JPH0424686B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0424686B2 JPH0424686B2 JP60207626A JP20762685A JPH0424686B2 JP H0424686 B2 JPH0424686 B2 JP H0424686B2 JP 60207626 A JP60207626 A JP 60207626A JP 20762685 A JP20762685 A JP 20762685A JP H0424686 B2 JPH0424686 B2 JP H0424686B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- insulating film
- liquid crystal
- crystal display
- electrical insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 56
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 17
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 9
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1365—Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136259—Repairing; Defects
- G02F1/136268—Switch defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、液晶表示装置の製造方法に関し、も
つと詳しくは、各表示電極に非線型抵抗素子を介
して電気信号が与えられる構成を有する液晶表示
装置の製造方法に関する。
つと詳しくは、各表示電極に非線型抵抗素子を介
して電気信号が与えられる構成を有する液晶表示
装置の製造方法に関する。
背景技術
液晶表示装置の高コントラスト化、および大表
示容量化の要請に応えるべく、従来から種々の能
動素子を有する液晶表示装置が提案されており、
そのうち金属−絶縁膜−金属の構造を有する非線
型抵抗素子（Metal−Insulator−Metal素子、以
下MIM素子と略称する）を、組み込んだ液晶表
示装置の製造工程が比較的簡単であり、またパタ
ーン幅や、精度が緩やかなことから注目を集めて
いる。その典型的な先行技術は、第１３図〜第１
７図に示されている。この液晶表示装置を製造す
るにあたつては、ガラス基板１上にタンタル
（Ta）から成る第１導電体２が蒸着あるいはスパ
ツタリングによつて3000〜5000Åの膜厚で形成す
る。第１導電体２上にポリイミドから成る第１電
気絶縁膜３を数千Å〜1μmの膜厚で形成し、エツ
チングを行なつて第１３図に示されるように、第
１導電体２と第１電気絶縁膜３とを同時にパター
ニングする。次にこのガラス基板１をクエン酸な
どの電解質水溶液の中で陽極酸化し、第１４図に
示される第２電気絶縁膜４を形成する。さらに
ITO（Indium−Tin−Oxide）から成る透明電極
５を、第１５図に示されるように蒸着あるいはエ
ツチングによつて形成する。次にタンタル、アル
ミニウム（Al）、クロム（Cr）などから成る第２
導電体６を蒸着あるいはスパツタリングによつて
形成し、エツチングによつて第１６図に示される
ように、第２導電体６を各電気絶縁膜３，４およ
び透明電極５間に亘つて延びるようにパターン形
成する。ここで第１導電体２と、第２電気絶縁膜
４と、第２導電体６とは、MIM素子７を構成す
る。
示容量化の要請に応えるべく、従来から種々の能
動素子を有する液晶表示装置が提案されており、
そのうち金属−絶縁膜−金属の構造を有する非線
型抵抗素子（Metal−Insulator−Metal素子、以
下MIM素子と略称する）を、組み込んだ液晶表
示装置の製造工程が比較的簡単であり、またパタ
ーン幅や、精度が緩やかなことから注目を集めて
いる。その典型的な先行技術は、第１３図〜第１
７図に示されている。この液晶表示装置を製造す
るにあたつては、ガラス基板１上にタンタル
（Ta）から成る第１導電体２が蒸着あるいはスパ
ツタリングによつて3000〜5000Åの膜厚で形成す
る。第１導電体２上にポリイミドから成る第１電
気絶縁膜３を数千Å〜1μmの膜厚で形成し、エツ
チングを行なつて第１３図に示されるように、第
１導電体２と第１電気絶縁膜３とを同時にパター
ニングする。次にこのガラス基板１をクエン酸な
どの電解質水溶液の中で陽極酸化し、第１４図に
示される第２電気絶縁膜４を形成する。さらに
ITO（Indium−Tin−Oxide）から成る透明電極
５を、第１５図に示されるように蒸着あるいはエ
ツチングによつて形成する。次にタンタル、アル
ミニウム（Al）、クロム（Cr）などから成る第２
導電体６を蒸着あるいはスパツタリングによつて
形成し、エツチングによつて第１６図に示される
