JPH0720919Y2 - マイクロ波集積回路用パツケ−ジ - Google Patents
マイクロ波集積回路用パツケ−ジInfo
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- JPH0720919Y2 JPH0720919Y2 JP1987006953U JP695387U JPH0720919Y2 JP H0720919 Y2 JPH0720919 Y2 JP H0720919Y2 JP 1987006953 U JP1987006953 U JP 1987006953U JP 695387 U JP695387 U JP 695387U JP H0720919 Y2 JPH0720919 Y2 JP H0720919Y2
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Description
【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案は、マイクロ波集積回路用パッケージに関し、さ
らに詳しくは、衛星搭載用等に好適な超高周波特性なら
びに超気密性を必要とするマイクロ波増幅器などを収納
したマイクロ波集積回路用パッケージに関する。
らに詳しくは、衛星搭載用等に好適な超高周波特性なら
びに超気密性を必要とするマイクロ波増幅器などを収納
したマイクロ波集積回路用パッケージに関する。
［従来の技術］ 従来、マイクロ波集積回路を構成している増幅器等の収
納パッケージとしては、例えば実開昭59-3548号公報に
開示されている第3A図に示すようなものが知られてい
る。ここで、１は図示されていないケース等にねじ等で
取付可能な金属基体であり、２は金属基体１上に設けら
れた金属製あるいはセラミック製の枠体である。なお、
枠体２は電磁シールド効果が得られる点や不要な共振現
象の抑制ができる点で金属製の方が多用されている。
納パッケージとしては、例えば実開昭59-3548号公報に
開示されている第3A図に示すようなものが知られてい
る。ここで、１は図示されていないケース等にねじ等で
取付可能な金属基体であり、２は金属基体１上に設けら
れた金属製あるいはセラミック製の枠体である。なお、
枠体２は電磁シールド効果が得られる点や不要な共振現
象の抑制ができる点で金属製の方が多用されている。
３はマイクロ波集積回路増幅器であり、枠体２内の金属
基体１上に取付けられていて、一方、枠体２の方向を同
じくする平行壁にはセラミック端子として構成された高
周波入出力端子４やバイアス電圧供給用端子５が複数
個、図示のように配列されている。すなわち、4Aは高周
波入力用マイクロストリップ基板、4Bは高周波出力用マ
イクロストリップ基板、また5Aはバイアス電圧供給用の
マイクロストリップ基板であり、６はこれらのストリッ
プ基板上に配設されたマイクロストリップによる表面導
体または線路導体、更に７はこれらのストリップ基板上
に重ねるようにして枠壁2Aに埋設されたセラミックス等
による絶縁体である。
基体１上に取付けられていて、一方、枠体２の方向を同
じくする平行壁にはセラミック端子として構成された高
周波入出力端子４やバイアス電圧供給用端子５が複数
個、図示のように配列されている。すなわち、4Aは高周
波入力用マイクロストリップ基板、4Bは高周波出力用マ
イクロストリップ基板、また5Aはバイアス電圧供給用の
マイクロストリップ基板であり、６はこれらのストリッ
プ基板上に配設されたマイクロストリップによる表面導
体または線路導体、更に７はこれらのストリップ基板上
に重ねるようにして枠壁2Aに埋設されたセラミックス等
による絶縁体である。
かくして、マイクロ波集積回路増幅器３と、導体６とは
ボンディングワイヤ8Aや金リボン8Bによって電気的に接
続される。９は枠体２の上面に覆蓋される蓋部材、10は
金属基体１を不図示のケースに固定するためのねじ用の
孔である。
ボンディングワイヤ8Aや金リボン8Bによって電気的に接
続される。９は枠体２の上面に覆蓋される蓋部材、10は
金属基体１を不図示のケースに固定するためのねじ用の
孔である。
