JPH0122770B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0122770B2 JPH0122770B2 JP58044906A JP4490683A JPH0122770B2 JP H0122770 B2 JPH0122770 B2 JP H0122770B2 JP 58044906 A JP58044906 A JP 58044906A JP 4490683 A JP4490683 A JP 4490683A JP H0122770 B2 JPH0122770 B2 JP H0122770B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- conductor
- hole
- holes
- dielectric substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はマイクロ波通信機に使用するトランジ
スタを用いたMIC（Microwave IC）化高周波増
幅器に用いることができるマイクロ波回路装置に
関するものである。
スタを用いたMIC（Microwave IC）化高周波増
幅器に用いることができるマイクロ波回路装置に
関するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、マイクロ波帯の回路構成は誘電体基板上
に回路を形成したMIC回路が一般的に用いられ
るようになるとともに、これらが衛星放送用受信
機などの民生機器として用いられるようになつ
た。そのためこれらの機器には性能だけでなく量
産性能が要求されるようになつた。
に回路を形成したMIC回路が一般的に用いられ
るようになるとともに、これらが衛星放送用受信
機などの民生機器として用いられるようになつ
た。そのためこれらの機器には性能だけでなく量
産性能が要求されるようになつた。
以下図面を参照しながら従来のマイクロ波回路
装置について説明する。まず、マイクロ波帯で増
幅器を構成する場合、第１図に示すようにトラン
ジスタ４のエミツタ端子６を接地し入出力回路に
は整合スタブ３，３′を付ける方法がよく用いら
れている。なお、１，１′は直流阻止コンデンサ、
２，２′は高周波チヨーク、５はトランジスタ４
のベース端子、７はそのコレクタ端子である。ま
た、使用するトランジスタとしては、第２図ａ，
ｂに示すようなセラミツクパツケージ８の中にト
ランジスタ素子を封入したハーメチツクシール構
造のものが一般的である。なお、５はベース電
極、６ａ，６ｂはエミツタ電極、７はコレクタ電
極である。
装置について説明する。まず、マイクロ波帯で増
幅器を構成する場合、第１図に示すようにトラン
ジスタ４のエミツタ端子６を接地し入出力回路に
は整合スタブ３，３′を付ける方法がよく用いら
れている。なお、１，１′は直流阻止コンデンサ、
２，２′は高周波チヨーク、５はトランジスタ４
のベース端子、７はそのコレクタ端子である。ま
た、使用するトランジスタとしては、第２図ａ，
ｂに示すようなセラミツクパツケージ８の中にト
ランジスタ素子を封入したハーメチツクシール構
造のものが一般的である。なお、５はベース電
極、６ａ，６ｂはエミツタ電極、７はコレクタ電
極である。
従来、第２図に示した構造のトランジスタを用
いて増幅器を形成するのに第３図に示すような
MIC化構造が使用されていた。同図ａは接地導
体の要部斜視図、同図ｂはMIC化トランジスタ
増幅器の要部斜視図である。なお、１１ａ，１１
ｂはマイクロストリツプ線路、１２ａ，１２ｂは
誘電体、９は接地金属導体、１０ａ，１０ｂは接
地金属導体９の突出部分である。第３図でトラン
ジスタの入出力端子５および７は３れぞれ誘電体
１２ａ、および１２ｂ上に構成したマイクロスト
リツプ線路１１ａおよび１１ｂに接続し、同じく
接地端子６ａおよび６ｂはそれぞれ金属接地導体
突出部１０ａおよび１０ｂに接続している。ここ
で、トランジスタの接地端子をこのような金属突
出部分を用いて接地する理由は、トランジスタパ
ツケージからできるだけ近傍で接地電位を得るた
めである。
いて増幅器を形成するのに第３図に示すような
MIC化構造が使用されていた。同図ａは接地導
体の要部斜視図、同図ｂはMIC化トランジスタ
増幅器の要部斜視図である。なお、１１ａ，１１
ｂはマイクロストリツプ線路、１２ａ，１２ｂは
