JPH01235232A - 絶縁基板上の半導体膜の加熱法 - Google Patents
絶縁基板上の半導体膜の加熱法Info
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- JPH01235232A JPH01235232A JP6116988A JP6116988A JPH01235232A JP H01235232 A JPH01235232 A JP H01235232A JP 6116988 A JP6116988 A JP 6116988A JP 6116988 A JP6116988 A JP 6116988A JP H01235232 A JPH01235232 A JP H01235232A
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- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＳ ＯＩ （Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｏ
ｎ工ｎａｕｌａｔｏｒ又は８１１１ｃｏｎ Ｏｎ工ｎａ
ｕｌａｔｏｒ ） の半導体膜の配化処理、アニール
処理等の加熱を要する際の加熱法に関する。
ｎ工ｎａｕｌａｔｏｒ又は８１１１ｃｏｎ Ｏｎ工ｎａ
ｕｌａｔｏｒ ） の半導体膜の配化処理、アニール
処理等の加熱を要する際の加熱法に関する。
従来、ＳＯ工基板の加熱に関しては、ハロゲン・ランプ
によるＲ Ｔ Ａ （Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａ
ｎｎｅａｌ ）が適用されるのが通例であった。
によるＲ Ｔ Ａ （Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａ
ｎｎｅａｌ ）が適用されるのが通例であった。
（発明が解決しようとする課題〕
しかし、上記従来技術によると、例えば石英板上にシリ
コン膜を形成し４該シリコン膜にイオン打込み処理を施
し、イオン打込み層の活性化の為のアニールを、ハロゲ
ン・ランプにより行なうと、ハロゲン・ランプの光の波
長が１μｍ程度にピークを持つ巾広い波長である為に、
光の大部分、（恐らく９０％以上）が石英基板は勿論で
あるがシリコン膜を透過してしまい、シリコン膜の充分
な加熱が行なわれず、イオン打込み層の活性化が充分に
行われないと云う問題点等があった。
コン膜を形成し４該シリコン膜にイオン打込み処理を施
し、イオン打込み層の活性化の為のアニールを、ハロゲ
ン・ランプにより行なうと、ハロゲン・ランプの光の波
長が１μｍ程度にピークを持つ巾広い波長である為に、
光の大部分、（恐らく９０％以上）が石英基板は勿論で
あるがシリコン膜を透過してしまい、シリコン膜の充分
な加熱が行なわれず、イオン打込み層の活性化が充分に
行われないと云う問題点等があった。
本発明は、かかる従来技術の問題点をなくし、ＳＯ工基
板の半導体膜の効率良い加熱方法を提供する事を目的と
する。
板の半導体膜の効率良い加熱方法を提供する事を目的と
する。
上記問題点を解決するために、絶縁基板上の半導体膜の
加熱法に係り、石英、す７アイヤ等の絶縁基板上に形成
されたシリコン等の半導体膜を加熱するに際し、キセノ
ン・ランプ等により、波長が４０んｍ程度以下の紫外線
を照射する手段をとる。
加熱法に係り、石英、す７アイヤ等の絶縁基板上に形成
されたシリコン等の半導体膜を加熱するに際し、キセノ
ン・ランプ等により、波長が４０んｍ程度以下の紫外線
を照射する手段をとる。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示す紫外線ランプ加熱法で
ある。すなわち、石英やガラスから成る容器１の中には
、治具２及びその上に石英基板３上にシリコン膜４を形
成したＳＯ工基板が設置されたものが置かれ、蓋６が閉
じられて、該容器内に、窒素ガスや酸素ガス等のガス５
が導入されると共に、排ガス７により排ガスされ、前記
ＳＯ工基板の光面又は裏面あるいはその双方等から紫外
線１０を照射すべく、キセノン・ランプ８及び反射鏡９
等の光学系が容器１外に設置されて成る。
ある。すなわち、石英やガラスから成る容器１の中には
、治具２及びその上に石英基板３上にシリコン膜４を形
成したＳＯ工基板が設置されたものが置かれ、蓋６が閉
じられて、該容器内に、窒素ガスや酸素ガス等のガス５
が導入されると共に、排ガス７により排ガスされ、前記
ＳＯ工基板の光面又は裏面あるいはその双方等から紫外
線１０を照射すべく、キセノン・ランプ８及び反射鏡９
等の光学系が容器１外に設置されて成る。
尚光学系は容器内に設置されても良い。
本発明により透明な絶縁基板上に形成された半導体膜の
酸化やアニール時に必要な加熱処理が、半導体膜が紫外
線を９０％以上吸収する作用がある為に極めて効率良く
行なう事ができる効果がある。
酸化やアニール時に必要な加熱処理が、半導体膜が紫外
線を９０％以上吸収する作用がある為に極めて効率良く
行なう事ができる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示すＳＯ工基板の紫外線ラ
ンプによる加熱法を示す図である。 １・・・・・・・・・容 器 ２・・・・・・・・・治 具 ３・・・・・・・・・石英基板 ４・・・・・・・・・シリコン膜 ５・・・・・・・・・ガ ス ６・・・・・・・・・蓋 ７・・・・・・・・・排ガス ８・・・・・・・・・キセノン・ランプ９・・・・・・
・・・反射鏡 １０・・・・・・紫外線 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 最上 務ｐ他１名） 第１図
ンプによる加熱法を示す図である。 １・・・・・・・・・容 器 ２・・・・・・・・・治 具 ３・・・・・・・・・石英基板 ４・・・・・・・・・シリコン膜 ５・・・・・・・・・ガ ス ６・・・・・・・・・蓋 ７・・・・・・・・・排ガス ８・・・・・・・・・キセノン・ランプ９・・・・・・
・・・反射鏡 １０・・・・・・紫外線 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 最上 務ｐ他１名） 第１図
Claims (1)
- 石英、サファイア等の絶縁基板上に形成されたシリコ