しかしながらこのような従来のマイクロ波集積回路用パ
ッケージにおいては、バイアス電圧供給用端子５および
高周波入出力端子４のいずれもがそのマイクロストリッ
プ基板上に絶縁体７を配設した構造をなし、また、マイ
クロストリップ基板上から導体６の電極を確保するため
の絶縁体７の方がマイクロストリップ基板（4A,4B,5A）
より短く形成され、かつ高周波入出力端子４とバイアス
電圧供給用端子５とが同一方向の枠壁2Aに並列に配置さ
れていた。
ッケージにおいては、バイアス電圧供給用端子５および
高周波入出力端子４のいずれもがそのマイクロストリッ
プ基板上に絶縁体７を配設した構造をなし、また、マイ
クロストリップ基板上から導体６の電極を確保するため
の絶縁体７の方がマイクロストリップ基板（4A,4B,5A）
より短く形成され、かつ高周波入出力端子４とバイアス
電圧供給用端子５とが同一方向の枠壁2Aに並列に配置さ
れていた。
ところで、マイクロ波の超高周波化を図るためには、高
周波の特性として、その入出力方向とは直角な方向の密
封枠内幅が狭ければ狭いほど高周波化が図られるが、第
3A図からも明らかなように、同方向の枠壁2Aに配列され
た複数の高周波入出力端子４とバイアス電圧供給用端子
５とを互いに近接させるようにしてその間の間隔を縮め
るようにすると、枠壁2A自体の構造が機械的に弱くなる
のみならず、電気的特性も劣化する。
周波の特性として、その入出力方向とは直角な方向の密
封枠内幅が狭ければ狭いほど高周波化が図られるが、第
3A図からも明らかなように、同方向の枠壁2Aに配列され
た複数の高周波入出力端子４とバイアス電圧供給用端子
５とを互いに近接させるようにしてその間の間隔を縮め
るようにすると、枠壁2A自体の構造が機械的に弱くなる
のみならず、電気的特性も劣化する。
また、高周波入出力端子４とバイアス電圧供給用端子５
とを枠体２の同一枠壁に配置しているので、バイアス電
圧供給用端子５における線路導体６と金属基体１との間
に十分な絶縁性が保たれるように配慮する必要がある上
に、バイアス電圧供給用端子５や高周波入出力端子４の
線路導体６とマイクロ波集積回路増幅器３の回路端子と
の間にボンディングワイヤ8Aや金リボン8Bによる接続配
線を実施するときに短絡を防止しなければならず、これ
らの理由によってもまた、端子間の間隔は余り狭くする
訳にはゆかず、そのためにこれらの端子４および５が配
設される枠壁長さが長くなり、高周波化の障害となって
いた。
とを枠体２の同一枠壁に配置しているので、バイアス電
圧供給用端子５における線路導体６と金属基体１との間
に十分な絶縁性が保たれるように配慮する必要がある上
に、バイアス電圧供給用端子５や高周波入出力端子４の
線路導体６とマイクロ波集積回路増幅器３の回路端子と
の間にボンディングワイヤ8Aや金リボン8Bによる接続配
線を実施するときに短絡を防止しなければならず、これ
らの理由によってもまた、端子間の間隔は余り狭くする
訳にはゆかず、そのためにこれらの端子４および５が配
設される枠壁長さが長くなり、高周波化の障害となって
いた。
更にまた、上述の端子４や５においては、第3C図に示す
ようにセラミック製のマイクロストリップ基板4A,4Bお
よび5Aとその上に設けられる絶縁体７とを一体化してい
るが、線路導体６が電極パターンとしてその一面に形成
される基板4A,4Bおよび5Aと、同じくセラミックで形成
されてよい絶縁体７との形状が異なるために、製造工程
においてわざわざ２種類の形状のグリーンシートを切出
さねばならず、製造工程がそれだけ増えることによって
コスト低減上好ましくない。
ようにセラミック製のマイクロストリップ基板4A,4Bお
よび5Aとその上に設けられる絶縁体７とを一体化してい
るが、線路導体６が電極パターンとしてその一面に形成
される基板4A,4Bおよび5Aと、同じくセラミックで形成
されてよい絶縁体７との形状が異なるために、製造工程
においてわざわざ２種類の形状のグリーンシートを切出
さねばならず、製造工程がそれだけ増えることによって
コスト低減上好ましくない。
特に、従来例の最大の欠点は、セラミック基板4A,4Bお
