板１０を閉じた状態として
、基板６の表面を洗浄すれば、ターゲット５の表面が汚
染されることはなく、しかも基板６の表面を十分に洗浄
することができるから、清浄な基板６上に清浄なスパッ
タ膜を堆積することができる。さらに、ターゲット５の
表面の洗浄、基板６の表面の洗浄を同時に行なうことが
できるので、膜形成に要する時間を短縮することができ
る。
第２図はこの発明に係る他のイオンビームスパッタ装置
を示・す概略図である。このイオンビームスパッタ装置
においては、クリーニング用ガン１から照射されるイオ
ンビーム２と膜堆積用ガン３から照射されるイオンビー
ム４とが平行とならないないように、クリーニング用ガ
ン１、膜堆積用ガン３が設けられており、ターゲット５
と基板６との間にシャッタ板１１．１２が設けられてお
り、シャッタ板１１．１２はターゲット５、基板６より
も大きく、またシャッタ板１１はイオンビーム２と平行
に設けられており、シャッタ板１２はイオンビーム４と
平行に設けられている。
を示・す概略図である。このイオンビームスパッタ装置
においては、クリーニング用ガン１から照射されるイオ
ンビーム２と膜堆積用ガン３から照射されるイオンビー
ム４とが平行とならないないように、クリーニング用ガ
ン１、膜堆積用ガン３が設けられており、ターゲット５
と基板６との間にシャッタ板１１．１２が設けられてお
り、シャッタ板１１．１２はターゲット５、基板６より
も大きく、またシャッタ板１１はイオンビーム２と平行
に設けられており、シャッタ板１２はイオンビーム４と
平行に設けられている。
このイオンビームスパッタ装置においては、シャッタ板
１１．１２を閉じた状態として、膜堆積用ガン３からイ
オンビーム４を照射することにより、ターゲット５の表
面を洗浄すれば、ターゲット５からのスパッタ粒子のほ
とんどはシャッタ板１２の表面に堆積し、基板６には堆
積しないので、基板６の表面が汚染されることはなく、
またシャッタ板１１．１２を閉じた状態として、クリー
ニング用ガン１からイオンビーム２を照射して、基板６
の表面を洗浄すれば、基板６からのスパッタ粒子のほと
んどはシャッタ板１１の表面に堆積し、ターゲット５に
は堆積しないので、ターゲット５の表面が汚染されるこ
とはなく、しかも基板６の表面を十分に洗浄することが
できるから、清浄な基板６上に清浄なスパッタ膜を堆積
することができる。また、ターゲット５の表面の洗浄、
基板６の表面の洗浄を同時に行なうことができるので、
膜形成に要する時間を短縮することができる。
１１．１２を閉じた状態として、膜堆積用ガン３からイ
オンビーム４を照射することにより、ターゲット５の表
面を洗浄すれば、ターゲット５からのスパッタ粒子のほ
とんどはシャッタ板１２の表面に堆積し、基板６には堆
積しないので、基板６の表面が汚染されることはなく、
またシャッタ板１１．１２を閉じた状態として、クリー
ニング用ガン１からイオンビーム２を照射して、基板６
の表面を洗浄すれば、基板６からのスパッタ粒子のほと
んどはシャッタ板１１の表面に堆積し、ターゲット５に
は堆積しないので、ターゲット５の表面が汚染されるこ
とはなく、しかも基板６の表面を十分に洗浄することが
できるから、清浄な基板６上に清浄なスパッタ膜を堆積
することができる。また、ターゲット５の表面の洗浄、
基板６の表面の洗浄を同時に行なうことができるので、
膜形成に要する時間を短縮することができる。
なお、上述実施例においては、クリーニング用ガン１を
停止した状態で、ターゲット５からのスパッタ粒子を基
板６上に堆積したが、クリーニング用ガン１を作動させ
た状態で、またはクリーニング用ガン１から照射される
イオンビームの強度を低下させた状態で、ターゲット５
からのスパッタ粒子を基板６上に堆積してもよい。
停止した状態で、ターゲット５からのスパッタ粒子を基
板６上に堆積したが、クリーニング用ガン１を作動させ
た状態で、またはクリーニング用ガン１から照射される
イオンビームの強度を低下させた状態で、ターゲット５
からのスパッタ粒子を基板６上に堆積してもよい。
以上説明したように、この発明に係るイオンビームスパ
ッタ装置においては、ターゲットの表面。
ッタ装置においては、ターゲットの表面。
基板の表面を洗浄するときに、基板の表面、ターゲット
の表面が汚染されることはなく、しかも基板の表面の洗
浄を十分に行なうことができるから、清浄な基板上に清
浄なスパッタ膜を堆積することができる。さらに、ター
ゲットの表面の洗浄、基板の表面の洗浄を同時に行なう
ことができるので、膜形成に要する時間を短縮すること
ができる。このように、この発明の効果は顕著である。
の表面が汚染されることはなく、しかも基板の表面の洗
浄を十分に行なうことができるから、清浄な基板上に清
浄なスパッタ膜を堆積することができる。さらに、ター
ゲットの表面の洗浄、基板の表面の洗浄を同時に行なう
ことができるので、膜形成に要する時間を短縮すること
ができる。このように、この発明の効果は顕著である。
第１図、第２図はそれぞれこの発明に係るイオンビーム
スパッタ装置を示す概略図、第３図は従来のイオンビー
