JPH012298A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
- Publication number
- JPH012298A JPH012298A JP62-158097A JP15809787A JPH012298A JP H012298 A JPH012298 A JP H012298A JP 15809787 A JP15809787 A JP 15809787A JP H012298 A JPH012298 A JP H012298A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- alkaline earth
- emitting layer
- color purity
- matrix
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は表示デバイスなどに用いる薄膜ＥＬ素子に関す
る。
る。
アルカリ土類カルコゲナイドを母体とし、Ｃｏで付括さ
れた発光層を有する薄膜ＥＬ素子は比較的高輝度な青色
が得られることで注目されている。
れた発光層を有する薄膜ＥＬ素子は比較的高輝度な青色
が得られることで注目されている。
この薄膜ＥＬ素子は従来発光層としてスパッタ法や真空
蒸着法で形成されたＳｒＳや５ｒＳａなどアルカリ土類
カルコゲナイドのうち、その１種類を母体とし、Ｃｅで
付括された薄膜が用いられていた。
蒸着法で形成されたＳｒＳや５ｒＳａなどアルカリ土類
カルコゲナイドのうち、その１種類を母体とし、Ｃｅで
付括された薄膜が用いられていた。
ところで、ＳｒＳや５ｒＳｅを母体としＣｅで付括され
た発光層を有する薄１１ＥＬ素子は、ＺｎＳを母体とす
る発光層を有する薄膜ＥＬ素子では得ることのできてい
ない高輝度の青色発光を示すことで注目されている。し
かし、これらのＣｅで付括された２元化合物の示す青色
発光は、その発光スペクトルに長波長成分を含んでいる
ために色純度が不良であり、これは青緑ないし青白色と
見なされる。もっとも、色純度を上げるために長波長除
去フィルターを用いるなどの方法が行われているが、こ
の方法では著しく輝度が低下し、さらに積層型フルカラ
ーＥＬデイスプレィにおいては構造に大きな制限を受け
るという欠点がある。
た発光層を有する薄１１ＥＬ素子は、ＺｎＳを母体とす
る発光層を有する薄膜ＥＬ素子では得ることのできてい
ない高輝度の青色発光を示すことで注目されている。し
かし、これらのＣｅで付括された２元化合物の示す青色
発光は、その発光スペクトルに長波長成分を含んでいる
ために色純度が不良であり、これは青緑ないし青白色と
見なされる。もっとも、色純度を上げるために長波長除
去フィルターを用いるなどの方法が行われているが、こ
の方法では著しく輝度が低下し、さらに積層型フルカラ
ーＥＬデイスプレィにおいては構造に大きな制限を受け
るという欠点がある。
本発明の目的はフィルター等を用いることなしに高輝度
で色純度の良好なＣｅで付括されたアルカリ土類カルコ
ゲナイドからなる発光層を有する薄膜ＥＬ素子を提供す
ることにある。
で色純度の良好なＣｅで付括されたアルカリ土類カルコ
ゲナイドからなる発光層を有する薄膜ＥＬ素子を提供す
ることにある。
本発明はＣｅで付括されたアルカリ土類カルコゲナイド
からなる発光層を有する薄膜ＥＬ素子において、この発
光層の母体であるアルカリ土類カルコゲナイドがＳｒＳ
、 ５ｒＳｅ、 ＢａＳ及びＢａＳｅのうち少なくとも
２種以上を含む混晶からなることを特徴とする薄膜ＥＬ
素子である。
からなる発光層を有する薄膜ＥＬ素子において、この発
光層の母体であるアルカリ土類カルコゲナイドがＳｒＳ
、 ５ｒＳｅ、 ＢａＳ及びＢａＳｅのうち少なくとも
２種以上を含む混晶からなることを特徴とする薄膜ＥＬ
素子である。
発光遷移の始状態がＣｅの５ｄレベルであるＣｅで付括
されたアルカリ土類カルコゲナイドの発光スペクトルは
第３図に示すように、終状態４ｆレベルが分裂している