誘電体、９は接地金属導体、１０ａ，１０ｂは接
地金属導体９の突出部分である。第３図でトラン
ジスタの入出力端子５および７は３れぞれ誘電体
１２ａ、および１２ｂ上に構成したマイクロスト
リツプ線路１１ａおよび１１ｂに接続し、同じく
接地端子６ａおよび６ｂはそれぞれ金属接地導体
突出部１０ａおよび１０ｂに接続している。ここ
で、トランジスタの接地端子をこのような金属突
出部分を用いて接地する理由は、トランジスタパ
ツケージからできるだけ近傍で接地電位を得るた
めである。
しかしながら、上記のような構成においては接
地金属導体が突出部分を有すること、誘電体基板
が２部分から成ること、ならびにトランジスタの
接地端子をはんだ付けしにくいことなどから、量
産性に劣るという欠点を有していた。
地金属導体が突出部分を有すること、誘電体基板
が２部分から成ること、ならびにトランジスタの
接地端子をはんだ付けしにくいことなどから、量
産性に劣るという欠点を有していた。
発明の目的
本発明の目的は、MIC化トランジスタ増幅器
を組立てる場合において、簡単な構造によつて量
産性能の向上を可能にするマイクロ波回路装置を
提供することである。
を組立てる場合において、簡単な構造によつて量
産性能の向上を可能にするマイクロ波回路装置を
提供することである。
発明の構成
本発明のマイクロ波回路装置は、トランジスタ
の２つの端子を接地させるための２つの貫通穴を
設けた誘電体基板上に、前記貫通穴を結ぶ直線と
直交するようにその両側にマイクロストリツプ線
路が設けられ、前記貫通穴の周囲には導体を形成
し、前記誘電体基板の残りの一方の面には接地導
体を形成し、前記貫通穴の内側には導体を形成し
て前記貫通穴の周囲導体と内側導体とに前記一方
の面の接地導体を接続した構成の接地導体を有
し、前記トランジスタは前記２つの貫通穴の中央
に設けられ、その入出力端子はそれぞれ前記２つ
のマイクロストリツプ線路に接続され、かつ前記
トランジスタの接地端子は前記貫通穴に入るよう
に折り曲げて前記接地導体に接続した構造で
MIC化トランジスタ増幅器を構成することによ
り、特別な接地金属導体を用いずにトランジスタ
を確実に接地することができるとともに、実装構
造を簡単にし量産性に優れたマイクロ波回路装置
が実現できる。
の２つの端子を接地させるための２つの貫通穴を
設けた誘電体基板上に、前記貫通穴を結ぶ直線と
直交するようにその両側にマイクロストリツプ線
路が設けられ、前記貫通穴の周囲には導体を形成
し、前記誘電体基板の残りの一方の面には接地導
体を形成し、前記貫通穴の内側には導体を形成し
て前記貫通穴の周囲導体と内側導体とに前記一方
の面の接地導体を接続した構成の接地導体を有
し、前記トランジスタは前記２つの貫通穴の中央
に設けられ、その入出力端子はそれぞれ前記２つ
のマイクロストリツプ線路に接続され、かつ前記
トランジスタの接地端子は前記貫通穴に入るよう
に折り曲げて前記接地導体に接続した構造で
MIC化トランジスタ増幅器を構成することによ
り、特別な接地金属導体を用いずにトランジスタ
を確実に接地することができるとともに、実装構
造を簡単にし量産性に優れたマイクロ波回路装置
が実現できる。
実施例の説明
以下本発明の一実施例について、図面を参照し
ながら説明する。第４図〜第７図は本発明の一実
施例におけるマイクロ波回路装置を示すものであ
る。第４図は誘電体基板の構造を示しており、同
図ａは斜視図、同図ｂはＡ―A′断面図である。
１３は誘電体基板、１４ａ，１４ｂはトランジス
タの接地端子挿入のための断面が方形の貫通穴で
ある。第５図は第４図に示した貫通穴付き誘電体
基板上にマイクロストリツプ線路と接地導体を形
成した要部斜視図である。１５は裏面接地導体、
１６ａ，１６ｂは貫通穴を通じて表面に形成した
接地導体部分である。第６図は、第５図に示した
MIC基板に実装するトランジスタの構造である。
同図で、６′ａ，６′ｂは第１図において接地すべ
き電極６ａ，６ｂをパツケージ８の近傍で、第５
図に示した接地用貫通穴に入るように折り曲げた
ものである。第７図は、第５図に示したMIC基
板に第６図に示したトランジスタを実装した
MIC化マイクロ波増幅器の要部であり、同図ａ
は斜視図、同図ｂはＤ―D′断面図である。１７
ａ，１７ｂはトランジスタの接地端子と接地導体
のはんだ付け部分、１８ａ，１８ｂはそれぞれト
ランジスタの入出力端子とマイクロストリツプ線
