JPH01227401A - 電圧非直線抵抗体 - Google Patents

電圧非直線抵抗体

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JPH01227401A
JPH01227401A JP63052507A JP5250788A JPH01227401A JP H01227401 A JPH01227401 A JP H01227401A JP 63052507 A JP63052507 A JP 63052507A JP 5250788 A JP5250788 A JP 5250788A JP H01227401 A JPH01227401 A JP H01227401A
Authority
JP
Japan
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coating layer
oxide
insulating coating
resin
silicone resin
Prior art date
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Pending
Application number
JP63052507A
Other languages
English (en)
Inventor
Takanori Soda
曽田 孝則
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NGK Insulators Ltd
Original Assignee
NGK Insulators Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は電気系統における過電圧保護装置に有用な電
圧非直線抵抗体、とくに酸化亜鉛を主成分とする電圧非
直線抵抗体に関するものである。
(従来の技術) 通常は絶縁体で過大な電流が流れたときに導電体として
作用する特性を備え、電圧安定素子やサージアブソーバ
等に広く利用される電圧非直線抵抗体は、例えば特開昭
55−98802号公報に開示されているようにその側
面に沿面放電の防止を目的として高抵抗層を、さらにそ
の表面に該高抵抗層の表面汚損の防止あるいは絶縁耐力
の向上を目的としてガラス層を設けるのが一般的であっ
た。と′ころで上記のような従来の素子ではとくにガラ
ス層を形成する際の熱処理に起因した素子の電気特性の
劣化やばらつきが不可避でありしかも  ・長期間安定
した品質を確保するのが難しいという不利があった。
この点に関する先行文献として例えば特開昭56−55
004号公報あるいは特開昭57−188476号公報
などが参照される。
(発明が解決しようとする課題) 上記公報に開示の技術、は、電圧非直線抵抗体の製造場
程において素子の側面に直接シリコン樹脂あるいはふ、
っ素樹脂、をコーティングすることによって、該素子の
特性や品質の向上を図ろうとするところにある。しかし
ながら素子の、側面にシリコンやふっ素の如き樹脂を単
にコーティングするだけでは、素子側面の絶縁性能が不
充分で長期間安定した品質を確保するのが難しいという
問題があった。
この発明は上述したような従来問題を解消し、電気的緒
特性、とくに電圧非直線指数や雷サージ放電耐量の良好
な電圧非直線抵抗体を与えることが目的である。
(課題を解決するための手段) この発明は酸化亜鉛を主成分とする焼結体の電極形成面
を除く領域に被覆した絶縁被覆層の外周面に、シリコン
樹脂又はふっ素樹脂のコーティング層を備えてなる電圧
非直線抵抗体である。
ここに電圧非直線抵抗体のVl−Aが400 V/+n
+nを超えるものを対象とする場合には、雷サージ放電
耐量の低下等を防止するために、絶縁被覆層とシリコン
又はふっ素樹脂のコーティング層の間にガラス層を設け
るのが有効である。
(作 用) 酸化亜鉛を主成分とする電圧非直線抵抗体の製造におい
て、絶縁被覆層の表面にさらにシリコン樹脂又はふっ素
樹脂のコーティング層を形成すると、素子側面の絶縁性
が改善され、長期的に安定した特性となるので、素子の
特性は改善され、品質のばらつきも小さく、しかも素子
のVl、A 400V/mm未満、とくに200 V/
mm程度の素子を対象とする場合においては、ガラス層
を形成する熱処理工程を省略できるのでこれに起因した
特性の劣化は皆無となる。
以下、この発明に従う電圧非直線抵抗体の製造要領につ
いて説明する。
所定の粒度に調整した酸化亜鉛の主原料と所定粒度に調
整した酸化ビスマス、酸化コバルト、酸化マンガン、酸
化アンチモン、酸化クロム、酸化ケイ素、酸化ニッケル
等よりなる添加物および好ましくは銀を含むホウケイ酸
ビスマスガラスの所定量を混合する。次いでこれらの原
料粉末に対して所定量のポリビニルアルコール水溶液お
よび酸化アルミニウム源として硝酸アルミニウム溶液の
所定量を添加する。この混合操作は好ましくは乳化機を
用いる。
次に好ましくは200 mmm1(以下の真空度で減圧
脱気を行い混合泥漿を得る。混合泥漿の水分量は30〜
35wt%程度に、またその混合泥漿の粘度は100C
II±50とするのが好ましい。
次に得られた混合泥漿を噴霧乾燥装置に供給して平均粒
径50〜150μm、好ましくは80〜120μmで、
水分量が0,5〜2. Qwt%、より好ましくは1.
0〜l、5wt%の造粒粉を造粒する。
次に得られた造粒粉を、成形工程において、成形圧力8