よび5Aや同じくセラミックスの絶縁体７と金属基体１や
金属枠２との間の気密性が悪いという点にある。すなわ
ち、かかるマイクロ波集積回路用パッケージにおいて、
その実装後、不活性ガス等を枠内に封入していかなる環
境下、例えば衛星搭載用の場合のように宇宙環境下にお
いても安定した性能が保持されるようにしており、ため
には、その気密性が極めて重要である。しかるに従来、
上述したようなセラミックスと金属との接合部は例えば
接着剤等を用いて処理されるので、なじみが悪く十分な
気密性が得られないという点があった。
よび5Aや同じくセラミックスの絶縁体７と金属基体１や
金属枠２との間の気密性が悪いという点にある。すなわ
ち、かかるマイクロ波集積回路用パッケージにおいて、
その実装後、不活性ガス等を枠内に封入していかなる環
境下、例えば衛星搭載用の場合のように宇宙環境下にお
いても安定した性能が保持されるようにしており、ため
には、その気密性が極めて重要である。しかるに従来、
上述したようなセラミックスと金属との接合部は例えば
接着剤等を用いて処理されるので、なじみが悪く十分な
気密性が得られないという点があった。
［考案が解決しようとする問題点］ すなわち、以上に述べたように、従来のマイクロ波集積
回路用パッケージにおいては、種々な問題点があり、特
にそのうちでも、バイアス電圧供給用端子はパッケージ
内の高密度化と共にその配設数も多くなる傾向があるの
で、簡単な製造工程でコンパクトな形態を有し、しかも
気密が保たれ易いバイアス電圧供給用端子を具え、高周
波化が図れるように小型化されたパッケージが望まれ
る。
回路用パッケージにおいては、種々な問題点があり、特
にそのうちでも、バイアス電圧供給用端子はパッケージ
内の高密度化と共にその配設数も多くなる傾向があるの
で、簡単な製造工程でコンパクトな形態を有し、しかも
気密が保たれ易いバイアス電圧供給用端子を具え、高周
波化が図れるように小型化されたパッケージが望まれ
る。
本考案の目的は、上述従来の問題点に着目し、その解決
を図るべくバイアス電圧供給用端子を、金属枠や金属基
体との間の気密性において優れ、かつ簡単な製造工程で
得られるような部材を用いたものとなし、更にこのよう
なバイアス電圧供給用端子を適切に高周波入出力端子と
は分離して枠壁に配設することによりパッケージを小型
化し、高周波化を図ることのできるマイクロ波集積回路
用パッケージを提供することにある。
を図るべくバイアス電圧供給用端子を、金属枠や金属基
体との間の気密性において優れ、かつ簡単な製造工程で
得られるような部材を用いたものとなし、更にこのよう
なバイアス電圧供給用端子を適切に高周波入出力端子と
は分離して枠壁に配設することによりパッケージを小型
化し、高周波化を図ることのできるマイクロ波集積回路
用パッケージを提供することにある。
［問題点を解決するための手段］ かかる目的を達成するために、本考案は、マイクロ波集
積回路を取り付けた基体と、該基体上に前記マイクロ波
集積回路を取り囲んで設けられた方形の枠体とを有する
マイクロ波集積回路用パッケージにおいて、各部の寸法
が同一である方形形状の第１および第２セラミック部材
を上下に積層し、該第１および第２セラミック部材の層
間に少なくとも１条の線路導体を介装し、該線路導体
を、前記第１セラミック部材に沿ってその上面にまで曲
折延在させて両端部を露出させ、前記第１および第２セ
ラミック部材による積層体の外周部に沿って前記線路導
体の配線方向と交差する方向に、金属帯を、前記線路導
体の両端部との間に所定の間隔を保つようにして周設し
た前記マイクロ波集積回路の複数のバイアス電圧供給用
端子部材を有し、該端子部材をその上面が前記枠体下面
と接するようにして前記基体に埋設し、前記金属帯を介
して前記端子部材の外周部を前記基体および前記枠体に
接合させるようにしたことを特徴とするものである。
積回路を取り付けた基体と、該基体上に前記マイクロ波
集積回路を取り囲んで設けられた方形の枠体とを有する
マイクロ波集積回路用パッケージにおいて、各部の寸法
が同一である方形形状の第１および第２セラミック部材
を上下に積層し、該第１および第２セラミック部材の層