ように、第２導電体６を各電気絶縁膜３，４およ
び透明電極５間に亘つて延びるようにパターン形
成する。ここで第１導電体２と、第２電気絶縁膜
４と、第２導電体６とは、MIM素子７を構成す
る。
次に第１７図を参照して、MIM素子７および
ガラス基板１の全表面を覆う配向膜８を形成する
とともに、もう１つのガラス基板９の表面に透明
電極１０と、配向膜１１とをこの順序で形成し、
これら配向膜８，１１間にシール材１２を介して
液晶１３を封入する。こうして透明電極５，１０
によるドツトマトリツクス表示方式の液晶表示装
置を得ることができる。
ガラス基板１の全表面を覆う配向膜８を形成する
とともに、もう１つのガラス基板９の表面に透明
電極１０と、配向膜１１とをこの順序で形成し、
これら配向膜８，１１間にシール材１２を介して
液晶１３を封入する。こうして透明電極５，１０
によるドツトマトリツクス表示方式の液晶表示装
置を得ることができる。
このような先行技術では、陽極酸化によつて第
２電気絶縁膜４を形成する際に、第１７図の参照
符１４で示されるようなピンホールや、異物の原
因によつて第２絶縁膜４のリークが発生し、この
ため液晶表示装置の表示品質が低下するという問
題がある。またMIM素子７を含む液晶表示装置
の実際の商品化にあたつて、パネル内の数万個に
およぶMIM素子をリークなしで形成するのは、
非常に困難である。
２電気絶縁膜４を形成する際に、第１７図の参照
符１４で示されるようなピンホールや、異物の原
因によつて第２絶縁膜４のリークが発生し、この
ため液晶表示装置の表示品質が低下するという問
題がある。またMIM素子７を含む液晶表示装置
の実際の商品化にあたつて、パネル内の数万個に
およぶMIM素子をリークなしで形成するのは、
非常に困難である。
発明が解決しようとする問題点
本発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、
電気絶縁膜のリークによる表示品質の低下を可及
的に防ぐようにした液晶表示装置の製造方法を提
供することである。
電気絶縁膜のリークによる表示品質の低下を可及
的に防ぐようにした液晶表示装置の製造方法を提
供することである。
問題点を解決するための手段
本発明は、液晶を封入する基板の内面に非線型
抵抗素子が形成され、該非線型抵抗素子を介して
前記液晶に駆動電圧を印加する液晶表示装置の製
造方法において、前記基板上に第１の導電体を形
成し、該第１の導電体を陽極酸化することによつ
て表面に第１の絶縁膜を形成し、該第１の絶縁膜
上に第２の導電体を形成して第１の非線型抵抗素
子とする工程と、再度陽極酸化することによつて
前記第１の導電体と導通状態にある前記第２の導
電体表面に第２の絶縁膜を形成する工程と、前記
第２の導電体上及び前記第２の絶縁膜上に第３の
導電体を形成して該第３の導電体、前記第２の絶
縁膜及び前記第２の導電体から成る第２の非線型
抵抗素子を得る工程と、を具備して成ることを特
徴とする液晶表示装置の製造方法である。
抵抗素子が形成され、該非線型抵抗素子を介して
前記液晶に駆動電圧を印加する液晶表示装置の製
造方法において、前記基板上に第１の導電体を形
成し、該第１の導電体を陽極酸化することによつ
て表面に第１の絶縁膜を形成し、該第１の絶縁膜
上に第２の導電体を形成して第１の非線型抵抗素
子とする工程と、再度陽極酸化することによつて
前記第１の導電体と導通状態にある前記第２の導
電体表面に第２の絶縁膜を形成する工程と、前記
第２の導電体上及び前記第２の絶縁膜上に第３の
導電体を形成して該第３の導電体、前記第２の絶
縁膜及び前記第２の導電体から成る第２の非線型
抵抗素子を得る工程と、を具備して成ることを特
徴とする液晶表示装置の製造方法である。
作 用
本発明に従えば、第１導電体と、第１電気絶縁
膜と、第２導電体とを形成して１つのMIM素子
を構成し、次に、陽極酸化によつて、第１導電体
と電気的に導通している第２導電体上に第２電気
絶縁膜を形成し、この第２電気絶縁膜上に、第３
導電体を形成してもう１つのMIM素子を構成す
るものである。
膜と、第２導電体とを形成して１つのMIM素子
を構成し、次に、陽極酸化によつて、第１導電体
と電気的に導通している第２導電体上に第２電気
絶縁膜を形成し、この第２電気絶縁膜上に、第３
導電体を形成してもう１つのMIM素子を構成す
るものである。
実施例
以下、第１図〜第１２図を参照して、本発明に
従う液晶表示装置の製造方法を説明する。耐熱性
のガラス基板２０上には、タンタルから成る第１
導電体２１が蒸着あるいはスパツタリングによつ
て、約4000Åの膜厚で形成され、第２図および第
３図で示されるように、ドライエツチングによつ
てパターニングされる。
従う液晶表示装置の製造方法を説明する。耐熱性
のガラス基板２０上には、タンタルから成る第１
導電体２１が蒸着あるいはスパツタリングによつ
て、約4000Åの膜厚で形成され、第２図および第
３図で示されるように、ドライエツチングによつ
てパターニングされる。
次に、ガラス基板２０を0.01wt％クエン酸中で