ン等の半導体膜を加熱するに際しキセノン・ランプ等に
より波長が４０んｍ程度以下の紫外線を照射する事を特
徴とする絶縁基板上の半導体膜の加熱法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6116988A JPH01235232A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 絶縁基板上の半導体膜の加熱法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6116988A JPH01235232A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 絶縁基板上の半導体膜の加熱法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01235232A true JPH01235232A (ja) | 1989-09-20 |
Family
ID=13163373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6116988A Pending JPH01235232A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 絶縁基板上の半導体膜の加熱法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01235232A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5279973A (en) * | 1990-10-16 | 1994-01-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Rapid thermal annealing for semiconductor substrate by using incoherent light |
| US6165273A (en) * | 1997-10-21 | 2000-12-26 | Fsi International Inc. | Equipment for UV wafer heating and photochemistry |
| US6465374B1 (en) | 1997-10-21 | 2002-10-15 | Fsi International, Inc. | Method of surface preparation |
| US7025831B1 (en) | 1995-12-21 | 2006-04-11 | Fsi International, Inc. | Apparatus for surface conditioning |
| JP2006261191A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| CN100357500C (zh) * | 2005-03-04 | 2007-12-26 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 制备微晶硅的方法 |
| JP2017147392A (ja) * | 2016-02-19 | 2017-08-24 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハの熱処理方法 |
-
1988
- 1988-03-15 JP JP6116988A patent/JPH01235232A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5279973A (en) * | 1990-10-16 | 1994-01-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Rapid thermal annealing for semiconductor substrate by using incoherent light |
| US7025831B1 (en) | 1995-12-21 | 2006-04-11 | Fsi International, Inc. | Apparatus for surface conditioning |
| US6165273A (en) * | 1997-10-21 | 2000-12-26 | Fsi International Inc. | Equipment for UV wafer heating and photochemistry |
| US6287413B1 (en) | 1997-10-21 | 2001-09-11 | Fsi International, Inc. | Apparatus for processing both sides of a microelectronic device precursor |
| US6465374B1 (en) | 1997-10-21 | 2002-10-15 | Fsi International, Inc. | Method of surface preparation |
| US6663792B2 (en) | 1997-10-21 | 2003-12-16 | Fsi International, Inc. | Equipment for UV wafer heating and photochemistry |
| CN100357500C (zh) * | 2005-03-04 | 2007-12-26 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 制备微晶硅的方法 |
| JP2006261191A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2017147392A (ja) * | 2016-02-19 | 2017-08-24 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハの熱処理方法 |
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