路とのはんだ付け部分である。
ながら説明する。第４図〜第７図は本発明の一実
施例におけるマイクロ波回路装置を示すものであ
る。第４図は誘電体基板の構造を示しており、同
図ａは斜視図、同図ｂはＡ―A′断面図である。
１３は誘電体基板、１４ａ，１４ｂはトランジス
タの接地端子挿入のための断面が方形の貫通穴で
ある。第５図は第４図に示した貫通穴付き誘電体
基板上にマイクロストリツプ線路と接地導体を形
成した要部斜視図である。１５は裏面接地導体、
１６ａ，１６ｂは貫通穴を通じて表面に形成した
接地導体部分である。第６図は、第５図に示した
MIC基板に実装するトランジスタの構造である。
同図で、６′ａ，６′ｂは第１図において接地すべ
き電極６ａ，６ｂをパツケージ８の近傍で、第５
図に示した接地用貫通穴に入るように折り曲げた
ものである。第７図は、第５図に示したMIC基
板に第６図に示したトランジスタを実装した
MIC化マイクロ波増幅器の要部であり、同図ａ
は斜視図、同図ｂはＤ―D′断面図である。１７
ａ，１７ｂはトランジスタの接地端子と接地導体
のはんだ付け部分、１８ａ，１８ｂはそれぞれト
ランジスタの入出力端子とマイクロストリツプ線
路とのはんだ付け部分である。
以上のように構成された本実施例のマイクロ波
回路装置においては、第５図に示した裏面の接地
導体１５が表面の接地導体１６ａ、および１６ｂ
に電気的に接続されており、この位置でトランジ
スタの接地端子を接地することにより、トランジ
スタの接地端子に入る等価的なインダクタンス成
分を除去し、トランジスタを安定に動作させるこ
とができる。また、接地用貫通穴の大きさをトラ
ンジスタの電極の形状に合わせることによつて、
トランジスタの配置位置が明確になり、作り易く
なる。
回路装置においては、第５図に示した裏面の接地
導体１５が表面の接地導体１６ａ、および１６ｂ
に電気的に接続されており、この位置でトランジ
スタの接地端子を接地することにより、トランジ
スタの接地端子に入る等価的なインダクタンス成
分を除去し、トランジスタを安定に動作させるこ
とができる。また、接地用貫通穴の大きさをトラ
ンジスタの電極の形状に合わせることによつて、
トランジスタの配置位置が明確になり、作り易く
なる。
次に、本発明の他の実施例を図面を参照しなが
ら説明する。第８図および第９図は本発明の他の
実施例を示すマイクロ波回路装置の要部図面であ
る。第８図ａはその断面が円形の貫通穴１９ａお
よび１９ｂを設けた誘電体基板の斜視図で、同図
ｂはＥ―E′断面図である。第９図ａは、第８図に
示した誘電体基板１８に裏面接地導体２０、マイ
クロストリツプ線路２１ａ，２１ｂおよび貫通穴
１９ａ，１９ｂの周囲と内側に接地導体２２ａ，
２２ｂを設け、トランジスタ８を実装したMIC
化マイクロ波回路の要部斜視図、同図ｂはＦ―
F′断面図である。なお、２３ａおよび２３ｂは、
はんだ付け部分である。さて、以上のように構成
したマイクロ波回路装置は先に説明した実施例と
同様にトランジスタの接地端子をトランジスタパ
ツケージ、即ちトランジスタ素子の近傍で接地す
ることができるためトランジスタの動作が安定に
なることは明らかである。なお、上の実施例にお
いては誘電体基板の貫通穴の断面の形状を円形に
したものであるが、これはこの形に限定されるこ
とはなく要はこれと同様な機能を果たせば良い。
ら説明する。第８図および第９図は本発明の他の
実施例を示すマイクロ波回路装置の要部図面であ
る。第８図ａはその断面が円形の貫通穴１９ａお
よび１９ｂを設けた誘電体基板の斜視図で、同図
ｂはＥ―E′断面図である。第９図ａは、第８図に
示した誘電体基板１８に裏面接地導体２０、マイ
クロストリツプ線路２１ａ，２１ｂおよび貫通穴
１９ａ，１９ｂの周囲と内側に接地導体２２ａ，
２２ｂを設け、トランジスタ８を実装したMIC
化マイクロ波回路の要部斜視図、同図ｂはＦ―
F′断面図である。なお、２３ａおよび２３ｂは、
はんだ付け部分である。さて、以上のように構成
したマイクロ波回路装置は先に説明した実施例と
同様にトランジスタの接地端子をトランジスタパ
ツケージ、即ちトランジスタ素子の近傍で接地す
ることができるためトランジスタの動作が安定に
なることは明らかである。なお、上の実施例にお
いては誘電体基板の貫通穴の断面の形状を円形に
したものであるが、これはこの形に限定されるこ
とはなく要はこれと同様な機能を果たせば良い。