ことによる２つのピークをもち、このピーク波長は母体
の種類に依存している。母体が２種以上のアルカリ土類
カルコゲナイド混晶からなる場合も同様であり、特に母
体がアルカリ土類硫化物又はアルカリ土類セレン化物か
らなるときは、その格子定数が大きくなるとピーク波長
が短波長側にシフトし色純度が向上する。輝度、効率及
び色純度の素子特性から見て最適なる母体を選定するこ
とが望ましい。・（、ｅで付括されたＢａＳやＢａＳｅ
は色純度は向上するが効率が低下してしまう。
されたアルカリ土類カルコゲナイドの発光スペクトルは
第３図に示すように、終状態４ｆレベルが分裂している
ことによる２つのピークをもち、このピーク波長は母体
の種類に依存している。母体が２種以上のアルカリ土類
カルコゲナイド混晶からなる場合も同様であり、特に母
体がアルカリ土類硫化物又はアルカリ土類セレン化物か
らなるときは、その格子定数が大きくなるとピーク波長
が短波長側にシフトし色純度が向上する。輝度、効率及
び色純度の素子特性から見て最適なる母体を選定するこ
とが望ましい。・（、ｅで付括されたＢａＳやＢａＳｅ
は色純度は向上するが効率が低下してしまう。
しかし、混晶とすることにより効率及び色純度の良好な
青色発光薄膜ＥＬ素子を得ることが可能となる。
青色発光薄膜ＥＬ素子を得ることが可能となる。
以下第１図に示すＳｒ、−ｘＢａｌｓを母体とし、Ｃｅ
で付括された発光層をもつ薄膜ＥＬ素子を例にして本発
明の実施例を詳細に説明する。
で付括された発光層をもつ薄膜ＥＬ素子を例にして本発
明の実施例を詳細に説明する。
まず真空蒸着法又はスパッタ法によりガラス基板１上に
成膜された透明電極２及び厚さ３０００人のＴａ、Ｏ，
の第一絶縁体層３の上に、表１に示す組成をもつ５ｒ１
４ＢａｘＳ ： Ｃｅ（０，１ｍｏＲ％）からなる発光
層薄膜４を電子ビーム蒸着法で厚さ１００００人形成し
た。
成膜された透明電極２及び厚さ３０００人のＴａ、Ｏ，
の第一絶縁体層３の上に、表１に示す組成をもつ５ｒ１
４ＢａｘＳ ： Ｃｅ（０，１ｍｏＲ％）からなる発光
層薄膜４を電子ビーム蒸着法で厚さ１００００人形成し
た。
真空を破らずにＡＱ、Ｏ，からなる第二絶縁体層５を３
０００人形成し６００℃で２時間真空中で熱処理した。
０００人形成し６００℃で２時間真空中で熱処理した。
最後にＡＱ上部電極６を形成した。表１のＡはＸ＝Ｏす
なわち、ＳｒＳを用いた場合で、従来例に相当する。
なわち、ＳｒＳを用いた場合で、従来例に相当する。
（以下余白）
表 １
表１に示したＡ−Ｅの各素子の特性を比較したところ、
第２図に示すようにピーク波長は短波長側にシフトした
。また、効率は母体のＢａ濃度が高くなる、すなわち格
子定数が大きくなるにつれて低くなる傾向を示したが、
色純度はＳｒＳに比較して改善されている。
第２図に示すようにピーク波長は短波長側にシフトした
。また、効率は母体のＢａ濃度が高くなる、すなわち格
子定数が大きくなるにつれて低くなる傾向を示したが、
色純度はＳｒＳに比較して改善されている。
Ｓｒ、 、５Ｂａ０．．５ｌ−ｙＳｅｙ：Ｃｅ（（０，
１ｍｏＱ％）についても、Ｓｓ濃度ｙが増加するにつれ
てピーク波長はＳｒ、、、Ｂａ。、５Ｓに比べ短波長側
にシフトし１色純度の改善がみられた。
１ｍｏＱ％）についても、Ｓｓ濃度ｙが増加するにつれ
てピーク波長はＳｒ、、、Ｂａ。、５Ｓに比べ短波長側
にシフトし１色純度の改善がみられた。
以上のように本発明の発光層母体材料すなわち（Ｓｒｔ
−ｘＢａｘ） （Ｓｔ−ｙＳｅｙ）をＣｅで付括するこ
とにより、従来の単一アルカリ土類、単一力ルコゲンか
らなるアルカリ土類カルコゲナイドを母体としたものに
較べて青色発光薄膜ＥＬ素子の色純度を改善することが
できる。したがって、本発明によれば、Ｃｅで付括され
たアルカリ土類カルコゲナイドを発光層とする薄膜ＥＬ
素子の特性を改善して高輝度で色純度が良好な薄膜ＥＬ
素子を得ることができる効果を有するものである。
−ｘＢａｘ） （Ｓｔ−ｙＳｅｙ）をＣｅで付括するこ
とにより、従来の単一アルカリ土類、単一力ルコゲンか