間に少なくとも１条の線路導体を介装し、該線路導体
を、前記第１セラミック部材に沿ってその上面にまで曲
折延在させて両端部を露出させ、前記第１および第２セ
ラミック部材による積層体の外周部に沿って前記線路導
体の配線方向と交差する方向に、金属帯を、前記線路導
体の両端部との間に所定の間隔を保つようにして周設し
た前記マイクロ波集積回路の複数のバイアス電圧供給用
端子部材を有し、該端子部材をその上面が前記枠体下面
と接するようにして前記基体に埋設し、前記金属帯を介
して前記端子部材の外周部を前記基体および前記枠体に
接合させるようにしたことを特徴とするものである。
［作用］ 本考案マイクロ波集積回路用パッケージによれば、バイ
アス電圧供給用端子を構成するセラミック端子部材の金
属基体および金属枠と接合させる部分に金属帯を囲繞す
るようになしたことによって、金属同士のなじみが得ら
れて気密性を高めることができ、また、前記端子部材を
金属基体に埋設可能なことから基体上部に接合される枠
体に絶縁体埋込みのための溝加工を要せず、それだけ、
枠体の気密・封止にかかわる個所を減らし、気密性の向
上に貢献する。更にまた、導体を保持する上下のセラミ
ック板の形状を同一形状とすることができるので、その
製造工程の簡略化に貢献し、更にまたほぼＣ字型形状に
形成した導体によって端子部材の上面に水平に端子が形
成されるので完全に金属枠や基体および金属帯とは絶縁
された状態でボンディング等により電気的接続が得ら
れ、特にこのように構成したバイアス電圧供給端子を高
周波入出力端子が配設される枠壁と直交する枠壁に配列
させることによって、高周波化を図るのに好適なマイク
ロ波集積回路用パッケージの提供が可能である。
アス電圧供給用端子を構成するセラミック端子部材の金
属基体および金属枠と接合させる部分に金属帯を囲繞す
るようになしたことによって、金属同士のなじみが得ら
れて気密性を高めることができ、また、前記端子部材を
金属基体に埋設可能なことから基体上部に接合される枠
体に絶縁体埋込みのための溝加工を要せず、それだけ、
枠体の気密・封止にかかわる個所を減らし、気密性の向
上に貢献する。更にまた、導体を保持する上下のセラミ
ック板の形状を同一形状とすることができるので、その
製造工程の簡略化に貢献し、更にまたほぼＣ字型形状に
形成した導体によって端子部材の上面に水平に端子が形
成されるので完全に金属枠や基体および金属帯とは絶縁
された状態でボンディング等により電気的接続が得ら
れ、特にこのように構成したバイアス電圧供給端子を高
周波入出力端子が配設される枠壁と直交する枠壁に配列
させることによって、高周波化を図るのに好適なマイク
ロ波集積回路用パッケージの提供が可能である。
［実施例］ 以下に、図面を参照して本考案の実施例を具体的に説明
する。
する。
第1A図〜第1D図は本考案にかかるバイアス電圧供給用端
子の構成の一例を示す。ここで、15はバイアス電圧供給
用端子であり、端子15は上下に積層されたセラミック製
の第１絶縁基板15Aと第２絶縁基板15B（いずれもセラミ
ック部材という）とを有し、その双方は同じ寸法の方形
形状をなす。16はこれら第１セラミック部材15Aと第２
セラミック部材15Bとの間に介装された一条ないし複数
条のの線路導体であり、本例では一条の例を示すが、線
路導体16は上部側の第１セラミック部材15Aに沿って折
曲げられたＣ字型の形状とし、その両端部が第１セラミ
ック部材15Aの上面に導かれている。
子の構成の一例を示す。ここで、15はバイアス電圧供給
用端子であり、端子15は上下に積層されたセラミック製
の第１絶縁基板15Aと第２絶縁基板15B（いずれもセラミ
ック部材という）とを有し、その双方は同じ寸法の方形
形状をなす。16はこれら第１セラミック部材15Aと第２
セラミック部材15Bとの間に介装された一条ないし複数
条のの線路導体であり、本例では一条の例を示すが、線
路導体16は上部側の第１セラミック部材15Aに沿って折
曲げられたＣ字型の形状とし、その両端部が第１セラミ
ック部材15Aの上面に導かれている。
17は上述の状態で第１セラミック部材15Aと第２セラミ