１回目の陽極酸化を行ない、第１導電体２１上に
第４図で示されるように、Ta2O5から成る第１電
気絶縁膜２２が約500Åの膜厚で形成される。
１回目の陽極酸化を行ない、第１導電体２１上に
第４図で示されるように、Ta2O5から成る第１電
気絶縁膜２２が約500Åの膜厚で形成される。
次に、ガラス基板２０、および第１電気絶縁膜
２２の全表面に亘つて、ポジ型ホトレジスト層２
３を塗布し、その後、マスク露光を行なう。この
マスク露光は、ガラス基板２０のホトレジスト層
２３が形成される面とは反対側の面に臨んでマス
ク材２４を配置し、このマスク材２４には、ホト
レジスト層２３のレジスト剥離を行なうべき領域
Ｗに対応する透孔２５が形成されており、矢符Ａ
で示す方向（第６図の下方から上方に向けて）
に、光を照射するものである。このマスク露光に
よつて、参照符２６で示されるレジスト層部分が
剥離される。参照符２７で示す第１電気絶縁膜２
２上のレジスト層部分２７は、第１導電体２１に
よるマスク効果によつて剥離されないまま残る。
２２の全表面に亘つて、ポジ型ホトレジスト層２
３を塗布し、その後、マスク露光を行なう。この
マスク露光は、ガラス基板２０のホトレジスト層
２３が形成される面とは反対側の面に臨んでマス
ク材２４を配置し、このマスク材２４には、ホト
レジスト層２３のレジスト剥離を行なうべき領域
Ｗに対応する透孔２５が形成されており、矢符Ａ
で示す方向（第６図の下方から上方に向けて）
に、光を照射するものである。このマスク露光に
よつて、参照符２６で示されるレジスト層部分が
剥離される。参照符２７で示す第１電気絶縁膜２
２上のレジスト層部分２７は、第１導電体２１に
よるマスク効果によつて剥離されないまま残る。
次に、ホトレジスト層２３のパターニングされ
た部分に、タンタルから成る第２導電体２８をス
パツタリングによつて、約4000Åの膜厚で形成
し、その後、ホトレジスト層２３のレジスト剥離
を行なう。これによつて第７図および第８図で示
されるような、第１導電体２１と、第１電気絶縁
膜２２と、第２導電体２８とのMIM素子２９，
３０が構成される。ここでMIM素子２９は、ピ
ンホールなどがない良好な素子であり、MIM素
子３０は、ピンホール５０などによる第１電気絶
縁膜２２がリークしている素子であるものとす
る。本発明はリークしているMIM素子３０を良
好な素子にするものであり、具体的には、陽極酸
化を２回行なうものである。
た部分に、タンタルから成る第２導電体２８をス
パツタリングによつて、約4000Åの膜厚で形成
し、その後、ホトレジスト層２３のレジスト剥離
を行なう。これによつて第７図および第８図で示
されるような、第１導電体２１と、第１電気絶縁
膜２２と、第２導電体２８とのMIM素子２９，
３０が構成される。ここでMIM素子２９は、ピ
ンホールなどがない良好な素子であり、MIM素
子３０は、ピンホール５０などによる第１電気絶
縁膜２２がリークしている素子であるものとす
る。本発明はリークしているMIM素子３０を良
好な素子にするものであり、具体的には、陽極酸
化を２回行なうものである。
MIM素子２９，３０を形成した後、ガラス基
板２０をもう１度クエン酸などの電解質水溶液中
で、２回目の陽極酸化を行なう。この結果、良好
なMIM素子２９に関しては、第１電気絶縁膜２
２によつて、第１導電体２１と第２導電体２８と
が絶縁されているため、第２導電体２８の表面酸
化は行なわれないが、リークしているMIM素子
３０に関しては、第１電気絶縁膜２２のピンホー
ル５０などによつて、第１導電体２１と第２導電
体２８とが導通状態にあるため、第９図で示され
るように、第２導電体２８の表面に、Ta2O5から
成る第２電気絶縁膜３２が形成される。
板２０をもう１度クエン酸などの電解質水溶液中
で、２回目の陽極酸化を行なう。この結果、良好
なMIM素子２９に関しては、第１電気絶縁膜２
２によつて、第１導電体２１と第２導電体２８と
が絶縁されているため、第２導電体２８の表面酸
化は行なわれないが、リークしているMIM素子
３０に関しては、第１電気絶縁膜２２のピンホー
ル５０などによつて、第１導電体２１と第２導電
体２８とが導通状態にあるため、第９図で示され
るように、第２導電体２８の表面に、Ta2O5から
成る第２電気絶縁膜３２が形成される。
次に前記第６図と同様なマスク露光によつて、
第１０図および第１１図に示されるように、タン
タルから成る第３導電体３３をスパツタおよびリ
フトオフにより形成する。これによつてリークを
有するMIM素子３０に関して、第２導電体２８
と、第２電気絶縁膜３２と、第３導電体３３とか
ら成るもう１つのMIM素子３４が形成される。
リークを有しないMIM素子２９については、第
２電気絶縁膜３２が形成されないため、第２導電
体２８と第３導電体３３とは、導通状態にある。
第１０図および第１１図に示されるように、タン
タルから成る第３導電体３３をスパツタおよびリ
フトオフにより形成する。これによつてリークを
有するMIM素子３０に関して、第２導電体２８
と、第２電気絶縁膜３２と、第３導電体３３とか
ら成るもう１つのMIM素子３４が形成される。