らなるアルカリ土類カルコゲナイドを母体としたものに
較べて青色発光薄膜ＥＬ素子の色純度を改善することが
できる。したがって、本発明によれば、Ｃｅで付括され
たアルカリ土類カルコゲナイドを発光層とする薄膜ＥＬ
素子の特性を改善して高輝度で色純度が良好な薄膜ＥＬ
素子を得ることができる効果を有するものである。
第１図は本発明による（Ｓｒｌ−ｘＢａｘ） （Ｓｔ−
ｙＳｅｙ）：Ｃｅを発光層として有する薄１１５ｉＥＬ
素子の断面図、第２図は本発明による薄膜ＥＬ素子の色
純度及び効率の特性変化の効果を示す図、第３図はＳｒ
Ｓ：ＣｅのＣｅからの発光スペクトルと、発光遷移のエ
ネルギー順位を示す図である。 １・・・ガラス基板 ２・・・透明電極３・・
・第一絶縁体層 ４・・・５ｒｌ−ｘＢａ）（Ｓ：Ｃｅ
発光層薄膜５・・・第二絶縁体層 ６・・・上部
電極ｌ ガラス基板 ２ 透明＠極 ３ 第−紀縁伜屑 ４ ５ｒｌ−ｘＢａｘ Ｓ ：Ｃｅ 光光層簿膜 ５ 第二絶縁伜贋 ６ 上邪電桃
ｙＳｅｙ）：Ｃｅを発光層として有する薄１１５ｉＥＬ
素子の断面図、第２図は本発明による薄膜ＥＬ素子の色
純度及び効率の特性変化の効果を示す図、第３図はＳｒ
Ｓ：ＣｅのＣｅからの発光スペクトルと、発光遷移のエ
ネルギー順位を示す図である。 １・・・ガラス基板 ２・・・透明電極３・・
・第一絶縁体層 ４・・・５ｒｌ−ｘＢａ）（Ｓ：Ｃｅ
発光層薄膜５・・・第二絶縁体層 ６・・・上部
電極ｌ ガラス基板 ２ 透明＠極 ３ 第−紀縁伜屑 ４ ５ｒｌ−ｘＢａｘ Ｓ ：Ｃｅ 光光層簿膜 ５ 第二絶縁伜贋 ６ 上邪電桃
Claims (1)
- （１）Ｃｅで付括されたアルカリ土類カルコゲナイドか
らなる発光層を有する薄膜ＥＬ素子において、この発光
層の母体であるアルカリ土類カルコゲナイドがＳｒＳ，
ＳｒＳｅ，ＢａＳ及びＢａＳｅのうち少なくとも２種以
上を含む混晶であることを特徴とする薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62158097A JPS642298A (en) | 1987-06-24 | 1987-06-24 | Thin film electroluminescent element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62158097A JPS642298A (en) | 1987-06-24 | 1987-06-24 | Thin film electroluminescent element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH012298A true JPH012298A (ja) | 1989-01-06 |
| JPS642298A JPS642298A (en) | 1989-01-06 |
Family
ID=15664238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62158097A Pending JPS642298A (en) | 1987-06-24 | 1987-06-24 | Thin film electroluminescent element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS642298A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007224148A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | National Univ Corp Shizuoka Univ | 混晶の蛍光体及びディスプレイ |
-
1987
- 1987-06-24 JP JP62158097A patent/JPS642298A/ja active Pending
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