ック部材15Bとを重ね合せた上から線路導体16の配設方
向とは直交する方向に周設された金属帯であり、この金
属帯17によって後述するように金属基板21および金属枠
22とこの端子15との間の接着用メタライズ層が構成され
るものである。従って、金属帯17の帯幅はほぼ枠壁の厚
さあればよく、また、金属帯17と線路導体16の両側端部
との間には所定の間隔が保たれるようにする。
ック部材15Bとを重ね合せた上から線路導体16の配設方
向とは直交する方向に周設された金属帯であり、この金
属帯17によって後述するように金属基板21および金属枠
22とこの端子15との間の接着用メタライズ層が構成され
るものである。従って、金属帯17の帯幅はほぼ枠壁の厚
さあればよく、また、金属帯17と線路導体16の両側端部
との間には所定の間隔が保たれるようにする。
第2A図および第2B図は複数の上述したようなバイアス電
圧供給用端子15を高周波入出力用端子４が設けられる枠
壁22Aとは直角な方向の枠壁22B側に配設した例を示し、
本例では金属基体21に一段高めた段差部21Aを設けその
段差部21Aに端子15を埋設した上に金属枠体22が取付け
られている。
圧供給用端子15を高周波入出力用端子４が設けられる枠
壁22Aとは直角な方向の枠壁22B側に配設した例を示し、
本例では金属基体21に一段高めた段差部21Aを設けその
段差部21Aに端子15を埋設した上に金属枠体22が取付け
られている。
そこで、このように構成したマイクロ波集積回路用パッ
ケージにおいては、そのバイアス電圧供給用端子15を構
成するセラミック部材15Aおよび15Bの周囲部に金属帯17
を周設し、この金属帯17を介して金属基体21および金属
枠体22と接合されるようにしてあるので、金属同士のな
じみが良好なことにより接着性が良く、従って、気密効
果を高めることができると共に、端子15の周囲が金属帯
17,金属基体21および金属枠体22によって完全に囲繞さ
れた形態となるため電磁シールド効果をも向上させるこ
とができる。また、第2A図および第2B図に示すように構
成することによって、高周波入出力端子４が設けられる
枠壁22Aの長手方向の幅を狭めることが可能となり、そ
れだけ高周波化を図ることができると共に、パッケーシ
自体を強固かつ気密性の高いものとすることができる。
ケージにおいては、そのバイアス電圧供給用端子15を構
成するセラミック部材15Aおよび15Bの周囲部に金属帯17
を周設し、この金属帯17を介して金属基体21および金属
枠体22と接合されるようにしてあるので、金属同士のな
じみが良好なことにより接着性が良く、従って、気密効
果を高めることができると共に、端子15の周囲が金属帯
17,金属基体21および金属枠体22によって完全に囲繞さ
れた形態となるため電磁シールド効果をも向上させるこ
とができる。また、第2A図および第2B図に示すように構
成することによって、高周波入出力端子４が設けられる
枠壁22Aの長手方向の幅を狭めることが可能となり、そ
れだけ高周波化を図ることができると共に、パッケーシ
自体を強固かつ気密性の高いものとすることができる。
［考案の効果］ 以上説明してきたように、本考案によれば、マイクロ波
集積回路を取り付けた基体と、該基体上に前記マイクロ
波集積回路を取り囲んで設けられた方形の枠体とを有す
るマイクロ波集積回路用パッケージにおいて、各部の寸
法が同一である方形形状の第１および第２セラミック部
材を上下に積層し、該第１および第２セラミック部材の
層間に少なくとも１条の線路導体を介装し、該線路導体
を、前記第１セラミック部材に沿ってその上面にまで曲
折延在させて両端部を露出させ、前記第１および第２セ
ラミック部材による積層体の外周部に沿って前記線路導
体の配線方向と交差する方向に、金属帯を、前記線路導
体の両端部との間に所定の間隔を保つようにして周設し
た前記マイクロ波集積回路の複数のバイアス電圧供給用
端子部材を有し、該端子部材をその上面が前記枠体下面
と接するようにして前記基体に埋設し、前記金属帯を介
して前記端子部材の外周部を前記基体および前記枠体に
接合させるようにしたので、前記線路導体の第１セラミ
