JPH01231025A - 薄膜トランジスタアレイ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、アクティブマトリクス型の液晶表示器等に利
用される薄膜トランジスタアレイに関するものである。

［従来の技術］ スイッチング素子を画素毎に設けた、いわゆるアクティ
ブマトリクス型の液晶表示器に用いられる薄膜トランジ
スタアレイでは、ゲート配線およびゲート電極（以下、
両者を総称してゲート配線という〉にＴａ（タンタル）
を用い、ケート絶縁層あるいはゲート絶縁層の一部にＴ
ａ陽−酸化膜を用いた構成が提案されている。

第７図は、上記構成を有する薄膜トランジスタアレイに
おけるゲート配線と、このゲート配線と外部回路との接
続を行う接続端子の、製造工程を示した平面図である。

以下、同図を用いて説明を行う。

（ａ）絶縁性基板６上にＴａｌを形成し、これをバター
ニングして、ゲート配線３、陽極酸化端子７等を形成す
る。

（ｂ）上記絶縁性基板６を陽極酸化溶液に浸し、陽極酸
化膜４を形成する。

（ｃ）絶縁性基板６を切断して陽極酸化端子７を切り離
し、外部回路との接続端子５を形成する。

以上の工程により製造されたゲート配線３および接続端
子５の構成を同図の■−■線における断面図で示すと第
８図のようになる。

［解決しようとする課題］ Ｔａは肢酸化性の強い金属であり、空気中でも長時間放
置しておくと表面に酸化膜が形成される。

特に薄膜トランジスタアレイを作成するときには、Ｔａ
表面は数百度の高温雰囲気に晒されることがあり、数十
オングストローム以上の酸化膜が形成されることがある
。このようにＴａ表面に酸化膜が形成されると、外部回
路との接続の際、電気的な導通が不十分となり、外部回
路からの信号が各薄膜トランジスタに正常に伝達されな
いという問題を生じる。

さらに、外部回路との接続にワイヤボンディングを用い
ると、上記Ｔａ表面の酸化膜により、接続不良が生じる
という問題も起きる。

本発明は、上記従来の課題に対してなされたものであり
、外部回路と、ゲート配線の接続端子が、電気的、物理
的に接続不良を生じないような薄膜トランジスタアレイ
の構成を提供することを目的としている。

［課題を解決するための手段］ 本発明は、ゲート配線がＴａにより形成され、ゲート絶
縁層が少なくともＴａ陽極酸化膜により形成された薄膜
トランジスタイアレイにおいて、上記ゲート配線の外部
回路との接続端子が、上記ゲート配線に接続された非酸
化性の金属により形成されていることを特徴とする薄膜
トランジスタアレイを提供することにより上記目的を達
成している。

［実施例］ 、以下、図面に基き本発明の説明を行う。

実施例１ 第１図は、本発明における第１の実施例を得るための製
造工程を示した十面図である。同図において、１はＴａ
、２は金属、３はゲート配線、４はＴａ陽極酸化膜、５
は接続端子、６は絶縁性基板、７は陽極酸化端子である
。以下、同図を用いて説明を行う。

（ａ）絶縁性基板上にＴａｌをスパッタ法により成膜し
、このＴａ１ＦにＭｏ（モリブデン）／Ｔａ合金を用い
た非酸化性の金属２をメタルマスクを用いたスパッタ法
により部分的に成膜する。金属２としては上記Ｍ　ｏ　
／　Ｔ　ａ合金の他、Ｃｒ（クロム）　、Ｍｏ、Ｍｏ／
Ｗ　（タングステン）合金、Ｔ　ａ　／　Ｗ合金、Ｔｉ
（チタン）／Ｎｉ　にッケル）合金、ＴｉとＷ（Ｔｉ上
にＷを形成した２層構成）等を用いることができるが、
以下、金属２としては上記Ｍ　ｏ　／　Ｔ　ａ合金を用
いることにする。

（ｂ）ＣＦ４系ガスを用いたドライエツチング法により
上記Ｔａｌおよび金属２をパターニングして、ゲート配
線３、陽極酸化端子７等を形成する。

（ｃ）絶縁性基板６を陽極酸化溶液に浸し、ゲート配線
３を陽極酸化してＴａ陽極酸化膜４を形成する。陽極酸
化法としては、陽極酸化溶液としてクエン酸の１％水溶
液を用い、陽極を陽極酸化端子７に接続し、陰極を陽極
酸化溶液中に設けられた白金電極に接続して、両電極間
に電圧を印加して行う。

（ｄ）絶縁性基板６を切断して陽極酸化端子７を切り離
し、外部回路との接続端子５を形成する。

以上の工程により得られたゲート配線３および接続端子
５の構成を、同図の■−■線における断面図で示すと第
２図のようになる。接続端子５は非酸化性の金属５によ
り形成されているため、外部回路との接続に際し接続不
良を生じることはない。