00〜1000kg/ CIItの下で所定の形状に成
形する。そしてその成形体を昇降温度50〜70℃/h
rで800〜1000℃、保持時間1〜5時間という条
件で仮焼成して結合剤を飛散除去する。
次に、仮焼成した仮焼体の側面に絶縁被覆層を形成する
。絶縁被覆層は酸化ケイ素を5lO3に換算して50〜
80モル%、より好ましくは60〜70モル%、酸化亜
鉛をZnOに換算して10〜40モル%、より好ましく
は20〜30モル% 、酸化ビスマスを81□03 に
換算して1〜5モル%、残部酸化アンチモンの混合物に
有機結合剤としてエチレンセルロース、プチルカルビト
ーノベ酢酸nブチル等を加えた酸化物ペーストよりなる
ものとし、これを30〜300μmの厚さで仮焼体側面
に塗布する。
次にこれを昇降温速度30〜60℃/hr 、保持温度
1000〜1300℃、好ましくは1000〜1250
℃で2〜7時間という条件で本焼成する。
次に、従来法によればガラス粉末に有機結合剤としてエ
チルセルロース、ブチルカルピトール、酢酸nブチル等
を加えたガラスペーストを上記絶縁被覆層上に例えば5
0〜300μmの厚さに塗布し、それをさらに空気中で
昇降温速度100〜200℃/hr 。
400〜600℃で0.5〜2時間という条件で熱処理
することによりガラス層を形成するが、この発明では、
シリコン樹脂又はふっ素樹脂を0゜3〜3.0mm好ま
しくは0.8〜2.0の厚さに塗布し、それに自然乾燥
させるかもしくは100〜200℃の温度域にて強制的
に乾燥させ、上記樹脂のコーティング層を形成する。こ
こで例えば素子のV、m八が400V/mmを超える場
合は、上記絶縁被覆層の表面にまずガラス層を設け、そ
れからシリコン又はふっ素樹脂のコーティング層を設け
る。
そして最後に得られた素体の両端面を平滑に研磨し、そ
こに例えばアルミニウムの如き材質になる電極を溶射に
より形成する。
(実施例) 側面に絶縁被覆層を介してシリコン樹脂又はふっ素樹脂
のコーティング層(1,0am)を形成した直径47m
m、厚さ22.5+nmの電圧非直線抵抗体(V、、A
:200v /++ua )と絶縁被覆層の表面にガラ
ス層を形成した同じく直径47mm、厚さ22.5+n
mの電圧非直線抵抗体をそれぞれ製造し、得られた素子
の電圧非直線指数(α)および雷サージ放電耐量につい
て調査した。その結果を表−1に示す。なお電圧非直線
指数αは、I=KV″ (I:電流、V:電圧、K:比
例定数)の式に基づきV、、 AとV100μAとの値
から、また雷サージ放電耐量は、110にA1120K
Aおよび130KAの電流をそれぞれ4710μsの電
流波形で2回繰り返し印加した後、素子が破壊しなかっ
た割合について示す。
表−1より明らかなようにこΦ発明に適合する電圧非直
線抵抗体は、電圧非直線指数および雷サージ放電耐量が
ともに良好であることが確認できた。
次に、側面の絶縁被覆層とシリコン樹脂又はふっ素樹脂
のコーティング層の間にガラス層を設けた直径:47m
m、厚さ22.5mm5 Vla^:4QQV/mm以
上になる電圧非直線抵抗体を製造し、その素子の雷サー
ジ放電耐量について調査した。その結果比較例の調査結
果とともに表−2に示す。
V、mAが400V/mmを超える電圧非直線抵抗体の
製造に際しては、絶縁被覆層とガラス層の上にさらにシ
リコン又はふっ素樹脂のコーティング層を設けるのが有
効であることが明らかである。
(発明の効果) この発明によれば、電圧非直線指数や雷サージ放電耐量
が良好であり、しかも品質の安定した電圧非直線抵抗体
を得ることができる。
特許出願人  日本碍子株式会社

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.酸化亜鉛を主成分とする焼結体の電極形成面を除く
    領域に被成した絶縁被覆層の外周面に、シリコン樹脂又
    はふっ素樹脂のコーティング層を備えてなる電圧非直線
    抵抗体。
  2. 2.絶縁被覆層と、シリコン樹脂又はふっ素樹脂のコー
    ティング層との間にガラス層を備える請求項1記載の電
    圧非直線抵抗体。
JP63052507A 1988-03-08 1988-03-08 電圧非直線抵抗体 Pending JPH01227401A (ja)

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JP63052507A JPH01227401A (ja) 1988-03-08 1988-03-08 電圧非直線抵抗体

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4943749B1 (ja) * 1969-10-02 1974-11-22
JPS502707A (ja) * 1973-05-10 1975-01-13
JPS57128904A (en) * 1981-02-03 1982-08-10 Mitsubishi Electric Corp Method of forming protective film layer for nonlinear resistor

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS4943749B1 (ja) * 1969-10-02 1974-11-22
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