ック部材に沿って、その上面にまで曲折延在された両端
部をそれぞれ接続配線を介して電源側およびマイクロ波
集積回路側に電気的に接続することができ、金属基体お
よび枠体とバイアス電圧供給用端子との間の気密性を向
上させることができるのみならず、電磁的シールド効果
が高められ、また構造的にも強固なものとすることがで
き、また上下のセラミック部材を同形のものとすること
によって製造工程を簡略化することができ、更にまた、
高周波入出力端子および上記のようなバイアス電圧供給
用端子を互いに直交する平行壁にそれぞれ配設すること
によってパッケージの高周波入出力端子が配設される枠
壁の幅を短縮させ適用周波数の高周波化を図ることがで
きる。
集積回路を取り付けた基体と、該基体上に前記マイクロ
波集積回路を取り囲んで設けられた方形の枠体とを有す
るマイクロ波集積回路用パッケージにおいて、各部の寸
法が同一である方形形状の第１および第２セラミック部
材を上下に積層し、該第１および第２セラミック部材の
層間に少なくとも１条の線路導体を介装し、該線路導体
を、前記第１セラミック部材に沿ってその上面にまで曲
折延在させて両端部を露出させ、前記第１および第２セ
ラミック部材による積層体の外周部に沿って前記線路導
体の配線方向と交差する方向に、金属帯を、前記線路導
体の両端部との間に所定の間隔を保つようにして周設し
た前記マイクロ波集積回路の複数のバイアス電圧供給用
端子部材を有し、該端子部材をその上面が前記枠体下面
と接するようにして前記基体に埋設し、前記金属帯を介
して前記端子部材の外周部を前記基体および前記枠体に
接合させるようにしたので、前記線路導体の第１セラミ
ック部材に沿って、その上面にまで曲折延在された両端
部をそれぞれ接続配線を介して電源側およびマイクロ波
集積回路側に電気的に接続することができ、金属基体お
よび枠体とバイアス電圧供給用端子との間の気密性を向
上させることができるのみならず、電磁的シールド効果
が高められ、また構造的にも強固なものとすることがで
き、また上下のセラミック部材を同形のものとすること
によって製造工程を簡略化することができ、更にまた、
高周波入出力端子および上記のようなバイアス電圧供給
用端子を互いに直交する平行壁にそれぞれ配設すること
によってパッケージの高周波入出力端子が配設される枠
壁の幅を短縮させ適用周波数の高周波化を図ることがで
きる。
第1A図は本考案にかかるバイアス電圧供給用端子の構成
の一例を示す斜視図、 第1B図，第1C図および第1D図は、それぞれ、第1A図のＡ
方向からの上面図,B方向からの側面図およびＣ方向から
の側面図、 第2A図は本考案マイクロ波集積回路用パッケージの構成
の一例を示す斜視図、 第2B図は第2A図のＹ−Ｙ′線断面図、 第3A図および第3B図は従来のマイクロ波集積回路用パッ
ケージの構成の二例を示すそれぞれ斜視図、 第3C図は第3A図に示したパッケージにおける高周波入出
力端子およびバイアス電圧供給用端子の構成を示す斜視
図である。 1,21……金属基体、2,22……金属枠体、2A,21A,21B……
枠壁、３……マイクロ波集積回路増幅器、４……高周波
入出力端子、5,15……バイアス電圧供給用端子、6,16…
…線路導体、７……絶縁体、8A……ボンディングワイ
ヤ、8B……金リボン、９……蓋部材、15A,15B……絶縁
基板（セラミック部材）、17……金属帯。
の一例を示す斜視図、 第1B図，第1C図および第1D図は、それぞれ、第1A図のＡ
方向からの上面図,B方向からの側面図およびＣ方向から
の側面図、 第2A図は本考案マイクロ波集積回路用パッケージの構成
の一例を示す斜視図、 第2B図は第2A図のＹ−Ｙ′線断面図、 第3A図および第3B図は従来のマイクロ波集積回路用パッ
ケージの構成の二例を示すそれぞれ斜視図、 第3C図は第3A図に示したパッケージにおける高周波入出
力端子およびバイアス電圧供給用端子の構成を示す斜視
図である。 1,21……金属基体、2,22……金属枠体、2A,21A,21B……
枠壁、３……マイクロ波集積回路増幅器、４……高周波
入出力端子、5,15……バイアス電圧供給用端子、6,16…