実施例２ 第３図は、本発明における第２の実施例の構成を得るた
めの製造工程を示した平面図である。以下、同図を用い
て説明を行う。

（ａ）絶縁性基板上に、Ｍ　ｏ　／　Ｔ　ａ合金による
非酸化性の金属２をメタルマスクを用いたスパッタ法に
より部分的な成膜を行う。引き続きＴａｌをメタルマス
クを用いたスパッタ法により部分的成膜を行う。このと
きＴａｌは、」１紀金属２と接続され、かつ、上記金属
２の一部を覆わないように形成することが重要である。

金属２としては」二足Ｍ　ｏ　／　Ｔ　ａ合金の他に、
Ｍｏ、Ｃｒ、Ｍ　ｏ　／　Ｗ合金、Ｔ　ａ　／　Ｗ合金
、Ｔｉ／Ｗ合金等を用いることができるが、以下、金属
２としては上記Ｍ　ｏ　／　Ｔａ合金を用いることにす
る。

（ｂ）ＣＦ４系ガスを用いたドライエツチング法により
上記Ｔａｌおよび金属２をパターニングして、ゲート配
線３、陽極酸化端子７等を形成する。

（ｃ）絶縁性基板６を陽極酸化溶液に浸し、ゲート配線
３を陽極酸化しＴａ陽極酸化膜４を形成する。陽極酸化
法は実施例１で述べたものと同様に行えばよい。

（ｄ）絶縁性基板６を切断して陽極酸化端子７を切り離
し、外部回路との接続端子５を形成する。

以上の工程によりｉｉ罎られたゲート配線３および接続
端子５の構成を、同図のＩＶ−ＩＶ線における断面図で
示すと第４図のようになる。接続端子５は非酸化性の金
属２により形成されているため、外部回路との接続に際
し接続不良を生じることはない。

実施例３ 第５図は、本発明における第３の実施例の構成を得るた
めの製造工程を示した平面図である。以下、同図を用い
て説明を行う。

（ａ）絶縁性基板６上に、Ｍ　ｏ　／　７　Ｂ合金によ
る金属２をスパッタ法により成膜し、この金属２をＣＦ
４系ガスを用いたドライエンチング法によりバターニン
グして、陽極酸化端子７等を形成する。

引き続きＴａｌをメタルマスクを用いたスパッタ法によ
り部分的に成膜する。金属２としては上記Ｍ　ｏ　／　
Ｔ　ａ合金のほかにＭ　ｏ　／　Ｗ合金、Ｔ　ａ　／　
Ｗ合金、Ｔｉ／Ｗ合金等を用いることができる。

（ｂ）ＣＦ４系ガスを用いたドライエツチング法により
上記Ｔａｌをパターニングして、金属２のパターンより
も幅広のゲート配線３を形成する。

（ｃ）絶縁性基板６を陽極酸化溶液に浸しＴａｌ、のパ
ターンを陽極酸化してＴａ陽極酸化膜４を形成する。陽
極酸化法は実施例１て述べたものと同様に行えばよい。

（ｄ）絶縁性基板６を切断して陽極酸化端子７を切り離
し、外部回路との接続端子５を形成する。

以上の工程により得られたケート配線３および接続端子
５の構成を、同図のＶｌ−Ｖｌ線における断面図で示す
と第６図のようになる。接続端子５は非酸化性の金属２
により形成されているため、外部回路との接続に際し絶
縁不良を生じることはない。

［発明の効果１ 本発明によれば、ゲート配線の外部回路との接続端子か
非酸化性の金属により形成されているため、外部回路と
の接続に際し、電気的、物理的な絶縁不良を生じること
がなくなる。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明における第１の実施例およびその製造工
程を示した平面図、第２図は第１図の■−■線における
断面図、第３図は本発明における第２の実施例およびそ
の製造工程を示しｔ；平面図、第４図は第３図のＩＶ−
ＩＶ線における断面図、第５図は本発明における第３の
実施例およびその製造工程を示した平面図、第６図は第
５図の■−■線における断面図、第７図は従来例および
その製造工程を示した平面図、第８図は第７図の■−■
線における断面図である。 １・・・Ｔａ ２・・・金属 ３・・・ゲート配線 ４・・・Ｔａ陽極酸化膜 ５・・・接続端子 以　　上 出願人　　株式会社　精　玉　舎

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　ゲート配線がＴａ（タンタル）により形成され、ゲー
   ト絶縁層が少なくともＴａ陽極酸化膜により形成された
   薄膜トランジスタアレイにおいて、上記ゲート配線の接
   続端子が、上記ゲート配線に接続された非酸化性の金属
   により形成されていることを特徴とする薄膜トランジス
   タアレイ。