発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明はトラ
ンジスタの２つの端子を接地させるための２つの
貫通穴を設けた誘電体基板上に、前記貫通穴を結
ぶ直線と直交するようにその両側にマイクロスト
リツプ線路を設け、前記貫通穴の周囲には導体を
形成し、前記誘電体基板の残りの一方の面には接
地導体を形成し、前記貫通穴の内側には導体を形
成して前記貫通穴の周囲導体と内側導体に前記一
方の面の接地導体を接続した構成の接地導体を有
し、前記トランジスタは前記２つの貫通穴の中央
に設けられ、その入出力端子はそれぞれ前記２つ
のマイクロストリツプ線路に接続し、かつ前記ト
ランジスタの接地端子は前記貫通穴に挿入するよ
うに折り曲げて前記接地導体に接続した構造で
MIC化トランジスタ増幅器を構成しているので、
特別な金属導体を用いずにトランジスタを確実に
接地することができるとともに、その実装構造も
接地導体を基板上に形成することにより簡単化さ
れ、かつトランジスタの接地端子を折り曲げて接
地用貫通穴に挿入することによりトランジスタを
配置する位置決めがし易いことから量産性能に優
れたマイクロ波回路装置を得ることができる。
ンジスタの２つの端子を接地させるための２つの
貫通穴を設けた誘電体基板上に、前記貫通穴を結
ぶ直線と直交するようにその両側にマイクロスト
リツプ線路を設け、前記貫通穴の周囲には導体を
形成し、前記誘電体基板の残りの一方の面には接
地導体を形成し、前記貫通穴の内側には導体を形
成して前記貫通穴の周囲導体と内側導体に前記一
方の面の接地導体を接続した構成の接地導体を有
し、前記トランジスタは前記２つの貫通穴の中央
に設けられ、その入出力端子はそれぞれ前記２つ
のマイクロストリツプ線路に接続し、かつ前記ト
ランジスタの接地端子は前記貫通穴に挿入するよ
うに折り曲げて前記接地導体に接続した構造で
MIC化トランジスタ増幅器を構成しているので、
特別な金属導体を用いずにトランジスタを確実に
接地することができるとともに、その実装構造も
接地導体を基板上に形成することにより簡単化さ
れ、かつトランジスタの接地端子を折り曲げて接
地用貫通穴に挿入することによりトランジスタを
配置する位置決めがし易いことから量産性能に優
れたマイクロ波回路装置を得ることができる。
第１図はトランジスタを用いたマイクロ波帯の
増幅器の一般的な回路構成図、第２図ａ，ｂはマ
イクロ波帯の一般的なハーメチツクシール構造を
したトランジスタの斜視図および裏面図、第３図
ａは従来のMIC化トランジスタ増幅器に用いる
接地導体の要部斜視図、同図ｂはMIC化トラン
ジスタ増幅器の要部斜視図、第４図ａは本発明の
一実施例に用いる誘電体基板の斜視図、同図ｂは
そのＡ―A′断面図、第５図ａは第４図に示した
誘電体基板にマイクロストリツプ線路と接地導体
とを設けたMIC基板の要部斜視図、同図ｂはそ
のＢ―B′断面図、第６図ａは本発明の一実施例
に用いるトランジスタの接地すべき電極を直角に
折り曲げた構造を示す斜視図、同図ｂはそのＣ―
C′断面図、第７図ａは本発明の一実施例のマイク
ロ波回路装置の要部斜視図、同図ｂはそのＤ―
D′断面図、第８図ａは本発明の他の実施例の誘
電体基板の斜視図、同図ｂはそのＥ―E′断面図、
第９図ａは本発明の他の実施例のマイクロ波回路
装置の要部斜視図、同図ｂはそのＦ―F′断面図で
ある。 ５…ベース端子、６′ａ，６′ｂ…エミツタ端
子、７…コレクタ端子、８…トランジスタパツケ
ージ、１１ａ，１１ｂ…マイクロストリツプ線
路、１３…誘電体基板、１４ａ，１４ｂ…貫通
穴、１５…裏面接地導体、１６ａ，１６ｂ…貫通
穴周囲と内側導体。
増幅器の一般的な回路構成図、第２図ａ，ｂはマ
イクロ波帯の一般的なハーメチツクシール構造を
したトランジスタの斜視図および裏面図、第３図
ａは従来のMIC化トランジスタ増幅器に用いる
接地導体の要部斜視図、同図ｂはMIC化トラン
ジスタ増幅器の要部斜視図、第４図ａは本発明の
一実施例に用いる誘電体基板の斜視図、同図ｂは
そのＡ―A′断面図、第５図ａは第４図に示した
誘電体基板にマイクロストリツプ線路と接地導体
とを設けたMIC基板の要部斜視図、同図ｂはそ
のＢ―B′断面図、第６図ａは本発明の一実施例
に用いるトランジスタの接地すべき電極を直角に
折り曲げた構造を示す斜視図、同図ｂはそのＣ―