…線路導体、７……絶縁体、8A……ボンディングワイ
ヤ、8B……金リボン、９……蓋部材、15A,15B……絶縁
基板（セラミック部材）、17……金属帯。
Claims (2)
- 【請求項１】マイクロ波集積回路を取り付けた基体と、
該基体上に前記マイクロ波集積回路を取り囲んで設けら
れた方形の枠体とを有するマイクロ波集積回路用パッケ
ージにおいて、 各部の寸法が同一である方形形状の第１および第２セラ
ミック部材を上下に積層し、該第１および第２セラミッ
ク部材の層間に少なくとも１条の線路導体を介装し、該
線路導体を、前記第１セラミック部材に沿ってその上面
にまで曲折延在させて両端部を露出させ、前記第１およ
び第２セラミック部材による積層体の外周部に沿って前
記線路導体の配線方向と交差する方向に、金属帯を、前
記線路導体の両端部との間に所定の間隔を保つようにし
て周設した前記マイクロ波集積回路の複数のバイアス電
圧供給用端子部材を有し、該端子部材をその上面が前記
枠体下面と接するようにして前記基体に埋設し、前記金
属帯を介して前記端子部材の外周部を前記基体および前
記枠体に接合させるようにしたことを特徴とするマイク
ロ波集積回路用パッケージ。 - 【請求項２】実用新案登録請求の範囲第１項記載のマイ
クロ波集積回路用パッケージにおいて、 前記複数のバイアス電圧供給用の端子部材は、高周波入
出力用の端子が配設される平行枠壁とは交差する方向の
枠壁に配設されることを特徴とするマイクロ波集積回路
用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987006953U JPH0720919Y2 (ja) | 1987-01-22 | 1987-01-22 | マイクロ波集積回路用パツケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987006953U JPH0720919Y2 (ja) | 1987-01-22 | 1987-01-22 | マイクロ波集積回路用パツケ−ジ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63115228U JPS63115228U (ja) | 1988-07-25 |
| JPH0720919Y2 true JPH0720919Y2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=30789953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987006953U Expired - Lifetime JPH0720919Y2 (ja) | 1987-01-22 | 1987-01-22 | マイクロ波集積回路用パツケ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0720919Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4817924B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2011-11-16 | 株式会社東芝 | 半導体パッケージ |
| JP5886637B2 (ja) * | 2012-01-24 | 2016-03-16 | 京セラ株式会社 | 冷却基板、素子収納用パッケージ、および実装構造体 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58190046A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-01-22 JP JP1987006953U patent/JPH0720919Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63115228U (ja) | 1988-07-25 |
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