リークを有しないMIM素子２９については、第
２電気絶縁膜３２が形成されないため、第２導電
体２８と第３導電体３３とは、導通状態にある。
次に、ガラス基板２０上にITOから成る表示用
の透明電極３５を蒸着によつて形成し、第１２図
のようにエツチングによつて、第３導電体３３と
電気的に接続する。
の透明電極３５を蒸着によつて形成し、第１２図
のようにエツチングによつて、第３導電体３３と
電気的に接続する。
このようにガラス基板２０上に、MIM素子２
９，３０を形成した後、再び陽極酸化を行なつて
リークを有するMIM素子３０に関して、リーク
のないMIM素子３４を形成するようにしたので、
リークによる画素欠陥不良をなくし、表示品質の
向上を図ることができる。また、２回目の陽極酸
化によつて、第１図に示されるように、リークの
ないMIM素子２９の第２導電体２８は、第３導
電体３３を介して透明電極３５に電気的に導通さ
れ、またリークを有するMIM素子３０の第２導
電体２８は、MIM素子３４を介して透明電極３
５に導通されることとなり、これによつてMIM
素子３０のリークによる画素欠陥不良などを完全
になくすことができる。
９，３０を形成した後、再び陽極酸化を行なつて
リークを有するMIM素子３０に関して、リーク
のないMIM素子３４を形成するようにしたので、
リークによる画素欠陥不良をなくし、表示品質の
向上を図ることができる。また、２回目の陽極酸
化によつて、第１図に示されるように、リークの
ないMIM素子２９の第２導電体２８は、第３導
電体３３を介して透明電極３５に電気的に導通さ
れ、またリークを有するMIM素子３０の第２導
電体２８は、MIM素子３４を介して透明電極３
５に導通されることとなり、これによつてMIM
素子３０のリークによる画素欠陥不良などを完全
になくすことができる。
効 果
以上のように本発明によれば、第１導電体と、
第１電気絶縁膜と、第２導電体とを形成して１つ
のMIM素子を構成し、次に、陽極酸化によつて、
第１導電体と電気的に導通している第２導電体上
に第２電気絶縁膜を形成し、この第２電気絶縁膜
上に、第３導電体を形成してもう１つのMIM素
子を構成することによつて、第１電気絶縁膜のリ
ークによる画素欠陥不良をなくすことができ、こ
れによつて表示品質の向上を図ることができる。
第１電気絶縁膜と、第２導電体とを形成して１つ
のMIM素子を構成し、次に、陽極酸化によつて、
第１導電体と電気的に導通している第２導電体上
に第２電気絶縁膜を形成し、この第２電気絶縁膜
上に、第３導電体を形成してもう１つのMIM素
子を構成することによつて、第１電気絶縁膜のリ
ークによる画素欠陥不良をなくすことができ、こ
れによつて表示品質の向上を図ることができる。
第１図は本発明の一実施例の斜視図、第２図は
第１導電体２１が形成されたガラス基板２０の平
面図、第３図は第２図の切断面線−から見た
断面図、第４図は１回目の陽極酸化による第１電
気絶縁膜２２を示す図、第５図はホトレジスト層
２３が形成されたガラス基板２０の平面図、第６
図は第５図の切断面線−から見た断面図、第
７図は第２導電体２８が形成されたガラス基板２
０の平面図、第８図は第７図の切断面線−か
ら見た断面図、第９図は第７図の切断面線−
から見た断面図、第１０図は第３導電体３３が形
成されたガラス基板２０の平面図、第１１図は第
１０図の切断面線XI−XIから見た断面図、第１２
図は透明電極３５が形成されたガラス基板２０の
平面図、第１３図〜第１７図は先行技術の製造工
程を説明するための図である。 １，２０…ガラス基板、２０，２１…第１導電
体、３，４，２２，３２…電気絶縁膜、６，２８
…第２導電体、７，２９，３０，３４…MIM素
子、３３…第３導電体。
第１導電体２１が形成されたガラス基板２０の平
面図、第３図は第２図の切断面線−から見た
断面図、第４図は１回目の陽極酸化による第１電
気絶縁膜２２を示す図、第５図はホトレジスト層
２３が形成されたガラス基板２０の平面図、第６
図は第５図の切断面線−から見た断面図、第
７図は第２導電体２８が形成されたガラス基板２
０の平面図、第８図は第７図の切断面線−か
ら見た断面図、第９図は第７図の切断面線−
から見た断面図、第１０図は第３導電体３３が形
成されたガラス基板２０の平面図、第１１図は第
１０図の切断面線XI−XIから見た断面図、第１２
図は透明電極３５が形成されたガラス基板２０の
平面図、第１３図〜第１７図は先行技術の製造工
程を説明するための図である。 １，２０…ガラス基板、２０，２１…第１導電
体、３，４，２２，３２…電気絶縁膜、６，２８
…第２導電体、７，２９，３０，３４…MIM素
子、３３…第３導電体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 液晶を封入する基板の内面に非線型抵抗素子
が形成され、該非線型抵抗素子を介して前記液晶
に駆動電圧を印加する液晶表示装置の製造方法に
おいて、 前記基板上に第１の導電体を形成し、該第１の
導電体を陽極酸化することによつて表面に第１の
絶縁膜を形成し、該第１の絶縁膜上に第２の導電