ムスパッタ装置を示す概略図である。 １・・・クリーニング用ガン ２・・・イオンビーム ３・・・膜堆積用ガン ４・・・イオンビーム ５・・・ターゲット ６・・・基板 １０〜１２・・・シャッタ板 特許出願人 日本電信電話株式会社 代理人 弁理士 中 村 純之助 １−−−りυ−ニニフ゛用力’＞ ５−−一
タ−７：：７お２−、イオシピーム
６一−−基オ反３−、バ碇ｔｆｉ−家を困η゛シ
１０−−−シイ、７タオ及４−−−イオ″−ピ
゛−Ｘ 第１図 １−−−クリ−＝やズ・用ガ・〉 ５−−一ター
ｒｒ、、 ）−２−−−イオ北°−ム
６−−−羞オ及３−一一眼軸ｌ債雨ガ°シ １
１，１２−一一ジャック抜４−−−イオ―−ヒ′−ム 第２図
スパッタ装置を示す概略図、第３図は従来のイオンビー
ムスパッタ装置を示す概略図である。 １・・・クリーニング用ガン ２・・・イオンビーム ３・・・膜堆積用ガン ４・・・イオンビーム ５・・・ターゲット ６・・・基板 １０〜１２・・・シャッタ板 特許出願人 日本電信電話株式会社 代理人 弁理士 中 村 純之助 １−−−りυ−ニニフ゛用力’＞ ５−−一
タ−７：：７お２−、イオシピーム
６一−−基オ反３−、バ碇ｔｆｉ−家を困η゛シ
１０−−−シイ、７タオ及４−−−イオ″−ピ
゛−Ｘ 第１図 １−−−クリ−＝やズ・用ガ・〉 ５−−一ター
ｒｒ、、 ）−２−−−イオ北°−ム
６−−−羞オ及３−一一眼軸ｌ債雨ガ°シ １
１，１２−一一ジャック抜４−−−イオ―−ヒ′−ム 第２図
Claims (1)
- １、基板を洗浄するためのクリーニング用ガンとターゲ
ットからのスパッタ粒子を上記基板に堆積するための膜
堆積用ガンとを有するイオンビームスパッタ装置におい
て、上記基板と上記ターゲットとの間に、上記基板、上
記ターゲットよりも大きいシャッタ板を、上記クリーニ
ング用ガン、上記膜堆積用ガンから照射されるイオンビ
ームとほぼ平行に設けたことを特徴とするイオンビーム
スパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4965888A JPH01225772A (ja) | 1988-03-04 | 1988-03-04 | イオンビームスパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4965888A JPH01225772A (ja) | 1988-03-04 | 1988-03-04 | イオンビームスパッタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01225772A true JPH01225772A (ja) | 1989-09-08 |
Family
ID=12837284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4965888A Pending JPH01225772A (ja) | 1988-03-04 | 1988-03-04 | イオンビームスパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01225772A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004179165A (ja) * | 2002-11-26 | 2004-06-24 | Fei Co | ターゲット修復用のイオンビーム |
| WO2015000578A1 (de) * | 2013-07-03 | 2015-01-08 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Targetpräparation |
-
1988
- 1988-03-04 JP JP4965888A patent/JPH01225772A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004179165A (ja) * | 2002-11-26 | 2004-06-24 | Fei Co | ターゲット修復用のイオンビーム |
| WO2015000578A1 (de) * | 2013-07-03 | 2015-01-08 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Targetpräparation |
| CN105392912A (zh) * | 2013-07-03 | 2016-03-09 | 欧瑞康表面处理解决方案股份公司特鲁巴赫 | 靶准备 |
| JP2016526605A (ja) * | 2013-07-03 | 2016-09-05 | エリコン サーフェス ソリューションズ アーゲー、 プフェフィコン | ターゲット作製 |
| US10053769B2 (en) | 2013-07-03 | 2018-08-21 | Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon | Target preparation |
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