C′断面図、第７図ａは本発明の一実施例のマイク
ロ波回路装置の要部斜視図、同図ｂはそのＤ―
D′断面図、第８図ａは本発明の他の実施例の誘
電体基板の斜視図、同図ｂはそのＥ―E′断面図、
第９図ａは本発明の他の実施例のマイクロ波回路
装置の要部斜視図、同図ｂはそのＦ―F′断面図で
ある。 ５…ベース端子、６′ａ，６′ｂ…エミツタ端
子、７…コレクタ端子、８…トランジスタパツケ
ージ、１１ａ，１１ｂ…マイクロストリツプ線
路、１３…誘電体基板、１４ａ，１４ｂ…貫通
穴、１５…裏面接地導体、１６ａ，１６ｂ…貫通
穴周囲と内側導体。
Claims (1)
- １ トランジスタの２つの端子を接地させるため
の２つの貫通穴を設けた誘電体基板上に、前記貫
通穴を結ぶ直線と直交するようにその両側にマイ
クロストリツプ線路が設けられ、前記貫通穴の周
囲には導体を形成し、前記誘電体基板の残りの一
方の面には接地導体を形成し、前記貫通穴の内側
には導体を形成して前記貫通穴の周囲導体と内側
導体とに前記一方の面の接地導体を接続した構成
の接地導体を有し、前記トランジスタは前記２つ
の貫通穴の中央部に設けられ、その入出力端子は
それぞれ前記２つのマイクロストリツプ線路に接
続され、かつ前記トランジスタの接地すべき端子
は前記貫通穴に入るように折り曲げて前記接地導
体に接続した構造で、前記トランジスタの設置位
置が前記接地用貫通穴によつて規定されるととも
に、前記トランジスタの接地を前記トランジスタ
素子のごく近傍で行なうことを特徴とするマイク
ロ波回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58044906A JPS59171206A (ja) | 1983-03-17 | 1983-03-17 | マイクロ波回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58044906A JPS59171206A (ja) | 1983-03-17 | 1983-03-17 | マイクロ波回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59171206A JPS59171206A (ja) | 1984-09-27 |
| JPH0122770B2 true JPH0122770B2 (ja) | 1989-04-27 |
Family
ID=12704507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58044906A Granted JPS59171206A (ja) | 1983-03-17 | 1983-03-17 | マイクロ波回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59171206A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62216409A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-24 | Aisin Seiki Co Ltd | アンテナ装置 |
| JP2661570B2 (ja) * | 1994-12-14 | 1997-10-08 | 日本電気株式会社 | 高周波装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5046482U (ja) * | 1973-08-21 | 1975-05-09 | ||
| JPS5364549U (ja) * | 1976-11-02 | 1978-05-31 | ||
| JPS5811746A (ja) * | 1981-07-15 | 1983-01-22 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 焼結用原料の混合・造粒方法及び装置 |
-
1983
- 1983-03-17 JP JP58044906A patent/JPS59171206A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59171206A (ja) | 1984-09-27 |
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