体を形成して第１の非線型抵抗素子とする工程
と、 再度陽極酸化することによつて前記第１の導電
体と導通状態にある前記第２の導電体表面に第２
の絶縁膜を形成する工程と、 前記第２の導電体上及び前記第２の絶縁膜上に
第３の導電体を形成して該第３の導電体、前記第
２の絶縁膜及び前記第２の導電体から成る第２の
非線型抵抗素子を得る工程と、 を具備して成ることを特徴とする液晶表示装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60207626A JPS6266232A (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60207626A JPS6266232A (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6266232A JPS6266232A (ja) | 1987-03-25 |
| JPH0424686B2 true JPH0424686B2 (ja) | 1992-04-27 |
Family
ID=16542910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60207626A Granted JPS6266232A (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6266232A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0746188B2 (ja) * | 1985-11-18 | 1995-05-17 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
-
1985
- 1985-09-18 JP JP60207626A patent/JPS6266232A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6266232A (ja) | 1987-03-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH01217325A (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR0140971B1 (ko) | 액티브 매트릭스형 액정 디스플레이 패널 및 제조 방법 | |
| US20030202131A1 (en) | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same | |
| JP3094610B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| KR100241721B1 (ko) | 액정표시소자 및 그 제조방법 | |
| JPH0424686B2 (ja) | ||
| JP2795883B2 (ja) | 液晶表示装置における非線形素子 | |
| JP3076483B2 (ja) | 金属配線基板の製造方法および薄膜ダイオードアレイの製造方法 | |
| JPH02281237A (ja) | 表示装置の電極構造 | |
| JP3407596B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH02208636A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JP2845929B2 (ja) | 非線形素子の製造方法 | |
| JPH02272774A (ja) | アクティブマトリクス回路基板 | |
| JPH0815733A (ja) | 薄膜トランジスタパネルとその製造方法 | |
| JP3229905B2 (ja) | 液晶表示パネルとその製造方法 | |
| JPH07325321A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JP3074866B2 (ja) | 非線形素子およびその製造方法並びにその非線形素子を用いた電気光学装置 | |
| JP2980803B2 (ja) | 金属配線の形成方法 | |
| JPH06273782A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPS61121471A (ja) | 薄膜集積装置の製造方法 | |
| JPH0643494A (ja) | 電気光学装置の製造方法 | |
| JPH08320495A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JP2859304B2 (ja) | 非線形抵抗素子の製造方法 | |
| JP3092216B2 (ja) | 電気光学装置の製造方法 | |
| KR920006432B1 (ko) | 평판 디스플레이용 박막트랜지스터 및 그 제조방법 |